JPH0447461B2 - - Google Patents

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JPH0447461B2
JPH0447461B2 JP62084941A JP8494187A JPH0447461B2 JP H0447461 B2 JPH0447461 B2 JP H0447461B2 JP 62084941 A JP62084941 A JP 62084941A JP 8494187 A JP8494187 A JP 8494187A JP H0447461 B2 JPH0447461 B2 JP H0447461B2
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Arufuretsudo Gurubaa Piitaa
Furankurin Maakusu Ronarudo
Oriiu Gurahamu
Richaado Jingaa Aasaa
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Description

【発明の詳細な説明】 A 産業上の利用分野 この発明は冷却デバイスを結合した半導体回路
チツプからなる電子回路システムを製造する方法
に関し、より具体的にはチツプと冷却デバイスと
の間に酸化物を生成することなく、熱電導合金の
押出しにより、冷却デバイスを回路チツプに結合
する方法に関する。
B 従来技術 共通基板内の導体によつて相互接続された電子
回路チツプのアレイを用いて電子システムを製造
する際、チツプ内部を流れる電流によつて生じる
熱を除去するために何らかの形の冷却デバイスを
回路チツプに熱的に接続するのが常套手段であ
る。チツプから冷却デバイスの熱の流れが良好な
ことは、冷却効率を高め所期の動作温度を維持す
るために重要である。
冷却デバイスをチツプに相互結合する一つの方
法は、低温はんだなどの可融合金を冷却デバイス
とチツプとの界面に配置することである。通常、
合金は薄い箔として作成し、それを液化温度前後
まで加熱して合金を軟化させて、合金を界面に沿
つて押出しまたはリフロー可能にし、熱伝導性結
合層を形成する。押出し合金を界面に形状を細部
まで適合させることにより、熱的結合が得られ
る。
C 発明が解決しようとする問題点 金属合金とチツプとの界面に、ボイド、フラツ
クス残渣、酸化物などの欠陥があると、結合層の
熱伝導度が低下するという問題がある。酸化物
は、ホイルまたは他の形の合金材料の表面に生成
しやすいため、特に問題である。界面の間に合金
を配置すると、結合層の熱伝導率を大幅に低下さ
せるだけの酸化物が生じて、それだけチツプの冷
却効率を低下させる。
D 問題点を解決するための手段 本発明では、酸化物を含まない丸薬状の合金の
プレフオームを作成することにより、上記の問題
を克服し、その他の利点を実現する。本発明の一
つの実施例では、中央のチヤンバが周辺の空洞と
連絡したガラス・ブロツクから金型を作る。酸化
物被覆を含む合金材料の装入物を中央チヤンバに
入れ、高温で空洞中に押し出す。押出し中、合金
が空洞中に押し出されるとき、酸化物被覆は中央
チヤンバ内に留まる。空洞中の合金は基本的に酸
化物を含まず、金型と合金とを冷却するとき、空
洞によつて合金はレンズ状(丸薬状)の形をとる
ことになる。
本発明の別の実施例では、酸化物被覆をもつ合
金材料の比較的厚いホイルの切片を2枚のガラス
板の間に置いて合金に非濡れ面を付与し、高温で
ガラス板を圧縮して、合金をガラス板の周辺部分
に押し出す。押出し中、酸化物被覆はガラス板の
中央部分に残り、ガラス板の周辺部分に入つた合
金は、酸化物を基本的に含まない薄膜状になる。
本発明はどちらの実施例でも、合金を軟化させ
て押出しを容易にするため、液化温度またはそれ
よりやや高い高温を採用する。次に、第1の実施
例の丸薬状合金または第2の実施例の薄膜を、高
温で冷却デバイスまたは他の熱伝導性要素の界面
と回路チツプの界面との間に挿入し、界面に沿つ
て押し出して熱伝導性結合層を形成する。この結
合層は、基本的に酸化物を含まず、当伝導度が向
上している。
E 実施例 本発明は、熱伝導性要素を電子回路チツプとの
間の熱伝導性を向上させるやり方で、当伝導性要
素を電子回路チツプに接合することに関する。こ
れは、まず第1図に示すような回路チツプの冷却
を備えた電子システムの構造を考えると、最もう
まく説明できる。
第2図は、基通基板24上に支持された1組の
電子回路チツプ22を含む電子システム20を単
純化して示したものである。基板24は、チツプ
22の回路間に電気的接続を設けるための周知の
電気導体(図示せず)を含む。チツプ22の回路
接点を基板24の個々の導体と電気的に接続する
ために、チツプ22と基板24の間に軟金属製の
球形接点26が配置されている。チツプ22の各
回路はそれによつて相互接続され、システム20
の機能を実現する。
周知のように、チツプ22中を流れる電流は熱
を発生するが、チツプ22の動作を所定の範囲の
動作温度で維持するために、その熱を除去しなけ
ればならない。一連の冷却デバイス28がそれぞ
れ一つのチツプ22に熱的に接続され、さらにマ
ニホルド32の冷媒導管30によつて冷却器34
に接続されている。冷却器34は、チツプ22か
ら熱を除去し、それによつて適正なチツプ22の
動作温度を維持するために、液状冷媒を冷却デバ
イス28に送る。
本発明によれば、冷却デバイス28とチツプ2
2の界面に沿つて配置された酸化物を含まない押
出し合金層36によつて、各冷却デバイス28を
対応するチツプ22に結合する。結合層36は、
融点が比較的低い可融金属合金、たとえば液化温
度が60〜100℃の範囲にある鉛−インジウム−ス
ズ−ビスマス合金などの低温はんだから形成する
ことが好ましい。かかる合金は、一般にシリコン
に対して非濡れ性であるが、接合すべき表面に細
部まで形状を適合させることにより良好な熱的結
合を作る。結合層36は、一般に冷却デバイス2
8とチツプ22の界面領域の寸法に合わせて切断
された、厚さ0.5〜3ミル(0.0127〜0.0762mm)の
薄い合金ホイルを使用する。
合金結合層を使用する際に、しばしば結合層の
作成に十分な量の合金を、接合すべき2つの物体
の間に挿入するのに適した断面のホイルなど、プ
レフオームと呼ばれる便利な形に調製する。2つ
の物体は、前記のチツプ22と冷却デバイス28
などである。ただし、かかるホイルは、酸化を起
こして、結合層の熱伝導度を不都合に低下させる
酸化物被覆を生じる傾向がある。本発明は、酸化
物が存在しない、ホイル状または丸薬状のプレフ
オームなどの好都合な形で合金材料を調製し、し
たがつて結合層内の熱伝導性を向上させることが
できる。
結合層36用の酸化物を含まない合金の調製
が、第1図、第3図および第4図に示されてい
る。2つの同一のガラス・ブロツク38と40
(第1図)から金型が形成されている。第3図お
よび第4図に示したブロツク38について詳しく
説明するが、当然のことながらブロツク40にも
その説明があてはまる。ブロツク38は中央チヤ
ンバ42を有し、この中央チヤンバ42はポート
44によつて中央チヤンバ42の周囲に配置され
た一連の空洞46に結合されている。チヤンバ4
2は、第3図に示すように星形または円形(図示
せず)など他の何らかの好都合な形にすることが
できる。図には空洞46が8個示してあるが、当
然のことながら都合に合わせてそれよりも多数ま
たは少数の空洞46をチヤンバ42の周りに対称
的に配置することができる。チヤンバ42の深さ
および空洞46の深さは、チヤンバ42および空
洞46の横寸法に比べて非常に少さい。各空洞
は、直径約8インチ(203.2mm)の球の断面形の
平滑な表面を有する。各空洞46の深さは1ミル
(0.0254mm)であり、直径は、たとえばチツプの
寸法が4.5mm平方の場合4mm、チツプの寸法が6
〜7mm平方の場合は6mmとすることができる。チ
ヤンバ42の底面は一般に平坦で深さ1ミル
(0.0254mm)である。チヤンバ42の直径は約1
インチ(25.4mm)である。2つのブロツク38お
よび40中のチヤンバ42と空銅46の構造は鏡
像であり、したがつて一方のブロツクをもう一方
の上に載せると(第1図)、チヤンバ42同志が
接合し空洞46同志が接合して、合金材料を入れ
る金型48となる。
本発明の方法を実施するには、酸化物被覆54
(第1図)を伴う合金52を含む合金材料50の
装入物をブロツク40の中央チヤンバ42に入
れ、次にブロツク40の上にブロツク38を載せ
て金型48を形成する。2つのブロツク38と4
0を合わせると、合金52が上側および下側の酸
化物被覆54の間にはさまれた形で、合金材料5
0がチヤンバ42内に閉じこめられる。合金材料
50は、ブロツク38および40のガラスと非濡
れ式に接触する。ブロツク38および40を合金
52の液化温度前後に加熱し、それによつて材料
50を軟化させて押出ししやすくなる。ブロツク
38と40をさらに圧縮し、合金52をポート4
4から空洞46に押し出すと、チヤンバ42内に
酸化物被覆54が残る。とくに、酸化物は空洞4
6中に入らず、したがつて空洞46は酸化物を含
まない合金52を含むようになることが留意され
る。空洞46によつて合金52は好都合な形状の
丸薬状プレフオーム56に成形され、ブロツク3
8と40を冷却して開いた後、ナイフ58を使つ
てプレフオーム56を抜き出す。この切断処理を
機械的にもまた入手によつても実行できる。ナイ
フ58を使つて、合金52の一部分をポート44
の所で切断し、それによつてプレフオーム56を
空洞46から取り出す。
第5図は、第2図の冷却デバイス28とチツプ
22を概略的に示した図である。本発明の方法に
よれば、プレフオーム56上に酸化物被覆を生成
させる前に冷却デバイス28とチツプ22の間に
プレフオーム56を挿入する。一般に、少くとも
数時間プレフオーム56を空気に露出しなければ
プレフオームの表面に過剰の酸化物が形成されな
い。システム20の製造に先立つてプレフオーム
を作成する場合、冷却デバイス28とチツプ22
に接合するために必要となるまで、プレフオーム
を酸素や他の汚染物質を含まない環境で保存する
ことになる。
冷却デバイス28をチツプ28に結合するには
通常の空気式オーブンを用いる。その際、温度は
液化温度近くまで上昇されて冷却デバイス28お
よびチツプ22の界面に沿つて合金が押し出され
るようにする。プレフオームは表面全体にわたつ
て凸形状となつているので空気ボイドの混入を防
止できる。
第5図に示すように、接合工程中、冷却デバイ
ス28とチツプ22を高温で圧縮してプレフオー
ムを平坦にし、次にプレフオームの合金をさらに
押し出して結合層36を形成する。
本発明の別の実施例として、第6図に示すよう
に、合金の一部分を丸薬状ではなくてホイルの切
片として形成することができる。第6図の方法で
は、互いに向かい合つた頂板60と底板62を使
用する。頂面60に面する底面62の表面の周囲
の短辺と長辺に沿つて、挟み金64と66を配置
する。ウエハなど合金材料68の一部分を、2枚
の板60と62の間に中心合せする。合金材料6
8は、酸化物被覆72と頂面および底面で接する
金属合金70の中央部分を有する。合金材料68
および板60と62の温度を合金70の液化温度
前後にまで上げて、合金材料68を軟化させ押出
ししやすくする。2枚の板60と62を押しつけ
て、被覆72の間から合金70をホイルとして押
し出させ、挟み金64と66で囲まれる空間の大
部分を充填する。第6図に、押出しの前後の合金
材料68の平面図および断面図を示す。押出し
中、酸化物被覆72は板60と62に付着し、そ
れによつて合金材料68の残りの部分、すなわち
合金70は酸化物を含まなくなる。板60と62
は、合金70に非濡れ性表面を付与するためにガ
ラス製とすることができる。その後、ブロツク6
0と62を分離し、ナイフ58を使つて合金ホイ
ル74の切片を切り離す。次に丸薬状プレフオー
ム56の代りにホイル74の切片を使用して第5
図の方法を実施し、冷却デバイス28をチツプ2
2に接合する。ただし、ホイル74の切片を使用
するときは、冷却デバイス28とチツプ22の間
で空気を閉じ込めるのを避けるため、真空炉でリ
フロー操作を行なう。リフロー操作は、冷却デバ
イス28とチツプ22を真空炉内に置き、その間
にホイル74の切片を挟むことによつて行なう。
次に炉を排気し、炉温度をホイルのリフローが行
なわれる温度まで上げる。次に炉に不活性ガスま
たは空気を再圧入して、冷却させる。板60と6
2を使つて、合金70を汚染から保護するために
板同志を密着させてホイルを保管することもでき
る。
本発明のもう一つの実施例として、第6図の教
示を利用して、ホイル74の切片を別に形成せず
に、冷却デバイス28をチツプ22に直接接合す
ることも可能である。これは、合金材料68を板
60と62ではなく直接に冷却デバイス28とチ
ツプ22の間に置くことによつて実行される。温
度を上げて冷却デバイス28とチツプ22を押し
つけると、合金材料68は第6図に示したのと同
様の形で外へ広がつて結合層をもたらす。この結
合層は、酸化物被覆72が層の真中にあり、層の
残りの部分は酸化物を含まない合金70からなる
点で、結合層36(第2図)とは違つている。こ
の手順は、簡単なことが利点であるが、層の真中
にある酸化物被覆72のために結合層が余り良い
熱伝導体ではないという欠点がある。
熱伝導性結合層の形状に使われるはんだまたは
合金プレフオームの形状については、丸薬状プレ
フオーム56の方が、第5図を検討すると明らか
なように、ホイル74の切片よりも好ましい。プ
レフオーム56は、空洞46の表面が平滑なため
に、当初表面が非常に平滑である。冷却デバイス
28とチツプ22が近づくにつれて、ブレフオー
ム56は横方向に均一に膨張して、押出し装置内
にある周囲ガラスを逐い出す。このため、熱伝導
を妨げる恐れのあるボイドの形成が防止される。
ホイル74の切片の場合、ホイルはすでに平坦で
あり、したがつて押出し中の膨張モードがボイド
の形成を防止する可能性はより小さく、そのため
前述のように真空炉内で操作を実施することが必
要となる。以上の理由から、第1図、第3図ない
し第5図に開示した如き丸薬状のプレフオームを
使用する方法の方が好ましい。
F 発明の効果 以上説明したようにこの発明によればチヤンバ
内の溶融状態の熱伝導性合金を外部に押し出す際
に、酸化物がチヤンバ内に留まるようにしている
ため、酸化物を含まない固体熱伝導性合金を得る
ことできる。そしてこれを用いて冷却デバイスと
回路チツプとを結合することにより回路チツプの
熱放出を効率良く行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は冷却デバイスと回路チツプを結合する
ために用いる丸薬状合金をこの発明の一実施例に
したがつて形成する各ステツプを示す図、第2図
は冷却デバイスを熱伝導性を介して固定した回路
チツプからなる電子システムを示す図、第3図は
第1図の丸薬状合金を製造するのに用いる金型ブ
ロツクの平面図、第4図は第3図の4−4線に沿
う断面図、第5図は第1図の丸薬状合金を用いて
冷却デバイスを回路チツプに結合するステツプを
示す図、第6図は第1図の丸薬状合金のかわりに
ホイル状合金を用いる、この発明の他の実施例を
示す図である。 22……回路チツプ、28……冷却デバイス、
38,40……ガラス・ブロツク、42……チヤ
ンバ、44……ポート、46……空洞、50……
合金材料、56……プレフオーム。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 チヤンバ組立体に熱伝導性合金を充填するス
    テツプと、 上記熱伝導性合金を押し出させるようにほぼ融
    解温度まで加熱するステツプと、 上記チヤンバ組立体中の上記熱伝導性合金を加
    圧してその一部を上記チヤンバ組立体外部に押し
    出すステツプと、 押し出された熱伝導性合金部分を熱伝導要素お
    よび電子回路チツプの間に配置するステツプと、 上記熱電導要素および電子回路の間に荷重を加
    え上記熱伝導性合金部分が上記熱電導要素および
    電子回路チツプの界面に広がるようにするステツ
    プとを有することを特徴とする熱伝導性要素およ
    び電子回路チツプの熱結合方法。
JP62084941A 1986-05-09 1987-04-08 熱伝導要素および電子回路チツプの熱結合方法 Granted JPS62269346A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US861696 1986-05-09
US06/861,696 US4685606A (en) 1986-05-09 1986-05-09 Oxide-free extruded thermal joint

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62269346A JPS62269346A (ja) 1987-11-21
JPH0447461B2 true JPH0447461B2 (ja) 1992-08-04

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ID=25336517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62084941A Granted JPS62269346A (ja) 1986-05-09 1987-04-08 熱伝導要素および電子回路チツプの熱結合方法

Country Status (3)

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US (1) US4685606A (ja)
EP (1) EP0244707A3 (ja)
JP (1) JPS62269346A (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5074036A (en) * 1989-02-10 1991-12-24 Honeywell Inc. Method of die bonding semiconductor chip by using removable frame
US5101550A (en) * 1989-02-10 1992-04-07 Honeywell Inc. Removable drop-through die bond frame
US4979289A (en) * 1989-02-10 1990-12-25 Honeywell Inc. Method of die bonding semiconductor chip by using removable non-wettable by solder frame
US6343647B2 (en) * 2000-01-11 2002-02-05 Thermax International, Ll.C. Thermal joint and method of use
US7593228B2 (en) * 2005-10-26 2009-09-22 Indium Corporation Of America Technique for forming a thermally conductive interface with patterned metal foil
US7713575B2 (en) * 2006-03-31 2010-05-11 International Business Machines Corporation Method and apparatus for depositing coplanar microelectronic interconnectors using a compliant mold
US7995344B2 (en) * 2007-01-09 2011-08-09 Lockheed Martin Corporation High performance large tolerance heat sink
US8459334B2 (en) * 2009-07-31 2013-06-11 International Business Machines Corporation Containment for a patterned metal thermal interface
DE102011104854B4 (de) * 2011-06-21 2015-06-11 Khd Humboldt Wedag Gmbh Mahlwalze mit in die Oberfläche eingesetzten Hartkörpern

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US611574A (en) * 1898-09-27 Die fob and method of swaging metallic balls
US3199829A (en) * 1962-07-13 1965-08-10 Thomas E Calim Molding apparatus
US3951327A (en) * 1975-01-28 1976-04-20 The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration Ceramic to metal seal
JPS6024750B2 (ja) * 1977-09-05 1985-06-14 三菱重工業株式会社 銅とステンレス鋼の拡散溶接法
JPS5711760A (en) * 1980-06-24 1982-01-21 Toyota Motor Corp Casting device
US4483478A (en) * 1981-09-11 1984-11-20 Rockwell International Corporation Method for fabricating superplastically formed/diffusion bonded aluminum or aluminum alloy structures

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62269346A (ja) 1987-11-21
EP0244707A2 (en) 1987-11-11
US4685606A (en) 1987-08-11
EP0244707A3 (en) 1989-12-13

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