JPH02216838A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02216838A JPH02216838A JP3765189A JP3765189A JPH02216838A JP H02216838 A JPH02216838 A JP H02216838A JP 3765189 A JP3765189 A JP 3765189A JP 3765189 A JP3765189 A JP 3765189A JP H02216838 A JPH02216838 A JP H02216838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- mold
- cavity
- lead frame
- injected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リードフレームのマウント部上面に半導体チ
ップが固定され、そのマウント部の両面および半導体チ
ップに樹脂体が密接している樹脂封止型半導体チッ°ブ
の製造方法に関する。
ップが固定され、そのマウント部の両面および半導体チ
ップに樹脂体が密接している樹脂封止型半導体チッ°ブ
の製造方法に関する。
半導体チップとそれを支持するリードフレームマウント
部を樹脂体で包囲する際、リードフレームと金型との間
のキャビティの距離を一定に保つため、第２図に示すよ
うにチップ１を固定したマウント部２１と一方の側に突
出した外部リード部２２からなるリードフレームを上金
型３１と下金型３２の間に配置した。この場合上金型３
１のキャビティ４１と下金型３２のキャビティ４２が所
定の厚みを保つように、リードフレームの外部リード部
２２と反対側注入口６から注型される樹脂体の外面より
露出する。外部リード部２２はそのまま外部回路との接
続に用いられるが、外部支持部２１は第３図に示すよう
に樹脂体７の外面に合わせた位置で切断されるので切り
口が樹脂体面に露出している。
部を樹脂体で包囲する際、リードフレームと金型との間
のキャビティの距離を一定に保つため、第２図に示すよ
うにチップ１を固定したマウント部２１と一方の側に突
出した外部リード部２２からなるリードフレームを上金
型３１と下金型３２の間に配置した。この場合上金型３
１のキャビティ４１と下金型３２のキャビティ４２が所
定の厚みを保つように、リードフレームの外部リード部
２２と反対側注入口６から注型される樹脂体の外面より
露出する。外部リード部２２はそのまま外部回路との接
続に用いられるが、外部支持部２１は第３図に示すよう
に樹脂体７の外面に合わせた位置で切断されるので切り
口が樹脂体面に露出している。
しかしながら、外部支持部を切断してもその切り口は樹
脂体面に残るため、マウント部と外部との絶縁性は不十
分であった０ｗＡ縁性を補うためには、切り口の上にあ
らためて樹脂を塗らなければならず、工数が増加する欠
点があった。
脂体面に残るため、マウント部と外部との絶縁性は不十
分であった０ｗＡ縁性を補うためには、切り口の上にあ
らためて樹脂を塗らなければならず、工数が増加する欠
点があった。
本発明の目的は、上述の欠点を除去し、リードフレーム
の外部リード部と反対側でマウント部に連結された外部
支持部が樹脂体面に露出することのない樹脂封止型半導
体装置の製造方法を提供することにある。
の外部リード部と反対側でマウント部に連結された外部
支持部が樹脂体面に露出することのない樹脂封止型半導
体装置の製造方法を提供することにある。
上記の目的の達成のために本発明は、リードフレームの
マウント部の上面に半導体チップが固定され、そのマウ
ント部および半導体チップの周囲に樹脂体が密接してい
る樹脂封止型半導体装置の樹脂体成形の際に、リードフ
レームの外部リード部は上金型と下金型との間に金型キ
ャビティの外側で支持し、リードフレームのマウント部
は上金型および下金型よりそれぞれキャビティ内にマウ
ント部に垂直方向に突出する可動ビンの間に支持し、樹
脂をキャビティ内にキャビティ容積の７５〜９０％に相
当する量だけ注入したときに可動ビンの先端をキャビテ
ィの金型面まで引き抜くものとする。
マウント部の上面に半導体チップが固定され、そのマウ
ント部および半導体チップの周囲に樹脂体が密接してい
る樹脂封止型半導体装置の樹脂体成形の際に、リードフ
レームの外部リード部は上金型と下金型との間に金型キ
ャビティの外側で支持し、リードフレームのマウント部
は上金型および下金型よりそれぞれキャビティ内にマウ
ント部に垂直方向に突出する可動ビンの間に支持し、樹
脂をキャビティ内にキャビティ容積の７５〜９０％に相
当する量だけ注入したときに可動ビンの先端をキャビテ
ィの金型面まで引き抜くものとする。
樹脂注入前に上、下金型から突出する可動ビンの間に支
持されているリードフレームのマウント部は、樹脂がキ
ャビティ内にその容積の７５〜９０％を満たすだけ注入
されたときには、注入された樹脂により支持されるので
、可動ビンをキャビティの金型面まで引き抜いてもマウ
ント部の位置は金型面からの所定の距離に固定され、可
動ビンの占めていた空間はそれ以後注入される樹脂によ
り充填される。従って、半導体装置のマウント部は完全
に樹脂体で包囲され、絶縁が確保される。
持されているリードフレームのマウント部は、樹脂がキ
ャビティ内にその容積の７５〜９０％を満たすだけ注入
されたときには、注入された樹脂により支持されるので
、可動ビンをキャビティの金型面まで引き抜いてもマウ
ント部の位置は金型面からの所定の距離に固定され、可
動ビンの占めていた空間はそれ以後注入される樹脂によ
り充填される。従って、半導体装置のマウント部は完全
に樹脂体で包囲され、絶縁が確保される。
第１図は本発明の一実施例の樹脂封入前の金型断面を示
し、第２図と共通の部分には同一の符号が付されている
。リードフレームの外部リード部２２は第２図と同様、
上金型３１と下金型３２の間に挟まれて支持されている
。一方、リードフレームの半導体チップｌが固着されて
いるマウント部２１は、上金型３１から上金型キャビテ
ィ４１内に突出する可動ビン８１と下金型３２から下金
型キャビティ４２内に突出する可動ビン８２との先端間
に挟まれて支持されている。可動ビン８１および可動ビ
ン８２はそれぞれ両金型内に設置された油圧またはエア
シリンダ９１．９２によりマウント部２１の面に垂直方
向に可動である。この金型のキャビティに注入口６から
樹脂を注入する。注入量がキャビティ４１．４２の容積
の７５〜９０％になった時には、注入された樹脂により
マウント部２１は固定されるので、この時点で可動ビン
８１．８２を金型面まで引っこめでもマウント部の位置
が移動することはない、同時に未注入樹脂を注入し、可
動ビン８１．８２の抜けた部分を含めてキャビティ４１
．４２全体を樹脂により充填する。
し、第２図と共通の部分には同一の符号が付されている
。リードフレームの外部リード部２２は第２図と同様、
上金型３１と下金型３２の間に挟まれて支持されている
。一方、リードフレームの半導体チップｌが固着されて
いるマウント部２１は、上金型３１から上金型キャビテ
ィ４１内に突出する可動ビン８１と下金型３２から下金
型キャビティ４２内に突出する可動ビン８２との先端間
に挟まれて支持されている。可動ビン８１および可動ビ
ン８２はそれぞれ両金型内に設置された油圧またはエア
シリンダ９１．９２によりマウント部２１の面に垂直方
向に可動である。この金型のキャビティに注入口６から
樹脂を注入する。注入量がキャビティ４１．４２の容積
の７５〜９０％になった時には、注入された樹脂により
マウント部２１は固定されるので、この時点で可動ビン
８１．８２を金型面まで引っこめでもマウント部の位置
が移動することはない、同時に未注入樹脂を注入し、可
動ビン８１．８２の抜けた部分を含めてキャビティ４１
．４２全体を樹脂により充填する。
第４図は第１図に示した実施例の樹脂封止後の半導体装
置で、樹脂体７は外部リード部２２を除くリードフレー
ムを完全に包囲していることがわかる。
置で、樹脂体７は外部リード部２２を除くリードフレー
ムを完全に包囲していることがわかる。
本発明は、リードフレームのマウント部を上。
下金型からキャビティ内に突出する可動ビンの先端で挟
んで位置決めし、樹脂がマウント部をその位置に固定す
るに必要な量だけ注入された後に可動ビンを金型面まで
引込め、残りの樹脂を注入することにより、半導体チッ
プを実装したマウント部は完全に樹脂体に包囲され、露
出部が無（なって絶縁性が確保される。従って露出部に
あらためて樹脂を塗る工数も節減できる。
んで位置決めし、樹脂がマウント部をその位置に固定す
るに必要な量だけ注入された後に可動ビンを金型面まで
引込め、残りの樹脂を注入することにより、半導体チッ
プを実装したマウント部は完全に樹脂体に包囲され、露
出部が無（なって絶縁性が確保される。従って露出部に
あらためて樹脂を塗る工数も節減できる。
第１図は本発明の一実施例の樹脂封止型半導体装置の樹
脂注入前の金型断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導
体装置の樹脂注入前の金型断面図、第３図は第２図の金
型を用いて製造された半導体装置の斜視図、第４図は本
発明の一実施例として第１図の金型を用いて製造された
半導体装置の斜視図である。
脂注入前の金型断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導
体装置の樹脂注入前の金型断面図、第３図は第２図の金
型を用いて製造された半導体装置の斜視図、第４図は本
発明の一実施例として第１図の金型を用いて製造された
半導体装置の斜視図である。
Claims (1)
- １）リードフレーム部の上面に半導体チップが固定され
、そのマウント部および半導体チップの周囲に樹脂体が
密接している樹脂封止型半導体装置の樹脂体成形の際に
、リードフレームの外部リード部は上金型と下金型との
間に金型キャビティの外側で支持し、リードフレームの
マウント部は上金型および下金型よりそれぞれキャビテ
ィ内にマウント部に垂直方向に突出する可動ピンの間に
支持し、樹脂をキャビティ内にキャビティ容積の７５〜
９０％に相当する量だけ注入したときに可動ピンの先端
をキャビティの金型面まで引き抜くことを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3765189A JPH02216838A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3765189A JPH02216838A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02216838A true JPH02216838A (ja) | 1990-08-29 |
Family
ID=12503548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3765189A Pending JPH02216838A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02216838A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998008251A1 (fr) * | 1996-08-20 | 1998-02-26 | Hitachi, Ltd. | Semi-conducteur et procede de fabrication correspondant |
| KR100448659B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2004-09-13 | (주)에이치디세미테크 | 반도체 성형장치 및 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130129A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Nec Corp | 絶縁型半導体素子の樹脂封止方法 |
| JPS62131525A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-13 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6362239A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-18 | エスジ−エス・マイクロエレットロニカ・エス・ピ−・エ− | プラスチックカプセル封じ半導体デバイスの製造方法 |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP3765189A patent/JPH02216838A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130129A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Nec Corp | 絶縁型半導体素子の樹脂封止方法 |
| JPS62131525A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-13 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6362239A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-18 | エスジ−エス・マイクロエレットロニカ・エス・ピ−・エ− | プラスチックカプセル封じ半導体デバイスの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998008251A1 (fr) * | 1996-08-20 | 1998-02-26 | Hitachi, Ltd. | Semi-conducteur et procede de fabrication correspondant |
| KR100448659B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2004-09-13 | (주)에이치디세미테크 | 반도체 성형장치 및 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5750423A (en) | Method for encapsulation of semiconductor devices with resin and leadframe therefor | |
| KR950004495A (ko) | 반도체장치, 리드프레임 및 반도체장치의 제조방법 | |
| US5508232A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JPH02216838A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2009152507A (ja) | 樹脂封止金型および半導体パッケージの樹脂封止成形方法 | |
| JPH02184040A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5013505A (en) | Method of molding a casing on a rotary electric component | |
| US20030134452A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device packages | |
| JP2555733B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2759523B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003174053A (ja) | 半導体素子の製造方法及び製造装置 | |
| JPH0812877B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH06177192A (ja) | 樹脂モールド装置 | |
| JPH08306718A (ja) | Ｉｃチップのパッケージ方法 | |
| JP2936679B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び封止用金型 | |
| JPH038930B2 (ja) | ||
| JPH03259553A (ja) | リードフレーム及び半導体装置の樹脂封止法 | |
| KR200202053Y1 (ko) | 반도체소자 패키지 공정용 몰딩 다이의 컬 블록구조 | |
| JPH03167810A (ja) | 注型金型装置 | |
| JP3575592B2 (ja) | リードフレーム組立体の樹脂モールド用成形型及び樹脂モールド成形法 | |
| JPH085473A (ja) | 中空型樹脂封止半導体圧力センサ | |
| JPH04332156A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3272827B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH01282843A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01105550A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |