JP2580310B2 - 半導体パッケ―ジ - Google Patents
半導体パッケ―ジInfo
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- JP2580310B2 JP2580310B2 JP1019766A JP1976689A JP2580310B2 JP 2580310 B2 JP2580310 B2 JP 2580310B2 JP 1019766 A JP1019766 A JP 1019766A JP 1976689 A JP1976689 A JP 1976689A JP 2580310 B2 JP2580310 B2 JP 2580310B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- semiconductor package
- outer sealant
- sealant
- package
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、リードピンを多数有する半導体素子を樹脂
封止する半導体パッケージに関する。
封止する半導体パッケージに関する。
（従来の技術） 従来、このような分野の技術としては、例えば、以下
に示すようなものがあった。
に示すようなものがあった。
第６図はかかる従来の半導体パッケージの断面図であ
る。
る。
この図において、１はパッケージ基板であり、ガラス
エポキシ樹脂、ビスマレイミド・トリアジン（BT）樹
脂、或いは変性ポリイミド樹脂等でできている。更に、
パッケージ基板１の上のダイパッド部にICチップ２を載
置し、ダイパッドの周囲を取り囲んで配列形成された、
配線パターンの一方の端にあるインナーリードと、前記
ICチップ２の間はボンディングワイヤ３で接続されてい
る。また、パッケージ基板１の裏面にはリードピン８が
整列配置されて埋め込まれ、前記インナーリードの各々
に接続されている。また、パッケージ基板１上にはイン
ナー封止剤４の流れ止めとして、パッケージ基板１と同
一材料からなるダム７が取り付けられている。
エポキシ樹脂、ビスマレイミド・トリアジン（BT）樹
脂、或いは変性ポリイミド樹脂等でできている。更に、
パッケージ基板１の上のダイパッド部にICチップ２を載
置し、ダイパッドの周囲を取り囲んで配列形成された、
配線パターンの一方の端にあるインナーリードと、前記
ICチップ２の間はボンディングワイヤ３で接続されてい
る。また、パッケージ基板１の裏面にはリードピン８が
整列配置されて埋め込まれ、前記インナーリードの各々
に接続されている。また、パッケージ基板１上にはイン
ナー封止剤４の流れ止めとして、パッケージ基板１と同
一材料からなるダム７が取り付けられている。
このワイヤボンディングの終了したパッケージ基板１
は、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等からなるインナー封
止剤４によってICチップ２上に封止される。
は、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等からなるインナー封
止剤４によってICチップ２上に封止される。
次いで、表面をアルマイト加工されたAl製のキャップ
６の裏面に、Ｂステージ化されてシート状になっている
エポキシ樹脂からなるアウター封止剤５を仮り付けす
る。
６の裏面に、Ｂステージ化されてシート状になっている
エポキシ樹脂からなるアウター封止剤５を仮り付けす
る。
更に、前記キャップ６をインナー封止済みのパッケー
ジ基板１と重ねて150℃で数時間加熱処理して、アウタ
ー封止剤５を溶融固化させる。
ジ基板１と重ねて150℃で数時間加熱処理して、アウタ
ー封止剤５を溶融固化させる。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記した従来の半導体パッケージで
は、パッケージ基板１、アウター封止剤５、キャップ６
が重なり合う基本構成になっているが、それぞれの材料
の線膨脹係数が異なっており、熱的膨脹に対する整合が
とれていない。そのため、アウター封止剤５の成形温度
から常温に戻った時や、温度サイクル試験等で温度差が
著しい時には、第７図に示すようにパッケージ基板が反
ってしまう。
は、パッケージ基板１、アウター封止剤５、キャップ６
が重なり合う基本構成になっているが、それぞれの材料
の線膨脹係数が異なっており、熱的膨脹に対する整合が
とれていない。そのため、アウター封止剤５の成形温度
から常温に戻った時や、温度サイクル試験等で温度差が
著しい時には、第７図に示すようにパッケージ基板が反
ってしまう。
パッケージ基板１が反るとICチップ２に応力がかか
り、不良の原因となったり、封止剤４、５やパッケージ
基板１に亀裂が入り耐湿性が劣化したり、リード間ピッ
チが変わって実装時に支障を来すという問題があった。
り、不良の原因となったり、封止剤４、５やパッケージ
基板１に亀裂が入り耐湿性が劣化したり、リード間ピッ
チが変わって実装時に支障を来すという問題があった。
本発明は、以上述べたパッケージ基板の反りを低減
し、信頼性が高く、高品質な半導体パッケージを提供す
ることを目的とする。
し、信頼性が高く、高品質な半導体パッケージを提供す
ることを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は、上記目的を達成するために、パッケージ基
板に半導体チップが搭載され、この半導体チップとイン
ナーリードとがボンディングワイヤで接続されると共
に、半導体チップの周囲がインナー封止剤で封止され、
かつ前記パッケージ基板をアウター封止剤と金属製のキ
ャップとで封止する半導体パッケージにおいて、前記キ
ャップ（６）の一部に前記アウター封止剤（５）に接合
する溝（９、10）を形成するようにしたものである。
板に半導体チップが搭載され、この半導体チップとイン
ナーリードとがボンディングワイヤで接続されると共
に、半導体チップの周囲がインナー封止剤で封止され、
かつ前記パッケージ基板をアウター封止剤と金属製のキ
ャップとで封止する半導体パッケージにおいて、前記キ
ャップ（６）の一部に前記アウター封止剤（５）に接合
する溝（９、10）を形成するようにしたものである。
また、前記キャップ（６）の一部に前記アウター封止
剤（５）が食い込みこのアウター封止剤（５）を盛り上
げる開口部（11、12）を設けるようにしたものである。
剤（５）が食い込みこのアウター封止剤（５）を盛り上
げる開口部（11、12）を設けるようにしたものである。
更に、前記キャップ（６）には辺方向に沿って連続的
に延在する溝（9,10）を形成するようにしたものであ
る。
に延在する溝（9,10）を形成するようにしたものであ
る。
（作用） 本発明によれば、上記のように構成したので、熱的不
整合からくる曲げモーメントに対する抵抗力が向上し、
半導体パッケージの反り量を低減することができる。
整合からくる曲げモーメントに対する抵抗力が向上し、
半導体パッケージの反り量を低減することができる。
また、前記ギャップ（６）の一部にアウター封止剤
（５）が食い込み、このアウター封止剤（５）を盛り上
げる開口部（11、12）を設けるようにしたことにより、
キャップ（６）の取り付け時に、アウター封止剤（５）
の中のボイドが抜け易くなるので、シール後のボイドの
低減を図ることができる。
（５）が食い込み、このアウター封止剤（５）を盛り上
げる開口部（11、12）を設けるようにしたことにより、
キャップ（６）の取り付け時に、アウター封止剤（５）
の中のボイドが抜け易くなるので、シール後のボイドの
低減を図ることができる。
更に、そのボイドの低減により、耐湿性の向上と温度
サイクルによるアウター封止剤（５）の耐クラック性の
向上を図ることができる。
サイクルによるアウター封止剤（５）の耐クラック性の
向上を図ることができる。
また、前記キャップ（６）には辺方向に沿って連続的
に延在する溝（9,10）を形成するようにしたので、この
溝（9,10）の形成により、半導体パッケージの反り量を
低減することができる。
に延在する溝（9,10）を形成するようにしたので、この
溝（9,10）の形成により、半導体パッケージの反り量を
低減することができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す半導体パッケージの断
面図、第２図は第１図のＡ部拡大図、第３図はその半導
体パッケージの斜視図である。
面図、第２図は第１図のＡ部拡大図、第３図はその半導
体パッケージの斜視図である。
これらの図に示すように、パッケージ基板１上のダイ
パッド部を囲むようにダム７を取り付ける。更に、パッ
ケージ基板１上のダイパッド部にICチップ２を搭載し、
このICチップ２とインナーリードとをボンディングワイ
ヤ３で接続する。
パッド部を囲むようにダム７を取り付ける。更に、パッ
ケージ基板１上のダイパッド部にICチップ２を搭載し、
このICチップ２とインナーリードとをボンディングワイ
ヤ３で接続する。
そして、ICチップ２とボンディングワイヤ３をインナ
ー封止剤４で封止する。更に、インナー封止されたパッ
ケージ基板１上に、Ｂステージ化されてシート状になっ
ているエポキシ樹脂からなるアウター封止剤５とキャッ
プ６を搭載する。このキャップ６の一部にはアウター封
止剤５に接合する溝９が設けられる。
ー封止剤４で封止する。更に、インナー封止されたパッ
ケージ基板１上に、Ｂステージ化されてシート状になっ
ているエポキシ樹脂からなるアウター封止剤５とキャッ
プ６を搭載する。このキャップ６の一部にはアウター封
止剤５に接合する溝９が設けられる。
このようにキャップ６の一部にアウター封止剤５に接
合する溝９を設けることにより、第４図に示すような曲
げモーメントＭに対して、従来のような溝のないキャッ
プより対抗力が増し、強固な構造になっている。なお、
８はリードピンである。
合する溝９を設けることにより、第４図に示すような曲
げモーメントＭに対して、従来のような溝のないキャッ
プより対抗力が増し、強固な構造になっている。なお、
８はリードピンである。
上記した実施例では、ICチップ２の周辺に溝９を２本
づつ形成したものを示して説明したが、これらの溝の
幅、長さ、深さ、数、形状等に特別に制約はなく、適宜
変形することができる。
づつ形成したものを示して説明したが、これらの溝の
幅、長さ、深さ、数、形状等に特別に制約はなく、適宜
変形することができる。
また、溝９を設けるに当たっては、キャップ６があら
ゆる曲げモーメントＭに対して強くなるように、この溝
９をＸ方向、Ｙ方向といずれの方向にも配置することが
望ましい。
ゆる曲げモーメントＭに対して強くなるように、この溝
９をＸ方向、Ｙ方向といずれの方向にも配置することが
望ましい。
更に、第５図に示すように、キャップ６の一部に設け
られる溝の角を曲げて、連続した輪状の溝10を形成する
ようにしてもよい。この場合、輪状の溝10を複数配置し
てもよいことは言うまでもない。
られる溝の角を曲げて、連続した輪状の溝10を形成する
ようにしてもよい。この場合、輪状の溝10を複数配置し
てもよいことは言うまでもない。
また、これらの溝9,10はプレス加工等によって成形す
ることができる。
ることができる。
最後に、半導体パッケージを約150℃で数時間加熱処
理し、アウター封止剤５を溶融固化させる。
理し、アウター封止剤５を溶融固化させる。
第８図は本発明の他の実施例を示す半導体パッケージ
の断面図、第９図はその半導体パッケージの斜視図であ
る。
の断面図、第９図はその半導体パッケージの斜視図であ
る。
これらの図に示すように、この実施例においては、ア
ウター封止剤５に含まれているボイドがキャップ６の外
へ抜け易いように、キャップ６の一部にアウター封止剤
５が食い込み、このインナー封止剤５を盛り上げる開口
部11が設けられている。そして、その開口部11にはアウ
ター封止剤５の盛り上げ部５′が形成される。
ウター封止剤５に含まれているボイドがキャップ６の外
へ抜け易いように、キャップ６の一部にアウター封止剤
５が食い込み、このインナー封止剤５を盛り上げる開口
部11が設けられている。そして、その開口部11にはアウ
ター封止剤５の盛り上げ部５′が形成される。
この開口部11は形状、大きさ、個数とも特別制限はな
いが、本来のAlキャップの機能（パッケージのメカニカ
ルな保護、水分の浸入の防御）を十分満たす程度までと
する。
いが、本来のAlキャップの機能（パッケージのメカニカ
ルな保護、水分の浸入の防御）を十分満たす程度までと
する。
また、開口部11の位置は、ボイドが均等に抜けるよう
に、キャップ６の四方に均等に配置するのが望ましい。
に、キャップ６の四方に均等に配置するのが望ましい。
なお、上記実施例においては、抜き加工により開口部
11を形成しているが、第10図に示されるように、曲げ抜
き加工により開口部12を形成し、盛り上げ部５″を形成
するようにしてもよい。
11を形成しているが、第10図に示されるように、曲げ抜
き加工により開口部12を形成し、盛り上げ部５″を形成
するようにしてもよい。
このように構成すると、アウター封止剤５とキャップ
６とのかみ合う力（密着力等）が、単に開口部11を抜い
た形状のものより強くなるので好ましい。
６とのかみ合う力（密着力等）が、単に開口部11を抜い
た形状のものより強くなるので好ましい。
更に、この実施例によれば、半導体パッケージが反り
に対して強固になることはもとより、アウター封止剤５
の中に残るボイドを低減し、耐湿性と温度サイクルに優
れた半導体パッケージを得ることができる。
に対して強固になることはもとより、アウター封止剤５
の中に残るボイドを低減し、耐湿性と温度サイクルに優
れた半導体パッケージを得ることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
く、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下
のような効果を奏することができる。
のような効果を奏することができる。
熱的不整合からくる曲げモーメントに対する抵抗力が
向上し、半導体パッケージの反り量を低減することがで
きる。従って、ICチップに掛かる応力が低減し、不良の
低減を図ることができる。
向上し、半導体パッケージの反り量を低減することがで
きる。従って、ICチップに掛かる応力が低減し、不良の
低減を図ることができる。
更に、封止剤やパッケージ基板の応力低減による耐湿
性等の信頼性の向上や、半導体パッケージ外形の寸法精
度の向上を図ることができる。
性等の信頼性の向上や、半導体パッケージ外形の寸法精
度の向上を図ることができる。
また、キャップにアウター封止剤が食い込み、このア
ウター封止剤を盛り上げる開口部を設けることにより、
キャップ取り付け時においてアウター封止剤の中のボイ
ドが抜け易くなり、シール後のボイドの低減を図ること
ができる。
ウター封止剤を盛り上げる開口部を設けることにより、
キャップ取り付け時においてアウター封止剤の中のボイ
ドが抜け易くなり、シール後のボイドの低減を図ること
ができる。
更に、そのボイドの低減により、半導体パッケージの
耐湿性の向上と温度サイクルによるアウター封止剤の耐
クラック性の向上を図ることができる。
耐湿性の向上と温度サイクルによるアウター封止剤の耐
クラック性の向上を図ることができる。
また、キャップには辺方向に沿って連続的に延在する
溝を形成するようにしたので、この溝の形成により、パ
ッケージの反り量を低減することができる。
溝を形成するようにしたので、この溝の形成により、パ
ッケージの反り量を低減することができる。
第１図は本発明の実施例を示す半導体パッケージの断面
図、第２図は第１図のＡ部拡大図、第３図はその半導体
パッケージの斜視図、第４図はその半導体パッケージの
キャップの溝による曲げモーメントに対する対抗力の説
明図、第５図はその半導体パッケージのキャップの溝の
変形例を示す斜視図、第６図は従来の半導体パッケージ
の断面図、第７図は従来技術の問題点を示す図、第８図
は本発明の他の実施例を示す半導体パッケージの断面
図、第９図はその半導体パッケージの斜視図、第10図は
その半導体パッケージのキャップの溝の変形例を示す部
分断面図である。 １……パッケージ基板、２……ICチップ、３……ボンデ
ィングワイヤ、４……インナー封止剤、５……アウター
封止剤、５′,5″……盛り上げ部、６……キャップ、７
……ダム、８……リードピン、9,10……溝、11,12……
開口部。
図、第２図は第１図のＡ部拡大図、第３図はその半導体
パッケージの斜視図、第４図はその半導体パッケージの
キャップの溝による曲げモーメントに対する対抗力の説
明図、第５図はその半導体パッケージのキャップの溝の
変形例を示す斜視図、第６図は従来の半導体パッケージ
の断面図、第７図は従来技術の問題点を示す図、第８図
は本発明の他の実施例を示す半導体パッケージの断面
図、第９図はその半導体パッケージの斜視図、第10図は
その半導体パッケージのキャップの溝の変形例を示す部
分断面図である。 １……パッケージ基板、２……ICチップ、３……ボンデ
ィングワイヤ、４……インナー封止剤、５……アウター
封止剤、５′,5″……盛り上げ部、６……キャップ、７
……ダム、８……リードピン、9,10……溝、11,12……
開口部。
Claims (3)
- 【請求項１】パッケージ基板に半導体チップが搭載さ
れ、該半導体チップとインナーリードとがボンディング
ワイヤで接続されると共に、半導体チップの周囲がイン
ナー封止剤で封止され、かつ、前記パッケージ基板をア
ウター封止剤と金属製のキャップとで封止する半導体パ
ッケージにおいて、 前記キャップの一部に前記アウター封止剤に接合する溝
を形成するようにしたことを特徴とする半導体パッケー
ジ。 - 【請求項２】パッケージ基板に半導体チップが搭載さ
れ、該半導体チップとインナーリードとがボンディング
ワイヤで接続されると共に、半導体チップの周囲がイン
ナー封止剤で封止され、かつ、前記パッケージ基板をア
ウター封止剤と金属製のキャップとで封止する半導体パ
ッケージにおいて、 前記キャップの一部に前記アウター封止剤が食い込み該
アウター封止剤を盛り上げる開口部を設けるようにした
ことを特徴とする半導体パッケージ。 - 【請求項３】パッケージ基板に半導体チップが搭載さ
れ、該半導体チップとインナーリードとがボンディング
ワイヤで接続されると共に、半導体チップの周囲がイン
ナー封止剤で封止され、かつ、前記パッケージ基板をア
ウター封止剤と金属製のキャップとで封止する半導体パ
ッケージにおいて、 前記キャップには辺方向に沿って連続的に延在する溝が
形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1019766A JP2580310B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体パッケ―ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1019766A JP2580310B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体パッケ―ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02201941A JPH02201941A (ja) | 1990-08-10 |
| JP2580310B2 true JP2580310B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=12008461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1019766A Expired - Fee Related JP2580310B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体パッケ―ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2580310B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02101544U (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-13 |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1019766A patent/JP2580310B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02201941A (ja) | 1990-08-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |