JPH02201941A - 半導体パッケージ - Google Patents

半導体パッケージ

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JPH02201941A
JPH02201941A JP1976689A JP1976689A JPH02201941A JP H02201941 A JPH02201941 A JP H02201941A JP 1976689 A JP1976689 A JP 1976689A JP 1976689 A JP1976689 A JP 1976689A JP H02201941 A JPH02201941 A JP H02201941A
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JP
Japan
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cap
semiconductor package
package
sealed
sealant
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JP1976689A
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JP2580310B2 (ja
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Kenji Nagasaki
長崎 健二
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、リードピンを多数有する半導体素子を樹脂封
止する半導体パッケージに関する。
(従来の技術) 従来、このような分野の技術としては、例えば、以下に
示すようなものがあった。
第6図はかかる従来の半導体パッケージの断面図である
この図において、1はパッケージ基板であり、ガラスエ
ポキシ樹脂、ビスマレイミド・トリアジン(8T)樹脂
、或いは変性ポリイミド樹脂等でできている。更に、パ
ッケージ基板lの上のグイパッド部にICチップ2を載
置し、グイパッドの周囲を取り囲んで配列形成された、
配線パターンの一方の端にあるインナーリードと、前記
ICチップ2の間はボンディングワイヤ3で接続されて
いる。
また、パッケージ基板1の裏面にはリードビン8が整列
配置されて埋め込まれ、前記インナーリードの各々に接
続されている。また、パッケージ基板1上にはインナー
封止剤4の流れ止めとして、パッケージ基板1と同一材
料からなるダム7が取り付けられている。
このワイヤボンディングの終了したパッケージ基板1は
、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等からなるインナー封止
剤4によってICチップ2上に封止される。
次いで、表面をアルマイト加工されたAl1製のキャッ
プ6の裏面に、Bステージ化されてシート状になってい
るエポキシ樹脂からなるアウター封止剤5を仮り付ける
更に、前記キャンプ6をインナー封止済みのパッケージ
基板1と重ねて150°Cで数時間加熱処理して、アウ
ター封止剤5を溶融固化させる。
(発明が解決しようとする課R) しかしながら、上記半導体パッケージでは、パッケージ
基板1、アウター封止剤5、キャンプ6が重なり合う基
本構成になっているが、それぞれの材料の線膨脹係数が
異なっており、熱的膨脂に対する整合がとれていない。
そのため、アウター封止剤5の成形温度から常温に戻っ
た時や、温度サイクル試験等で温度差が著しい時には、
第7図のようにパッケージが反ってしまう。
パッケージ基板lが反るとICチップ2に応力がかかり
、不良の原因となったり、封止剤4.5やパッケージ基
板1に亀裂が入り耐湿性が劣化したり、リード間ピッチ
が変わって実装時に支障を来すという問題があった。
本発明は、以上述べたパッケージの反りを低減し、信転
性が高く、高品質な半導体パッケージを提供することを
目的とする。
(課題を解決するための手段) 本発明は、上記目的を達成するために、パッケージ基板
に半導体チップが搭載され、該半導体チップとインナー
リードとがボンディングワイヤで接続されると共に、半
導体チップめ周囲がインナー封止剤で封止され、かつ前
記パッケージ基板をアウター封止剤と金属性のキャップ
とで封止する半導体パッケージにおいて、前記キャップ
(6)の一部に溝(9,10)を形成するようにしたも
のである。
また、キャップ(6)の一部にインナー封止剤を盛り上
げる開口部(11,12)を設けるようにしたものであ
る。
(作用) 本発明によれば、上記のように構成したので、熱的不整
合からくる曲げモーメントに対する対抗力が向上し、半
導体パッケージの反り量を低減することができる。
また、キャップ(6)に開口部(11,12)を設ける
と、キャップ(6)の取付時において、アウター封止剤
の中のボイドが抜は易くなるので、シール後のボイドの
低減を図ることができる。
更に、そのボイドの低減により、耐湿性の向上と温度サ
イクルによるアウター封止剤の耐クランク性の向上を図
ることができる。
(実施例) 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
第1図は本発明の実施例を示す半導体パッケージの断面
図、第2図は第1図のA部拡大図、第3図はその半導体
パッケージの斜視図である。
これらの図に示すように、パッケージ基板1上のダイパ
ッド部を囲むようにダム7を取り付ける。
更に、パッケージ基板1上のグイバット部にICチップ
2を搭載し、該ICチップ2とインナーリードとをボン
ディングワイヤ3で接続する。
そして、Icチップ2とボンディングワイヤ3をインナ
ー封止剤4で封止する。更に、インナー封止されたパッ
ケージ基板1上に、Bステージ化されてシート状になっ
ているエポキシ樹脂からなるアウター封止剤5とキャッ
プ6を搭載する。このキャップ6の一部には溝9が設け
られる。
このようにキャップ6の一部に溝9を設けることにより
、第4図に示すような曲げモーメントMに対して、従来
のような溝のないキャップより対抗力が増し、強固な構
造になっている。
上記した実施例では、ICチップ2の周辺に溝9を2本
づつ形成したものを示して説明したが、これらの溝の幅
、長さ、深さ、数、形状等に特別に制約はなく、適宜変
形することができる。
また、溝を設けるに当たっては、キャップ6があらゆる
曲げモーメントMに対して強くなるように、この溝をX
方向、Y方向といずれの方向にも配置することが望まし
い。
更に、第5図に示すように、キャップ6の一部に設けら
れる溝の角を曲げて、連続した輪状に構成するようにし
てもよい。この場合、輪状の溝を複数配置してよいこと
は言うまでもない。
また、これらの溝9,10はプレス加工等によって成形
することができる。
最後に、半導体パッケージを約150’Cで数時間加熱
処理し、アウター封止剤5を溶融固化させる。
第8図は本発明の他の実施例を示す半導体パッケージの
断面図、第9図はその半導体パッケージの斜視図である
これらの図に示すように、この実施例においては、アウ
ター封止剤5に含まれているボイドがキャップ6の外へ
抜は易いように、キャップ6の一部に開口部11が設け
られている。そして、その開口部11にはアウター封止
剤5の盛り上げ部5′が形成される。
この開口部11は形、大きさ、個数とも特別制限はない
が、本来のAnキャップの機能(パッケージのメカニカ
ルな保護、水分の浸入の防御)を十分溝たす程度までと
する。
また、開口部11の位置は、ボイドが均等に抜けるよう
に、キャップ6の四方に均等に配置するのが望ましい。
なお、上記実施例においては、抜き加工により開口部1
1を形成しているが、第10図に示されるように、曲げ
抜き加工により開口部12を形成し、盛り上げ部5“を
形成するようにしてもよい。
このように構成すると、アウター封止剤5とキャンプ6
とのかみ合う力(密着力等)が、単に開孔部11を抜い
た形状のものより強くなるので好ましい。
更に、この実施例によれば、半導体パッケージが反りに
対して強固になることはもとより、アウター封止剤5の
中に残るボイドを低減し、耐湿性と温度サイクルに優れ
た半導体パッケージを得ることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果) 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、熱的不
整合からくる曲げモーメントに対する対抗力が向上し、
半導体パッケージの反り量を低減することができる。従
って、ICチップに掛かる応力が低減し、不良の低減を
図ることができる。
更に、封止剤やパッケージ基板の応力低減による耐湿性
等の信鎖性の向上や、半導体パッケージ外形の寸法精度
の向上を図ることができる。
また、キャップに開口部を設ければ、キャップ取付時に
おいてアウター封止剤の中のボイドが抜は易くなり、シ
ール後のボイドの低減を図ることができる。
更に、そのボイドの低減により、半導体パッケージの耐
湿性の向上と温度サイクルによるアウター封止剤の耐ク
ラツク性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す半導体パッケージの断面
図、第2図は第1図のA部拡大図、第3図はその半導体
パッケージの斜視図、第4図はその半導体パッケージの
キャップの溝による曲げモーメントに対する対抗力の説
明図、第5図はその半導体パッケージのキャップの溝の
変形例を示す斜視図、第6図は従来の半導体パッケージ
の断面図、第7図は従来技術の問題点を示す図、第8図
は本発明の他の実施例を示す半導体パッケージの断面図
、第9図はその半導体パッケージの斜視図、第10図は
その半導体パッケージのキャップの溝の変形例を示す部
分断面図である。 1・・・パッケージ基板、2・・・ICチップ、3・・
・ポンディングワイヤ、4・・・インナー封止剤、5・
・・アウター封止剤、 5′5 5#・・・盛り上げ部、 6・・・キャ ツブ、 ズ・・・ダム、 9゜ 10・・・溝、 11゜ 12・・・開口部。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)パッケージ基板に半導体チップが搭載され、該半
    導体チップとインナーリードとがボンディングワイヤで
    接続されると共に、半導体チップの周囲がインナー封止
    剤で封止され、かつ、前記パッケージ基板をアウター封
    止剤と金属性のキャップとで封止する半導体パッケージ
    において、 前記キャップの一部に溝を形成するようにしたことを特
    徴とする半導体パッケージ。
  2. (2)パッケージ基板に半導体チップが搭載され、該半
    導体チップとインナーリードとがボンディングワイヤで
    接続されると共に、半導体チップの周囲がインナー封止
    剤で封止され、かつ、前記パッケージ基板をアウター封
    止剤と金属性のキャップとで封止する半導体パッケージ
    において、 前記キャップの一部にアウター封止剤を盛り上げる開口
    部を設けるようにしたことを特徴とする半導体パッケー
    ジ。
JP1019766A 1989-01-31 1989-01-31 半導体パッケ―ジ Expired - Fee Related JP2580310B2 (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02101544U (ja) * 1989-01-27 1990-08-13

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JPH02101544U (ja) * 1989-01-27 1990-08-13

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