JP4953205B2

JP4953205B2 - 半導体装置

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Publication number: JP4953205B2
Application number: JP2007121123A
Authority: JP
Inventors: 信也中川; 寿川藤; 耕佐野; 建一林
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2007-05-01
Filing date: 2007-05-01
Publication date: 2012-06-13
Anticipated expiration: 2027-05-01
Also published as: JP2008277630A

Description

本発明は、半導体装置に関し、特に、半導体素子を内部に封止した半導体装置に関するものである。

半導体素子として電力用トランジスタ、ダイオードなどの半導体チップを樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置は、たとえば特開昭６４−５３４２６号公報に開示されている。

この公報においては、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法としてトランスファモールド法が用いられる。この樹脂モールド時に成形金型の成形空所（キャビティ）内でリードフレームの支持板を正確に位置決めするために、位置決めリードがリードフレームに設けられる。この位置決めリードは樹脂成形後に除去されるため、その除去後の位置決めリードの破断面が封止樹脂体の凹部において露出する。この凹部において露出した位置決めリードを被覆して絶縁耐圧を向上させるために、当該凹部に樹脂が塗布される。
特開昭６４−５３４２６号公報

しかしながら、上記のように凹部に樹脂を塗布する場合、その樹脂の流動をコントロールすることが難しい。この樹脂を高粘度（４０Ｐａ・ｓ以上１５０Ｐａ・ｓ以下程度）にすると、樹脂の塗布に時間を要するとともに、樹脂の塗布時にノズルの詰まりが生じやすくなる。また、塗布した樹脂と封止樹脂体とのなじみが弱くなってボイドが発生し、塗布した樹脂と封止樹脂体との密着性不良が生じる。また樹脂を低粘度（５Ｐａ・ｓ以上４０Ｐａ・ｓ未満程度）にすると、樹脂が封止樹脂体の凹部から漏れ出し易くなり、歩留まりが悪化する。

それゆえ本発明の目的は、製造時間を短縮でき、被覆部材形成時のノズル詰まりを防止でき、被覆部材の密着性を改善でき、かつ被覆部材の漏れ出しを防止できる半導体装置を提供することである。

本発明の半導体装置は、半導体素子を内部に封止した半導体装置であって、リード部と、封止部材と、被覆部材とを備えている。リード部は、ダミー部を有している。封止部材は、ダミー部の一方端側および半導体素子を内部に封止し、かつダミー部の延伸方向に交差する側面とその側面と交差して角部をなす主面とを有し、かつダミー部の他方端側が露出するように角部を切欠いた切欠部を有している。被覆部材は、封止部材から露出したダミー部を被覆するために切欠部に形成されている。封止部材は、切欠部内であって、被覆部材と側面との間に位置するように形成された段部を有している。

本発明の半導体装置によれば、切欠部内に、被覆部材と側面との間に位置するように段部が形成されている。このため、被覆部材が側面側へ漏れ出すことを段部により防止することができる。これにより被覆部材を低粘度にすることができるため、被覆部材の形成時間を短縮することができ、被覆部材形成時のノズル詰まりを防止することができ、かつ被覆部材の密着性を改善することができる。

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１および図２は、本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す一部破断斜視図および平面図である。図１および図２を参照して、本実施の形態の半導体装置１０は、たとえばトランスファーモールドタイプのＤＩＰ−ＩＰＭ（Dual Inline Package Intelligent Power Module）よりなる樹脂封止型の半導体装置である。この樹脂封止型半導体装置１０は、封止樹脂体（封止部材）１、２と、リード部３と、被覆樹脂（被覆部材）４と、半導体素子５ａ、５ｂとを主に有している。

半導体素子５ａは、たとえばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの高電力半導体素子を有する半導体チップである。また半導体素子５ｂは、たとえば制御ＩＣ（Integrated Circuit）を有する半導体チップである。

リード部３は、アイランド部３ｂと、アイランド部３ｂに接続されたダミー部（吊り部）３ａと、外部との接続に用いられる外部リード部３ｃとを有している。アイランド部３ｂには半導体素子５ａ、５ｂの各々が装着されている。半導体素子５ａ、５ｂのボンディングパッド（図示せず）と外部リード部３ｃの一方端側とが金線など（図示せず）によりワイヤーボンディングされている。

封止樹脂体１、２は、半導体素子５ａ、５ｂと、アイランド部３ｂと、ダミー部３ａの一方端側と、外部リード部３ｃの一方端側とを内部に封止している。この封止樹脂体１、２は、アイランド部３ｂの半導体素子５ａ、５ｂが搭載された側を封止する第１の部分１と、その反対側を封止する第２の部分２とを有している。この第１の部分１と第２の部分２とは一体化されている。

封止樹脂体１、２は、その外形において、主面１１と、主面の反対側の面（図示せず）と、側面１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄとを有している。主面１１はアイランド部３ｂの半導体素子５ａ、５ｂを装着する面に対向しており、側面１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄはダミー部３ａの延伸方向に交差している。

この封止樹脂体１、２の側面１２ａ、１２ｄの各々から、外部リード部３ｃの他方端側が突き出しており、この他方端側は一方端側に対して折り曲げられている。また封止樹脂体１、２の主面１１と側面１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの各々とは交差しており、その交差部に角部１４が形成されている。この角部１４の複数箇所が切欠かれて、複数の切欠部１ａが形成されている。この複数の切欠部１ａの各々において、ダミー部３ａの他方端側が露出している。この切欠部１ａにおいて封止樹脂体１、２から露出したダミー部３ａを被覆するように、切欠部１ａに被覆樹脂４が塗布形成されている。本実施の形態においては、被覆樹脂４がこの切欠部１ａから漏れ出すことを防止できるような構成が採用されている。

次に、被覆樹脂４が切欠部１ａから漏れ出すことを防止するための構成について詳細に説明する。

図３および図４は、図１および図２に示す樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す概略斜視図および平面図である。また図５は、図４のＶ−Ｖ線に沿う概略断面図である。図３、図４および図５を参照して、本実施の形態においては、被覆樹脂４が切欠部１ａから漏れ出さないように、封止樹脂体１、２に段部１ｂが設けられている。

主面１１を切欠部１ａの上端としてみた時に、切欠部１ａの下端に位置する面が底面１ａ₁となる。段部１ｂは、切欠部１ａ内において、この底面１ａ₁から主面１１側に突き出した凸部である。この凸部１ｂは、被覆樹脂４と切欠部１ａの開口する側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）との間に位置するように形成されている。凸部１ｂの壁面の一部は側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）と連続した面となっている。この凸部１ｂは、ダミー部３ａの仮想の延伸部分（一点鎖線で示す部分）３ａ₁と交差する領域に抜き部１ｃを有している。この抜き部１ｃにより凸部１ｂは複数個（たとえば２つ）に分離されている。この分離された２つの凸部１ｂ各々は、切欠部１ａの側面（底面１ａ₁以外の面）に接合されている。

なおダミー部３ａの仮想の延伸部分（一点鎖線で示す部分）３ａ₁とは、ダミー部３ａをその端部からその延伸方向に沿って直線状に延伸させた仮想部分のことであり、樹脂封止型半導体装置１０の製造過程においてピンチカットされるリード部分のことである。

次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。
図６は、リードフレームに半導体素子が取付けられた様子を示す概略平面図であり、図１の領域Ｒに対応する部分を拡大して示している。図６を参照して、本実施の形態の製造方法においては、まずリードフレーム３が準備される。このリードフレーム３は、アイランド部３ｂと、このアイランド部３ｂに直接接続されたダミー部（吊り部）３ａと、外部との接続に用いられる外部リード部３ｃと、外部リード部３ｃなどを互いに繋ぐタイバー部３ｄとを有している。なお、複数の外部リード部３ｃのいずれかはアイランド部３ｂに接続されていてもよく、またアイランド部３ｂと分離されていてもよい。

このリードフレーム３のアイランド部３ｂに半導体素子５ｂが装着される。なお図示していないが、他のアイランド部がある場合には、そのアイランド部にも半導体素子（たとえば半導体素子５ａ）が装着される。この後、トランスファーモールド法により樹脂モールドが行なわれる。

図７は、トランスファーモールド法による樹脂モールドの様子を示す断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に対応する断面を示す図である。図７を参照して、トランスファーモールド法では、まず、上記のように予めリードフレーム３に半導体素子５ａ、４ｂが装着され、その状態で、リードフレーム３の樹脂モールドしたい箇所が成形用金型１１ａ、１１ｂの成形空所（キャビティ）１１ａ₁、１１ｂ₁内に位置決めされる。この後、粉末状またはタブレット状のエポキシ樹脂などの樹脂が、温度と圧力を加えられて溶融され、粘度の低い状態（たとえば５Ｐａ・ｓ以上４０Ｐａ・ｓ未満程度）とされて成形空所（キャビティ）１１ａ₁、１１ｂ₁に注入される。この後、溶融された樹脂が硬化されることで樹脂モールドが完了する。本実施の形態で用いられる成形用金型は図７〜図９に示す構成を有している。

図８は図７の領域Ｐを拡大して示す概略断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の一部に対応する断面図である。また図９は図６のＩＸ−ＩＸ線に対応する成形用金型の断面図である。図８および図９を参照して、成形用金型１１ａ、１１ｂのうち成形用金型１１ａには、切欠部１ａを形成するための凸部１１ａ₂が形成されている。この凸部１１ａ₂は、図８に示すように表面にダミー部３ａを嵌め込むための溝１１ａ₂₁を有している。また凸部１１ａ₂は、図９に示すように表面に溝１１ａ₂₁の両側を挟むように形成された凹部１１ａ₃を有している。この凹部１１ａ₃により、ダミー部３ａの延伸部分に抜け部１ｃを有する凸部（段部）１ｂが形成される。

この樹脂モールドによって、図６の一点鎖線で示すようにリードフレーム３の一部と半導体素子５ａ、５ｂとが封止樹脂体１、２によって封止される。この樹脂モールドの後には、リードフレームのタイバー部３ｄと、ダミー部（吊り部）３ａが不要となる。そこで、この樹脂モールドの後、図６に示すタイバー部３ｄをカットするためのタイバーカットが行なわれる。この後、リードカットが行なわれ、さらに図１０に示すようにダミー部３ａがたとえば領域Ｓにてピンチカットされる。このピンチカットは、ダミー部３ａの強度を極端に低くした領域Ｓを意図的に作り、ダミー部３ａを引っ張ることで、強度の低い領域Ｓでダミー部３ａを切断する方法である。なお、領域Ｓにて、ダミー部３ａの強度を極端に低くする方法としては、ダミー部３ａに穴、溝、切欠などを設ける方法がある。

この後、外部リード部３ｃを折り曲げるなどの工程を経ることにより、図１および図２に示す樹脂封止型半導体装置１０が製造される。

本実施の形態によれば、図３に示すように切欠部１ａ内に、被覆樹脂４と側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）との間に位置するように段部となる凸部１ｂが形成されている。このため、被覆樹脂４が側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）側へ漏れ出すことを凸部１ｂにより防止することができる。これにより被覆樹脂４を低粘度にしても切欠部１ａからの漏れ出しを防止できるため、被覆樹脂４の樹脂塗布時間を短縮することができ、樹脂塗布時のノズル詰まりを防止することができ、かつ樹脂の密着性を改善することができる。

（実施の形態２）
図１１および図１２は、本発明の実施の形態２における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す概略斜視図および平面図である。また図１３は、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う概略断面図である。図１１、図１２および図１３を参照して、本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成と比較して、段部の構成において異なる。

本実施の形態における段部１ｂは、切欠部１ａの底面１ａ₁から主面１１側に突き出した凸部である。この凸部１ｂは、被覆樹脂４と切欠部１ａの開口する側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）との間に位置するように形成されている。凸部１ｂの壁面の一部は側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）と連続した面となっている。この凸部１ｂは、ダミー部３ａの仮想の延伸部分（一点鎖線で示す部分）３ａ₁と交差する領域で途切れることなく連続的に延びている。この凸部１ｂの高さＴ１はダミー部３ａの厚みＴ０の半分未満である。

なお、これ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。

また本実施の形態における樹脂封止型半導体装置の製造方法は、実施の形態１の製造方法とほぼ同じであるが、樹脂モールド工程で用いる成形用金型の構成およびダミー部の構成が異なる。

図１４は図７の領域Ｐに対応する領域を拡大して示す成形用金型の概略断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の一部に対応する断面図である。また図１５は図６のＩＸ−ＩＸ線に対応する成形用金型の断面図である。図１４および図１５を参照して、成形用金型１１ａ、１１ｂのうち成形用金型１１ａには、切欠部１ａを形成するための凸部１１ａ₂が形成されている。この凸部１１ａ₂は、図１４に示すように表面にダミー部３ａを嵌め込むための溝１１ａ₂₁を有している。このダミー部３ａは成形用金型１１ｂ側の表面にフレーム溝３ａ₁を有している。また凸部１１ａ₂は、図１５に示すようにフレーム溝３ａ₁の両側を挟むように形成された凹部１１ａ₃を有している。これらのフレーム溝３ａ₁と凹部１１ａ₃により、ダミー部３ａの延伸部分と交差する領域で途切れることなく連続的に延びる凸部（段部）１ｂが形成される。

なお、これ以外の本実施の形態の製造方法については実施の形態１の製造方法とほぼ同じであるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。

本実施の形態によれば、図１１に示すように切欠部１ａ内に、被覆樹脂４と側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）との間に位置するように段部となる凸部１ｂが形成されている。このため、被覆樹脂４が側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）側へ漏れ出すことを凸部１ｂにより防止することができる。これにより被覆樹脂４を低粘度にしても切欠部１ａからの漏れ出しを防止できるため、被覆樹脂４の樹脂塗布時間を短縮することができ、樹脂塗布時のノズル詰まりを防止することができ、かつ樹脂の密着性を改善することができる。

また凸部１ｂが切欠部１ａの側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）側の開口の全長に渡って延びているため、被覆樹脂４が側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）側へ漏れ出すことをより防止することができる。

（実施の形態３）
図１６および図１７は、本発明の実施の形態３における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す概略斜視図および平面図である。また図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿う概略断面図である。図１６、図１７および図１８を参照して、本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成と比較して、段部の構成において異なる。

本実施の形態における段部１ｂは、切欠部１ａの底面１ａ₁から主面１１側に突き出した凸部である。この凸部１ｂは、被覆樹脂４と切欠部１ａの開口する側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）との間に位置するように形成されている。凸部１ｂの壁面の一部は側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）と連続した面となっている。この凸部１ｂは、ダミー部３ａの仮想の延伸部分（一点鎖線で示す部分）３ａ₁と交差する領域で途切れることなく連続的に延びている。この凸部１ｂの高さＴ２はダミー部３ａの厚みＴ０の半分以上である。

図１９は図７の領域Ｐに対応する領域を拡大して示す成形用金型の概略断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の一部に対応する断面図である。また図２０は図６のＩＸ−ＩＸ線に対応する成形用金型の断面図である。図１９および図２０を参照して、成形用金型１１ａ、１１ｂのうち成形用金型１１ａには、切欠部１ａを形成するための凸部１１ａ₂が形成されている。この凸部１１ａ₂は、図１９に示すように表面にダミー部３ａを嵌め込むための溝１１ａ₂₁を有している。また溝１１ａ₂₁には、他の溝１１ａ₂₁の部分よりも深いフレーム溝１１ａ₃が形成されている。ダミー部３ａは、フレーム溝１１ａ₃に嵌り込むように成形用金型１１ａ側に湾曲したフレーム曲げ部３ａ₃を有している。また成形用金型１１ａの凸部１１ａ₂は、図２０に示すようにフレーム曲げ部３ａ₃の両側を挟むように形成された凹部１１ａ₃を有している。これらのフレーム曲げ部３ａ₃と凹部１１ａ₃により、ダミー部３ａの延伸部分と交差する領域で途切れることなく連続的に延びる凸部（段部）１ｂが形成される。またダミー部３ａを湾曲させた分だけ凸部（段部）１ｂの高さを高くすることができ、ダミー部３ａの厚み以上の高さにすることができる。

本実施の形態によれば、図１６に示すように切欠部１ａ内に、被覆樹脂４と側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）との間に位置するように段部となる凸部１ｂが形成されている。このため、被覆樹脂４が側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）側へ漏れ出すことを凸部１ｂにより防止することができる。これにより被覆樹脂４を低粘度にしても切欠部１ａからの漏れ出しを防止できるため、被覆樹脂４の樹脂塗布時間を短縮することができ、樹脂塗布時のノズル詰まりを防止することができ、かつ樹脂の密着性を改善することができる。

また凸部の高さＴ２をダミー部３ａの厚みＴ０の半分以上の高さにできるため、被覆樹脂４が側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）側へ漏れ出すことをより防止することができる。

（実施の形態４）
図２１および図２２は、本発明の実施の形態４における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す概略斜視図および平面図である。また図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿う概略断面図である。図２１、図２２および図２３を参照して、本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成と比較して、段部の構成において異なる。

本実施の形態における段部１ｃは、切欠部１ａの底面１ａ₁から主面１１側とは反対側に窪んだ凹部である。この凹部１ｃは、被覆樹脂４と切欠部１ａの開口する側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）との間に位置するように形成されている。この凹部１ｃは、ダミー部３ａの仮想の延伸部分（一点鎖線で示す部分）３ａ₁と交差する領域で途切れている。

また本実施の形態における樹脂封止型半導体装置の製造方法は、実施の形態１の製造方法とほぼ同じであるが、樹脂モールド工程で用いる成形用金型の構成が異なる。

図２４は図７の領域Ｐに対応する領域を拡大して示す成形用金型の概略断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の一部に対応する断面図である。また図２５は図６のＩＸ−ＩＸ線に対応する成形用金型の断面図である。図２４および図２５を参照して、成形用金型１１ａ、１１ｂのうち成形用金型１１ａには、切欠部１ａを形成するための凸部１１ａ₂が形成されている。この凸部１１ａ₂は、図２４に示すように表面にダミー部３ａを嵌め込むための溝１１ａ₂₁を有している。また凸部１１ａ₂は、図２５に示すようにダミー部３ａおよび溝１１ａ₂₁の両側を挟むように形成された凸部１１ａ₄を有している。この凸部１１ａ₄により、ダミー部３ａの延伸部分と交差する領域で途切れる凹部（段部）１ｃが形成される。

本実施の形態によれば、図１１に示すように切欠部１ａ内に、被覆樹脂４と側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）との間に位置するように段部となる凹部１ｃが形成されている。このため、被覆樹脂４が側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）側へ漏れ出すことを凹部１ｃにより防止することができる。これにより被覆樹脂４を低粘度にしても切欠部１ａからの漏れ出しを防止できるため、被覆樹脂４の樹脂塗布時間を短縮することができ、樹脂塗布時のノズル詰まりを防止することができ、かつ樹脂の密着性を改善することができる。

（実施の形態５）
図２６および図２７は、本発明の実施の形態５における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す概略斜視図および平面図である。また図２８は、図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿う概略断面図である。図２６、図２７および図２８を参照して、本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成と比較して、段部の構成において異なる。

本実施の形態における段部１ｃは、切欠部１ａの底面１ａ₁から主面１１側とは反対側に窪んだ凹部である。この凹部１ｃは、被覆樹脂４と切欠部１ａの開口する側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）との間に位置するように形成されている。凹部１ｃは、ダミー部３ａの仮想の延伸部分（一点鎖線で示す部分）３ａ₁と交差する領域で途切れることなく連続的に延びている。

図２９は図７の領域Ｐに対応する領域を拡大して示す成形用金型の概略断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の一部に対応する断面図である。また図３０は図６のＩＸ−ＩＸ線に対応する成形用金型の断面図である。図２９および図３０を参照して、成形用金型１１ａ、１１ｂのうち成形用金型１１ａには、切欠部１ａを形成するための凸部１１ａ₂が形成されている。この凸部１１ａ₂は、図２９に示すように表面にダミー部３ａを嵌め込むための溝１１ａ₂₁を有している。また溝１１ａ₂₁には、溝１１ａ₂₁から成形用金型１１ｂ側へ突き出した凸部１１ａ₄が形成されている。ダミー部３ａは、凸部１１ａ₄に沿って成形用金型１１ａ側に湾曲したフレーム曲げ部３ａ₃を有している。また成形用金型１１ａの凸部１１ａ₂は、図３０に示すようにフレーム曲げ部３ａ₃の両側を挟むように形成された凸部１１ａ₅を有している。これらのフレーム曲げ部３ａ₃と凸部１１ａ₅により、ダミー部３ａの延伸部分と交差する領域で途切れることなく連続的に延びる凹部（段部）１ｃが形成される。

本実施の形態によれば、図２６に示すように切欠部１ａ内に、被覆樹脂４と側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）との間に位置するように段部となる凹部１ｃが形成されている。このため、被覆樹脂４が側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）側へ漏れ出すことを凹部１ｃにより防止することができる。これにより被覆樹脂４を低粘度にしても切欠部１ａからの漏れ出しを防止できるため、被覆樹脂４の樹脂塗布時間を短縮することができ、樹脂塗布時のノズル詰まりを防止することができ、かつ樹脂の密着性を改善することができる。

また凹部１ｃが切欠部１ａの側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）側の開口の全長に渡って延びているため、被覆樹脂４が側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）側へ漏れ出すことをより防止することができる。

（実施の形態６）
図３１および図３２は、本発明の実施の形態６における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す概略斜視図および平面図である。また図３３は、図３２のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ線に沿う概略断面図である。図３１、図３２および図３３を参照して、本実施の形態の構成は、実施の形態３の構成と比較して、切欠部１ａの構成において異なる。

本実施の形態における切欠部１ａは、主面１１から底面１ａａ₁までの深さが深い第１の部分１ａａと、主面１１から底面１ａｂ₁までの深さが浅い第２の部分１ａｂとを有している。第１の部分１ａａは、第２の部分１ａｂよりも側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）側に位置している。本実施の形態においては、第１の部分１ａａは、側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）に開口している。ダミー部３ａは、第１の部分１ａａにおいて封止樹脂体１、２から露出している。被覆樹脂４は、ダミー部３ａを被覆するように、少なくとも第１の部分１ａａ上に形成されている。

なお、これ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態３の構成とほぼ同じであるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。

また本実施の形態における樹脂封止型半導体装置の製造方法は、実施の形態３の製造方法とほぼ同じであるが、樹脂モールド工程で用いる成形用金型の構成が異なる。

図３４は図７の領域Ｐに対応する領域を拡大して示す成形用金型の概略断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の一部に対応する断面図である。また図３５は図６のＩＸ−ＩＸ線に対応する成形用金型の断面図である。図３４および図３５を参照して、成形用金型１１ａ、１１ｂのうち成形用金型１１ａには、切欠部１ａを形成するための凸部１１ａ₂が形成されている。この凸部１１ａ₂は、突き出し量の大きい（高さの高い）第１の凸部分１１ａａ₂と、突き出し量の小さい（高さの低い）第２の凸部分１１ａｂ₂とを有している。この第１の凸部分１１ａａ₂によって切欠部１ａの第１の部分１ａａが形成され、第２の凸部分１１ａｂ₂によって切欠部１ａの第１の部分１ａｂが形成される。第１の部分１ａａは、図３４に示すように表面にダミー部３ａを嵌め込むための溝１１ａ₂₁を有している。

なお、これ以外の本実施の形態の製造方法については実施の形態３の製造方法とほぼ同じであるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。

本実施の形態によれば、被覆樹脂４が、切欠部１ａが深さの異なる第１の部分１ａ₁および第２の部分１ａ₂を有しているため、被覆樹脂４の主面１１への樹脂流れを防止することができる。

本実施の形態の切欠部１ａの形状は、実施の形態３の構成だけでなく、実施の形態１、２、４および５の構成に適用することもできる。

なお上記の実施の形態１〜６においては、被覆樹脂４の主面１１側の上端部は、主面１１とほぼ同じ高さであってもよいが、図３６に示すように主面１１よりも距離Ｗだけ低くなっていてもよい。

また図１において、樹脂封止型半導体装置１０にはネジを差し込むための貫通孔１３が設けられている。切欠部１ａが設けられた主面１１は、この貫通孔１３にネジを差し込む側の面であることが好ましい。

また図１０に示すようにダミー部３ａをピンチカットする位置は、封止樹脂体１、２から突き出して露出している箇所であることが好ましい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明は、半導体素子を内部に封止した半導体装置に特に有利に適用され得る。

本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す一部破断斜視図である。本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す平面図である。図１および図２に示す樹脂封止型半導体装置１０の切欠部１ａ付近を拡大して示す概略斜視図である。図１および図２に示す樹脂封止型半導体装置１０の切欠部１ａ付近を拡大して示す平面図である。図４のＶ−Ｖ線に沿う概略断面図である。リードフレームに半導体素子が取付けられた様子を示す概略平面図であり、図１の領域Ｒに対応する領域を拡大して示している。トランスファーモールド法による樹脂モールドの様子を示す断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に対応する断面を示す図である。図７の領域Ｐを拡大して示す概略断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の一部に対応する断面図である。図６のＩＸ−ＩＸ線に対応する成形用金型の断面図である。ピンチカットを説明するための概略平面図である。本発明の実施の形態２における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す概略斜視図である。本発明の実施の形態２における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す平面図である。図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う概略断面図である。図７の領域Ｐに対応する領域を拡大して示す成形用金型の概略断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の一部に対応する断面図である。図６のＩＸ−ＩＸ線に対応する成形用金型の断面図である。本発明の実施の形態３における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す概略斜視図である。本発明の実施の形態３における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す平面図である。図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿う概略断面図である。図７の領域Ｐに対応する領域を拡大して示す成形用金型の概略断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の一部に対応する断面図である。図６のＩＸ−ＩＸ線に対応する成形用金型の断面図である。本発明の実施の形態４における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す概略斜視図である。本発明の実施の形態４における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す平面図である。図２２のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿う概略断面図である。図７の領域Ｐに対応する領域を拡大して示す成形用金型の概略断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の一部に対応する断面図である。図６のＩＸ−ＩＸ線に対応する成形用金型の断面図である。本発明の実施の形態５における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す概略斜視図である。本発明の実施の形態５における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す平面図である。図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿う概略断面図である。図７の領域Ｐに対応する領域を拡大して示す成形用金型の概略断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の一部に対応する断面図である。図６のＩＸ−ＩＸ線に対応する成形用金型の断面図である。本発明の実施の形態６における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す概略斜視図である。本発明の実施の形態６における樹脂封止型半導体装置の切欠部付近を拡大して示す平面図である。図３２のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ線に沿う概略断面図である。図７の領域Ｐに対応する領域を拡大して示す成形用金型の概略断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の一部に対応する断面図である。図６のＩＸ−ＩＸ線に対応する成形用金型の断面図である。被覆樹脂の主面側の上端部が主面よりも低い構成を概略的に示す断面図である。

符号の説明

１，２封止樹脂体、１ａ切欠部、１ｂ凸部、１ｃ凹部、１ａａ第１の部分、１ａｂ第２の部分、１ａ₁，１ａａ₁，１ａｂ₁ 底面、３リードフレーム、３ａダミー部、３ｂアイランド部、３ｃ外部リード部、３ｄタイバー部、３ａ₁ フレーム溝、４被覆樹脂、５ａ，５ｂ半導体素子、１０樹脂封止型半導体装置、１１ａ₃ フレーム溝、１１主面、１１ａ，１１ｂ成形用金型、１１ａ₁，１１ｂ₁ 成形空所（キャビティ）、１１ａ₂，１１ａ₄，１１ａ₅ 凸部、１１ａ₃ 凹部、１１ａａ₂，１１ａｂ₂ 凸部分、１１ａ₂₁ フレーム溝、１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ側面、１３貫通孔。

Claims

半導体素子を内部に封止した半導体装置であって、
ダミー部を有するリード部と、
前記ダミー部の一方端側および前記半導体素子を内部に封止し、かつ前記ダミー部の延伸方向に交差する側面と前記側面と交差して角部をなす主面とを有し、かつ前記ダミー部の他方端側が露出するように前記角部を切欠いた切欠部を有する封止部材と、
前記封止部材から露出した前記ダミー部を被覆するために前記切欠部に形成された被覆部材とを備え、
前記封止部材は、前記切欠部内であって、前記被覆部材と前記側面との間に位置するように形成された段部を有している、半導体装置。
前記段部は前記切欠部の壁面から突き出した凸部を有し、
前記凸部は前記ダミー部の仮想の延伸方向と交差する領域に抜き部を有している、請求項１に記載の半導体装置。
前記段部は前記切欠部の壁面から突き出した凸部を有し、
前記凸部は前記ダミー部の仮想の延伸方向と交差する領域で途切れることなく連続的に延びている、請求項１に記載の半導体装置。
前記凸部の高さは前記ダミー部の厚みの半分未満である、請求項３に記載の半導体装置。
前記凸部の高さは前記ダミー部の厚みの半分以上である、請求項３に記載の半導体装置。
前記段部は前記切欠部の壁面において窪んだ凹部を有し、
前記凹部は前記ダミー部の仮想の延伸方向と交差する領域において途切れている、請求項１に記載の半導体装置。
前記段部は前記切欠部の壁面において窪んだ凹部を有し、
前記凹部は前記ダミー部の仮想の延伸方向と交差する領域において途切れることなく連続的に延びている、請求項１に記載の半導体装置。
前記切欠部は、前記主面からの深さが深い第１の部分と、前記主面からの深さが浅い第２の部分とを有し、
前記第１の部分は、前記第２の部分よりも前記側面側に位置しており、
前記ダミー部は前記第１の部分において前記封止部材から露出している、請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置。
前記被覆部材の上端は前記主面よりも低い位置にある、請求項１〜８のいずれかに記載の半導体装置。