JP2008166395A

JP2008166395A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2008166395A
Application number: JP2006352478A
Authority: JP
Inventors: Noboru Sakurai; 昇桜井; Tsukasa Sato; 司佐藤; Masakatsu Suzuki; 昌克鈴木
Original assignee: Renesas Technology Corp
Current assignee: Renesas Technology Corp
Priority date: 2006-12-27
Filing date: 2006-12-27
Publication date: 2008-07-17

Abstract

【課題】リードフレーム上に搭載した半導体チップの封止工程において、リードフレームの外枠に付着するバリの発生を防止できる技術を提供する。
【解決手段】半導体チップ２を搭載したリードフレーム１を上金型１４と下金型１５で挟み込む。そして、上金型１４には押さえ駒１９が装着されている。この押さえ駒１９には、凸形状１９ａおよび凸形状１９ｂが形成されている。凸形状１９ａによりリードフレーム１の端部の一部を潰し隙間を埋め込む。一方、凸形状１９ｂによりランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向の端部を押さえ込む。
【選択図】図６

Description

本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、リードフレーム上に形成された半導体チップを封止する工程に適用して有効な技術に関するものである。

特開２００４−３３５９４３号公報（特許文献１）には、基板に搭載された半導体素子を上型と下型からなる金型を挟み込んで型締めして封止する半導体装置に関する技術が記載されている。具体的には、外部端子の厚みより厚く形成された基板上面のレジスト層と、外部端子上に形成されたレジスト層の凹凸は、上型の押圧により圧縮され、レジスト層に当接した上型の接触面で均一となり、レジスト層と上型の隙間がレジスト層により塞がれる。よって、封止の際の樹脂漏れが防止でき、バリの発生しない半導体装置を得ることができるとしている。

特開平９−１１５９３６号公報（特許文献２）には、半導体素子が搭載されたリードフレームを設置するためのキャビティを含むキャビティピースと、半導体素子を封止するための樹脂を注入するゲート部を含むゲートピースとから成り、ゲートピースのみの交換が可能となっている半導体装置の樹脂封止用金型に関する技術が記載されている。具体的には、ゲート部のサブランナーから漏れ出た樹脂をリード側に移動しないようにせき止める樹脂漏れ防止堰が、サブランナーに沿って設けられているとしている。
特開２００４−３３５９４３号公報特開平９−１１５９３６号公報

半導体装置の製造工程には、半導体ウェハにトランジスタなどの半導体素子および配線を形成する前工程と、半導体ウェハを複数の半導体チップに切り分けた後、この半導体チップをパッケージに収納する後工程がある。後工程では、まず、ダイシングにより半導体ウェハを個片化して半導体チップを得る。そして、得られた半導体チップを配線基板に実装する。半導体チップを配線基板に実装する形態は様々な形態があるが、例えば、リードフレームを使用するものがある。すなわち、リードフレーム上に半導体チップを搭載した後、半導体チップとリードフレームとをワイヤで接続する。その後、リードフレームに搭載した半導体チップをエポキシ樹脂などで封止することが行なわれている。この工程は、モールド工程と呼ばれ、半導体チップの保護を行なうため半導体チップを樹脂封止する工程である。

リードフレームに搭載した半導体チップを樹脂で封止するモールド工程は、以下に示すようにして行なわれる。例えば、図１６は、リードフレームに搭載した半導体チップを樹脂で封止する工程を示す断面図である。図１６に示すように、半導体チップ１００を搭載したリードフレーム１０１を上金型１０２と下金型１０３で挟み込む。このとき、リードフレーム１０１に搭載した半導体チップ１００の周囲は、上金型１０２と下金型１０３で形成されたキャビティ（空間）１０４によって囲まれる。上金型１０２のうち、半導体チップ１００を搭載したリードフレーム１０１を挟み込む領域をキャビティブロック１０５といい、樹脂を溶融する領域をカルブロック１０６という。上金型１０２のカルブロック１０６に相対する下金型１０３には、プランジャー１０７が備えられており、このプランジャー１０７によって樹脂の塊であるタブレット１０８を圧縮するようになっている。タブレット１０８は、熱を加えることにより軟化し、軟化したタブレット１０８をプランジャー１０７によって押し出すことにより樹脂が流出する。プランジャー１０７に押し出された樹脂は、カルブロック１０６からキャビティブロック１０５に渡って設けられているランナ１０９に流入する。そして、樹脂はランナ１０９からキャビティ１０４の内部に流入し、樹脂はキャビティ１０４内に充填される。これにより、キャビティ１０４内に設けられている半導体チップ１００を樹脂で封止することができる。

ここで、半導体チップ１００を搭載したリードフレーム１０１は、下金型１０３から突き出ているセットピン１１０によって位置を固定されている。すなわち、リードフレーム１０１は、リードフレーム１０１に設けられた穴にセットピン１１０を挿入することにより、金型内での位置決めが行なわれている。ところが、リードフレーム１０１に設けられた穴径には公差が生じるため、セットピン１１０でリードフレーム１０１を固定する際には、ある程度の位置ずれが生じる。この位置ずれを吸収する目的と、熱負荷によるリードフレーム１０１の膨張に対応するため、金型には、図１６に示すような隙間１１１が設けられている。この隙間１１１を設けることにより、リードフレーム１０１の膨張およびリードフレーム１０１の位置ずれに対応することができる。

しかし、隙間１１１を設けると、この隙間１１１から樹脂が漏れてリードフレーム１０１の外枠に樹脂が付着する問題が発生する。特に、近年では、半導体チップ１００に形成されているパッドの狭ピッチ化に伴い、ワイヤの細線化が進んできている。このため、半導体チップ１００を樹脂で封止する際、細線化したワイヤなどの断線を防止して信頼性向上を図る必要がある。このことから、樹脂の成形マージンや信頼性確保のため、半導体チップ１００の封止に使用する樹脂の組成も低粘度化が進んできている。したがって、低粘度化されている樹脂を使用する場合、隙間１１１から樹脂が染み出しやすく、リードフレーム１０１の外枠に樹脂が付着する問題が顕在化する。

リードフレーム１０１の外枠に樹脂が付着する、いわゆるバリが発生すると、その後の工程での搬送トラブルおよび成形工程における打痕不良の要因ともなる。例えば、成形工程における打痕不良とは、リードを成形する際、リードに付着した樹脂が剥がれリード上に付着する。この状態でリードを成形すると、リード上に形成された樹脂によりリードに打痕が形成され不良となる。

このようなことから、従来の工程では、リードフレーム１０１の外枠に付着した樹脂を除去することが行なわれており、この工程は人手を介して行なわれているのが実情である。したがって、作業人員を割り付ける必要があり、半導体装置の製造コストが上昇し、かつ、ＴＡＴ（Turn Around Time）の短縮を図ることができない問題点が生じる。

本発明の目的は、リードフレーム上に搭載した半導体チップの封止工程において、リードフレームの外枠に付着するバリの発生を防止できる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。本発明の一実施例は、（ａ）リードフレームに搭載された半導体チップを樹脂で封止する工程を備える。そして、前記（ａ）工程は、（ａ１）前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを金型で挟み込み前記半導体チップをキャビティ内に配置する工程と、（ａ２）前記金型に形成された樹脂流入経路であるランナより前記キャビティ内に樹脂を流入する工程とを有する。このとき、前記（ａ１）工程は、前記金型に装着された押さえ駒で前記リードフレームと前記ランナとの境界領域を押さえ込み、前記押さえ駒に形成された第１凸形状により前記境界領域に形成される前記リードフレームの端部の一部を潰し、かつ、前記押さえ駒に形成された第２凸形状により前記ランナの樹脂流入方向と交差する方向の端部を押さえ込むことを特徴とする。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。実施例によれば、樹脂を流すランナに形成されている隙間を、金型に装着された押さえ駒に形成されている第１凸形状によりリードフレームの外枠（端部）の一部を潰すことにより埋め込むことで、隙間からの樹脂の染み出しを防止することができる。さらに、押さえ駒に形成されている第２凸形状により、隙間周辺に存在するランナの樹脂流入方向と交差する方向（側面方向）の端部を押さえ込むことにより、ランナの周囲から樹脂が回り込むように染み出してリードフレームに付着することを防止できる。したがって、リードフレームの外枠に付着するバリの発生を防止できる。このことから、バリの除去工程が不要となり作業人員を削減することができるので、半導体装置の製造コストを低減することができ、かつ、ＴＡＴ（Turn Around Time）の短縮を図ることができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態１における半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。本実施の形態１では、半導体チップをリードフレームに搭載する後の工程について説明する。図１に示すように、リードフレーム１を用意する。そして、リードフレーム１上に半導体チップ２を形成する。半導体チップ２の内部には、ウェハプロセスにおいてＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）や配線が形成されている。このウェハプロセスで半導体チップ２の表面にボンディングパッド２ａが形成される。半導体チップ２はリードフレーム１に、例えば、接着剤などを用いて接着される。このとき、半導体チップ２の表面（主面、素子形成面）を上にして搭載される。

次に、図２に示すように、半導体チップ２に形成されたボンディングパッド２ａと、リードフレーム１のリードとをワイヤ３で接続する。ワイヤ３は、例えば、金線などより構成されている。

続いて、図３に示すように、半導体チップ２を搭載したリードフレーム１を樹脂４で封止する。これにより、半導体チップ２は樹脂４で覆われて外部から保護される。この半導体チップ２を封止する工程は、金型を用いて液状化した樹脂４を流入することにより行なわれるが、工程の詳細は後述する。

次に、図４に示すように、リードフレーム１を切断した後、樹脂４から露出しているリードを成形する。このようにして半導体装置を製造することができる。

本実施の形態１における半導体装置の製造方法の特徴は、半導体チップ２を搭載したリードフレーム１を樹脂４で封止する工程にある。したがって、次に、半導体チップ２を搭載したリードフレーム１を樹脂４で封止する工程（モールド工程）について説明する。

図５は、モールド工程で使用される金型１０の一部を示す平面図である。金型は半導体チップを搭載したリードフレームを挟み込むため、上金型と下金型がある。図５に示す金型１０は、上金型を示している。上金型となる金型１０は、カルブロック１１とキャビティブロック１２とを有している。カルブロック１１は、樹脂を液状化し、液状化した樹脂の流入元となるものである。一方、キャビティブロック１２は、リードフレーム上に配置される領域であり、半導体チップを覆うキャビティ（空間）が形成されるように成形されている。カルブロック１１とキャビティブロック１２に渡ってランナ１３が形成されている。このランナ１３は樹脂４をカルブロック１１からキャビティブロック１２に流入する経路となるものである。なお、図示はしないが、下金型もほぼ同様の構成をしている。

図６は、半導体チップ２を搭載したリードフレーム１を上金型１４と下金型１５で挟み込んだ状態を示す断面図である。図６に示すように、リードフレーム１は上金型１４と下金型１５で挟み込まれており、リードフレーム１に搭載した半導体チップ２は、上金型１４と下金型１５で形成されたキャビティ（空間）に配置されている。上金型１４と下金型１５で挟まれたリードフレーム１は、位置を固定するため、下金型１５に設けられたセットピン１８によって固定されている。

下金型１５には、プランジャー１６が設けられており、このプランジャー１６によって樹脂の塊からなるタブレット１７を押し出すことができるようになっている。さらに、上金型１４と下金型１５の間には樹脂４の流入経路であるランナ１３が設けられており、このランナ１３は、例えば、カルブロック１１からキャビティブロック１２にわたって形成されている。ランナ１３は、例えば、キャビティブロック１２において、リードフレーム１の下側を通って半導体チップ２が配置されているキャビティに通じている。

このようにモールド工程においては、半導体チップ２を搭載したリードフレーム１を上金型１４と下金型１５で挟み込むことが行なわれる。そして、この状態で、半導体チップ２を樹脂封止することが行なわれるが、この動作について説明する。まず、半導体チップ２を搭載したリードフレーム１を上金型１４と下金型１５で挟み込んだ後、これらの金型を加熱する。すると、下金型１５に配置されているタブレット１７が溶融し、樹脂４が液状化する。この液状化したタブレット１７をプランジャー１６で押し出す。プランジャー１６によって押し出された樹脂４は、ランナ１３を介して、キャビティ内に流入する。これにより、半導体チップ２を覆うように樹脂４を形成し、半導体チップ２を樹脂４で封止することができる。

ここで、本実施の形態１の特徴の１つは、図６に示すように、上金型１４に押さえ駒１９を装着した点にある。この押さえ駒１９によってリードフレーム１の端部とランナ１３の境界領域を押さえることができる。特に、本実施の形態１の第１の特徴は、押さえ駒１９に設けられた凸形状（第１凸形状）１９ａによってリードフレーム１の端部の一部を潰すことにある。さらに、本実施の形態１の第２の特徴は、押さえ駒１９に設けられた凸形状（第２凸形状）１９ｂによって、リードフレーム１との境界領域にあるランナ１３の側面側の周囲を押さえ込んでいることにある。つまり、ランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向の周囲を押さえ駒１９に設けられている凸形状１９ｂによって押さえ込んでいることになる。

このように構成することにより、上金型１４に装着された押さえ駒１９に形成されている凸形状１９ａによりリードフレーム１の外枠（端部）の一部を潰すことにより、後述する隙間を埋め込むことで、隙間からの樹脂４の染み出しを防止することができる。さらに、押さえ駒１９に形成されている凸形状１９ｂにより、隙間周辺に存在するランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向（側面方向）の端部を押さえ込むことにより、ランナ１３の周囲から樹脂４が回り込むように染み出してリードフレーム１に付着することを防止できる。したがって、リードフレーム１の外枠に付着するバリの発生を防止できる。このことから、バリの除去工程が不要となり作業人員を削減することができるので、半導体装置の製造コストを低減することができ、かつ、ＴＡＴ（Turn Around Time）の短縮を図ることができる。

以下では、本実施の形態１における特徴の利点について説明する。まず、本実施の形態１における特徴の顕著な効果を説明するために、押さえ駒１９を設けない場合に問題点が発生することを説明する。

図７は、リードフレーム１の外枠とランナ１３との境界領域近傍の様子を示す平面図である。図７において、上金型は図示されていないが、リードフレーム１は上金型と下金型で挟まれている。そして、リードフレーム１の外側からランナ１３が延在して、リードフレーム１の下側を通るような構成となっている。なお、ランナ１３には樹脂４が流れている。

ここで、図６に示すように、リードフレーム１は、下金型１５から突き出ているセットピン１８によって位置を固定されている。すなわち、リードフレーム１は、リードフレーム１に設けられた穴にセットピン１８を挿入することにより、金型内での位置決めが行なわれている。ところが、リードフレーム１に設けられた穴径には公差が生じるため、セットピン１８でリードフレーム１を固定する際には、ある程度の位置ずれが生じる。この位置ずれを吸収する目的と、熱負荷によるリードフレーム１の膨張に対応するため、リードフレーム１の外側には隙間が設けられている。この隙間を設けることにより、リードフレーム１の膨張およびリードフレーム１の位置ずれに対応することができる。この隙間は、上金型と下金型によって形成されているものであり、図７では、隙間２０として表現されている。

しかし、隙間２０を設けると、図８に示すように、この隙間２０から樹脂４が漏れてリードフレーム１の外枠に樹脂４が付着してバリ２１が発生する。特に、近年では、半導体チップに形成されているパッドの狭ピッチ化に伴い、ワイヤの細線化が進んできている。このため、半導体チップを樹脂で封止する際、細線化したワイヤなどの断線を防止して信頼性向上を図る必要がある。このことから、樹脂の成形マージンや信頼性確保のため、半導体チップの封止に使用する樹脂の組成も低粘度化が進んできている。したがって、低粘度化されている樹脂を使用する場合、隙間２０から樹脂４が染み出しやすく、リードフレーム１の外枠に樹脂４が付着してバリ２１が発生する問題が顕在化する。

そこで、本実施の形態１では、図６に示すように、リードフレーム１の外枠とランナ１３との境界領域を押さえ駒１９で押えている。そして、押さえ駒１９に形成されている凸形状１９ａでリードフレーム１の外枠の端部を潰している。これにより、図９に示すように、リードフレーム１の端部の一部に潰し領域１ａが形成される。この潰し領域１ａを形成することによって、隙間２０が埋め込まれる。したがって、ランナ１３を流れてきた樹脂４が隙間２０を介してリードフレーム１の外枠に付着することを防止できる。すなわち、押さえ駒１９に形成された凸形状１９ａによってリードフレーム１の端部の一部を潰して潰し領域１ａを形成する。これにより、この潰し領域１ａは隙間２０を埋めるように機能するので、隙間２０を介した樹脂漏れを防止することができるのである。

ここで、押さえ駒１９の凸形状１９ａを押し付けることにより形成される潰し領域１ａは、図９に示すように、ランナ１３の幅だけ離間した一対の領域から構成される。つまり、樹脂漏れは、ランナ１３の端部から隙間２０を介してリードフレーム１の外枠に付着するので、ランナ１３の端部で隙間２０を潰し領域１ａで埋めることにより樹脂漏れを効果的に抑制することができる。なお、ランナ１３の端部から隙間２０を介して樹脂４が漏れるので、ランナ１３の両方の端部に潰し領域１ａを設ける必要がある。このことから、ランナ１３の幅だけ離間した一対の領域に潰し領域１ａを形成しているのである。

このように潰し領域１ａを設けることにより、隙間２０に起因した樹脂漏れを防止することができる。

ところが、本発明者らは、リードフレーム１に潰し領域１ａを設けることにより、隙間２０を塞ぎ、ランナ１３からの樹脂漏れを充分に防止できるが、新たな問題が生じていることを見出している。つまり、図１０に示すように、潰し領域１ａを設けることにより、隙間２０を介した樹脂漏れを防止することができるが、ランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向の周囲から樹脂４が漏れ出し、リードフレーム１の外枠に付着して樹脂漏れ２２によるバリが発生するおそれがあることを見出した。

そこで、本実施の形態１では、図６に示すように、押さえ駒１９に形成されている凸形状１９ｂでランナ１３の樹脂流入方向とは交差する方向の端部（周囲）を押えている。これにより、図１１に示すように、ランナ１３の樹脂流入方向とは交差する方向の端部に押さえ領域２３が形成される。この押さえ領域２３を形成することにより、ランナ１３の樹脂流入方向とは交差する方向から樹脂４が漏れ出し、漏れ出した樹脂４がリードフレーム１の外枠に付着することを防止できる。つまり、押さえ駒１９の凸形状１９ｂによってランナ１３の周囲に押さえ領域２３を形成することで、ランナ１３の樹脂流入方向とは交差する方向の端部から樹脂４が回り込み、リードフレーム１の外枠に樹脂４が付着することを防止できる。

ここで、押さえ領域２３は、ランナ１３を挟んだ一対の領域として形成されている。これは、ランナ１３の樹脂流入方向とは交差する方向の端部は２箇所存在するからである。これらの押さえ領域２３の間隔は、ランナ１３の幅よりも狭く形成されている。言い換えれば、一対の押さえ領域２３は、ランナ１３の内側に食い込んでいるということができる。このように一対の押さえ領域２３を形成するのは、位置ずれを考慮したものである。すなわち、押さえ領域２３は、ランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向の端部を押えることにより、樹脂漏れを防止することができる。このとき、一対の押さえ領域２３が、ランナ１３の幅だけ離間している場合、少しでも位置ずれが生じると、一方の押さえ領域２３でランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向の端部を押えることができず、樹脂漏れが発生してしまう。

これに対し、一対の押さえ領域２３の間隔がランナ１３の幅よりも狭く形成されていると、多少の位置ずれが生じても、押さえ領域２３がランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向の端部を押えることができ、樹脂漏れを充分に防止することができるのである。

以上のように、本実施の形態１における特徴は、押さえ駒１９による凸形状１９ａにより、リードフレーム１の端部の一部に潰し領域１ａを設けることと、押さえ駒１９による凸形状１９ｂにより、ランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向の端部を押えて押さえ領域２３を設けることにあることがわかる。

次に、潰し領域１ａおよび押さえ領域２３を形成する押さえ駒１９の構成について説明する。図１２は、押さえ駒１９の構成を示す平面図である。図１２に示すように、押さえ駒１９には、凸形状１９ａと凸形状１９ｂが形成されている。このうち、凸形状１９ａは、リードフレーム１の端部を押えて潰し領域を形成するものであり、凸形状１９ｂは、ランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向の端部を押えて押さえ領域を形成するものである。

図１３は、図１２の矢印の方向から見た側面図である。図１３に示すように、凸形状１９ａと凸形状１９ｂの高さが異なっていることがわかる。具体的には、凸形状１９ａの高さの方が凸形状１９ｂの高さよりも高くなっている。これは、以下に示す理由による。すなわち、凸形状１９ａは、リードフレーム１に押し付けるだけでなく、リードフレーム１の端部を潰す必要がある。このため、凸形状１９ａは、押さえ駒１９をリードフレーム１に押さえつけた場合にリードフレーム１の端部に食い込んで潰すことができる程度の高さを有する必要がある。これに対し、凸形状１９ｂは、ランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向の端部を押えられれば充分である。したがって、凸形状１９ａの高さは、凸形状１９ｂの高さよりも高くなるように構成されている。これにより、押さえ駒１９の凸形状の凸面は３段構造となっていることになる。

なお、凸形状１９ａの形状は、リードフレーム１の端部の一部を潰すことができる形状をしていればよく、その形状は図１３に示す四角柱形状に限らず、例えば、図１４に示すように球形の形状をしていてもよい。

また、本実施の形態１では、図１１に示すように、ランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向の端部を押える押さえ領域２３としてランナ１３の幅よりも狭い一対の領域より構成しているが、位置ずれをそれほど考慮する必要がない場合には、例えば、図１５に示すように、一対の押さえ領域２３の間隔がランナ１３の幅と同等であるようにしてもよい。

以上述べたように、上金型に装着された押さえ駒１９に形成されている凸形状１９ａによりリードフレーム１の外枠（端部）の一部を潰すことにより、隙間２０を埋め込むことで、隙間２０からの樹脂４の染み出しを防止することができる。さらに、押さえ駒１９に形成されている凸形状１９ｂにより、隙間２０周辺に存在するランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向（側面方向）の端部を押さえ込むことにより、ランナ１３の周囲から樹脂４が回り込むように染み出してリードフレーム１に付着することを防止できる。したがって、リードフレーム１の外枠に付着するバリの発生を防止できる。このことから、バリの除去工程が不要となり作業人員を削減することができるので、半導体装置の製造コストを低減することができ、かつ、ＴＡＴ（Turn Around Time）の短縮を図ることができる効果が得られる。

さらに、リードフレーム１の外枠にバリが形成されないので、モールド工程以降の工程、例えば、リードを切断して成形する成形工程などで、搬送トラブルおよび成形工程における打痕不良の発生を防止できる。

（実施の形態２）
前記実施の形態１では、押さえ駒１９による凸形状１９ａにより、リードフレーム１の端部の一部に潰し領域１ａを設けることと、押さえ駒１９による凸形状１９ｂにより、ランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向の端部を押えて押さえ領域２３を設ける構成をしている。

しかし、樹脂の粘度がそれほど低くない場合などランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向の端部から樹脂漏れが問題とならない場合には、押さえ駒１９による凸形状１９ａにより、リードフレーム１の端部の一部に潰し領域１ａを設けるだけの構成をとることでも充分に樹脂漏れを防止できる。つまり、金型へはリードフレーム１の位置ずれおよび膨張を考慮して、隙間２０を設けることが必要であるため、樹脂の粘度がそれほど低くない場合であっても、この隙間２０を介しての樹脂漏れ対策が必要である。しかしながら、この場合、ランナ１３の樹脂流入方向と交差する方向の端部から樹脂漏れについては問題とならないので、上金型１４に押さえ駒１９を装着し、押さえ駒１９に凸形状１９ａだけを設ける構造にしたとしても、充分に樹脂漏れを防止できる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

本発明は、半導体装置を製造する製造業に幅広く利用することができる。

本発明の実施の形態１における半導体装置の製造工程を示す断面図である。図１に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。図２に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。図３に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。上金型の構成を示す平面図である。半導体チップを搭載したリードフレームを樹脂で封止する様子を示す断面図である。リードフレームの外枠とランナとの境界領域近傍の様子を示す平面図である。隙間から樹脂が漏れる様子を模式的に示す図である。リードフレームの端部の一部に潰し領域を設ける様子を示す図である。ランナの樹脂流入方向と交差する方向の端部から樹脂が漏れ出し、リードフレームの外枠に付着して樹脂漏れによるバリが発生する様子を示す図である。リードフレームの端部の一部に潰し領域を設け、かつ、ランナの樹脂流入方向と交差する方向の端部に押さえ領域を設けている様子を示す図である。押さえ駒の構成を示す平面図である。押さえ駒の構成を示す側面図である。押さえ駒の変形例を示す側面図である。ランナの樹脂流入方向と交差する方向の端部に設けられる押さえ領域の変形例を示す図である。本発明者らが検討した図であって、半導体チップを搭載したリードフレームを樹脂で封止する様子を示す断面図である。

符号の説明

１リードフレーム
１ａ潰し領域
２半導体チップ
２ａボンディングパッド
３ワイヤ
４樹脂
１０金型
１１カルブロック
１２キャビティブロック
１３ランナ
１４上金型
１５下金型
１６プランジャー
１７タブレット
１８セットピン
１９押さえ駒
１９ａ凸形状
１９ｂ凸形状
２０隙間
２１バリ
２２樹脂漏れ
２３押さえ領域
１００半導体チップ
１０１リードフレーム
１０２上金型
１０３下金型
１０４キャビティ
１０５キャビティブロック
１０６カルブロック
１０７プランジャー
１０８タブレット
１０９ランナ
１１０セットピン
１１１隙間

Claims

（ａ）リードフレームに搭載された半導体チップを樹脂で封止する工程を備え、
前記（ａ）工程は、
（ａ１）前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを金型で挟み込み前記半導体チップをキャビティ内に配置する工程と、
（ａ２）前記金型に形成された樹脂流入経路であるランナより前記キャビティ内に樹脂を流入する工程とを有し、
前記（ａ１）工程は、前記金型に装着された押さえ駒で前記リードフレームと前記ランナとの境界領域を押さえ込み、前記押さえ駒に形成された第１凸形状により前記境界領域に形成される前記リードフレームの端部の一部を潰し、かつ、前記押さえ駒に形成された第２凸形状により前記ランナの樹脂流入方向と交差する方向の端部を押さえ込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（ａ）リードフレームに搭載された半導体チップを樹脂で封止する工程を備え、
前記（ａ）工程は、
（ａ１）前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを金型で挟み込み前記半導体チップをキャビティ内に配置する工程と、
（ａ２）前記金型に形成された樹脂流入経路であるランナより前記キャビティ内に樹脂を流入する工程とを有し、
前記（ａ１）工程は、前記金型に装着された押さえ駒で前記リードフレームと前記ランナとの境界領域を押さえ込み、前記押さえ駒に形成された第１凸形状により前記境界領域に形成される前記リードフレームの端部の一部を潰し、かつ、前記押さえ駒に形成された第２凸形状により前記ランナの樹脂流入方向と交差する方向の端部を押さえ込み、
前記第１凸形状の高さは、前記第２凸形状の高さよりも高く、凸形状の凸面は３段構造を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（ａ）リードフレームに搭載された半導体チップを樹脂で封止する工程を備え、
前記（ａ）工程は、
（ａ１）前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを金型で挟み込み前記半導体チップをキャビティ内に配置する工程と、
（ａ２）前記金型に形成された樹脂流入経路であるランナより前記キャビティ内に樹脂を流入する工程とを有し、
前記（ａ１）工程は、前記金型に装着された押さえ駒で前記リードフレームと前記ランナとの境界領域を押さえ込み、前記押さえ駒に形成された第１凸形状により前記境界領域に形成される前記リードフレームの端部の一部を潰し、かつ、前記押さえ駒に形成された第２凸形状により前記ランナの樹脂流入方向と交差する方向の端部を押さえ込み、
さらに、前記押さえ駒に形成された前記第２凸形状による前記ランナの押さえ込みは、前記ランナの内部にまで食い込んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（ａ）リードフレームに搭載された半導体チップを樹脂で封止する工程を備え、
前記（ａ）工程は、
（ａ１）前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを金型で挟み込み前記半導体チップをキャビティ内に配置する工程と、
（ａ２）前記金型に形成された樹脂流入経路であるランナより前記キャビティ内に樹脂を流入する工程とを有し、
前記（ａ１）工程は、前記金型に装着された押さえ駒で前記リードフレームと前記ランナとの境界領域を押さえ込み、前記押さえ駒に形成された第１凸形状により前記境界領域に形成される前記リードフレームの端部の一部を潰し、かつ、前記押さえ駒に形成された第２凸形状により前記ランナの樹脂流入方向と交差する方向の端部を押さえ込み、
前記第１凸形状により潰される前記リードフレームの端部の一部は、前記ランナの幅だけ離間した一対の領域であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（ａ）リードフレーム上に半導体チップを搭載する工程と、
（ｂ）前記リードフレームと前記半導体チップとをワイヤで接続する工程と、
（ｃ）前記リードフレームに搭載された前記半導体チップを樹脂で封止する工程と、
（ｄ）前記リードフレームを切断成形する工程とを備え、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを金型で挟み込み前記半導体チップをキャビティ内に配置する工程と、
（ｃ２）前記金型に形成された樹脂流入経路であるランナより前記キャビティ内に樹脂を流入する工程とを有し、
前記（ｃ１）工程は、前記金型に装着された押さえ駒で前記リードフレームと前記ランナとの境界領域を押さえ込み、前記押さえ駒に形成された第１凸形状により前記境界領域に形成される前記リードフレームの端部の一部を潰し、かつ、前記押さえ駒に形成された第２凸形状により前記ランナの樹脂流入方向と交差する方向の端部を押さえ込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。