JPH04162550A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH04162550A JPH04162550A JP2400418A JP40041890A JPH04162550A JP H04162550 A JPH04162550 A JP H04162550A JP 2400418 A JP2400418 A JP 2400418A JP 40041890 A JP40041890 A JP 40041890A JP H04162550 A JPH04162550 A JP H04162550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- resin
- semiconductor chip
- semiconductor device
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[0001]
本発明は樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関
し、特に半導体チップを搭載した金属製放熱板の形状と
樹脂封止方法に関する。 [0002]
し、特に半導体チップを搭載した金属製放熱板の形状と
樹脂封止方法に関する。 [0002]
従来許容損失の大きいパワートランジスタ等の半導体チ
ップを搭載する樹脂封止型半導体装置では、半導体チッ
プの発熱を逃すため、1〜2mmの厚さを持つ金属製の
放熱板上に半導体チップを搭載している。近年、この放
熱板を高熱伝導タイプのエポキシ樹脂でフルモールドし
た製品が考案されている。しかしこの金属製の放熱板は
銅等で構成されているため、質量が大きく、自重により
外部に導出したリード位置に対して変形等が発生し、樹
脂封止時の成形金形内(キャビティ)で不安定となり、
モールド内の位置精度が確保でないという問題があった
。 [0003] 次に従来の樹脂封止型半導体装置の一例を図8 (a)
、 (b)を用いて説明する。パワーデバイスを構成
する半導体チップ1を搭載した銅等からなる金属性の矩
形状の放熱板2が、エポキシ樹脂3により封止され、樹
脂の一端面から電極となる外部リード4が出ており、外
部リード4はワイヤ6により半導体チップ1に接続され
ている。この放熱板2の表裏を全て樹脂で被覆するため
には、樹脂対土工程で成形金型内の放熱板2を浮かせた
状態で固定する。その方法の一つとして、例えば特開昭
60−180127号公報に示されているように、リー
ド4の導出方向と反対の放熱板先端を成形金型内に形成
された挟持体で挟み込む方法が用いられる。 [0004] 以下その方法について図9 (a)、 (b)を用い
て説明する。まず、図9 (a)に示すように、成形金
型を開いた状態で突起状の挟持体8Aを有する上金型7
Aと、下金型7Bの内部に半導体チップを搭載した放熱
板2及び外部リード4を置く。次に図9(b)に示す通
り、上金型7Aと下金型7Bを閉じ、放熱板2の先端と
り−ド4を固定する。その後、上記金型内にエポキシ樹
脂等を加圧注入し、加熱硬化したのち取り出す。 [0005]
ップを搭載する樹脂封止型半導体装置では、半導体チッ
プの発熱を逃すため、1〜2mmの厚さを持つ金属製の
放熱板上に半導体チップを搭載している。近年、この放
熱板を高熱伝導タイプのエポキシ樹脂でフルモールドし
た製品が考案されている。しかしこの金属製の放熱板は
銅等で構成されているため、質量が大きく、自重により
外部に導出したリード位置に対して変形等が発生し、樹
脂封止時の成形金形内(キャビティ)で不安定となり、
モールド内の位置精度が確保でないという問題があった
。 [0003] 次に従来の樹脂封止型半導体装置の一例を図8 (a)
、 (b)を用いて説明する。パワーデバイスを構成
する半導体チップ1を搭載した銅等からなる金属性の矩
形状の放熱板2が、エポキシ樹脂3により封止され、樹
脂の一端面から電極となる外部リード4が出ており、外
部リード4はワイヤ6により半導体チップ1に接続され
ている。この放熱板2の表裏を全て樹脂で被覆するため
には、樹脂対土工程で成形金型内の放熱板2を浮かせた
状態で固定する。その方法の一つとして、例えば特開昭
60−180127号公報に示されているように、リー
ド4の導出方向と反対の放熱板先端を成形金型内に形成
された挟持体で挟み込む方法が用いられる。 [0004] 以下その方法について図9 (a)、 (b)を用い
て説明する。まず、図9 (a)に示すように、成形金
型を開いた状態で突起状の挟持体8Aを有する上金型7
Aと、下金型7Bの内部に半導体チップを搭載した放熱
板2及び外部リード4を置く。次に図9(b)に示す通
り、上金型7Aと下金型7Bを閉じ、放熱板2の先端と
り−ド4を固定する。その後、上記金型内にエポキシ樹
脂等を加圧注入し、加熱硬化したのち取り出す。 [0005]
この従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、放熱
板2を成形金型内に形方向の位置精度は良好で安定する
が、放熱板2に前工程(マウント、ボンディング工程等
)やハンドリング時、横方向にずれやねじれが生じた場
合その状態で成形金型内に固定されるため放熱板側面の
樹脂厚が減少し、絶縁耐圧の低下を招くという問題点が
あった。 [0006] また、ずれが大きい場合は、上下金型を閉じた時に、放
熱板のカジリ等が発生し、製造工程内でのトラブルや歩
留の低下を招く恐れがあった。 [0007] 更に、樹脂側面と放熱板側面の距離に、放熱板の横方向
ずれを考慮した余分なりリアランスを持たせると、樹脂
注入時に、放熱板裏面に流入した樹脂が放熱板の表面に
回り込み、裏面の充填性を損うなめ、裏面の樹脂厚を薄
くすることが困難になるという問題点もあった。 [0008]
板2を成形金型内に形方向の位置精度は良好で安定する
が、放熱板2に前工程(マウント、ボンディング工程等
)やハンドリング時、横方向にずれやねじれが生じた場
合その状態で成形金型内に固定されるため放熱板側面の
樹脂厚が減少し、絶縁耐圧の低下を招くという問題点が
あった。 [0006] また、ずれが大きい場合は、上下金型を閉じた時に、放
熱板のカジリ等が発生し、製造工程内でのトラブルや歩
留の低下を招く恐れがあった。 [0007] 更に、樹脂側面と放熱板側面の距離に、放熱板の横方向
ずれを考慮した余分なりリアランスを持たせると、樹脂
注入時に、放熱板裏面に流入した樹脂が放熱板の表面に
回り込み、裏面の充填性を損うなめ、裏面の樹脂厚を薄
くすることが困難になるという問題点もあった。 [0008]
第1の発明の樹脂封止型半導体装置は、矩形状の放熱板
と、この放熱板上に固着された半導体チップと、前記放
熱板の周辺部に設けられ前記半導体チップとワイヤによ
り接続された外部リードと、前記放熱板と前記半導体チ
ップと前記外部リードの一部を封止する樹脂とを有する
樹脂封止型半導体装置において、前記外部リードの導出
方向を除く前記放熱板の少くとも一端面に、樹脂封止時
の放熱板の位置ずれを防止するための溝を設けたもので
ある。 [0009] 第2の発明の樹脂封止型半導体装置は、矩形状の放熱板
と、この放熱板上に固着された半導体チップと、前記放
熱板の周辺部に設けられ前記半導体チップとワイヤによ
り接続された外部リードと、前記放熱板と前記半導体チ
ップと前記外部リードの一部を封止する樹脂とを有する
樹脂封止型半導体装置において、前記外部リードの導出
方向を除く前記放熱板のコーナー部に樹脂封止時の放熱
板の位置ずれを防止するための切り欠き部を設けたもの
である。 [0010] 第3の発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、矩形
状の放熱板の一端の2特開平4−1に2550 (5) つのコーナー部に切り欠き部を設け、この放熱板上に半
導体チップを搭載し、放熱板の他端部に一体的に形成さ
れた外部リードと前記半導体チップとをワイヤーにより
接続し、矩形状のくぼみの2隅の内側に放熱板の位置決
め用の傾斜稜を有する固定ブロックが設けられた下金型
内に前記放熱板の切り欠き部が傾斜稜に接するように置
き、矩形状のくぼみ内に先端が円錐状の複数の固定ピン
を有する上金型をこの放熱板上に置き、これら金型内に
樹脂を注入するものである。 [0011]
と、この放熱板上に固着された半導体チップと、前記放
熱板の周辺部に設けられ前記半導体チップとワイヤによ
り接続された外部リードと、前記放熱板と前記半導体チ
ップと前記外部リードの一部を封止する樹脂とを有する
樹脂封止型半導体装置において、前記外部リードの導出
方向を除く前記放熱板の少くとも一端面に、樹脂封止時
の放熱板の位置ずれを防止するための溝を設けたもので
ある。 [0009] 第2の発明の樹脂封止型半導体装置は、矩形状の放熱板
と、この放熱板上に固着された半導体チップと、前記放
熱板の周辺部に設けられ前記半導体チップとワイヤによ
り接続された外部リードと、前記放熱板と前記半導体チ
ップと前記外部リードの一部を封止する樹脂とを有する
樹脂封止型半導体装置において、前記外部リードの導出
方向を除く前記放熱板のコーナー部に樹脂封止時の放熱
板の位置ずれを防止するための切り欠き部を設けたもの
である。 [0010] 第3の発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、矩形
状の放熱板の一端の2特開平4−1に2550 (5) つのコーナー部に切り欠き部を設け、この放熱板上に半
導体チップを搭載し、放熱板の他端部に一体的に形成さ
れた外部リードと前記半導体チップとをワイヤーにより
接続し、矩形状のくぼみの2隅の内側に放熱板の位置決
め用の傾斜稜を有する固定ブロックが設けられた下金型
内に前記放熱板の切り欠き部が傾斜稜に接するように置
き、矩形状のくぼみ内に先端が円錐状の複数の固定ピン
を有する上金型をこの放熱板上に置き、これら金型内に
樹脂を注入するものである。 [0011]
次に本発明について図面を参照して説明する。図1
(a)、 (b)は本発明の第1の実施例の平面図及
びA−A線断面図である。 [0012] 図1 (a)、 (b)において、銅等からなる矩形
状の放熱板2上には半導体チップ1が固着されており、
この半導体チップ1は放熱板2の周辺部に設げられた外
部リード4とワイヤ6により接続されている。そして特
に放熱板2の外部り一部4と反対側の端部には、樹脂封
止時の放熱板の位置ずれを防止するための約30°の角
度を有する7字形溝9が2ケ所に設けである。エポキシ
樹脂3はこの放熱板2と半導体チップ1と外部リード4
の一部を封止している。面図1 (a)(b)において
5は樹脂封止時における金型に設けられた挟持体跡であ
り、放熱板面に対して45°の角度を有している。 [0013] 次に図2 (a)、 (b)を用い実施例の樹脂封止
方法を説明する。図2(a)は成形金型を開いた状態で
あり、上・下金型7A、7Bには図3に示すように、放
熱板を挾む部分が45°に形成された突起状の挟持体8
が設けられている。これらの金型内に、半導体チップ1
を搭載し先端部に7字形溝9を有する放熱板2及びリー
ド4を置く。次に図2(b)に示す通り、上金型7Aと
下金型7Bを閉じて固定する。その後金型内にエポキシ
樹脂を加工注入し加熱硬化したのち取り出す。 [0014] このように第1の実施例によれば、樹脂封止時に挟持体
8により7字形溝9を打開+4−1F;2550 (5
) 使って放熱板2の位置ずれやねじれを補正することがで
きるので、エポキシ樹脂3を放熱板の表面に均一に固着
することができる。 [0015] 図4は本発明の第2の実施例の平面図である。半導体チ
ップ1を搭載した金属製の放熱板2の外部リード4の導
出方向を除いた3方向の端面に3mmfpWiのU字形
溝10を設け、外部リード4の一部を除きエポキシ樹脂
5で被覆する。放熱板のU字形溝10と対応する樹脂部
には、2mm幅で且つ放熱板面に対して45゜の角度を
有するU字形状の挟持体跡5Aを有している。製造方法
は第1の実施例と同様である。木簡2の実施例ではU字
形溝10を放熱板2の3方向の端部に設けであるため、
放熱板の位置ずれをより少くすることができる。 [0016] 図5(a)〜(C)は本発明の第3の実施例を説明する
ための半導体チップを搭載したリードフレームの平面図
と上金型及び下金型の斜視図であり、図6は上記リード
フレームと成形金型により形成された樹脂封止型半導体
装置のモールド内の透視図である。 [0017] まず図5 (a)に示すようにリードフレームは、金属
製の放熱板2上に半導体チップ1が半田等で接着され、
放熱板2から外部電極となる外部リード4Aが導出され
ている。そして外部リード4Aと並行に形成された外部
リード4は半導体チップ1の表面電極とアルミのワイヤ
6で接続されている。又、外部リード4及び4Aは共通
細条12により接続されている。更に外部リード4の導
出方向と反対側の放熱板2の2つのコーナー部には、そ
れぞれ60°の切り欠き部6が設けられている。通常、
放熱板2は共通細条12により複数個接続されている。 [0018] 成形金型は図5 (b)、 (C)に示すように、上
金型17Aと下金型17Bとに分かれている。上金型1
7Aの矩形状のくぼみ13A内には、先端部が円錐状の
2本の固定ピン14が設げられており、一方下金型17
Bでは矩形状のくぼみ13Bの2隅に放熱板2の切り欠
き部11に対向する位置に傾斜稜16を持つ四角錐状の
固定ブロック15が設けられている。
(a)、 (b)は本発明の第1の実施例の平面図及
びA−A線断面図である。 [0012] 図1 (a)、 (b)において、銅等からなる矩形
状の放熱板2上には半導体チップ1が固着されており、
この半導体チップ1は放熱板2の周辺部に設げられた外
部リード4とワイヤ6により接続されている。そして特
に放熱板2の外部り一部4と反対側の端部には、樹脂封
止時の放熱板の位置ずれを防止するための約30°の角
度を有する7字形溝9が2ケ所に設けである。エポキシ
樹脂3はこの放熱板2と半導体チップ1と外部リード4
の一部を封止している。面図1 (a)(b)において
5は樹脂封止時における金型に設けられた挟持体跡であ
り、放熱板面に対して45°の角度を有している。 [0013] 次に図2 (a)、 (b)を用い実施例の樹脂封止
方法を説明する。図2(a)は成形金型を開いた状態で
あり、上・下金型7A、7Bには図3に示すように、放
熱板を挾む部分が45°に形成された突起状の挟持体8
が設けられている。これらの金型内に、半導体チップ1
を搭載し先端部に7字形溝9を有する放熱板2及びリー
ド4を置く。次に図2(b)に示す通り、上金型7Aと
下金型7Bを閉じて固定する。その後金型内にエポキシ
樹脂を加工注入し加熱硬化したのち取り出す。 [0014] このように第1の実施例によれば、樹脂封止時に挟持体
8により7字形溝9を打開+4−1F;2550 (5
) 使って放熱板2の位置ずれやねじれを補正することがで
きるので、エポキシ樹脂3を放熱板の表面に均一に固着
することができる。 [0015] 図4は本発明の第2の実施例の平面図である。半導体チ
ップ1を搭載した金属製の放熱板2の外部リード4の導
出方向を除いた3方向の端面に3mmfpWiのU字形
溝10を設け、外部リード4の一部を除きエポキシ樹脂
5で被覆する。放熱板のU字形溝10と対応する樹脂部
には、2mm幅で且つ放熱板面に対して45゜の角度を
有するU字形状の挟持体跡5Aを有している。製造方法
は第1の実施例と同様である。木簡2の実施例ではU字
形溝10を放熱板2の3方向の端部に設けであるため、
放熱板の位置ずれをより少くすることができる。 [0016] 図5(a)〜(C)は本発明の第3の実施例を説明する
ための半導体チップを搭載したリードフレームの平面図
と上金型及び下金型の斜視図であり、図6は上記リード
フレームと成形金型により形成された樹脂封止型半導体
装置のモールド内の透視図である。 [0017] まず図5 (a)に示すようにリードフレームは、金属
製の放熱板2上に半導体チップ1が半田等で接着され、
放熱板2から外部電極となる外部リード4Aが導出され
ている。そして外部リード4Aと並行に形成された外部
リード4は半導体チップ1の表面電極とアルミのワイヤ
6で接続されている。又、外部リード4及び4Aは共通
細条12により接続されている。更に外部リード4の導
出方向と反対側の放熱板2の2つのコーナー部には、そ
れぞれ60°の切り欠き部6が設けられている。通常、
放熱板2は共通細条12により複数個接続されている。 [0018] 成形金型は図5 (b)、 (C)に示すように、上
金型17Aと下金型17Bとに分かれている。上金型1
7Aの矩形状のくぼみ13A内には、先端部が円錐状の
2本の固定ピン14が設げられており、一方下金型17
Bでは矩形状のくぼみ13Bの2隅に放熱板2の切り欠
き部11に対向する位置に傾斜稜16を持つ四角錐状の
固定ブロック15が設けられている。
【O○19】
この下金型17B内に、放熱板2の切り欠き部11が傾
斜稜16に接するように置く。次で放熱板2の表面上に
上金型17Aを下金型17Bに合わせて閉じる。この時
、放熱板2に横ずれ等があった場合でも下金型17Bの
固定ブロック15によって、放熱板2はずれと反対方向
に矯正され、キャビティ内の所定の位置に精度よく固定
される。最後に熱硬化性のエポキシ樹脂をキャビティ内
に注入し成形を完了する。 [0020] このようにして製造された樹脂封止型半導体装置は、図
6に示したようにエポキシ樹脂3の表面には固定ピンの
跡18および固定ブロックの跡19が形成されている。 木簡3の実施例では固定ピン14と固定ブロック15が
放熱板2を点で支持しているため、放熱板2の露出部が
少くなり耐湿性を向上させることができる。 [0021] 図7 (a)、 (b)は本発明の第4の実施例を説
明するための上金型及び下金型の斜視図である。上金型
17Aにはバネにより支持され、パーティングラインよ
り飛び出した先端部が円錐状の2本の固定ピン14Aを
有し、且つ金型端面に下金型とかみ合う傾斜凸部18が
設げられている。上金型17Bの矩形状のくぼみ13B
内には、放熱板2の切り欠き部11と対向する位置に、
金型のパーティングライン上まで傾斜稜16Aを持つ四
角錐状の固定ブロック15Aを有し且つ上金型17Aの
傾斜凸部18に合致する形状を有している。 [0022] これらの成形金型を用いて樹脂封止する場合は、まず下
金型17B内に図5(a)に示した放熱板2の裏面を合
わせて載置し、次に上金型17Aを閉じる。この時、放
熱板2に横ずれ等があった場合でもバネ支持の固定ピン
14Aにより放熱板2は、下金型17Bの固定ブロック
15Aの傾斜稜16Aに沿って矯正され金型が完全に閉
じられた時にはキャビティ内の所定の位置に固定される
。 [0023] この第4の実施例では固定ブロック15Aの傾斜稜16
Aがパーティングライ特開平4(EE2550 (B) ン上にまで形成されているため、放熱板2の横ずれが大
きい場合でも、放熱板2は金型にはさまれることなく矯
正されるため第3の実施例に比べ作業性が改善される。 [0024]
斜稜16に接するように置く。次で放熱板2の表面上に
上金型17Aを下金型17Bに合わせて閉じる。この時
、放熱板2に横ずれ等があった場合でも下金型17Bの
固定ブロック15によって、放熱板2はずれと反対方向
に矯正され、キャビティ内の所定の位置に精度よく固定
される。最後に熱硬化性のエポキシ樹脂をキャビティ内
に注入し成形を完了する。 [0020] このようにして製造された樹脂封止型半導体装置は、図
6に示したようにエポキシ樹脂3の表面には固定ピンの
跡18および固定ブロックの跡19が形成されている。 木簡3の実施例では固定ピン14と固定ブロック15が
放熱板2を点で支持しているため、放熱板2の露出部が
少くなり耐湿性を向上させることができる。 [0021] 図7 (a)、 (b)は本発明の第4の実施例を説
明するための上金型及び下金型の斜視図である。上金型
17Aにはバネにより支持され、パーティングラインよ
り飛び出した先端部が円錐状の2本の固定ピン14Aを
有し、且つ金型端面に下金型とかみ合う傾斜凸部18が
設げられている。上金型17Bの矩形状のくぼみ13B
内には、放熱板2の切り欠き部11と対向する位置に、
金型のパーティングライン上まで傾斜稜16Aを持つ四
角錐状の固定ブロック15Aを有し且つ上金型17Aの
傾斜凸部18に合致する形状を有している。 [0022] これらの成形金型を用いて樹脂封止する場合は、まず下
金型17B内に図5(a)に示した放熱板2の裏面を合
わせて載置し、次に上金型17Aを閉じる。この時、放
熱板2に横ずれ等があった場合でもバネ支持の固定ピン
14Aにより放熱板2は、下金型17Bの固定ブロック
15Aの傾斜稜16Aに沿って矯正され金型が完全に閉
じられた時にはキャビティ内の所定の位置に固定される
。 [0023] この第4の実施例では固定ブロック15Aの傾斜稜16
Aがパーティングライ特開平4(EE2550 (B) ン上にまで形成されているため、放熱板2の横ずれが大
きい場合でも、放熱板2は金型にはさまれることなく矯
正されるため第3の実施例に比べ作業性が改善される。 [0024]
以上説明したように本発明は、放熱板の少くとも一端に
、樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防止するための溝ま
たは切り欠き部を設けることにより、樹脂封止工程で成
形金型内へ載置する放熱板の横方向の位置ずれやねじれ
を金型に設けた挟持体または固定ブロックにより修正で
きるため、樹脂中の放熱板の位置精度を向上させること
ができる。従って放熱板の成形金型によるカジリや成形
後の製品の放熱板側面の樹脂厚減少による絶縁耐圧の低
下を防止できる。又、樹脂側面と放熱板側面のクリアラ
ンスを減少させ、裏面樹脂厚を薄くした樹脂封止型半導
体装置が得られるという効果もある。
、樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防止するための溝ま
たは切り欠き部を設けることにより、樹脂封止工程で成
形金型内へ載置する放熱板の横方向の位置ずれやねじれ
を金型に設けた挟持体または固定ブロックにより修正で
きるため、樹脂中の放熱板の位置精度を向上させること
ができる。従って放熱板の成形金型によるカジリや成形
後の製品の放熱板側面の樹脂厚減少による絶縁耐圧の低
下を防止できる。又、樹脂側面と放熱板側面のクリアラ
ンスを減少させ、裏面樹脂厚を薄くした樹脂封止型半導
体装置が得られるという効果もある。
【図1】
本発明の第1の実施例の平面図及びA−A線断面図であ
る。
る。
【図2】
第1の実施例の樹脂封止工程を説明するための金型の断
面図である。
面図である。
【図3】
金型内に形成した挟持体の斜視図である。
【図4】
本発明の第2″の実施例の平面図である。
【図5】
本発明の第3の実施例を説明するためのリードフレーム
の平面図、上金型及び下金型の斜視図である。
の平面図、上金型及び下金型の斜視図である。
【図6】
第3の実施例により形成された樹脂封止型半導体装置の
透視図である。
透視図である。
【図7】
本発明の第4の実施例を説明するための上金型及び下金
型の斜視図である。
型の斜視図である。
【図8】
従来の樹脂封止型半導体装置の平面図及びB−B線断面
図である。
図である。
【図9】
従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂対土工程を説明する
ための金型の断面図である。
ための金型の断面図である。
1 半導体チップ
2 放熱板
3 ニポキシ樹脂
4 外部リード
5 挟持体跡
6 ワイヤ
7A、17A 上金型
7B、17B 上金型
8 挟持体
9 v字形溝
10 U字形溝
11 切り欠き部
12 共通細条
13A、13B <ぼみ
14.14A 固定ピン
15.15A 固定ブロック
16 傾斜稜
18 傾斜凸部
図面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
1開+4−162550 (14)
【図6】
【図7】
【図8】
11開平4−162550 (17)
【図9】
Claims (3)
- 【請求項1】矩形状の放熱板と、この放熱板上に固着さ
れた半導体チップと、前記放熱板の周辺部に設けられ前
記半導体チップとワイヤにより接続された外部リードと
、前記放熱板と前記半導体チップと前記外部リードの一
部を封止する樹脂とを有する樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記外部リードの導出方向を除く前記放熱板の少
くとも一端面に、樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防止
するための溝を設けたことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項2】矩形状の放熱板と、この放熱板上に固着さ
れた半導体チップと、前記放熱板の周辺部に設けられ前
記半導体チップとワイヤにより接続された外部リードと
、前記放熱板と前記半導体チップと前記外部リードの一
部を封止する樹脂とを有する樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記外部リードの導出方向を除く前記放熱板のコ
ーナー部に樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防止するた
めの切り欠き部を設けたことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項3】矩形状の放熱板の一端の2つのコーナー部
に切り欠き部を設け、この放熱板上に半導体チップを搭
載し、放熱板の他端部に一体的に形成された外部リード
と前記半導体チップとをワイヤーにより接続し、矩形状
のくぼみの2隅の内側に放熱板の位置決め用の傾斜稜を
有する固定ブロックが設けられた下金型内に前記放熱板
の切り欠き部が傾斜稜に接するように置き、矩形状のく
ぼみ内に先端が円錐状の複数の固定ピンを有する上金型
をこの放熱板上に置き、これら金型内に樹脂を注入する
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2400418A JP2601033B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-12-05 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11269490 | 1990-10-26 | ||
JP2-112694 | 1990-10-26 | ||
JP2400418A JP2601033B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-12-05 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04162550A true JPH04162550A (ja) | 1992-06-08 |
JP2601033B2 JP2601033B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=26451799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2400418A Expired - Fee Related JP2601033B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-12-05 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2601033B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101649328B1 (ko) * | 2015-06-11 | 2016-08-18 | 김효성 | 암벽 굴착기와 이를 이용한 굴착방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6263944U (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | ||
JPS6441145U (ja) * | 1987-09-08 | 1989-03-13 | ||
JPS6472546A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Kansai Nippon Electric | Semiconductor device |
JPH01120344U (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | ||
JPH0241446U (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-22 | ||
JPH02152260A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止半導体装置およびそれの製造に用いる金型 |
JPH02146449U (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-12 |
-
1990
- 1990-12-05 JP JP2400418A patent/JP2601033B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6263944U (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | ||
JPS6441145U (ja) * | 1987-09-08 | 1989-03-13 | ||
JPS6472546A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Kansai Nippon Electric | Semiconductor device |
JPH01120344U (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | ||
JPH0241446U (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-22 | ||
JPH02152260A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止半導体装置およびそれの製造に用いる金型 |
JPH02146449U (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-12 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2601033B2 (ja) | 1997-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5091341A (en) | Method of sealing semiconductor device with resin by pressing a lead frame to a heat sink using an upper mold pressure member | |
KR20080073735A (ko) | 상단 및 하단 노출 패키지 반도체 조립 장치 및 방법 | |
KR100242393B1 (ko) | 반도체 패키지 및 제조방법 | |
JPS634950B2 (ja) | ||
US10804118B2 (en) | Resin encapsulating mold and method of manufacturing semiconductor device | |
US6078099A (en) | Lead frame structure for preventing the warping of semiconductor package body | |
CN110556352A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
JPH04162550A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
JPH0254665B2 (ja) | ||
KR20050053777A (ko) | 패키지형 전자부품에 있어서의 리드 단자의 절단 방법 | |
JPH065645A (ja) | 半導体素子の樹脂成形方法 | |
KR910000018B1 (ko) | 리이드프레임을 갖춘 반도체장치 및 그 제조방법 | |
JP3747991B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7353255B2 (ja) | 半導体装置用の筐体の製造方法 | |
JPH0233961A (ja) | リードフレーム | |
KR960003854B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
JP2582534B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007294637A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2761193B2 (ja) | 外部リードを固定したリードフレーム及びこれを利用した半導体装置並びにその製造方法 | |
JPS61150255A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JPH03206647A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS6020546A (ja) | 半導体装置 | |
KR0152577B1 (ko) | 각형 위치 정렬 핀을 이용한 외부리드의 언더 컷 방지 방법 | |
JP2708342B2 (ja) | リードフレーム | |
JPH04276648A (ja) | 電子部品製造用フレーム、およびこれを用いた電子部品製造方法、ならびにこの製造方法により製造された電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961126 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080129 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090129 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100129 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |