JP2761193B2

JP2761193B2 - 外部リードを固定したリードフレーム及びこれを利用した半導体装置並びにその製造方法

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Publication number: JP2761193B2
Application number: JP6245450A
Authority: JP
Inventors: 栄二横田
Original assignee: Nippon Motorola Ltd
Current assignee: Motorola Solutions Japan Ltd
Priority date: 1994-03-10
Filing date: 1994-10-11
Publication date: 1998-06-04
Anticipated expiration: 2013-06-04
Also published as: JPH07302874A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に関し、
特に半導体チップまたは集積回路を包埋するパッケージ
から導出される外部リードを実装基板表面に当接して結
合する表面実装型の半導体装置に関する。本発明はま
た、フィルム状もしくは平面的に形成した外部リードを
有するリードフレームに関する。さらに本発明は、これ
ら半導体装置及びリードフレームの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばプラスチック封止型パッケージか
らなる半導体装置（いわゆるＬＳＩ等）を印刷回路基板
（ＰＣＢ：Printed Circuit Boadもしくは印刷配線基
板）に実装するため、当該パッケージより導出される外
部リードには様々な形状が採用されている。最近の傾向
としては、当該プリント基板に外部リードを貫通させて
固定する挿入実装型のリード形状よりも外部リードをプ
リント基板の表面に接触させて固定する表面実装型のリ
ード形状（例えば図１（Ａ）に示す如きガルウィング形
状）が主流になりつつある。

【０００３】図１（Ａ）において、パッケージ１より導
出される外部リード２₁ ，２₂ ，２ ₃ ，…は、プリント
基板３の実装面側に折り曲げられかつ当該リードの実装
接触面がプリント基板のフットプリント（パッド）４
₁ ，４₂ ，４₃ ，…上に緊密に当接するよう折り曲げら
れて形成される。かかる典型的ガルウィング形状の外部
リードは、形状が複雑であり当該形状を保持することも
考慮されていないため、外力が加わると簡単に変形して
しまう。故に、リード導出方向から見た場合の図１
（Ｂ）の如く、リードの平坦性（リード先端部当接面の
ばらつき）が悪く、リードがきちんとフットプリント上
に載らない（外部リード２₁ の如くリード実装面とフッ
トプリント４₁ との間に隙間ｇを生じたり、外部リード
２₃ の如くフットプリント４₃ との接触面積が小さい）
ことにより実装時のリードとフットプリントとのハンダ
接合部における開放（ｏｐｅｎ）不良が発生する可能性
がある。特にリードのピッチが狭くなればなる程この問
題が大きくなる。

【０００４】かかる問題の対策として、従来次の３つの
方法が行われている。（１）ＭＣＲ（Molded Carrier Ring またはＧＱＦＰ
（Guard ring Quad FlatPackage））による方法（図２
参照）この方法は、パッケージから直線的に（すなわちパッケ
ージボディが平行平板状であれば頂面もしくは底面に略
平行して）導出される各リードの先端部の全てを囲みか
つ固着するリング５を具備し、当該リングの補強によっ
てリードの外力による変形を防止している。かかるリン
グを具備する半導体装置においては、当該装置の完成か
らプリント基板への実装前まではそのリングによってリ
ードを外力から保護する（従って当該装置の輸送中のリ
ード変形を防ぐ）が、実装時にはリードを加工して先の
図１（Ａ）のような所定のリード形状に整形する必要が
ある。従ってリングの設定に伴い、扱う半導体装置の外
形が大きくなり、コスト面で不利となる。また、実装直
前までリード形状を保護するといっても、実装時のリー
ド加工法によってはリードが変形する可能性を有する。
これは実装状態から見れば半完成品にて当該装置の製造
工程を終了し、当該装置の実装時にリードを加工するこ
とによって最終的な装置品質が確定されるところの実装
状態を定めるものであるので、実装工程に、より厳密さ
が要求される。

【０００５】（２）ＢＱＦＰ（Bumper Quad Flat Packa
ge）による方法（図３参照）この方法は、パッケージの四隅にリードを防護する突起
（バンパー）６を設けて変形を防いでいる。しかし、バ
ンパーによる保護が及び難いバンパー間中央付近のリー
ドは外力を受ける可能性が高い。（３）テストパッド付きＱＦＰによる方法（図４参照）この方法は、上記（１）あるいは（２）の方法が適用さ
れた場合についても含み、実装後の動作テスト時にテス
ターピンを各リードに接触させる際当該リードが押圧さ
れ変形することに対処するものである。パッケージの端
から出ているリード中にテスト用のパッド部７を形成す
る。かかるテストパッドは、パッケージング工程におけ
るパッケージ形成用金型の上下キャビティのＸ，Ｙ
（縦，横）寸法を変え、かかる寸法差の部分に設けられ
たものであり、動作テスト時その中心点ｐの近傍にテス
ターピンが当接される。これにより、テスターピン当接
部の強度が増しかつその増強された部分にのみテスター
ピンが当てられる格好となるので、テスターピンの押圧
によるリードの変形を防ぐことができる。しかしなが
ら、典型的なテスト方法を変更する必要があるととも
に、かかるパッド部を有するパッケージ用のリードフレ
ームの製造には微細加工技術が要求され、またパッド部
がパッケージの樹脂中に埋もれてしまう可能性がある、
という欠点を有する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した点
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、リードの狭ピッチ化に対応し得るリードフレーム及
び半導体装置並びにその製造方法を提供することにあ
る。本発明はまた、リードの変形を防止してリードの実
装接触面の平坦性を向上すること、実装工程に負担を掛
けることなく簡単に実装することを目的とする。さらに
本発明は、典型的なテスト方法を変更することなく、平
易に実装後の動作テストを実行することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

【０００８】

【０００９】また、本発明によるリードフレームは、外
部リードを有するリードフレームであって、前記外部リ
ードの各々を前記外部リードの延出方向に交差する方向
において接続する２つの連結部材案内用パターンを有す
ることを特徴としている。本発明による、このリードフ
レームの製造方法は、外部リードを有するリードフレー
ムの製造方法であって、リードフレーム基板に前記外部
リードを形成するエッチング工程において、前記外部リ
ードの各々を前記外部リードの延出方向に交差する方向
において接続する２つの連結部材案内用パターンを形成
することを特徴としている。

【００１０】本発明による半導体装置の製造方法は、上
述のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法であ
って、前記リードフレームに半導体素子を載置する載置
工程と、前記半導体素子が載置されたリードフレームを
封止する封止工程と、前記封止工程の後、前記連結部材
案内用パターンを切断する整形工程とを有することを特
徴としている。

【００１１】

【００１２】

【作用】本発明によれば、パッケージから延出する複数
の外部リードの延出方向に交差する方向に配されかつ当
該外部リードの各々を互いに固着するための絶縁体連結
部材が、当該絶縁材形成時における絶縁材案内用の２つ
のパターンに導かれて形成されうるので、外部リードの
形状保持能力を向上させるだけでなく効率的なリードフ
レーム及び半導体装置の製造が可能となる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明を図面を参照しつつ詳細に説明
する。図５は、本発明による一実施例のＱＦＰ半導体装
置の一部外観図である。図５において、半導体素子もし
くは集積回路チップを包埋しかつ封止する略平行平板状
の例えばプラスチックパッケージボディ１１から延出す
る外部リード１２₁₁，１２₁₂，１２₁₃，…，１２_4n-1，
１２_4nは、それぞれガルウイング形状を有する。外部リ
ード１２における、パッケージ側面から最初に折れ曲が
る点（第１屈曲点）と２番目に折れ曲がる点（第２屈曲
点）との間には、リードホールド部としての、例えば当
該ボディ１１と同等のプラスチック等の樹脂からなる棒
状の電気的絶縁連結部材２０₁ ，２０₂ ，２０₃ ，２０
₄ がパッケージ側面毎に配され、この絶縁連結部材が外
部リード各々の隣接するもの同士を相互に連結してリー
ドの外力による変形を防ぐようにしている。

【００１４】これにより、外部リードは形状の維持が強
化され変形しにくくなるとともに実装接触面の平面度を
向上させることができる。絶縁連結部材を付けたままプ
リント基板に実装すると、外部リードの接触面が形成す
る実装接触面がプリント基板上のプリント配線面に一致
するのである。そして、実装後も当該絶縁連結部材によ
って外部リードの強度が維持されることとなるので、テ
スターピンを当てるなどして行う動作テストに際しても
テスターピンの押圧によっても外部リードが変形しにく
くなる。また、従来の典型的なテスト方法を変更するこ
とがない、という利点も有する。さらに上記ＭＣＲによ
る方法と比較してもコスト面で有利な結果を得る。さら
にパッケージボディ１１と、連結部材２０₁ ，２０₂ ，
２０₃ ，２０₄ とを同一材料で形成することとすれば、
これらを１回のモールド成形によって形成することが可
能となり、コスト面で有利である。

【００１５】次に、このリードホールド部２０を含む本
発明半導体装置の製造方法について説明する。図６は、
いわゆる低圧トランスファーモールド法にて本半導体装
置のパッケージングを行うためのトランスファー金型す
なわち成形モールドの構造及びこれにセットされる半導
体チップ搭載のリードフレームの形態を示す概略断面図
である。

【００１６】図６において、かかるモールド法は、予め
一定の温度に加熱した金型（上型３１，下型３２）によ
って、封止すべきリードフレーム３３及び半導体チップ
３４を所定位置に固定したものを挟んで、予めタブレッ
ト状に成形した樹脂３５を高周波加熱などし、これをカ
ル穴３６に充填し、トランスファプランジャ３７を動作
させて樹脂をランナ３８及びゲート３９を通じて上型キ
ャビティ４０及び下型キャビティ４１に溶融加圧注入す
る、というものである。

【００１７】本半導体装置の製造方法を詳しく説明する
ために、図７ないし図９を参照する。図７は、先の図６
のキャビティ４１の構造及び下型３２に対するリードフ
レーム３３の配置の様子を示す図である。かかるキャビ
ティは、リードフレームのパッケージ底面側を封止する
（従って仕上がりパッケージの底面側ボディを形成す
る）部分４１ａと、当該ボディ形成部４１ａ及びゲート
３９に通じボディ形成部４１ａの第１及び第２の側面
（縁）に沿ってかつ所定距離だけ離間して形成された溝
部４１ｂ及び４１ｃと、ボディ形成部４１ａ及びベント
４２に通じボディ形成部４１ａの第３及び第４の側面
（縁）に沿ってかつ同じく所定距離だけ離間して形成さ
れた溝部４１ｄ及び４１ｅとからなる。上下金型による
封止の際、ボディ形成部４１ａはメインキャビティ形成
凹部であり、溝部４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，４１ｅはサ
ブキャビティ形成凹部を担う。また、図示せぬ半導体チ
ップは、リードフレーム３３におけるアイランド部３３
ａに搭載され、所定の工程（固着、ワイヤボンディング
等）が施される。

【００１８】樹脂の溶融加圧注入の際、ランナ３８から
注入された樹脂は、ゲート３９を通じて各キャビティ部
４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，４１ｅに注入され
る。溝部４１ｄ，４１ｅには注入樹脂がボディ形成部４
１ａを介して供給される。リードフレーム３３は、図の
丁度一点鎖線が導く位置にてキャビティに充填された樹
脂により片面封止される。従って、リードフレーム３３
の外部延出用リード（すなわち外部リード）３３ｂ，３
３ｃ，３３ｄ，３３ｅは、帯状のハッチングで示される
如くその延出方向に交叉して各溝部に当たることとな
る。

【００１９】従って、図８に示される如く外部リード途
中において、当該樹脂封止によって各溝部に形成された
棒状の樹脂体すなわち連結部材により互いに連結され
る。なお、この段階においてリードフレームにおける不
要なパターンはカットされる。リードフレームのパッケ
ージ頂面側についても同様にパッケージボディにつき樹
脂封止されると、棒状樹脂体は、さらに図９の如く不要
な部分（図８中、点線部）が切断され、パッケージ各側
面毎に分割される。かくしてこの棒状樹脂体がリードホ
ールド部２０₁ ，２０₂ ，２０₃ ，２０₄ を担うことと
なる。なお、図８及び図９は、パッケージ頂面から底面
に向かって見た図を示している。

【００２０】最後に先の図５における外部リード１２の
ようなガルウィング形状に外部リードを整形し、当該リ
ードホールド部を有する半導体装置の製造工程を終了す
ることとなる。本発明半導体装置を効率良く製造するに
は、次のように、リードフレームを作製した上で、パッ
ケージングをなすこととしても良い。

【００２１】図１０は、本発明によるリードフレームの
作製工程の一例を示しており、かかる工程においては、
先ず、例えば紙面上において作製すべきリードフレーム
のパターン図を原図として作成する（工程Ｓ１０）。次
いで、このパターン図に基づいてＣＡＤ（Computer Aid
ed Design ）システムにデータを入力し当該ＣＡＤ上で
のデータを作成する（工程Ｓ１１）。そしてここで作成
されたデータに基づき、パターンマスクを作製する（工
程Ｓ１１Ａ）とともに、メッキマスクを作製し（工程Ｓ
１１Ｂ）、テーピング金型を作製する（工程Ｓ１１
Ｃ）。

【００２２】工程Ｓ１１によりＣＡＤデータが作成さ
れ、工程Ｓ１１Ａによりパターンマスクが作製された後
は、エッチング工程Ｓ１２に移行する。この工程では、
いわゆるエッチングプロセスによって図１１に示される
如きリードフレームが形成される。なお図１１は、内部
及び外部リードの形状や本数を含めリードフレームの個
々のパターンを簡略的に示したものである。図１１にお
いて、図７と同等部分には同一の符号が付されており、
一点鎖線にて画定される部分は、パッケージボディの形
成位置に対応している。このリードフレームにおいて
は、当該ボディ形成領域の縁に沿って形成されるモール
ド樹脂流れ止め用のダムバー（タイバー）３３Ｂ，３３
Ｃ，３３Ｄ，３３Ｅの他にも、外部リード３３ｂ，３３
ｃ，３３ｄ，３３ｅの中途において当該外部リード延出
方向を交差する方向に沿って外部リードが２重に接続さ
れる。この棒状の２つの接続部分（パターン）３３Ｂ１
及び３３Ｂ２，３３Ｃ１及び３３Ｃ２，３３Ｄ１及び３
３Ｄ２，３３Ｅ１及び３３Ｅ２をそれぞれ第１及び第２
の樹脂案内バーと呼ぶならば、各案内バーの幅ｗ₁ ，ｗ
₂ は後述するリード整形工程において作業を容易にする
ためになるべく小さくすることが好ましい。また、案内
バーの間には後述する封止工程においてリードホールド
部たる樹脂が形成されるので、間隔ｇ₀ は、採用される
樹脂の強度等に応じて適宜設定されることが好ましい。

【００２３】工程Ｓ１２により図１１の如きリードフレ
ーム３３´が形成されると、工程Ｓ１１Ｂにより作製さ
れたメッキマスクを用いて、例えば内部リード（ダムバ
ーとアイランド周辺までを結ぶパターン）にメッキを施
し（工程Ｓ１３）、次いで、工程Ｓ１１Ｃにより作製さ
れたテーピング金型を用いて、リードフレームのアイラ
ンド３３ａにおいて半導体チップを載置するための凹み
を設けるダウンセットを施す（工程Ｓ１４）。この後、
検査（工程Ｓ１５）、梱包（工程Ｓ１６）を経て出荷
（工程Ｓ１７）の運びとなる。

【００２４】なお、工程Ｓ１１Ａ、Ｓ１１Ｂ及びＳ１１
Ｃは間接工程として描かれており、これ以外の工程は、
直接工程として描かれている。このようにして製造され
たリードフレーム３３´は、図１２に示されるようなア
センブリ工程に引き渡される。この引き渡しは勿論、図
１０における検査工程Ｓ１５を経た後に直ちに行われて
も良い。

【００２５】このアセンブリ工程では、先ず、半導体チ
ップをリードフレームに固定するためのダイボンディン
グ（工程Ｓ２０）が行われ、さらに固定されたチップの
入出力パッドとこれに対応する内部リード端とを接続す
るワイヤボンディング（工程Ｓ２１）が行われる。ボン
ディングが終了すると、封止工程Ｓ２２に移行する。こ
の工程では、半導体チップが取り付けられたリードフレ
ームを、先の図６及び図７において説明した如き手法に
て封止する。この際、図７において帯状のハッチングで
示した部分が、図１１における案内バーの間隙（ｇ_０）
に相当する。従って、図１３に示されるように、案内バ
ー３３Ｂ１と３３Ｂ２との間、案内バー３３Ｃ１と３３
Ｃ２との間、案内バー３３Ｄ１と３３Ｄ２との間、案内
バー３３Ｅ１と３３Ｅ２との間は全て樹脂２０で被われ
る。これにより、外部リード間の固着がなされることと
なる。

【００２６】封止工程Ｓ２２が終了すると、外部リード
にメッキを施し（工程Ｓ２３）、リード整形工程Ｓ２４
に移行する。この工程では、外部リード部だけを残すよ
うに案内バーを切断する工程を含み外部リード周辺の不
要なものを除去する。つまり、図１３において示される
ように、連結樹脂体２０の不要部分を切断するだけでな
く、パッケージボディ１１から露出するリードから、拡
大図に斜線で示される部分の案内バーを取り去る。これ
により、先の図９に示される如く仕上がることとなる。
さらにこの整形工程では、案内バーの除去された外部リ
ードをガルウィング状に整形して仕上げを行う。

【００２７】工程Ｓ２４により外部リードが整形される
と、検査（工程Ｓ２５）、梱包（工程Ｓ２６）を経て出
荷（工程Ｓ２７）の運びとなる。一方、上述のようにパ
ッケージングすなわち半導体チップが載置されたリード
フレームの樹脂封止の際に同時に連結樹脂体を形成しな
くとも、次のようにリードフレームを作製する際に連結
樹脂体を形成するようにしても良い。

【００２８】図１４は、かかる態様を実現するリードフ
レーム作製工程を示しており、図１０と等価な部分には
同一の符号が付されている。これによれば、メッキ処理
工程Ｓ１３の後に連結部材形成工程としての樹脂塗布工
程Ｓ３０を経てダウンセット工程Ｓ１４に移行する。ま
た、メッキ処理工程Ｓ１３までに作製されるリードフレ
ームには上述の如き案内バーを設けないこととしてい
る。そして樹脂塗布工程Ｓ３０では、図１５に示される
如くメッキの施されたリードフレームに、直に連結樹脂
２０₁ ，２０₂ ，２０₃ ，２０₄ を形成するようにして
いる。より詳しくは、外部リード３３ｂ，３３ｃ，３３
ｄ，３３ｅの延出方向にそれぞれ交差する方向に沿って
樹脂を塗布し、連結樹脂を形成するようにしている。

【００２９】このようにすれば、パッケージングとは無
関係に、通常のリードフレーム自体には完成された連結
樹脂体が形成されるので、図８及び図９において、また
図１３において説明したようなリード整形処理を行わず
に済むこととなる。しかも、図６や図７において示した
ような連結樹脂体を形成するための金型や手法を用いる
ことがなく、通常のアセンブリ工程で良いので好都合と
なる。なお注記すれば、図１５においては、各連結樹脂
をリードフレームの表面（半導体チップを固定する側の
面）に塗布形成するようにしたので、パッケージング終
了後の仕上がりは図１６のようになる。この形態は、図
５のものとは異なるが、実質的に同等の効果を奏し得る
ことは明らかである。従って、各連結樹脂をリードフレ
ームの裏面に塗布形成して図５の如く仕上げても良い
し、さらに改変して各連結樹脂をリードフレームの表と
裏の両面に塗布形成するようにしても良い。かかる改変
の態様は、図１４の如き塗布工程Ｓ３０に拠ることに限
定されることなく、当業者の実施可能な範囲で図６及び
図７の如きパッケージングと同時に樹脂形成するための
金型や手法を工夫すれば実現できる。

【００３０】なお、上記各実施例におけるリードホール
ド部をパッケージと同一の樹脂としたが、これに限定さ
れることなく、リードの変形を防止し得る程度の強度を
有する電気的絶縁体であれば良いことは勿論である。ま
た本発明は、ＱＦＰ型だけでなくＤＩＰ型等様々な形態
のものにも適用可能であるし、外部リードの延出方向を
限定するものではない。本発明はまた、プラスチック封
止に限定されるものでもなく、各種の封止方法に適用可
能である。さらに本発明は、図７に示したような金型形
状による棒状絶縁体の外部リードへの固着方法に限定さ
れることもなく、また棒状絶縁体の固着形態自体も例え
ば上記実施例では樹脂封止の際に、リードフレームのパ
ッケージ底面側から外部リードを固着するようにしてい
るが、頂面側から外部リードを固着するようにしても良
い。

【００３１】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
パッケージから延出する複数の外部リードの延出方向に
交差する方向に配されかつ当該外部リードの各々を相互
に固着する絶縁連結部材が、外部リードの形状保持能力
を向上させるので、リードの変形を防止してリードの実
装接触面の平坦性を向上させ、実装工程に負担を掛ける
ことなく簡単に実装することができる。また、典型的な
テスト方法を変更することなく、平易に実装後の動作テ
ストを実行することもできる。しかも、絶縁体連結部材
が、当該絶縁材形成時における絶縁材案内用の２つのパ
ターンに導かれて形成されうるので、効率的なリードフ
レーム及び半導体装置の製造が可能となる。かくして本
発明により、リードの狭ピッチ化に対応し得るリードフ
レーム及び半導体装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のガルウィング形状外部リードを有する半
導体装置を示す一部斜視外観図（Ａ）及びその一部断面
図（Ｂ）。

【図２】ＭＣＲによる方法が適用された半導体装置を示
す斜視外観図。

【図３】ＢＱＦＰによる方法が適用された半導体装置を
示す一部斜視外観図。

【図４】テストパッド付きＱＦＰによる方法が適用され
た半導体装置を示す一部斜視外観図。

【図５】本発明の一実施例のＱＦＰ半導体装置の一部斜
視外観図。

【図６】本発明半導体装置の製造方法の一例を実現する
ための低圧トランスファーモールド法に準拠した金型の
構造及びこれにセットされる半導体チップ搭載のリード
フレームの形態を示す断面図。

【図７】図６の下型キャビティの構造及び下型に対する
リードフレームの配置の様子を示す展開斜視図。

【図８】樹脂封止後の半導体装置のパッケージ頂面から
見た平面図。

【図９】切断工程終了後の半導体装置のパッケージ頂面
から見た平面図。

【図１０】本発明によるリードフレーム作製工程の一実
施例を示すフローチャート。

【図１１】図１０のリードフレーム作製工程におけるエ
ッチング工程により形成されるリードフレームの概略的
な導体パターンを示す図。

【図１２】本発明によるアセンブリ工程の一実施例を示
すフローチャート。

【図１３】図１２のアセンブリ工程におけるリード整形
工程により行われる切断処理の様子を示す図。

【図１４】本発明によるリードフレーム作製工程の他の
実施例を示すフローチャート。

【図１５】図１４のリードフレーム作製工程における樹
脂塗布工程により形成される連結樹脂とともにリードフ
レームの概略的な導体パターンを示す図。

【図１６】図１４のリードフレーム作製工程により作製
されたリードフレームを用いて製造された半導体装置を
示す略式外観図。

【符号の説明】

１１パッケージ１２₁₁，１２₁₂，１２₁₃，…，１２_4n-1，１２_4n 外部
リード２０，２０₁ ，２０₂ ，２０₃ ，２０₄ 棒状絶縁体
（リードホールド部）３１上型３２下型３３，３３´，３３´´ リードフレーム３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ，３３ｅ外部リード３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ，３３Ｅダムバー３３Ｂ１，３３Ｃ１，３３Ｄ１，３３Ｅ１第１の案内
バー３３Ｂ２，３３Ｃ２，３３Ｄ２，３３Ｅ２第２の案内
バー３４半導体チップ３５樹脂タブレット３６カル部３７プランジャ３８ランナ３９ゲート４０上型キャビティ４１下型キャビティ４１ａパッケージ底面ボディ形成部４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，４１ｅホールド部形成溝部４２ベント

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】外部リードを有するリードフレームであ
って、前記外部リードの各々を前記外部リードの延出方向に交
差する方向において接続する２つの連結部材案内用パタ
ーンを有することを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】外部リードを有するリードフレームの製
造方法であって、リードフレーム基板に前記外部リードを形成するエッチ
ング工程において、前記外部リードの各々を前記外部リ
ードの延出方向に交差する方向において接続する２つの
連結部材案内用パターンを形成することを特徴とするリ
ードフレーム製造方法。
【請求項３】外部リードと、前記外部リードの各々を
前記外部リードの延出方向に交差する方向において接続
する２つの連結部材案内用パターンとを有するリードフ
レームを用いた半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームに半導体素子を載置する載置工程
と、前記半導体素子が載置されたリードフレームを封止
する封止工程と、前記封止工程の後、前記連結部材案内
用パターンを切断する整形工程とを有することを特徴と
する半導体装置製造方法。
【請求項４】前記封止工程は、少なくとも前記リード
フレームのアイランド部及び前記半導体素子を一対の成
形モールド半体によって挟んで前記アイランド部及び前
記半導体素子を囲繞してモールドキャビティを形成する
モールド準備工程と、前記モールドキャビティに溶融し
たプラスチック材を注入するモールド工程とからなり、前記成形モールド半体の各々は、前記アイランド部及び
前記半導体素子を囲繞するメインキャビティ形成凹部を
有し、前記成形モールド半体の少なくとも一方は、前記
メインキャビティ形成凹部の一部と連通し、前記メイン
キャビティ形成凹部の周縁部から離間しかつこれに沿っ
て延在する連結部材形成用のサブキャビティ形成凹部を
有し、前記サブキャビティ形成凹部は、前記リードフレームに
形成された前記連結部材案内用パターンの間に位置づけ
られることを特徴する請求項３記載の半導体装置製造方
法。