JP2912767B2 - 電子部品のパッケージ構造及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、リ−ドフレ−ムに半導
体素子を搭載接続し、それを樹脂もしくはセラミックス
で封止した電子部品のパッケージ構造及びその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】リ−ドフレ−ムを有する電子部品の製造
方法は、タイバ−によって隣接するリ−ド間が接続され
たリ−ドフレ−ムで半導体素子を接続し、樹脂でモ−ル
ド後、タイバ−を切断して、各リ−ドを切離した後にリ
−ド成形を行なうのが一般的である。

【０００３】以下、図１５により、（ａ）〜（ｄ）の工
程にしたがい代表的な従来技術による半導体パッケージ
の製造方法の一例を説明する。 （ａ）工程の平面図に示すようにリ−ドフレ−ム１０
は、通常、鉄−ニッケル合金、または銅合金に所定のレ
ジストパターンを被着させ、これをマスクとしてエッチ
ング加工を行なって形成される。この時、各リ−ド間を
切離してしまうと強度の低下により、リ−ド部１の位置
精度が悪くなるため、金属タイバ−８及びリ−ドフレ−
ム外周枠６と呼ばれる隣接するリ−ド間の連続部分を残
しておく。

【０００４】（ｂ）工程で半導体素子９を接続した後、
（ｃ）工程の平面図及び断面図に示すように樹脂モ−ル
ド４を行ない、次いで、（ｄ）工程に示すように金属タ
イバ−８及びリ−ドフレ−ム外周枠６を機械的に切断
し、配線基板上に実装し易い形状に、リ−ド部１を成形
して完成となる。

【０００５】以上に述べた従来技術の製造方法でも、リ
−ド間のピッチが０．５ｍｍ程度までは困難なく製造で
きた。しかし、高密度実装となり、リ−ド間のピッチが
０．３ｍｍ以下となるとタイバ−切断用の切断型の寸法
が小さくなり、切断部分が破損し易いため、タイバ−の
機械的な切断は極めて困難となる。この問題を解決する
手段として、タイバ−をレ−ザ−光により溶断する方法
も検討されているが、溶断に要する時間が長く、実用に
は不向きである。なお、リ−ドフレ−ムのリ−ド部の位
置精度向上に関するものとして、例えば特開平３−２３
２２６４号公報、特開平３−２３６２７１号公報が挙げ
られるが、これらは、いずれもタイバ−部の構造そのも
のを変更するものではない。

【０００６】また、図１６の平面図に示したように、金
属タイバ−８を設けない構成のリードフレームも提案さ
れている。この従来例は、リードフレームのエッチング
によるパターン化工程の途中でガラス等の固定材料２３
で隣接するリード３１間をリング状に固定し（３２はそ
の周線）、さらにエッチングを続行して内部リード３１
ｉと外部リード３１ｏからなるリードにパターン化して
からその外周に絶縁物からなる第１及び第２リードサポ
ート３３、３４を設けるものである。最外周にはリード
の外端を一時的に保持する周辺バンド３６を残している
が、これらリードサポートを形成した後は周辺バンド３
６は切断される。この段階でリードフレームにＬＳＩ等
の半導体チップが搭載され、ボンディングされてから樹
脂モールドされる。３３はパッケージの外部境界を示し
ている。３７は検査リードであり、所定の検査が終了し
た後は、これらは第１リードサポート３４の外側のリー
ド間隔の揃った３８のところで切断されると共に、リー
ド端は第１リードサポート３４の外側で必要とする形状
に折り曲げられ、半導体パッケージが完成する。

【０００７】しかし、このパッケージ構造において外部
リード３１ｏが第１リードサポート３４に固定されてい
るとしても依然として自由端を有していることから、リ
ードの変形は避けられず、特に高密度実装に対応したも
のではリード間隔が極めて狭くなることから僅かの位置
変形が配線基板上への接続の信頼性に大きく影響する。
リード接続はほとんどの場合、自動化された実装装置で
行なわれるため、搭載する電子部品としてはリード変形
のないものが要求される。なお、この種の技術に関連す
るものとして特開昭６２−９０９５５号公報が挙げられ
る。

【０００８】さらにまた、特開昭３−１９６５５５号公
報にみられるように、パッケージの周りに突き出て配設
されている外部リードを絶縁性材料からなるフレーム枠
に接続させ互いに連結した半導体パッケージが提案され
ている。この種のＱＦＰ（Ｑuad Ｆlat Ｐackage）構造
のパッケージにおいては、四辺の外部リード群を同一平
面上に屈曲させることから、フレーム枠は外部リードを
屈曲させた後に絶縁性樹脂等で成形するか、もしくはリ
ードを屈曲させる前にリング状に成形するかの何れか方
法をとるが、前者の場合には屈曲させる際にリード端が
自由端であることから位置変形が避けられず、後者の場
合には成形したフレーム枠を固定した状態でリードを屈
曲することになるため四辺のリード群を同一平面上に位
置させることが難しく実用的でない。すなわち、リード
接続部の平坦性が充分でないことからこの種のＱＦＰ構
造のパッケージを配線基板に実装する場合には、信頼性
の高い接続を実現することは困難である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、上記従来の問題点を解消することにあり、リ−
ド部の位置精度を向上させて高密度実装に応じられ、タ
イバ−の切断が不要なリ−ドフレ−ムを有するＱＦＰ構
造の電子部品のパッケージ構造及びその製造方法を提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、半
導体素子をリ−ドフレ−ムに接続し、樹脂でモ−ルドし
てなるＱＦＰパッケージ構造において、前記リ−ドフレ
−ムの外部リ−ドの根元部にリング状の絶縁体タイバー
を配設すると共に、前記絶縁体タイバーの外側に位置す
る外部リード端に、四角を欠落したリング状の絶縁体枠
と、前記欠落した絶縁体枠の四角を接続する金属片とで
構成した絶縁体と金属から成るリング状の枠体を接続
し、前記絶縁体タイバーと前記リング状の枠体との間の
リードを屈曲成形してリード接続部を同一平面上に揃え
て構成して成る電子部品のパッケージ構造により、達成
される。

【００１１】

【００１２】また、上記リ−ド部に形成した絶縁体タイ
バー及びリング状の絶縁体枠は、半導体素子をモ−ルド
する時に使用する樹脂と同一材料で形成することができ
る。

【００１３】また、上記絶縁体タイバーの外周に配設さ
れた絶縁体枠は、配線基板に接続されるリ−ド接続面側
には設けずにそれとは反対側のリード端表面にのみ形成
しても良いし、両面に設けてもよい。ただし、両面に形
成した場合にはリードの接続部が、絶縁体タイバーと絶
縁体枠との間にくるように屈曲成形すれば良い。

【００１４】上記本発明の目的は、半導体素子が接続さ
れる内部リードと少なくとも配線基板に接続される外部
リードとを有して成るリードフレームの製造方法におい
て、前記外部リード上の内側にリング状の絶縁体タイバ
ーを、その外側に四角を欠落したリング状の絶縁体中間
枠をそれぞれ配設し、さらにその外側の放射状に拡張さ
れたリード端にリング状の絶縁体外周枠を配設して三重
枠とすると共に、前記絶縁体タイバーと絶縁体中間枠と
の間のリードを接続リード部とし、絶縁体中間枠と絶縁
体外周枠との間のリードを検査用リード部として成り、
前記検査用リード部は検査、試験後リードフレームから
切断され、前記接続リード部は樹脂モールド後に所定の
配線基板に搭載される形状に屈曲成形されて成るリード
補強構造を有するＱＦＰパッケージ用リードフレームの
製造方法によっても達成される。

【００１５】また、上記本発明の目的は、外周枠を有
する金属タイバー付きのリードフレームを形成する工程
と、外部リード上の内側にリング状の絶縁体タイバー
と、その外側に四角を欠落したリング状の絶縁体中間枠
を形成する工程と、選択エッチングにより、前記金属
タイバーと外周枠とを除去する工程と、内部リードに
半導体素子を接続し、樹脂モールドする工程と、前記
外部リードを配線基板の接続部に対応させて屈曲成形す
る工程とを有して成る電子部品のパッケージ構造の製造
方法によっても達成される。

【００１６】上記の四角を欠落したリング状の絶縁体
中間枠を形成する工程においては、中間枠の主枠をリー
ド上に配設すると共に、その端部を外周枠上に延在せし
め、上記の選択エッチングにより、上記金属タイバー
と外周枠とを除去する工程においては、前記中間枠の端
部によって挾まれた四角の外周枠部分を除き前記金属タ
イバーと外周枠とを除去する工程とすることもできる。

【００１７】また、上記本発明の目的は、リードフレ
ーム材料の外部リード形成領域上の内側にリング状の絶
縁体タイバーと、その外側に四角を欠落したリング状の
絶縁体中間枠とをそれぞれ形成する工程と、前記リー
ドフレーム材料を選択エッチングすることにより、内部
リードと、それを外部に延在せしめた外部リードとを形
成する工程と、内部リードに半導体素子を接続し、樹
脂モールドする工程と、前記外部リードを配線基板の
接続部に対応させて屈曲成形する工程とを有して成る電
子部品のパッケージ構造の製造方法によっても達成され
る。

【００１８】上記外部リードを配線基板の接続部に対応
させて屈曲成形する工程においては、接続リ−ドの折り
曲げ位置を、リング状の絶縁体タイバーと絶縁体中間枠
との間とすることができる。

【００１９】

【作用】タイバ−を絶縁性の材料で形成すると、リ−ド
間の電気的な絶縁性が確保できるため、タイバ−を切断
しなくても、電子部品としての所定の機能が確保でき、
タイバ−が取付けられたままの状態で、配線基板に実装
することができる。

【００２０】また、その外周に設けた四角を欠落した絶
縁体中間枠（もしくは絶縁体枠）は、リード端を絶縁体
で連結するため、タイバ−と連繋してリードの位置ずれ
を防止する共にリードの屈曲成形を容易とする。四角が
欠落せずに絶縁体で連結されていると、その弾性により
リードの成形を困難にし、同一平面上にリード接続部を
揃えることが難しい。しかし、リードを構成する金属片
でこれら四角を結合すれば、金属は塑性があるため容易
に成形され、リード接続部を同一平面上に揃えることが
容易となる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面にしたがって
説明する。

【００２２】〈実施例１〉図１は、三重の絶縁体による
リ−ド補強構造を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ´一
部断面正面図、図３は図１の試験用リード部１ｂを切断
し、四角の接続リード部１ａを屈曲させて完成したＱＦ
Ｐ構造のパッケージの平面図、図４は図３のＡ−Ａ´一
部断面正面図である。

【００２３】図１、図２において、リ−ド部１の内周部
にはリング状の絶縁体より成るタイバ−２が、その外周
部には接続リード部１ａの外側に同じくリング状ではあ
るが四角を欠落した絶縁体より成る中間枠５が、そして
最外周のリード端部には外周枠３が、それぞれリード１
に密着して取付けられている。タイバ−２及び中間枠５
はそれぞれ絶縁体（樹脂を使用）であるので、リ−ド間
の電気特性に影響を与えないため、電子部品を配線基板
上に取付けた後もこれらをリードから切り離す必要がな
い。ただし、外周枠３は、パッケージの検査（電気特性
試験）が終了した段階で検査用リード部１ｂが中間枠５
のところから切断除去されるので必然的にリードフレー
ムから除去される。なお、リードフレームはＦｅ−Ｎｉ
合金を用い、接続リード部１ａのピッチ間隔は高密度対
応の０．３ｍｍであり、タイバ−２の内側の内部リード
には半導体チップが搭載接続され樹脂モ−ルド４されて
いる。タイバ２ー、中間枠５及び外周枠３は、何れも例
えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂の如き絶縁性樹脂で
形成されるが、樹脂を所定の幅に塗布し硬化する。

【００２４】図３、図４は、検査用リード部１ｂに試験
電極を接続して電気特性試験を終了した後、検査用リー
ド部１ｂを中間枠５のところで切断し、さらに四辺の接
続リード部１ａをそれぞれタイバ−２の外周部を境界に
して同一平面位置に屈曲させてパッケージを完成させた
状態を示している。この接続リード部１ａの屈曲成形に
際しては、接続リード部１ａがタイバ−２と中間枠５と
に固定されているためリードの位置ずれは全く生じな
い。しかも中間枠５の四角が欠落していることから、こ
れら中間枠５を支持してリードを屈曲成形することが容
易であり、接続リード部１ａの位置を同一平面上に正確
に揃えることができる。なお、中間枠５の四角が欠落せ
ずに連結して成形された場合には、これら四角の樹脂が
リードを屈曲成形する時に、成形を妨げ接続リード部１
ａの位置を同一平面上に正確に揃えることが困難とな
る。したがって中間枠５の四角は必ず欠落しておくこと
が必要である。

【００２５】上記の通り本実施例によれば、樹脂モ−ル
ド４の外部に出ているリ−ド部１は、リ−ドフレ−ムの
製造時から、配線基板上に取付けられるまでタイバ−２
及び中間枠５により（電気特性試験が済むまでは外周枠
３も）結合されているため、リ−ド部の位置精度を保持
することが容易であり、リ−ド部の位置バラツキに起因
する取付け不良を防止できる効果がある。

【００２６】また、電気特性試験が済むまでは外周枠３
もリード端に固定されているため、リ−ド部１のピッチ
が、途中から広がって検査用リード部１ｂを形成してい
る場合でも、リ−ド部の位置精度を保持できるため、電
気部品の電気特性試験時にリ−ド部に試験電極を接続す
る際に発生しがちな、リ−ド部の位置精度の低下を防止
できる効果もある。

【００２７】また、ＱＦＰ構造のパッケージでは、配線
基板上に取り付ける関係上、四辺のリ−ド部１の成形を
行なうことが一般的であるが、成形時の応力により、リ
−ド部の位置精度が低下する場合が多いが、図６に示す
ようにタイバ−２と中間枠５の間の接続リ−ド部１ａに
おいて、リ−ドの成形を行なうことにより、リ−ド部の
位置精度の低下を防止できる。

【００２８】タイバ−２、中間枠及び外周枠３の形成
は、リードフレームをエッチング形成する工程に引き続
いて行ない、半導体チップの樹脂モ−ルド４に先んじて
行なうのが望ましい。その理由は、半導体チップを樹脂
モ−ルド成形する際に、たとえ樹脂が外部に滲み出し
て、外部に出ているリード部１を伝わるとしてもタイバ
−２がダムの役割を果たし、接続リード部１ａに流失す
るのを防止して接続リード部１ａ表面を絶縁物で汚染し
ないで済むからである。

【００２９】〈実施例２〉図５は、実施例１の図３にお
ける中間枠５の四角の欠落部分を金属６で補填して完全
な枠構造とした平面図、図６は図５のＡ−Ａ´一部断面
正面図であり、共に検査用リード部１ｂを切断した後の
状態を示している。図７〜図９は、図５、図６に示す構
造の電子部品の接続リ−ド部１ａを屈曲成形した後のＱ
ＦＰ構造を示す図であり、図７接続リード１ａをタイバ
−２の外周部で屈曲成形した平面図、図８は図７のＡ−
Ａ´一部断面正面図、図９は正面図である。

【００３０】本実施例では、中間枠５の四角部分６をリ
−ドフレ−ムと同一の金属材料としているため、接続リ
−ド部１ａの屈曲成形時にこの四角も同時に容易に成形
することが可能であり、接続リード部１ａの接続位置を
同一平面上に正確に揃えることができる。したがって、
図７、図８に示すように中間枠５とリ−ドフレ−ムの一
部で構成された四角６が一体となり、リ−ド部１の成形
後もリング形状を保つため、リ−ド部１の位置精度の低
下を防止する効果が更に大きくなる。

【００３１】〈実施例３〉図１０は、実施例１、２で説
明した図２、図６と同様に接続リード部１ａを屈曲成形
する前の一部断面正面図で、絶縁体からなるタイバ−
２、中間枠５をリード１の上面のみに形成した構造を示
している。

【００３２】図１１は、図１０のリード１ａを屈曲成形
した後の接続リ−ド部１ａを有するパッケージを配線基
板７上に搭載し、絶縁体５の被覆されていないリード下
面を接続部として基板７上にはんだ接続した状態を示し
た一部断面正面図である。この構成によれば、中間枠５
は実施例１、２の場合と異なり、リ−ド部１の下側には
はみ出していないため、図１１に示す成形後の場合で
も、中間枠５の反対側のリ−ド部１を配線基板７に接触
して取り付けることができる効果がある。

【００３３】〈実施例４〉図１２は製造方法の一例を示
した工程図で、この例は実施例１の検査用リード１ｂ及
び外周枠３を省いた構成を示している。まず、（ａ）工
程に示すように従来技術による金属タイバ−８付のリ−
ドフレ−ムを形成し、次に、（ｂ）工程に示すようにタ
イバ−２および中間枠５となる絶縁体のリングを形成す
る。ただし、中間枠５の四角は欠落させたものとする。
絶縁体２、５の材料は、後の（ｄ）工程で樹脂モ−ルド
４する材料と同一のものを用いることが好ましい。ま
た、絶縁体の形成は、既存のディスペンス工法、印刷工
法等を用い行なうことができる。次に、（ｃ）工程に示
すようにエッチング工法により金属タイバ−８及び金属
外周枠６の除去を行なう。最後に（ｄ）工程に示すよう
に半導体素子９の接続及び樹脂モールド４以降の製造工
程は従来工法で行なうことができる。ただし、外部リー
ドの屈曲成形はタイバ−２と中間枠５とを支持してその
間で行なう。

【００３４】〈実施例５〉図１３は他の製造方法の一例
を示した工程図で、この例も実施例４と同様に検査用リ
ード１ｂ及び外周枠３を省いた構成を示している。すな
わち、実施例４の中間枠５の四角の欠落部分を、リード
フレームの外周枠６の一部分を残して絶縁体５に接続
し、リング状としたものである。

【００３５】先ず、（ａ）工程に示すように従来技術に
よる金属タイバ−８付のリ−ドフレ−ムを形成し、次
に、（ｂ）工程に示すようにタイバ−２および中間枠５
となる絶縁体のリングを形成する。ただし、中間枠５の
四角は欠落させたものとする。次に、（ｃ）工程に示す
ようにエッチング工法により、金属タイバ−８及び金属
外周枠６の四角を残しそれ以外の部分をそれぞれ選択的
に除去する。最後に（ｄ）工程に示すように半導体素子
９の接続及び樹脂モールド４以降の製造工程は従来工法
で行なうことができる。ただし、外部リードの屈曲成形
はタイバ−２と中間枠５とを支持してその間で行なう。

【００３６】実施例４の図１２の例と較べて、中間枠５
の絶縁体の接着位置が異なるだけであるので、絶縁体５
の四角部分をリ−ドフレ−ム材料と同一の金属材料で形
成することは容易である。

【００３７】〈実施例６〉図１４は、さらに異なる製造
方法の例を示したもので、リ−ドフレ−ムのパタ−ンの
形成工程よりも前に絶縁体２、５を形成する製造方法で
ある。先ず、（ａ）工程に示すようにＦｅ−Ｎｉ合金等
のリードフレーム材を準備する。次いで（ｂ）工程に示
すように、リ−ドフレ−ム材料に、絶縁体２、５をリン
グ状に接着する。ただし、中間枠５の四角は、欠落して
おく。

【００３８】次に（ｃ）工程に示すように、エッチング
工法により所定のリ−ドフレ−ムのパタ−ンを形成す
る。このとき、既に絶縁体２、５はリ−ドフレ−ム上に
リング状に接着されているため、図１２、図１３に示し
た金属タイバ−８を形成する必要がない。最後に（ｄ）
工程に示すように半導体素子９の接続及び樹脂モールド
４以降の製造工程は従来工法で行なうことができる。た
だし、外部リードの屈曲成形はタイバ−２と中間枠５と
を支持してその間で行なう。この実施例によれば、金属
タイバ−８の除去のためのエッチング工程を省略できる
ので、工程が簡略できる利点がある。

【００３９】

【発明の効果】以上、詳述したように本発明により所期
の目的を達成することができた。すなわち、簡単な構造
で、リ−ド部を絶縁体で一体化できるので、リ−ド部の
位置精度を向上させて高密度実装に対応できるＱＦＰ構
造の電子部品のパッケージ構造及びその製造方法を容易
に実現できるようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例となる三重の絶縁体によるリ
−ド補強構造を示す平面図。

【図２】同じくその一部断面正面図。

【図３】同じく検査リード部１ｂを切断したリ−ド補強
構造を示す平面図。

【図４】同じく接続リード部１ａを屈曲成形した後の一
部断面正面図。

【図５】同じく本発明の他の実施例となるリ−ド部屈曲
成形前の形状を示す平面図。

【図６】同じくその一部断面正面図。

【図７】同じくリ−ド部屈曲成形後の形状を示す平面
図。

【図８】同じくその一部断面正面図。

【図９】同じくその正面図。

【図１０】同じく本発明のさらに異なる他の実施例とな
るリ−ド部屈曲成形前の形状を示す一部断面正面図。

【図１１】同じくリ−ド部屈曲成形後に配線基板上に実
装した状態を示す一部断面正面図。

【図１２】同じく製造方法の一例を示す工程図。

【図１３】同じく他の製造方法の一例を示す工程図。

【図１４】同じくさらに異なる製造方法の一例を示す工
程図。

【図１５】従来の製造方法の一例を示す工程図。

【図１６】同じく従来のリードフレームの一例を示す平
面図。

【符号の説明】

１…リ−ド部、 １ａ…接続リード部、
１ｂ…検査用リード部、 ２…絶縁体タイバ
−、３…外周部、 ４…樹脂モ−ル
ド、５…中間枠、 ６…リ−ドフレ
−ム外周枠、７…配線基板、 ８…金
属タイバ−、９…半導体素子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−71253（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−188663（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 23/50

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体素子をリ−ドフレ−ムに接続し、樹
   脂でモ−ルドしてなるＱＦＰパッケージ構造において、
   前記リ−ドフレ−ムの外部リ−ドの根元部にリング状の
   絶縁体タイバーを配設すると共に、前記絶縁体タイバー
   の外側に位置する外部リード端に、四角を欠落したリン
   グ状の絶縁体枠と、前記欠落した絶縁体枠の四角を接続
   する金属片とで構成した絶縁体と金属から成るリング状
   の枠体を接続し、前記絶縁体タイバーと前記リング状の
   枠体との間のリードを屈曲成形してリード接続部を同一
   平面上に揃えて構成して成る電子部品のパッケージ構
   造。
2. 【請求項２】上記金属片を、リ−ドフレ−ムの一部で構
   成して成る請求項１記載の電子部品のパッケージ構造。
3. 【請求項３】上記絶縁体タイバーの外周に配設された絶
   縁体枠は、配線基板に接続されるリ−ド接続面とは反対
   側のリード端表面に形成されて成る請求項１もしくは２
   記載の電子部品のパッケージ構造。
4. 【請求項４】半導体素子が接続される内部リードと少な
   くとも配線基板に接続される外部リードとを有して成る
   リードフレームの製造方法において、前記外部リード上
   の内側にリング状の絶縁体タイバーを、その外側に四角
   を欠落したリング状の絶縁体中間枠をそれぞれ配設し、
   さらにその外側の放射状に拡張されたリード端にリング
   状の絶縁体外周枠を配設して三重枠とすると共に、前記
   絶縁体タイバーと絶縁体中間枠との間のリードを接続リ
   ード部とし、絶縁体中間枠と絶縁体外周枠との間のリー
   ドを検査用リード部として成り、前記検査用リード部は
   検査、試験後リードフレームから切断され、前記接続リ
   ード部は樹脂モールド後に所定の配線基板に搭載される
   形状に屈曲成形されて成るリード補強構造を有するＱＦ
   Ｐパッケージ用リードフレームの製造方法。
5. 【請求項５】外周枠を有する金属タイバー付きのリー
   ドフレームを形成する工程と、外部リード上の内側に
   リング状の絶縁体タイバーと、その外側に四角を欠落し
   たリング状の絶縁体中間枠を形成する工程と、選択エ
   ッチングにより、前記金属タイバーと外周枠とを除去す
   る工程と、内部リードに半導体素子を接続し、樹脂モ
   ールドする工程と、前記外部リードを配線基板の接続
   部に対応させて屈曲成形する工程とを有して成る電子部
   品のパッケージ構造の製造方法において、上記の四角
   を欠落したリング状の絶縁体中間枠を形成する工程にお
   いては、中間枠の主枠をリード上に配設すると共に、そ
   の端部を外周枠上に延在せしめ、上記の選択エッチン
   グにより、上記金属タイバーと外周枠とを除去する工程
   においては、前記中間枠の端部によって挾まれた四角の
   外周枠部分を除き前記金属タイバーと外周枠とを除去す
   る工程として成る電子部品のパッケージ構造の製造方
   法。
6. 【請求項６】リードフレーム材料の外部リード形成領
   域上の内側にリング状の絶縁体タイバーと、その外側に
   四角を欠落したリング状の絶縁体中間枠とをそれぞれ形
   成する工程と、前記リードフレーム材料を選択エッチ
   ングすることにより、内部リードと、それを外部に延在
   せしめた外部リードとを形成する工程と、内部リード
   に半導体素子を接続し、樹脂モールドする工程と、前
   記外部リードを配線基板の接続部に対応させて屈曲成形
   する工程とを有して成る電子部品のパッケージ構造の製
   造方法。
7. 【請求項７】上記外部リードを配線基板の接続部に対応
   させて屈曲成形する工程においては、接続リ−ドの折り
   曲げ位置をリング状の絶縁体タイバーと絶縁体中間枠と
   の間として成る請求項５もしくは６記載の電子部品のパ
   ッケージ構造の製造方法。
8. 【請求項８】上記絶縁体タイバーと、その外側に四角を
   欠落したリング状の絶縁体中間枠とをそれぞれ半導体素
   子を搭載、接続して樹脂モールドする樹脂と同一材料で
   構成して成る請求項５乃至７何れか記載の電子部品のパ
   ッケージ構造の製造方法。