JP3383475B2 - 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム - Google Patents
半導体装置およびその製造に用いるリードフレームInfo
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Description
造に用いるリードフレーム、特にバスバーリードを有す
るLOC(lead on chip)構造の半導体装置およびその
製造に用いるリードフレームに関する。
造の半導体装置が知られている。LOC構造の半導体装
置(たとえば、DRAM)については、日経BP社発行
「日経マイクロデバイス」1991年2月号、同年2月1日
発行、P89〜P97に記載されている。
ド(共用インナーリード)の途中部分を複数のリードで
支持する構造が開示されている。バスバーリードの両端
はモールド樹脂面に露出している。
ドの両端部分が平行に並ぶリード列の両端に延在する構
造が開示されている。
置は、電源線あるいは接地線として使用するバスバーリ
ードを有している。
ップ領域上を引き回される構造となっている。近年、半
導体チップの小型化(シュリンク化)が、リードフレー
ムの微細パターン化技術を上回ってきている。従って、
半導体チップを小型にすると、従来のリードフレームで
は、リード列の両側に沿って延在するバスバーリードが
チップ上からはみ出す場合もあり、半導体チップのシュ
リンク化が図れない事態も生じることが本発明者によっ
てあきらかにされた。
図ることができる半導体装置およびリードフレームを提
供することにある。
図ることができる半導体装置およびリードフレームを提
供することにある。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
体チップの主面に絶縁テープを介して一部が固定される
複数のリードおよびバスバーリードと、前記複数のリー
ドおよびバスバーリードと前記半導体チップ主面の複数
の電極を電気的に接続する複数の接続手段と、前記複数
のリードの一部およびバスバーリードと前記半導体チッ
プおよび前記複数の接続手段を封止するパッケージとを
有する半導体装置であって、前記複数の電極は前記矩形
状の半導体チップの主面中央に前記半導体チップ長辺に
沿って配置され、前記複数のリードの一部は前記複数の
電極を挟むように前記半導体チップ主面に固定されかつ
前記複数のリードの他部は前記半導体チップの対向する
長辺それぞれを横切り前記パッケージ外に延在し、前記
バスバーリードは前記半導体チップの長辺に沿って前記
複数のリードと前記複数の電極との間に位置するように
配置されるとともにその一部は前記半導体チップの短辺
を横切り前記半導体チップ外まで延在し、さらに、前記
バスバーリードの前記半導体チップ外まで延在した部分
と前記半導体チップ主面の複数の電極の一部とはワイヤ
で接続されている。
や複数のリードとを接着する絶縁テープの縁は前記半導
体チップの縁から少なくとも所定長さ内側に位置してい
る。
から突出する突出部分はパッケージによって封止されて
いる。
するワイヤ接続部は前記半導体チップの端の内外にそれ
ぞれ設けられている。
イヤ延在方向に交差する部分の長さは広くなっている。
の縁は、前記ワイヤの延在方向に対して略直交する方向
に延在している。
ードは一部が前記半導体チップの両端から突出し、前記
突出部分に電気的接続手段としてのワイヤが接続されて
いることから、前記突出部分のワイヤ接続部を半導体チ
ップ領域上に設ける必要がなくなり、半導体チップの小
型化が図れる。
プの外側に突出し、前記突出部分にワイヤが接続されて
いることから、前記突出部分のワイヤ接続部を半導体チ
ップ領域上に設ける必要がなくなり、その空き領域にリ
ードを配置できるため、リード本数の増大が図れる。
プの外側に突出し、前記突出部分にワイヤが接続されて
いることから、前記突出部分のワイヤ接続部を半導体チ
ップ領域上に設ける必要がなくなり、その空き領域が使
用できるため、リードパターン設計が容易となる。
熱が加わっても、絶縁テープの縁が半導体チップの縁か
ら所定長さ内側に位置しているため、熱膨張係数が大き
く異なる半導体チップと絶縁テープとの間の熱膨張係数
αの違いに起因する熱応力による半導体チップのクラッ
ク発生が防止でき、信頼性が高くなる。
ドの先端はパッケージで覆われていることから、バスバ
ーリードの先端を通してパッケージ外の水分が浸入する
こともなく耐湿性が優れたLOC構造の半導体装置とな
る。
の端に多数の電源線用または接地線用の電極が設けられ
る場合、一部のワイヤ接続部を半導体チップの端の外に
突出させた突出部分に設けるため、半導体チップの小型
化が図れる。半導体チップを覆うパッケージの厚さにも
限度があることから、半導体チップの端に多数の電源線
用または接地線用の電極が設けられている場合にこの構
造が採用される。
ドの突出部分のワイヤ延在方向に交差する部分の長さは
広くなっていることから、複数本のワイヤが接続でき
る。
ィングツールがバスバーリードの第2ボンディング点に
移動した際、保持しているワイヤの下端部分がバスバー
リードの縁に接触しても、ワイヤボンディングツールの
移動方向に対してバスバーリードの縁の延在方向が直交
し、傾斜してないことから、ワイヤボンディングツール
は方向を変えることなく上方に跳ね返って移動するた
め、ワイヤボンディング位置にずれが生じなくなる。
チップ固定領域の両端から外に突出しパッケージ領域内
に位置する突出長さとなり、ワイヤ接続部を形成してい
ることから、前記突出部分のワイヤ接続部を半導体チッ
プ領域上に設ける必要がなくなり、その空き領域にリー
ドを配置できるため、リード本数の増大が図れる。
チップ固定領域の両端から外に突出しパッケージ領域内
に位置する突出長さとなり、ワイヤ接続部を形成してい
ることから、前記突出部分のワイヤ接続部を半導体チッ
プ領域上に設ける必要がなくなり、その空き領域が使用
できるため、リードパターン設計が容易となる。
に説明する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
施例1)であるLOC構造の半導体装置の一部を切り欠
いた状態の平面図、図2は同じくLOC構造の半導体装
置の断面図、図3は同じくLOC構造の半導体装置の製
造に使用するリードフレームを示す平面図、図4は同じ
くLOC構造の半導体装置の製造において半導体チップ
に絶縁テープを介してリードフレームを固定した状態を
示す平面図である。
のLOC構造の半導体装置1は、レジンからなる矩形体
状のパッケージ2の両側から、複数のリード3をそれぞ
れ平行に突出させる構造となっている。
導体チップ4が封止されている。この半導体チップ4
は、図示はしないがDRAMが形成されている。また、
この半導体チップ4は、図1に示すように、主面中央に
沿って電極(電極パッド)5が複数設けられている。ま
た、半導体チップ4の主面の前記電極5の両側には、そ
れぞれ絶縁テープ7が貼り付けられている。
に沿って延在している。また、この絶縁テープ7の半導
体チップ4の縁に対応する縁は、半導体チップ4の縁か
ら少なくとも所定長さ(たとえば、0.3mm)内側に
位置している。これは、後述するが、半導体装置1に熱
が加わった場合、熱膨張係数が大きく異なる半導体チッ
プと絶縁テープ間には熱膨張係数αの違いによって熱応
力が発生するが、この熱応力をクラックが発生し易い半
導体チップ4の縁部分に発生させないことを目的として
いる。
在し、パッケージ2内のリード3(インナーリード3
a)の先端部分(リード内端部6)は、半導体チップ4
の主面に貼り付けられた絶縁テープ7上に接着されてい
る。また、パッケージ2の外側に突出するリード3(ア
ウターリード3b)は成形され、図2に示すようにJ−
リード構造となっている。
間には、半導体チップ4の長手方向に沿って電源線ある
いは接地線として使用されるバスバーリード9が延在し
ている。2本のバスバーリード9の両端は半導体チップ
4の両端から外れて外に突出している。この突出部分1
5の先端部分はリード3の延在方向に沿ってパッケージ
2の外側に向かって曲がり、ワイヤ接続部16を形成し
ている。また、バスバーリード9の途中部分には、所定
の電極5に対応して突出したワイヤ接続部17が設けら
れている。さらに、各バスバーリード9の中間部分は、
各リード3と平行になって延在する支持リード18に連
結されている。半導体装置に組み込まれた状態では、バ
スバーリード9は絶縁テープ7に支持される状態となる
が、半導体装置の製造段階、すなわち、リードフレーム
の状態では、図3に示すように、支持リード18に支持
される構造となる。
6およびバスバーリード9のワイヤ接続部17やワイヤ
接続部16は電気的接続手段としてのワイヤ19によっ
て接続される。
9は、たとえば、0.2mm厚さとなるとともに、幅は
0.2mmとなっている。バスバーリード9において
は、突出部分15のワイヤ接続部16の幅は0.4mm
と広くなっている。これは、25μm程度の直径のワイ
ヤ19を2本並べて接続できるようにするためである。
3本の場合は0.6mmの幅が必要となる。また、支持
リード18の幅は0.5mmである。
について説明する。
すようなリードフレーム25が用意される。
のFe−Ni系合金板(42アロイ)をエッチングまた
は精密プレスによってパターニングすることによって形
成される。リードフレーム25は複数の単位リードパタ
ーンを一方向に直列に並べた形状となっている。単位リ
ードパターンは、一対の平行に延在する外枠26と、こ
の一対の外枠26を連結しかつ外枠26に直交する方向
に延在する一対の内枠27とによって形成される枠28
内に形成されている。
って平行に2本のバスバーリード9が延在している。こ
れらバスバーリード9は、一方が電源用リードとなり、
他方が接地用リードとなる。また、各バスバーリード9
はその中間を前記外枠26から延在する支持リード18
に片持梁り構造で支持されている。バスバーリード9の
両端(一部)は、二点鎖線で示す半導体チップ固定領域
30の両端から外に突出して突出部分15を形成してい
る。しかし、この突出部分15は、二点鎖線で示すパッ
ケージ2を形成するモールド領域31内に位置する突出
長さとなっている。
延在方向に沿ってパッケージ2の外側に向かって曲が
り、ワイヤ接続部16を形成している。また、バスバー
リード9の途中部分には、所定の電極5に対応して突出
したワイヤ接続部17が設けられている。
7を含めて0.2mmの幅となっている。しかし、支持
リード18は、バスバーリード9を支持するため、強度
を必要とするため、0.5mmと幅広となっている。ま
た、前記突出部分15のワイヤ接続部16の幅は、ワイ
ヤ19を2本並べて接続するため、0.4mmと広くな
っている。なお、3本の場合は0.6mmの幅が必要と
なる。
ド3が内枠27に平行に延在している。これらのリード
3は前記バスバーリード9の近傍にまで延在している。
なお、前記バスバーリード9のワイヤ接続部17に対応
する箇所にはリード3は設けられない。リード3の幅は
0.2mmとなり、リード3とリード3の間隔は0.2
mmとなっている。
一対の内枠27間を結ぶように配置されるダム32によ
って支持されている。このダム32はパッケージ形成に
おけるモールド時、溶けたレジンの流出を防止するダム
の役割を果たす。
ド孔33,34が設けられている。これらガイド孔3
3,34は、リードフレーム25の移送や位置決め等の
ガイドとして利用される。
は、図4に示すように、半導体チップ4の主面に重ねて
固定する。半導体チップ4の主面には、両面に接着剤を
有する絶縁テープ7をあらかじめ貼り付けておく。この
結果、リードフレーム25は絶縁テープ7を介して半導
体チップ4に固定され、LOC構造となる。半導体チッ
プ4の一列に並ぶ電極5は、2本のバスバーリード9間
に位置する。
記電極5と、これに対応するリード内端部6やワイヤ接
続部17ならびにワイヤ接続部16は、電気的接続手段
としてのワイヤ19で接続される。このワイヤボンディ
ングにおいて、半導体チップ4から突出した突出部分1
5は、図示はしないが、ワイヤボンディング装置のテー
ブルに設けられた治具によって支持されるため、ワイヤ
ボンディングが確実に行えることになる。
ールド(トランスファモールド)技術によって、図4の
二点鎖線で示すように、パッケージ2が形成される。パ
ッケージ2は、半導体チップ4,リード内端部6,バス
バーリード9の一部およびワイヤ19を被う。パッケー
ジ2はその厚さが1mm程度となる。
切断除去されるとともに、パッケージ2から突出するリ
ード3および支持リード18はJ−ベンド型に成形さ
れ、図2に示すような半導体装置1が製造される。
下の効果を奏する。
体チップ4の両端から突出し、前記突出部分15にワイ
ヤ19が接続されていることから、前記突出部分15の
ワイヤ接続部16を半導体チップ領域上に設ける必要が
なくなり、半導体チップ4の小型化が図れる。
ップ4の外側に突出し、前記突出部分にワイヤ19が接
続されていることから、前記突出部分のワイヤ接続部1
6を半導体チップ領域上に設ける必要がなくなり、その
空き領域にリード3を配置できるため、リード本数の増
大が図れる。
ップ4の外側に突出し、前記突出部分にワイヤ19が接
続されていることから、前記突出部分のワイヤ接続部1
6を半導体チップ領域上に設ける必要がなくなり、その
空き領域が使用できるため、リードパターン設計が容易
となる。
縁テープ7の縁が半導体チップ4の縁から所定長さ内側
に位置しているため、熱膨張係数が大きく異なる半導体
チップ4と絶縁テープ7との間の熱膨張係数αの違いに
起因する熱応力による半導体チップ4のクラック発生が
防止でき、信頼性が高くなる。
+150℃)や半導体装置1のリフロー半田付け(二百
数十℃)時、半導体装置1には熱が加わる。半導体チッ
プ4の熱膨張係数は2.6〜3.6×10~6/°C(S
i)、絶縁テープ7の熱膨張係数は20〜50×10~6
/°C(ポリイミド樹脂)と大きく異なるため、熱応力
が働き、半導体チップ4の端部分でクラックが発生し易
くなるが、絶縁テープ7の縁が半導体チップ4の縁から
0.3mm内側に位置しているため、半導体チップ4の
端部分でのクラックの発生が防止できる。
ジ2で覆われていることから、バスバーリード9の先端
を通してパッケージ外の水分が浸入することもなく耐湿
性が優れたものとなる。
いるリードフレームは以下の効果を奏する。
体チップ固定領域の両端から外に突出しパッケージ領域
内に位置する突出長さとなり、ワイヤ接続部16を形成
していることから、前記突出部分のワイヤ接続部16を
半導体チップ領域上に設ける必要がなくなり、固定する
半導体チップ4の小型化が図れるリードフレーム25と
なる。
体チップ固定領域の両端から外に突出しパッケージ領域
内に位置する突出長さとなり、ワイヤ接続部16を形成
していることから、前記突出部分のワイヤ接続部16を
半導体チップ領域上に設ける必要がなくなり、その空き
領域にリード3を配置できるため、リード本数の増大が
図れる。
体チップ固定領域の両端から外に突出しパッケージ領域
内に位置する突出長さとなり、ワイヤ接続部16を形成
していることから、前記突出部分のワイヤ接続部16を
半導体チップ領域上に設ける必要がなくなり、その空き
領域が使用できるため、リードパターン設計が容易とな
る。
(実施例2)であるLOC構造の半導体装置におけるバ
スバーリードと半導体チップの一部を示す平面図であ
る。
ド9にワイヤ19を接続するワイヤ接続部16が前記半
導体チップ4の端の外側と端の内側にそれぞれ設けられ
ている。
が得られる。
は接地線用の電極5が設けられる場合、バスバーリード
9における一部のワイヤ接続部16を半導体チップ4の
端の外に突出させた突出部分15に設けるため、半導体
チップ4の小型化が図れる。半導体チップを覆うパッケ
ージの厚さにも限度があることから、半導体チップの端
に多数の電源線用または接地線用の電極が設けられてい
る場合にこの構造が採用される。
を半導体チップの縁に沿って延在させ、この延在部分を
ワイヤ接続部として使用すれば、より多くの電源線用ま
たは接地線用の電極にを有する半導体装置に対応でき
る。
(実施例3)であるLOC構造の半導体装置におけるバ
スバーリードと半導体チップの一部を示す平面図であ
る。
ド9の突出部分15のワイヤ延在方向に交差する部分の
長さは、バスバーリード9の細い延在部とワイヤ接続部
16との間の縁を傾斜縁40として広くしてある。
が得られる。
延在方向に交差する部分の長さは、傾斜縁40となるた
め、突出部分15を長く変更することなく広くでき、複
数本のワイヤ19の接続が達成できる。
(実施例4)であるLOC構造の半導体装置におけるバ
スバーリードと半導体チップの一部を示す平面図であ
る。
のワイヤ19が張られる側の縁41は、前記ワイヤ19
の延在方向に対して略直交する方向に延在するようにな
っている。
が得られる。
スバーリード9の突出部分15のワイヤ接続部16と
は、ワイヤ19で接続される。ワイヤボンディング時、
ワイヤ19を保持したワイヤボンディングツールは、半
導体チップ4の電極5(第1ボンディング点)にワイヤ
19の一端を固定した後、ある高さまで上昇し、その後
水平移動するとともに下降してバスバーリード9やリー
ド3のワイヤ接続部(第2ボンディング点)にワイヤ1
9の途中部分を接続する。この際、ワイヤボンディング
ツールが下がり過ぎ、保持しているワイヤ19の下端部
分が突出部分15の縁41に接触した場合、ワイヤボン
ディングツールの移動方向に対して衝突面、すなわち、
突出部分15の縁41の延在方向が傾斜していると、ワ
イヤボンディングツールは上方に跳ね上がった際、方向
を変えて移動してしまい、ボンディング点がずれてしま
う。しかし、本実施例4の場合は、ワイヤボンディング
ツールの移動方向に対して、前記突出部分15のワイヤ
19が張られる側の縁41は、前記ワイヤ19の延在方
向に対して略直交する方向に延在していることから、ワ
イヤボンディングツールに支持されたワイヤ19(ワイ
ヤボンディングツール)の下部分がバスバーリードの上
縁部分に衝突した場合でも、ワイヤボンディングツール
は方向を変えることなく上方に跳ね返って移動するた
め、ワイヤボンディング位置にずれが生じなくなり、正
確な位置にワイヤボンディングできることになる。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
チップの両端から突出し、前記突出部分に電気的接続手
段としてのワイヤが接続されていることから、前記突出
部分のワイヤ接続部を半導体チップ領域上に設ける必要
がなくなり、半導体チップの小型化が図れる。
プの外側に突出し、前記突出部分にワイヤが接続されて
いることから、前記突出部分のワイヤ接続部を半導体チ
ップ領域上に設ける必要がなくなり、その空き領域にリ
ードを配置できるため、リード本数の増大が図れる。
プの外側に突出し、前記突出部分にワイヤが接続されて
いることから、前記突出部分のワイヤ接続部を半導体チ
ップ領域上に設ける必要がなくなり、その空き領域が使
用できるため、リードパターン設計が容易となる。
テープの縁が半導体チップの縁から所定長さ内側に位置
しているため、熱膨張係数が大きく異なる半導体チップ
と絶縁テープとの間の熱膨張係数αの違いに起因する熱
応力による半導体チップのクラック発生が防止でき、信
頼性が高くなる。
で覆われていることから、バスバーリードの先端を通し
てパッケージ外の水分が浸入することもなく耐湿性が優
れたLOC構造の半導体装置となる。
チップ固定領域の両端から外に突出しパッケージ領域内
に位置する突出長さとなり、ワイヤ接続部を形成してい
ることから、前記突出部分のワイヤ接続部を半導体チッ
プ領域上に設ける必要がなくなり、固定する半導体チッ
プの小型化が図れるリードフレームとなる。
チップ固定領域の両端から外に突出しパッケージ領域内
に位置する突出長さとなり、ワイヤ接続部を形成してい
ることから、前記突出部分のワイヤ接続部を半導体チッ
プ領域上に設ける必要がなくなり、その空き領域にリー
ドを配置できるため、リード本数の増大が図れるリード
フレームとなる。
造の半導体装置の一部を切り欠いた状態の平面図であ
る。
である。
使用するリードフレームを示す平面図である。
おいて半導体チップに絶縁テープを介してリードフレー
ムを固定した状態を示す平面図である。
構造の半導体装置におけるバスバーリードと半導体チッ
プの一部を示す平面図である。
構造の半導体装置におけるバスバーリードと半導体チッ
プの一部を示す平面図である。
構造の半導体装置におけるバスバーリードと半導体チッ
プの一部を示す平面図である。
導体チップ、5…電極、6…リード内端部、7…絶縁テ
ープ、9…バスバーリード、15…突出部分、16…ワ
イヤ接続部、17…ワイヤ接続部、18…支持リード、
19…ワイヤ、25…リードフレーム、26…外枠、2
7…内枠、28…枠、30…半導体チップ固定領域、3
1…モールド領域、32…ダム、33,34…ガイド
孔、40…傾斜縁、41…縁。
Claims (6)
- 【請求項1】 矩形状の半導体チップと、前記半導体チ
ップの主面に絶縁テープを介して一部が固定される複数
のリードおよびバスバーリードと、前記複数のリードお
よびバスバーリードと前記半導体チップ主面の複数の電
極を電気的に接続する複数の接続手段と、前記複数のリ
ードの一部およびバスバーリードと前記半導体チップお
よび前記複数の接続手段を封止するパッケージとを有す
る半導体装置であって、前記複数の電極は前記矩形状の
半導体チップの主面中央に前記半導体チップ長辺に沿っ
て配置され、前記複数のリードの一部は前記複数の電極
を挟むように前記半導体チップ主面に固定されかつ前記
複数のリードの他部は前記半導体チップの対向する長辺
それぞれを横切り前記パッケージ外に延在し、前記バス
バーリードは前記半導体チップの長辺に沿って前記複数
のリードと前記複数の電極との間に位置するように配置
されるとともにその一部は前記半導体チップの短辺を横
切り前記半導体チップ外まで延在し、さらに、前記バス
バーリードの前記半導体チップ外まで延在した部分と前
記半導体チップ主面の複数の電極の一部とはワイヤで接
続されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 前記半導体チップとバスバーリードや複
数のリードとを接着する絶縁テープの縁は前記半導体チ
ップの縁から少なくとも所定長さ内側に位置しているこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記バスバーリードの半導体チップから
突出する突出部分はパッケージによって封止されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項4】 前記バスバーリードにワイヤを接続する
ワイヤ接続部は前記半導体チップの端の内外にそれぞれ
設けることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項5】 前記バスバーリードの突出部分のワイヤ
延在方向に交差する部分の長さは広くなっていることを
特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項6】 前記突出部分のワイヤが張られる側の縁
は、前記ワイヤの延在方向に対して略直交する方向に延
在していることを特徴とする請求項1または請求項4も
しくは請求項5のいずれか1項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14435195A JP3383475B2 (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14435195A JP3383475B2 (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08340073A JPH08340073A (ja) | 1996-12-24 |
JP3383475B2 true JP3383475B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=15360092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14435195A Expired - Fee Related JP3383475B2 (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3383475B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3577913B2 (ja) | 1997-02-27 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、およびこれを具備する電子機器 |
-
1995
- 1995-06-12 JP JP14435195A patent/JP3383475B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08340073A (ja) | 1996-12-24 |
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