JP3577913B2 - 半導体装置、およびこれを具備する電子機器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップと、回路基板と、封止部材とによって構成される半導体装置に関し、さらにこの半導体装置を具備するパーソナルコンピュータ、携帯電話機、プリンタ、カード型電子機器等の電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、フレキシブル回路基板に半導体チップを接合し樹脂で封止した半導体装置が用いられている。そしてこうした半導体装置の電源インピーダンスを下げ、電気的ノイズを低減する方法としては、例えば特開平5−82585号公報の9欄および同号公報の図2に記載されているものがある。以下図9を用いて、従来の半導体装置の構造について説明する。
【0003】
半導体チップ1の能動面側には複数個の信号用パッド(信号用電極)4と、電源用パッド(電源用電極)7および接地用パッド(接地用電極)9が設けられている。これらのパッド群にはバンプ加工が為されている。また、TABテープ2には、デバイスホール5に突き出した複数本の信号用リード3と、デバイスホール5に跨る各1本の電源用共通リード6および接地用共通リード8が設けられている。信号用リード3は、所定の信号用パッド4と電気的に直接接続されている。さらに電源用共通リード6は複数個の電源用パッド7の全てと電気的に直接接続されており、接地用共通リード8も同様に複数個の接地用パッド9の全てと電気的に直接接続されている。前記リード3、6、8と前記パッド4、7、9を電気的に直接接続するには、熱圧着による一括接続方式が用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体装置にあっては、電源用共通リードおよび接地用共通リードが、それぞれ電源用パッドおよび接地用パッドに形成したバンプより幅が狭くなっていて、電源インピーダンスを十分低くできないという問題点を有していた。さらに、これら共通リードを熱圧着により対応するパッド群に電気的に接続する際、共通リードに加えられる熱および圧力によりストレスがかかるため共通リードにクラックが生じ易く、電子機器に組み込んだ後にこれが成長して断線に至るという問題点を有していた。
【0005】
また、従来の半導体装置を具備する電子機器にあっては、電源インピーダンスを十分低くできないことから、高周波動作または消費電流の大きい電子機器で電気的ノイズの改善を図ることができないという問題点を有していた。さらに、電源および接地ラインに断線故障が起き易いことから、十分な長期信頼性を得ることが難しいという問題点も有していた。
【0006】
また、前記した従来の半導体装置は、TABテープ2のデバイスホール5に突出した電源用共通リード6と接地用共通リード8を両端部だけで支持しているため、これらのリード6、8が自重によってたるみ、電源用パッド7、接地用パッド9との位置合せが困難となる。
【0007】
そこで本発明は、十分低い電源インピーダンスを持ち、さらに電源用および接地用共通リードの断線故障のない半導体装置を提供することを目的とする。
【0008】
さらに、本発明は、電源用共通リードまたは接地用共通リードと電源用電極または接地用電極との位置合せを容易に行なえるようにすることを目的としている。
【0009】
また本発明は、電気的ノイズの改善が図られ、さらに十分な長期信頼性を確保できる電子機器を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の請求項1の半導体装置は、半導体チップと、フレキシブル絶縁基板上に導体パターンが形成された回路基板と、封止用樹脂と、により構成され、前記フレキシブル絶縁基板に設けられた開口部に突き出した導体パターンと前記半導体チップを接合し、前記封止用樹脂によって接合部分を封止する半導体装置において、前記導体パターンは、信号用導体パターンと、電源用導体パターンと、接地用導体パターンと、を含み、前記信号用導体パターンは、前記開口部の長辺に突き出して形成され、前記電源用導体パターンおよび前記接地用導体パターンは、前記開口部を前記開口部の長辺方向に延在して形成され、幅が前記半導体チップと接合するバンプより広く形成されたことを特徴とする。
【0011】
このように形成した本発明は、開口部を跨いで形成した共通リードとなる電源用導体パターンおよび接地用導体パターンの幅が半導体チップと接続するバンプより広く形成してあるため、電流容量を大きくでき、電源インピーダンスを充分低くできるという効果を奏する。
本発明の請求項2に記載の半導体装置は、請求項1に記載の半導体装置において、前記開口部を前記開口部の長辺方向に延在して形成した前記電源用導体パターンおよび前記接地用導体パターンは、それぞれ少なくとも1カ所に褶曲部を有することを特徴とする。
【0012】
この発明によれば、前記導体パターンをこれに対応するパッド群と電気的に接続する際に生じるストレスを、前記褶曲部で緩和しクラックの発生を防止できることから、電子機器に組み込んだ後に前記クラックが成長して断線に至ることがないという効果を奏する。
【0024】
本発明の請求項3に記載の半導体装置は、請求項1または2のいずれかに記載の半導体装置において、前記電源用導体パターンおよび前記接地用導体パターンは、少なくとも1本以上の分岐を有し、該分岐の先端部が前記フレキシブル絶縁基板に接続してあることを特徴とする。
【0025】
このように形成した本発明は、少なくとも1本以上の分岐を有し、該分岐の先端部が前記フレキシブル絶縁基板に接続してあるため、分岐が電源用導体パターンおよび接地用導体パターンを支持する支持部材としての作用をなす。このため、共通用リードと半導体チップの電極との位置合せを容易、確実に行なうことができる。
【0026】
本発明の請求項4記載の半導体装置は、請求項3に記載の半導体装置において、前記分岐は、前記半導体チップと接合する接続用分岐であることを特徴とする。このように構成した本発明は、共通用リードと半導体チップの電極との位置合せを容易、確実に行なうことができるばかりでなく、接続後の検査を困難にすることなく電源用導体パターンおよび接地用導体パターンの幅を太くでき、それ故電源インピーダンスを十分低くできるという効果を奏する。そして接続用分岐はバンプより幅を狭く形成するとよい。
【0027】
本発明の請求項6記載の電子機器は、請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体装置と、該半導体装置に基づいて駆動される表示装置、印字装置または演算装置を具備することを特徴とする。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0033】
図1は、第1実施の形態に係る半導体装置の要部の斜視図である。半導体チップ1の能動面には、複数個の信号用パッド(信号用電極)4、複数個の電源用パッド(電源用電極)7および複数個の接地用パッド(接地用電極)9が設けられている。信号用パッド4は、半導体チップ1の周辺部に沿うように形成されている。一方、電源用パッド7および接地用パッド9は、半導体チップ1の中央部に形成されている。なお、電源用パッド7および接地用パッド9は、半導体チップ1の中央部において、それぞれが列をなすように配置されている。
【0034】
これらのパッド群は後に説明する導体パターンとの電気的な接続のために、バンプ加工されている。回路基板であるフレキシブル絶縁基板2には、デバイスホールとなる開口部5が設けられており、信号用導体パターン3が突き出している。さらに電源用共通リードを構成している電源用導体パターン6と、接地用共通リードを構成している接地用導体パターン8が、開口部5に跨るよう設けられている。なお、開口部5は、半導体チップ上の各パッド4、7、9と各導体パターン3、6、8とを接続するために利用されるものであるが故に、この開口部5の領域内に各パッド4、7、9が位置するような大きさの開口部であれば事足りる。従って、開口部5の大きさ(面積)は、図1に示したように半導体チップ1のサイズ(半導体チップの面積)以上の大きさでも、それ以下の大きさでもよい。
【0035】
電源用導体パターン6には、電源用パッド7に設けたバンプより幅の狭い接続用分岐601が設けられている。同じく接地用導体パターン8にも、接地用パッド9に設けたバンプより幅の狭い接続用分岐801が設けられている。信号用導体パターン3は、対応する所定の信号用パッド4と電気的に直接接続されている。また接続用分岐601は、電源用パッド7に設けたバンプより幅が狭く形成されていて、対応する所定の電源用パッド7と電気的に直接接続されている。同じく接続用分岐801は、接地用パッド9に設けたバンプより幅が狭く形成されていて、対応する所定の接地用パッド9と電気的に直接接続されている。これらの接続には、好ましくは熱圧着による一括接続方式が用いられる。
【0036】
図2は、図1のA−A線に沿った断面図である。図2において、各部分には図1に用いた符号と同一の符号を用いてある。半導体チップ1の能動面と信号用導体パターン3、電源用導体パターン6および接地用導体パターン8は、封止部材10によって封止されている。
【0037】
上記図1から明らかなように、電源用導体パターン6と接地用導体パターン8の幅を電源用パッド7または接地用パッド9のパッドサイズより太くしても、これらのパッドを覆い隠さずにすみ、電源インピーダンスを充分低くすることができて電気的ノイズの改善を図ることができるとともに、電気的な接続後の検査が容易に行えるという効果を奏する。
【0038】
図3は、第2実施の形態に係る半導体装置の要部の構造を示す斜視図である。図3において、各部分には図1に用いた符号と同一の符号を用いてある。電源用導体パターン6および接地用導体パターン8には、それぞれ褶曲部11が設けられている。この褶曲部11の設置位置は各種各様が考えられる。同図に示すごとく、開口部5内においてパッドを挟む位置、すなわち開口部5内における導体パターンの両側に設けてもよいし、また、若干その効果は失われるものの片側だけに設けてもよい。また、隅部でなくても、開口部5内であって、しかもパッドと接続される位置を除く位置であれば、設置可能である。また、両側とさらに内部領域とを組み合わせて設けることも可能である。
【0039】
上記図3から明らかなように、電源用導体パターン6と接地用導体パターン8をこれらに対応するパッド群と電気的に接続するする際、熱および加圧によって導体パターン群に加えられるストレスを褶曲部11が吸収緩和し、導体パターンにクラックが生じることを防止できるという効果を奏する。言い換えると、デバイスホールを跨ぐように形成された半導体パターン(電源用、接地用)においても接続可能であり、特にパッドと一括にて接続することが可能となる。
【0040】
図4は、褶曲部の他の例を示したものである。図4(1)に示した褶曲部12は、S字状に形成したもので、図3に示した褶曲部11より応力集中を避けることができ、亀裂の発生などを防ぐことができる。また、図4(2)に示した褶曲部14は、ドーナツ状に形成したものである。この褶曲部14は、図の左右方向に引張り応力が作用すると、楕円状に変形して応力を吸収する。そして、図4(3)に示した褶曲部16は、半円状に形成したものであり、前記と同様にストレスを吸収することができ、導体パターンの破断を防止することができる。
【0041】
なお、褶曲部の形状は、これらに実施例に示したものに限定されるものではない。また、フレキシブル絶縁基板2は、テープキャリアを構成しているTABテープを使用してもよい。
【0042】
図5は、第3実施の形態に係る半導体装置の要部斜視図であり、図6は図5のB−B線に沿った断面図である。これらの図において、電源用導体パターン6と接地用導体パターン8とは、半導体チップ1がデバイスホール5の内部に配置されたときに、電源用パッド7と接地用パッド9との上部に位置するように形成されている。また、電源用導体パターン6と接地用導体パターン8とは、幅が電源用パッド7、接地用パッド9より広くなるように形成してある。
【0043】
これにより電源用導体パターン6、接地用導体パターン8は、電流容量が大きくなり、電源インピーダンスを充分低くすることができて電気的ノイズの改善を図ることができる。また、導体パターン6、8は、パッド7、9より広く形成してあるため、これらとの位置合せを容易に行なうことができ、製作誤差の許容範囲を大きくできる。
【0044】
図7は、第4実施の形態に係る半導体装置の要部斜視図である。この実施形態に係る半導体装置は、電源用導体パターン6と接地用導体パターン8とに設けた接続用分岐602、802が設けてある。これらの分岐602、802は、幅が電源用パッド7、接地用パッド9より狭く形成してあるとともに、フレキシブル絶縁基板2の上部まで達するような長さを有し、先端部がフレキシブル絶縁基板2に接続してある。
【0045】
このように構成した第4実施の形態の半導体装置は、フレキシブル絶縁基板2に接続した接続用分岐602、802がデバイスホール5を跨いで形成した電源用導体パターン6、接地用導体パターン8を支持する支持部材として作用するため、導体パターン6、8のたるみを防止することができ、電源用パッド7と接続用分岐602との位置合せおよび接地用パッド9と接続用分岐802との位置合せを容易、正確に行なうことができる。また、接続用分岐602、802がフレキシブル絶縁基板2まで延在しているため、複数の電源用パッド7、接地用パッド9を直線状に配置する必要がなく、これらパッド7、9の形成の自由度が増し、半導体チップ1の形成が容易となる。本形態では、接続用分岐をフレキシブル絶縁基板2上まで延長させて電源用導体パターン並びに接地用導体パターンを支持させるようにしたが、必ずしもパッドと接続する接続用分岐を利用しなければならないわけではない。例えば、電源用パッド並びに接地用パッドが一部の領域に集中した密の部分と粗の部分とができる場合には、単に支持のみを目的とする支持専用のダミーパターンを粗の部分に形成してもよい。また、この支持部は、できれば均等に配置した方が好ましい。
【0046】
図8は、第5実施の形態に係る半導体装置の要部斜視図である。この実施の形態に係る半導体装置は、半導体チップ1の電源用電極である電源用パッド7と接地用電極である接地用パッド9とが信号用電極である信号用パッド4より大きく形成してある。また、電源用パッド7と接地用パッド9とに接続する電源用導体パターン6と接地用導体パターン8とは、信号用導体パターン3より幅広く形成してある。これにより、各電源用パッド7と接地用パッド9とのインピーダンスを低下させることができ、ひいては電源インピーダンスを低くなり、電気的ノイズを改善することができる。
【0047】
そして、第5実施の形態においては、電源用パッド7と接地用パッド9との両者を信号用パッド4より大きくした場合について説明したが、電源用パッド7と接地用パッド9とのいずれか一方を信号用パッド4より大きくし、いずれか他方を信号用パッド4と同じ大きさにしてもよい。また、電源用導体パターン6と接地用導体パターン8との幅は、電源用パッド7、接地用パッド9より広くしてもよい。さらに、電源用導体パターン6と接地用導体パターン8とには、電源用パッド7、接地用パッド9と接続する接続用分岐を設けてもよい。そして、電源用導体パターン6と接地用導体パターン8とに設けた接続用分岐は、その先端をフレキシブル絶縁基板2に接続することができる。
【0048】
また、図8の2点鎖線に示したように、電源用導体パターン6と接地用導体パターン8とに分岐603、803を形成するとともに、これらの分岐603、803の先端をフレキシブル基板2に接続することができる。このようにすると、開口部5を跨いで形成した電源用導体パターン6、接地用導体パターン8のたるみを防止することができ、各導体パターン6、8と電源用パッド7、接地用パッド9との位置合せを容易に行なうことができ、褶曲部11が伸びる防ぐことができる。
【0049】
なお、例えば表示装置や印字装置または演算装置などを、前記の第1実施形態ないし第5実施形態に係る半導体装置を用いて駆動するようにし、電子機器にこのような表示装置や印字装置、演算装置を組み込むと、電子機器の電源インピーダンスを充分低くすることができて電気的ノイズの改善が図れるとともに、電源ラインの断線故障を生ずることのない長期的信頼性の高い電子機器を得ることができる。
【0050】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の半導体装置は、開口部を跨いで形成した共通リードとなる導体パターンの幅が半導体チップと接続するバンプより広く形成してあるため、電流容量を大きくでき、電源インピーダンスを充分低くできるという効果を奏する。
【0051】
また、本発明の半導体装置は、電源用または接地用導体パターンを太くすることができるため、電源インピーダンスを十分低くすることができるという効果がある。また、これらの導体パターンに生じるクラックを防止できるため、電子機器に組み込んだ後に電源ラインの断線故障が発生しないという効果がある。
【0052】
さらに、本発明の半導体装置は、開口部を跨いで形成した導体パターンに設けた接続用分岐の先端をフレキシブル絶縁基板に接続したことにより、導体パターンのたるみを防止することができ、接続する半導体チップの電極との位置合せを容易、確実に行なうことができる。
【0053】
また、本発明の電子機器は、電源インピーダンスの十分低い半導体装置を具備するため、電気的ノイズの改善を図れるという効果がある。また、電源ラインの断線故障が発生しない半導体装置を具備するため、十分な長期信頼性を確保できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施の形態を示す要部の斜視図である。
【図2】図1のA−A線に沿った断面図である。
【図3】本発明の第2実施の形態を示す要部の斜視図である。
【図4】実施の形態に係る褶曲部の他の例を示す図である。
【図5】本発明の第3実施の形態に係る半導体装置の要部斜視図である。
【図6】図5のB−B線に沿った断面図である。
【図7】第4実施の形態に係る半導体装置の要部を示す斜視図である。
【図8】第5実施の形態に係る半導体装置の要部を示す斜視図である。
【図9】従来の半導体装置の要部の斜視図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ
2 フレキシブル絶縁基板
3 信号用導体パターン
4 信号用電極(信号用パッド)
5 開口部(デバイスホール)
6 電源用導体パターン
7 電源用電極(電源用パッド)
8 接地用導体パターン
9 接地用電極(接地用パッド)
10 封止部材
11 褶曲部
601、602 接続用分岐
801、802 接続用分岐
Claims (6)
- 半導体チップと、
フレキシブル絶縁基板上に導体パターンが形成された回路基板と、
封止用樹脂と、
により構成され、
前記フレキシブル絶縁基板に設けられた開口部に突き出した導体パターンと前記半導体チップを接合し、前記封止用樹脂によって接合部分を封止する半導体装置において、
前記導体パターンは、
信号用導体パターンと、
電源用導体パターンと、
接地用導体パターンと、
を含み、
前記信号用導体パターンは、前記開口部の長辺に突き出して形成され、
前記電源用導体パターンおよび前記接地用導体パターンは、前記開口部を前記開口部の長辺方向に延在して形成され、幅が前記半導体チップと接合するバンプより広く形成されたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、前記開口部を前記開口部の長辺方向に延在して形成した前記電源用導体パターンおよび前記接地用導体パターンは、それぞれ少なくとも1カ所に褶曲部を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または2のいずれかに記載の半導体装置において、前記電源用導体パターンおよび前記接地用導体パターンは、少なくとも1本以上の分岐を有し、該分岐の先端部が前記フレキシブル絶縁基板に接続してあることを特徴とする半導体装置。
- 請求項3に記載の半導体装置において、前記分岐は、前記半導体チップと接合する接続用分岐であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4に記載の半導体装置において、前記接続用分岐は、幅が前記半導体チップと接続するバンプより狭く形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体装置と、該半導体装置に基づいて駆動される表示装置、印字装置または演算装置を具備することを特徴とする電子機器。
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---|---|
JPH10303246A JPH10303246A (ja) | 1998-11-13 |
JP3577913B2 true JP3577913B2 (ja) | 2004-10-20 |
Family
ID=26384287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28216997A Expired - Lifetime JP3577913B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-10-15 | 半導体装置、およびこれを具備する電子機器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6608368B2 (ja) |
JP (1) | JP3577913B2 (ja) |
KR (1) | KR100505837B1 (ja) |
CN (1) | CN1171307C (ja) |
HK (1) | HK1015531A1 (ja) |
SG (1) | SG65738A1 (ja) |
TW (1) | TW462099B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7157790B2 (en) * | 2002-07-31 | 2007-01-02 | Microchip Technology Inc. | Single die stitch bonding |
US7326594B2 (en) | 2002-07-31 | 2008-02-05 | Microchip Technology Incorporated | Connecting a plurality of bond pads and/or inner leads with a single bond wire |
AU2003267690A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Connector for chip-card |
JP4177233B2 (ja) * | 2003-01-28 | 2008-11-05 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
EP1487015B1 (en) * | 2003-06-10 | 2011-05-04 | STMicroelectronics Srl | Semiconductor electronic device and method of manufacturing thereof |
KR100574954B1 (ko) * | 2003-11-15 | 2006-04-28 | 삼성전자주식회사 | 중앙부 패드와 재 배선된 패드에서 와이어 본딩된집적회로 칩패키지 |
JP4628687B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2011-02-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP4013071B2 (ja) * | 2004-09-06 | 2007-11-28 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
KR100987479B1 (ko) * | 2005-12-19 | 2010-10-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩 및 이를 이용한 반도체 칩 패키지 |
JP4540697B2 (ja) | 2007-08-31 | 2010-09-08 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
JP4472737B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2010-06-02 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置、半導体素子及び基板 |
KR100951667B1 (ko) * | 2008-08-19 | 2010-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 패드를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
KR101680115B1 (ko) * | 2010-02-26 | 2016-11-29 | 삼성전자 주식회사 | 반도체칩, 필름 및 그를 포함하는 탭 패키지 |
KR101367090B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2014-02-25 | 주식회사 실리콘웍스 | 소스드라이버 집적회로 및 상기 소스드라이버 집적회로를 구비하는 디스플레이 장치 |
KR102232435B1 (ko) * | 2014-02-12 | 2021-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 구동 칩 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JP6755855B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2020-09-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置 |
CN105575947B (zh) * | 2015-12-31 | 2019-05-10 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示基板、显示装置以及显示装置的身份识别方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5735361A (en) | 1980-08-12 | 1982-02-25 | Nec Corp | Film carrier lead |
JPS5939930A (ja) | 1982-08-27 | 1984-03-05 | Nissan Motor Co Ltd | タ−ボチヤ−ジヤ |
JPS601968A (ja) | 1983-06-17 | 1985-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JPS6318335A (ja) | 1986-07-10 | 1988-01-26 | Tokuyama Soda Co Ltd | エレクトロクロミツクデイスプレイ素子 |
US4801999A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated circuit lead frame assembly containing voltage bussing and distribution to an integrated circuit die using tape automated bonding with two metal layers |
US4967261A (en) * | 1987-07-30 | 1990-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tape carrier for assembling an IC chip on a substrate |
JPH01289276A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2567961B2 (ja) * | 1989-12-01 | 1996-12-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びリ−ドフレ−ム |
JP3293135B2 (ja) * | 1990-04-24 | 2002-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | 回路セル・アレイを備えた半導体装置 |
KR930003275B1 (ko) * | 1990-05-03 | 1993-04-24 | 삼성전자 주식회사 | 고해상도를 위한 감열 기록소자 |
JPH04287936A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-10-13 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JP2518569B2 (ja) | 1991-09-19 | 1996-07-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2509422B2 (ja) * | 1991-10-30 | 1996-06-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5212402A (en) * | 1992-02-14 | 1993-05-18 | Motorola, Inc. | Semiconductor device with integral decoupling capacitor |
JPH06140535A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | テープキャリアパッケージ型半導体装置 |
JPH06244240A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置 |
JPH077037A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-10 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP3228846B2 (ja) | 1995-02-20 | 2001-11-12 | アルプス電気株式会社 | フィルムキャリアの電極パターン |
JPH08316270A (ja) * | 1995-05-23 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置 |
JP3383475B2 (ja) | 1995-06-12 | 2003-03-04 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム |
JP2663928B2 (ja) * | 1995-08-30 | 1997-10-15 | 日本電気株式会社 | Tabテープ及びtabテープを用いた半導体装置 |
-
1997
- 1997-10-15 JP JP28216997A patent/JP3577913B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-02-21 TW TW087102487A patent/TW462099B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-02-24 US US09/028,456 patent/US6608368B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-26 SG SG1998000440A patent/SG65738A1/en unknown
- 1998-02-27 KR KR10-1998-0007000A patent/KR100505837B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-02-27 CN CNB981057519A patent/CN1171307C/zh not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-01-28 HK HK99100360A patent/HK1015531A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW462099B (en) | 2001-11-01 |
CN1171307C (zh) | 2004-10-13 |
CN1192578A (zh) | 1998-09-09 |
HK1015531A1 (en) | 1999-10-15 |
KR100505837B1 (ko) | 2005-11-11 |
KR19980071873A (ko) | 1998-10-26 |
JPH10303246A (ja) | 1998-11-13 |
SG65738A1 (en) | 1999-06-22 |
US6608368B2 (en) | 2003-08-19 |
US20020020899A1 (en) | 2002-02-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040622 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040705 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080723 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090723 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100723 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110723 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110723 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120723 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120723 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130723 Year of fee payment: 9 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |