JP2567961B2 - 半導体装置及びリ−ドフレ−ム - Google Patents

半導体装置及びリ−ドフレ−ム

Info

Publication number
JP2567961B2
JP2567961B2 JP1312401A JP31240189A JP2567961B2 JP 2567961 B2 JP2567961 B2 JP 2567961B2 JP 1312401 A JP1312401 A JP 1312401A JP 31240189 A JP31240189 A JP 31240189A JP 2567961 B2 JP2567961 B2 JP 2567961B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
semiconductor chip
inner lead
leads
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1312401A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03173464A (ja
Inventor
一郎 安生
村上　　元
マイケル・エイ・ラムソン
ケイ・ゲイル・ハイネ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Texas Instruments Inc filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1312401A priority Critical patent/JP2567961B2/ja
Publication of JPH03173464A publication Critical patent/JPH03173464A/ja
Priority to US07/989,956 priority patent/US5442233A/en
Priority to US08/451,267 priority patent/US5585665A/en
Priority to US08/658,128 priority patent/US5648299A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2567961B2 publication Critical patent/JP2567961B2/ja
Priority to US08/818,730 priority patent/US6030859A/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/4951—Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0612—Layout
    • H01L2224/0613—Square or rectangular array
    • H01L2224/06134—Square or rectangular array covering only portions of the surface to be connected
    • H01L2224/06136—Covering only the central area of the surface to be connected, i.e. central arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45565—Single coating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/4569—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48647—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48747—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48847—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85207—Thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92142—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92147—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に、高集積度の大規
模集積回路のパッケージに適用して有効な技術に関する
ものである。
〔従来技術〕
従来、半導体チップを保護するために樹脂で半導体チ
ップをモールドして封止している。この封止を行う前
に、半導体チップ上にリードを位置決めし、取り付ける
ために、いくつかの方法が用いられている。
例えば、中央にタブを有するリード・フレームを用い
るもので、半導体チップを封入前に取付けて使用する。
この従来技術では、半導体チップの周囲近くにある電極
パッドを、それに対応するインナーリードにボンディン
グワイヤで接続する方法が知られている。
従来技術による半導体パッケージに共通の問題は、金
属リード・フレームのリード線の出口となる金型のパー
ティング・ラインに沿って、亀裂を生じることであっ
た。
また、他の問題は、外部から半導体チップへ、金属リ
ード線に沿って環境中の汚染源が侵入する径路が比較的
短かいことである。
さらに、他の問題は、インナーリードを半導体チップ
の電極パッドに接続するために必要なボンディングワイ
ヤが比較的長いため、かつ交互に入出力端子を割当てる
ために、ボンディングワイヤを交差させることができな
いことであった。
そこで、前記問題を解消するために、半導体チップの
回路形成面上に、複数のインナーリードが、前記半導体
チップと絶縁フィルムを介在させて接着剤で接着され、
該インナーリードと半導体チップとがボンディングワイ
ヤで電気的に接続され、モールド樹脂で封止された半導
体装置において、前記半導体チップの回路形成面の長手
方向の中心線の近傍に共用インナーリード（バスバーイ
ンナーリード）が設けられた半導体装置が提案されてい
る（特開昭61-241959号公報）。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、上記半導体装置では、発熱の大きい部分の放
熱が不充分となることがあるため、半導体装置の信頼性
を劣化させる難点がある。
本発明の目的は、半導体装置の信頼性をより向上せし
め得る技術を提供することにある。
本発明の目的は、半導体装置において、吊りリード部
の構成を簡単にすることができる技術を提供することに
ある。
本発明の他の目的は、半導体装置において、発熱され
た熱の放熱効率の向上を図ることができる技術を提供す
ることにある。
本発明の他の目的は、ボンディング配線用ワイヤと共
用インナーリードとのショートを防止することができる
技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろ
う。
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものの
概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）半導体チップの回路形成面のＸ方向又はＹ方向の
中心線の近傍に共用インナーリード（バスバーインナー
リード）が前記半導体チップと電気的に絶縁する絶縁体
を介在して接着され、かつ前記半導体チップの回路形成
面上に、複数の信号用インナーリードが、前記半導体チ
ップと電気的に絶縁する絶縁体を介在して接着され、該
インナーリード及び共用インナーリードと半導体チップ
とが夫々ボンディングワイヤで電気的に接続され、モー
ルド樹脂で封止される半導体装置であって、前記共用イ
ンナーリードから電気的信号を引き出す目的以外の引き
出しリードを半導体チップの回路形成面上の中央部以外
に有する半導体装置である。
（２）前記共用インナーリードの表面積をワイヤボンデ
ィングに必要な面積よりも大きくした半導体装置であ
る。
（３）前記半導体チップの回路形成面に、その回路形成
面上に配線されるボンディングワイヤと共用インナーリ
ードと交差することのないボンディングパッド（外部端
子）を配設した半導体装置である。
〔作用〕
前記（１）項の手段によれば、共用インナーリードか
ら電気的信号を引き出す目的以外の引き出しリードを半
導体チップの回路形成面上の中央部以外に有するので、
引き出しリードが放熱効率を向上させると共に吊りリー
ドを兼用することができる。
前記（２）項の手段によれば、共用インナーリードの
表面積をワイヤボンディングに必要な面積よりも大きく
したので、放熱効率を向上することができる。
前記（３）項の手段によれば、半導体チップの回路形
成面に、その回路形成面上に配線されるボンディングワ
イヤと共用インナーリードと交差することのないボンデ
ィングパッドを配設したので、複数の信号用インナーリ
ードと半導体チップとを接続するためのボンディング配
線用ワイヤと共用インナーリードのショートを防止する
ことができる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明
する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機
能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
〔実施例Ｉ〕
本発明の実施例ＩであるDRAMを封止する樹脂封止型半
導体装置を第１図（部分断面斜視図）、第２図（平面
図）及び第３図（第２図のイーイ線で切った断面図）で
示す。
第１図、第２図及び第３図に示すように、DRAM（半導
体チップ）１は、SOJ（Ｓmall Ｏut−line Ｊ−bend）
型の樹脂封止型パッケージ２で封止されている。前記DR
AM1は、16［Mbit］×１［bit］の大容量で構成され、1
6.48［mm］×8.54［mm］の平面長方形状で構成されてい
る。このDRAM1は、400［mil］の樹脂封止型パッケージ
２に封止される。
前記DRAM1の回路形成面（以下、主面という）には、
主にメモリセルアレイ及び周辺回路が配置されている。
メモリセルアレイは、後に詳述するが、１［bit］の情
報を記憶するメモリセル（記憶素子）を行列状に複数配
置している。前記周辺回路は、直接周辺回路及び間接周
辺回路で構成されている。直接周辺回路は、メモリセル
の情報書込み動作や情報読出し動作を直接制御する回路
である。直接周辺回路は、ロウアドレスデコーダ回路、
カラムアドレスデコーダ回路、センスアンプ回路等を含
む。間接周辺回路は、前記直接周辺回路の動作を間接的
に制御する回路である。間接周辺回路は、クロック信号
発生回路、バッファ回路等を含む。
前記DRAM1の主面つまり前記メモリセルアレイ及び周
辺回路を配置した表面上には、インナーリード3Aを配置
している。DRAM1とインナーリード3Aとの間には、絶縁
性フィルム４を介在している。絶縁性フィルム４は、例
えばポリイミド系樹脂膜で形成されている。この絶縁性
フィルム４のDRAM1側、インナーリード3A側の夫々の表
面には、接着層（図示しない）が設けられている。接着
層としては、例えばポリエーテルアミドイミド系樹脂や
エポキシ系樹脂を使用する。この種の樹脂封止型パッケ
ージ２は、DRAM1上にインナーリード3Aを配置したLOC
（Ｌead Ｏn Ｃhip）構造を採用している。LOC構造を採
用する樹脂封止型パッケージ２は、DRAM1の形状に規制
されずにインナーリード3Aを自由に引き回せるので、こ
の引き回しに相当する分、サイズの大きなDRAM1を封止
することができる。つまり、LOC構造を採用する樹脂封
止型パッケージ２は、大容量化に基づきDRAM1のサイズ
が大型化しても、封止サイズ（パッケージサイズ）は小
さく抑えられるので、実装密度を高めることができる。
前記インナーリード3Aはその一端側をアウターリード
3Bと一体に構成している。アウターリード3Bは、標準規
格に基づき、夫々に印加される信号が規定され、番号が
付されている。第１図中、左端手前は１番端子、右端手
前は14番端子である。右端後側（端子番号はインナーリ
ード3Aに示す）は15番端子、左端後側は図示していない
が28番端子である。つまり、この樹脂封止型パッケージ
２は１〜６番端子、９〜14番端子、15〜20番端子、23〜
28番端子の合計24端子で構成されている。
前記１番端子は電源電圧Vcc端子である。前記電源電
圧Vccは例えば回路の動作電圧５［Ｖ］である。２番端
子はデータ入力信号端子（Ｄ）、３番端子は空き端子、
４番端子はライトイネーブル信号端子（Ｗ）、５番端子
はロウアドレスストローブ信号端子（RE）、６番端子は
アドレス信号端子（A11）である。
９番端子はアドレス信号端子（A10）、10番端子はア
ドレス信号端子（A0）、11番端子はアドレス信号端子
（A1）、12番端子はアドレス信号端子（A2）、13番端子
はアドレス信号端子（A3）である。14番端子は電源電圧
Vcc端子である。
15番端子は基準電圧Vss端子である。前記基準電圧Vss
は例えば回路の基準電圧０［Ｖ］である。16番端子はア
ドレス信号端子（A4）、17番端子はアドレス信号端子
（A5）、18番端子はアドレス信号端子（A6）、19番端子
はアドレス信号端子（A7）、20番端子はアドレス信号端
子（A8）である。
23番端子〜28番端は図示していないが、23番端子はア
ドレス信号端子（A9）、24番端子は空き端子、25番端子
はカラムアドレスストローブ信号端子（CE）、26番端子
は空き端子、27番端子はデータ出力信号端子、28番端子
は基準電圧Vss端子である。
前記インナーリード3Aの他端側は、DRAM1の長方形状
の夫々の長辺を横切り、DRAM1の中央側に引き伸ばされ
ている。インナーリード3Aの他端側の先端はボンディン
グワイヤ５を介在させてDRAM1の中央部分に配列された
ボンディングパッド（外部端子）BPに接続されている。
前記ボンディングワイヤ５はアルミニウム（Al）ワイヤ
を使用する。また、ボンディングワイヤ５としては、金
（Au）ワイヤ、銅（Cu）ワイヤ、金属ワイヤの表面に絶
縁性樹脂を被覆した被覆ワイヤ等を使用してもよい。ボ
ンディングワイヤ５は熱圧着に超音波振動を併用したボ
ンディング法によりボンディングされている。
前記インナーリード3Aのうち１番端子、14番端子の夫
々のインナーリード（Vcc）3Aは、一体に構成され、DRA
M1の中央部分をその長辺に平行に引き伸ばされている
（このインナーリード（Vcc）3Aは共用インナーリード
又はバスバーインナーリードと言われている）。同様
に、15番端子、28番端子の夫々のインナーリード（Vs
s）3Aは、一体に構成され、DRAM1の中央部分をその長辺
に平行に引き伸ばされている（このインナーリード（Vs
s）3Aは共用インナーリード又はバスバーインナーリー
ドと言われている）。インナーリード（Vcc）3A、イン
ナーリード（Vss）3Aの夫々は、その他のインナーリー
ド3A（信号用インナーリード３A1）の他端側の先端で規
定された領域内において平行に延在させている。このイ
ンナーリード（Vcc）3A、インナーリード（Vss）3Aの夫
々はDRAM1の主面のどの位置においても電源電圧Vcc、基
準電圧Vssを供給することができるように構成されてい
る。つまり、この樹脂封止型半導体装置は、電源ノイズ
を吸収し易く構成され、DRAM1の動作速度の高速化を図
れるように構成されている。
前記DRAM1の長方形状の長辺にはチップ支持用リード
３A21が設けられている。
また、前記DRAM1の長方形状の短辺の中央部には信号
引き出し用でないダミーリード（放熱用リード）3Cが設
けられている。
前記インナーリード3A、アウターリード3B、チップ支
持用リード３A21、ダミーリード3Cの夫々はリードフレ
ームから切断されかつ成型されている。リードフレーム
は例えばFe−Ni（例えばNi含有率42又は50［％］）合
金、Cu等で形成されている。
前記DRAM1、ボンディングワイヤ５、インナーリード3
Aは、チップ支持用リード３A21及びダミーリード3Cはモ
ールド樹脂2Aで封止されている。モールド樹脂2Aは、低
応力化を図るために、フェノール系硬化剤、シリコーン
ゴム及びフィラーが添加されたエポキシ系樹脂を使用し
ている。シリコーンゴムはエポキシ系樹脂の弾性率と同
時に熱膨張率を低下させる作用がある。フィラーは球形
の酸化珪素粒で形成されており、同様に熱膨張率を低下
させる作用がある。また、パッケージ２の所定位置にイ
ンデックスID（第１図及び第２図の左端に設けられた切
り込み）が設けられている。
次に、リードフレームの詳細について説明する。
本実施例Ｉのリードフレームは、第１図及び第４図
（リードフレーム全体平面図）に示すように、20本の信
号用インナーリード３A1と２本の共用インナーリード３
A2が設けられている。
また、前記共用インナーリード３A2の所定位置に、第
１図及び第４図に示すように、前記半導体チップ１の主
面を接着固定するためのチップ支持用リード（吊りリー
ド）３A21が設けられている（前記DRAM1の長方形状の長
辺方向に延長した部分）。
このように吊りリード３A21によって半導体チップ１
の主面を接着固定することにより、半導体チップ１を強
固に固定されるので、半導体装置の信頼性及び耐湿性の
向上を図ることができる。
また、この吊りリード３A21は、共用インナーリード
３A2と一体に形成されているので、発熱部の熱を外部に
放熱することができる。
また、前記共用インナーリード３A2の前記DRAM1の長
方形状の短辺の中央部に相当する位置には信号引き出し
用でないダミーリード（放熱用リード）3Cが設けられて
いる。
このダミーリード3Cは、共用インナーリード３A2と一
体に形成されているので、発熱部の熱を外部に効率良く
放熱することができる。
また、信号用インナーリード３A1、共用インナーリー
ド３A2及びダミーリード3Cは、夫々等間隔に配置されて
いる。
このようにインナーリード3Aを等間隔に配置すること
により、狭い空間と広い空間が形成されないので、半導
体チップ１の主面と絶縁性フィルム４との接着面にボイ
ドの発生を防止することができる。
また、このようにインナーリード3Aを等間隔に配置す
ることにより、夫々のインナーリード3Aに対する電気容
量が一定になるので、ノイズの影響を低減することがで
き、かつ信号伝送速度の高速化を図ることができる。
また、半導体チップ１の主面と絶縁性フィルム４との
接着、絶縁性フィルム４とインナーリード3Aとの接着
は、接着剤で接着する。また、接着剤は、半導体チップ
１の主面と絶縁性フィルム４との接着には用いないで、
絶縁性フィルム４とインナーリード3Aとの接着にのみ使
用してもよい。
次に、リードフレーム３に絶縁性フィルム４を介在さ
せて接着剤を用いて半導体チップ１を接着固定する方法
について説明する。
第５図（リードフレーム３と絶縁性フィルム４と半導
体チップ１との関係を示す展開図）に示すように、半導
体チップ１の主面のインナーリード3A,共用インナーリ
ード３A2，吊りリード３A21及びダミーリード3Cの夫々
に対向する位置の上に、絶縁性フィルム４を介してリー
ドフレーム３のインナーリード3A,共用インナーリード
３A2，吊りリード３A21Ｃ及びダミーリード3Cを接着剤
により接着固定する。
以上の説明からわかるように、本実施例Ｉによれば、
共用インナーリード３A2から電気的信号を引き出す目的
以外の引き出しリードである吊りリード３A21及びダミ
ーリード3Cを共用インナーリード３A2と一体に形成した
ことにより、これらのリード３A21及びリード3Cから熱
が放熱するので、放熱効率を向上することができる。
また、吊りリード３A21を共用インナーリード３A2と
一体に形成したので、吊りリード部の構造を簡単にする
ことができる。
また、インナーリード3A,共用インナーリード３A2及
びダミーリード3Cを夫々等間隔に設けたので、半導体チ
ップとリード間の浮遊容量による信号伝送速度の向上及
び電気ノイズの低減を図ることができる。
これらにより半導体装置の信頼性を向上することがで
きる。
〔実施例II〕
本発明の実施例IIの樹脂封止型半導体装置は、第６図
（リードフレームの平面図）に示すように、前記第１図
及び第４図に示す実施例Ｉの共用インナーリード３A2に
複数の突起３A22を設けて表面積を大きくしたものであ
る。
このように共用インナーリード３A2に複数の突起３A
22を設けて表面積を大きくしたことにより、共用インナ
ーリード３A2の面積をワイヤボンディングに必要な面積
よりも大きくしたので、放熱効率をさらに向上すること
ができる。
これにより半導体装置の信頼性を向上することができ
る。
〔実施例III〕
本発明の実施例IIIの樹脂封止型半導体装置は、第７
図（一部断面斜視図）及び第８図（第７図のリード線で
切った断面図）に示すように、前記第１図に示す実施例
Ｉの半導体チップ１の主面上に、複数の信号用インナー
リード３A1、共用インナーリード３A2及び吊りリード３
A21が、前記半導体チップ１と電気的に絶縁する絶縁性
フィルム４を介在して接着剤で接着され、該信号用イン
ナーリード３A1と共用インナーリード３A2と半導体チッ
プ１とがボンディングワイヤ５で電気的に接続され、樹
脂封止された半導体装置において、前記半導体チップ１
の主面には、その主面上に配線されるボンディングワイ
ヤ５と共用インナーリード３A2と交差することのないボ
ンディングパッドBPが配設したものである。
前記本実施例IIIの半導体チップ１の素子レイアウト
及びボンディングパッドBPは、第９図（レイアウト平面
図）に示すようになっている。
すなわち、DRAM1の表面の略全域にメモリセルアレイ
（MA）が配置されている。本実施例IIIのDRAM1は、これ
に限定されないが、メモリセルアレイは大きく８個のメ
モリセルアレイ11A〜11Hに分割されている。同第９図
中、DRAM1の上側に４個のメモリセルアレイ11A,11B,11C
及び11Dが配置され、下側に４個のメモリセルアレイ11
E,11F,11G及び11Hが配置されている。この８個に分割さ
れたメモリセルアレイ11A〜11Hの夫々は、さらに16個の
メモリセルアレイ（MA）11に細分化されている。つま
り、DRAM1は、128個のメモリセルアレイ11を配置する。
この128個に細分化された１個のメモリセルアレイ11は1
28［Kbit］の容量で構成されている。
前記DRAM1の128個に細分化されたうちの２個のメモリ
セルアレイ11の間には夫々センスアンプ回路（SA）13が
配置されている。センスアンプ回路13は相補型MOSFET
（CMOS）で構成されている。DRAM1の８個に分割された
うちのメモリセルアレイ11A、11B,11C及び11Dの夫々の
下側の一端にはカラムアドレスデコーダ回路（YDEC）12
が配置されている。同様に、メモリセルアレイ11E、11
F,11G及び11Hの夫々の上側の一端にはカラムアドレスデ
コーダ回路（YDEC）12が配置されている。
前記DRAM1の８個に分割されたうちのメモリセルアレ
イ11Aと11Bの間、メモリセルアレイ11Cと11Dの間、メモ
リセルアレイ11Eと11Fの間、メモリセルアレイ11Gと11H
の間には、夫々周辺回路17及び外部端子BPが配置されて
いる。また、メモリセルアレイ11A、11B,11C及び11Dの
夫々の下側と、メモリセルアレイ11E、11F、11G及び11H
の夫々の上側の領域に、周辺回路18が設けられている。
周辺回路17としては、主にメモリアンプ回路、出力バッ
ファ回路、基板電位発生回路（VBBジェネレータ回
路）、電源回路の夫々を配置している。
前記周辺回路18としては、主にロウアドレスストロー
ブ（RE）系回路、ライトイネーブル（Ｗ）系回路、デー
タ入力バッファ回路、Vcc用リミッタ回路、Ｘアドレス
ドライバ回路（論理段）、Ｘ系冗長回路、Ｘアドレスバ
ッファ回路、カラムアドレスストローブ（CE）系回路、
テスト回路、VDL用リミッタ回路、Ｙアドレスドライバ
回路（論理段）、Ｙ系冗長回路、Ｙアドレスバッファ回
路、Ｙアドレスドライバ回路（ドライブ段）、Ｘアドレ
スドライバ回路（ドライバ段）、マット選択信号回路
（ドライブ段）の夫々が配置されている。
前記外部端子BPは、前記樹脂封止型半導体装置２をLO
C構造で構成し、DRAM1の中央部までインナーリード3Aを
引き伸しているので、DRAM1の中央部分に配置され、か
つ前記半導体チップ１の主面に、その主面上に配線され
るボンディングワイヤ５と共用インナーリード３A2と交
差することのないように配設されている。
外部端子１は、メモリセルアレイ11A、11B、11C、11
D、11E、11F、11G及び11Hの夫々で規定された領域内
に、DRAM1の上端側から下端側に向って配置されてい
る。外部端子BPに印加される信号は、前述の第１図に示
す樹脂封止型半導体装置２において説明したので、ここ
での説明は省略する。
基本的には、DRAM1の表面上の上端側から下端側に向
って基準電圧（Vss）、電源電圧（Vcc）の夫々が印加さ
れたインナーリード3Aが延在するので、DRAM1はその延
在方向に沿って基準電圧（Vss）用、電源電圧（Vcc）用
の夫々の外部端子BPを複数配置している。つまり、DRAM
1は基準電圧（Vss）、電源電圧（Vcc）の夫々の電源の
供給が充分に行えるように構成されている。
前述のように、本実施例IIIによれば、前記半導体チ
ップ１の主面には、その主面上に配線されるボンディン
グワイヤ５と共用インナーリード３A2と交差することの
ないボンディングパッドBPが配設されているので、複数
の信号用インナーリード３A1と半導体チップ１とを接続
するためのボンディングワイヤ５と、共用インナーリー
ド３A2のショートを防止することができる。
また、第10図に示すように、前記第７図に示す樹脂封
止型半導体装置の共用インナーリード３A21の中央部に
ダミーリード3Cを設けて、放熱効率をより高めてもよ
い。
これにより半導体装置の信頼性を向上することができ
る。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明した
が、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である
ことは言うまでもない。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
（１）共用インナーリードから電気的信号を引き出す目
的以外の引き出しリードである吊りリード及びダミーリ
ードを共用インナーリードと一体に形成したので、放熱
効率を向上することができる。
また、吊りリードを共用インナーリードと一体に形成
したので、吊りリード部の構造を簡単にすることができ
る。
（２）共用インナーリードの表面積をワイヤボンディン
グに必要な面積よりも大きくしたので、放熱効率を向上
することができる。
（３）半導体チップの主面に、その主面上に配線される
ボンディングワイヤと共用インナーリードと交差するこ
とのないボンディングパッドを配設したので、複数の信
号用インナーリードと半導体チップとを接続するための
ボンディング配線用ワイヤと共用インナーリードのショ
ートを防止することができる。
これらにより半導体装置の信頼性を向上することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例ＩであるDRAMを封止する樹脂
封止型半導体装置の部分断面斜視図、 第２図は、第１図の平面図、 第３図は、第２図のイ−イ線で切った断面図、 第４図は、第１図に示すリードフレームの全体平面図、 第５図は、第１図に示す半導体チップ、絶縁体、リード
フレームの関係を示す組立展開図、 第６図は、本発明の実施例IIであるDRAMを封止する樹脂
封止型半導体装置のリードフレームの全体平面図、 第７図は、本発明の実施例IIIであるDRAMを封止する樹
脂封止型半導体装置の部分断面斜視図、 第８図は、第７図のリ−リ線で切った断面図、 第９図は、本実施例IIIの半導体チップの素子レイアウ
ト及びボンディングパッドBPのレイアウト平面図、 第10図は、第７図の樹脂封止型半導体装置にダミーリー
ドを設けた部分断面斜視図である。 図中、１…DRAM、２…樹脂封止型パッケージ、３…リー
ドフレーム、3A…インナーリード、３A1…信号用インナ
ーリード、３A2…共用インナーリード、３A21…支持用
リード（吊りリード）、３A22…突起、3B…アウターリ
ード、3C…ダミーリード、４…絶縁性フィルム、５…ボ
ンディングワイヤ、11、11A、11B、11C、11D、11E、11
F、11G、11H…メモリセルアレイ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 元 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 マイケル・エイ・ラムソン アメリカ合衆国テキサス州75096、コリ ン・カウンティ、ウエストミンスター （番地なし) (72)発明者 ケイ・ゲイル・ハイネ アメリカ合衆国テキサス州75230、ダラ ス・カウンティ、ダラス（番地なし) (56)参考文献 特開 昭61−241959（ＪＰ，Ａ)

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体チップの回路形成面のＸ方向又はＹ
    方向の中心線の近傍に共用インナーリードが前記半導体
    チップと電気的に絶縁する絶縁体を介在して接着され、
    かつ前記半導体チップの回路形成面上に、複数の信号用
    インナーリードが、前記半導体チップと電気的に絶縁す
    る絶縁体を介在して接着され、該信号用インナーリード
    及び共用インナーリードと半導体チップとが夫々ボンデ
    ィングワイヤで電気的に接続され、かつそれらが封止体
    により封止されて成る半導体装置であって、前記半導体
    チップの回路形成面上の中央部以外に位置して電気的信
    号を引き出す目的以外の引き出しリードが前記共用イン
    ナーリードと一体に形成されて成ることを特徴とする半
    導体装置。
  2. 【請求項２】前記共用インナーリードの表面積をワイヤ
    ボンディングに必要な面積よりも大きくしたことを特徴
    とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】前記半導体チップの回路形成面に、その回
    路形成面上に配線されるボンディングワイヤと共用イン
    ナーリードと交差することのないボンディングパッドを
    配設したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載
    の半導体装置。
  4. 【請求項４】前記共用インナーリードは互いに平行に二
    本配設され、それら共用インナーリードのほぼ中央部に
    位置して、互いに対向する側に延び、かつ分岐してなる
    ダミーリードを有することを特徴とする請求項１に記載
    の半導体装置。
  5. 【請求項５】半導体チップの回路形成面のＸ方向又はＹ
    方向の中心線の近傍に共用インナーリードが前記半導体
    チップと電気的に絶縁する絶縁体を介在して接着され、
    かつ前記半導体チップの回路形成面上に、複数の信号用
    インナーリードが、前記半導体チップと電気的に絶縁す
    る絶縁体を介在して接着され、該信号用インナーリード
    及び共用インナーリードと半導体チップとが夫々ボンデ
    ィングワイヤで電気的に接続され、かつそれらが封止体
    により封止されて成る半導体装置であって、該共用イン
    ナーリードには該信号用インナーリード間に位置した突
    起部を有することを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】信号用インナーリード及び共用インナーリ
    ードと夫々一体となった信号用アウターリード及び共用
    アウターリードが外枠によって一体化され、前記信号用
    インナーリード及び共用インナーリードとが、半導体チ
    ップの回路形成面上に前記半導体チップと電気的に絶縁
    する絶縁体を介在して接着される半導体装置用のリード
    フレームであって、 前記共用インナーリードが半導体チップの回路形成面の
    Ｘ方向又はＹ方向の中心線の近傍に延在し、この共用イ
    ンナーリードの延在部分近傍に前記複数の信号用インナ
    ーリードの端部が配置され、 前記信号用アウターリード及び共用アウターリードが同
    一方向に延びる外枠に連結され、 前記信号用アウターリード及び共用アウターリードの連
    結される外枠に直交する方向へ延びる外枠と前記共用イ
    ンナーリードとを連結する支持用リードを設けたことを
    特徴とするリードフレーム。
JP1312401A 1989-12-01 1989-12-01 半導体装置及びリ−ドフレ−ム Expired - Lifetime JP2567961B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1312401A JP2567961B2 (ja) 1989-12-01 1989-12-01 半導体装置及びリ−ドフレ−ム
US07/989,956 US5442233A (en) 1989-12-01 1992-12-10 Packaged semiconductor device and a lead frame therefor, having a common potential lead with lead portions having dual functions of chip support and heat dissipation
US08/451,267 US5585665A (en) 1989-12-01 1995-05-30 Packaged semiconductor device and a leadframe therefor
US08/658,128 US5648299A (en) 1989-12-01 1996-06-04 Packaged semiconductor device and a leadframe therefor
US08/818,730 US6030859A (en) 1989-12-01 1997-03-14 Method of making a packaged semiconductor device and a lead-frame therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1312401A JP2567961B2 (ja) 1989-12-01 1989-12-01 半導体装置及びリ−ドフレ−ム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03173464A JPH03173464A (ja) 1991-07-26
JP2567961B2 true JP2567961B2 (ja) 1996-12-25

Family

ID=18028800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1312401A Expired - Lifetime JP2567961B2 (ja) 1989-12-01 1989-12-01 半導体装置及びリ−ドフレ−ム

Country Status (2)

Country Link
US (4) US5442233A (ja)
JP (1) JP2567961B2 (ja)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2708191B2 (ja) * 1988-09-20 1998-02-04 株式会社日立製作所 半導体装置
US5068712A (en) * 1988-09-20 1991-11-26 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
JPH05218281A (ja) * 1992-02-07 1993-08-27 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置
JP2677737B2 (ja) * 1992-06-24 1997-11-17 株式会社東芝 半導体装置
US5563443A (en) * 1993-03-13 1996-10-08 Texas Instruments Incorporated Packaged semiconductor device utilizing leadframe attached on a semiconductor chip
JP2888755B2 (ja) * 1994-04-28 1999-05-10 株式会社メガチップス 半導体装置
US6236107B1 (en) * 1994-04-29 2001-05-22 Texas Instruments Incorporated Encapsulate resin LOC package and method of fabrication
JP2674553B2 (ja) * 1995-03-30 1997-11-12 日本電気株式会社 半導体装置
JPH09107048A (ja) 1995-03-30 1997-04-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージ
US5677566A (en) * 1995-05-08 1997-10-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor chip package
KR0144164B1 (ko) * 1995-05-12 1998-07-01 문정환 엘오씨 반도체 패키지 및 반도체 장치를 패키징하는 방법
JP3501316B2 (ja) * 1995-06-16 2004-03-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置及びその製造方法
JPH09102575A (ja) * 1995-09-11 1997-04-15 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 配線上の飛びの無いリードオン・チップのリードフレーム構成
US5796159A (en) * 1995-11-30 1998-08-18 Analog Devices, Inc. Thermally efficient integrated circuit package
US5872398A (en) * 1996-01-11 1999-02-16 Micron Technology, Inc. Reduced stress LOC assembly including cantilevered leads
KR100224770B1 (ko) * 1996-06-24 1999-10-15 김영환 리드 온 칩 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지
US5717246A (en) 1996-07-29 1998-02-10 Micron Technology, Inc. Hybrid frame with lead-lock tape
JPH10242368A (ja) * 1997-02-25 1998-09-11 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法ならびに半導体モジュールおよびｉｃカード
JP3577913B2 (ja) * 1997-02-27 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、およびこれを具備する電子機器
JP3638750B2 (ja) * 1997-03-25 2005-04-13 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US5859801A (en) * 1997-03-28 1999-01-12 Siemens Aktiengesellschaft Flexible fuse placement in redundant semiconductor memory
WO1998054727A2 (en) * 1997-05-30 1998-12-03 Micron Technology, Inc. 256 Meg DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
US5780923A (en) * 1997-06-10 1998-07-14 Micron Technology, Inc. Modified bus bar with Kapton™ tape or insulative material on LOC packaged part
US6580157B2 (en) * 1997-06-10 2003-06-17 Micron Technology, Inc. Assembly and method for modified bus bar with Kapton™ tape or insulative material in LOC packaged part
JP3036498B2 (ja) * 1997-12-08 2000-04-24 日本電気株式会社 半導体パッケージ
US6069026A (en) * 1997-08-18 2000-05-30 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device and method of fabrication
JPH11265971A (ja) * 1998-03-17 1999-09-28 Hitachi Ltd Ｔｓｏｐ型半導体装置
US6168975B1 (en) * 1998-06-24 2001-01-02 St Assembly Test Services Pte Ltd Method of forming extended lead package
JP2000100814A (ja) * 1998-09-18 2000-04-07 Hitachi Ltd 半導体装置
TW410452B (en) * 1999-04-28 2000-11-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package having dual chips attachment on the backs and the manufacturing method thereof
JP3768744B2 (ja) 1999-09-22 2006-04-19 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
US6236567B1 (en) * 1999-12-03 2001-05-22 Caesar Technology Inc. Electronic device package with enhanced heat dissipation effect
JP2001185578A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Toshiba Corp 半導体装置
KR100408391B1 (ko) 2000-06-09 2003-12-06 삼성전자주식회사 전원 배선을 개선한 볼그리드 어레이 패키지 반도체 장치
JP2005329883A (ja) * 2004-05-21 2005-12-02 Yazaki Corp 車両用室内照明灯
US7936053B2 (en) * 2005-11-17 2011-05-03 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with lead structures including a dummy tie bar
TWI317547B (en) * 2006-10-14 2009-11-21 Chipmos Technologies Inc Substrate with heat-dissipating dummy pattern for semiconductor packages
CN101231989B (zh) * 2007-01-25 2010-06-23 南茂科技股份有限公司 增进散热效益的半导体封装载膜与封装构造
JP4472737B2 (ja) * 2007-08-31 2010-06-02 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置、半導体素子及び基板
JP4540697B2 (ja) * 2007-08-31 2010-09-08 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置
JP2009289969A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Nec Electronics Corp リードフレーム
JP7024269B2 (ja) * 2017-09-12 2022-02-24 富士電機株式会社 半導体装置、半導体装置の積層体、及び、半導体装置の積層体の搬送方法
WO2020059751A1 (ja) 2018-09-19 2020-03-26 ローム株式会社 半導体装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56122154A (en) * 1980-02-28 1981-09-25 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPS6153752A (ja) * 1984-08-24 1986-03-17 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ム
IT1213259B (it) * 1984-12-18 1989-12-14 Sgs Thomson Microelectronics Gruppo a telaio di conduttori per circuiti integrati con capacita' di termodispersione incrementata, erelativo procedimento.
US4862245A (en) * 1985-04-18 1989-08-29 International Business Machines Corporation Package semiconductor chip
CA1238119A (en) * 1985-04-18 1988-06-14 Douglas W. Phelps, Jr. Packaged semiconductor chip
JPS63174347A (ja) * 1987-01-13 1988-07-18 Shinko Electric Ind Co Ltd リ−ドフレ−ム
JPH0724274B2 (ja) * 1987-04-24 1995-03-15 株式会社日立製作所 半導体装置及びその製造方法
US4967261A (en) * 1987-07-30 1990-10-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Tape carrier for assembling an IC chip on a substrate
US5068712A (en) * 1988-09-20 1991-11-26 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US4916519A (en) * 1989-05-30 1990-04-10 International Business Machines Corporation Semiconductor package
US5233220A (en) * 1989-06-30 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated Balanced capacitance lead frame for integrated circuits and integrated circuit device with separate conductive layer
US4965654A (en) * 1989-10-30 1990-10-23 International Business Machines Corporation Semiconductor package with ground plane
US5115298A (en) * 1990-01-26 1992-05-19 Texas Instruments Incorporated Packaged integrated circuit with encapsulated electronic devices
JP2528991B2 (ja) * 1990-02-28 1996-08-28 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置及びリ―ドフレ―ム
JP3205235B2 (ja) * 1995-01-19 2001-09-04 シャープ株式会社 リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型

Also Published As

Publication number Publication date
US5585665A (en) 1996-12-17
JPH03173464A (ja) 1991-07-26
US5442233A (en) 1995-08-15
US6030859A (en) 2000-02-29
US5648299A (en) 1997-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2567961B2 (ja) 半導体装置及びリ−ドフレ−ム
EP0461639B1 (en) Plastic-molded-type semiconductor device
JP4372022B2 (ja) 半導体装置
KR100234824B1 (ko) 반도체 장치
JP2763004B2 (ja) 半導体装置
JP2702219B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2891692B1 (ja) 半導体装置
US20020117764A1 (en) Lead-on-chip type of semiconductor package with embedded heat sink
JP2983620B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3104795B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0485837A (ja) 半導体装置
JP2567998B2 (ja) 半導体装置
JP2859360B2 (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の実装構造
JP2748940B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2801319B2 (ja) 半導体装置
JPH0831561B2 (ja) 半導体装置
JP2556628B2 (ja) 半導体装置
JPH0529528A (ja) 半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレーム
JP2971594B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP2758676B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2698064B2 (ja) 半導体装置
JP2698065B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0574668A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH03201545A (ja) 半導体装置
JP2695404B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091003

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091003

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101003

Year of fee payment: 14

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101003

Year of fee payment: 14