JP3768744B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、2枚の半導体チップを積層して樹脂封止した半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
DRAM(Dynamic Random Access Memory)やSRAM(Static Random Access Memory) などのメモリLSIを形成した半導体チップの高密度実装を目的とした樹脂封止型半導体装置が、特開平7−58281号公報に記載されている。
【0003】
上記公報に記載された樹脂封止型半導体装置は、SOJ(Small Outline J-leaded)型のパッケージで構成され、トランスファ・モールド法によって成形された樹脂封止体の内部には、同じ記憶容量のメモリLSIを形成した2個の半導体チップが上下に積層された状態で封止されている。
【0004】
上記2個の半導体チップは、それぞれの素子形成面が互いに対向するように配置され、それぞれの回路形成面上には、複数本のリードのインナーリード部が絶縁フィルムを介して配置されている。すなわち、この樹脂封止型半導体装置は、半導体チップの回路形成面上にインナーリード部を配置するLOC(Lead On Chip)構造で構成され、それぞれのインナーリード部は、ワイヤを介して半導体チップの対応するボンディングパッドと電気的に接続されている。
【0005】
上記2個の半導体チップの一方は、第1のリードフレームのリードに固定された状態で樹脂封止され、他方は、第2のリードフレームのリードに固定された状態で樹脂封止される。すなわち、この樹脂封止型半導体装置は、2枚のリードフレームを使って製造される。
【0006】
上記2個の半導体チップの一方に接続されたリードのインナーリード部と他方に接続されたリードのインナーリード部とは、樹脂封止体の内部で互いに接近する方向に折り曲げられ、レーザによって溶接接合されている。これらのリードのうち、一方の半導体チップに接続されたリードの他端部は、樹脂封止体の側面から外部に引き出されてアウターリード部を構成している。これに対し、もう一方の半導体チップに接続されたリードの他端部は、上記レーザによる溶接接合工程の後、トランスファ・モールド工程に先立って樹脂封止体の内部で切断されるため、樹脂封止体の外部には引き出されない。すなわち、樹脂封止体から引き出されたアウターリード部は、2個の半導体チップに共通の外部接続端子を構成している。
【0007】
なお、本発明者は、本発明の完成後に公知例調査を行った。その結果、樹脂封止体の内部に2個の半導体チップを積層して封止する半導体装置に関する上記以外の従来技術として、さらに特開平5−82719号公報および特表平10−506226号公報を見出した。しかしながら、後に詳述する本発明の半導体装置におけるリードフレーム構造に関しては、これらの公報のいずれにも記載がなされていない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
第1リードフレームのリードに固定された第1半導体チップと第2リードフレームのリードに固定された第2半導体チップとを積層して樹脂封止する前記特開平7−58281号公報記載のSOJ型パッケージは、2枚のリードフレームを使用するために、1枚のリードフレームを使用する通常のSOJ型パッケージに比べて部材点数が多くなり、その分、パッケージの製造コストが増加する。
【0009】
また、上記SOJ型パッケージは、第1半導体チップの回路形成面上に第1リードフレームのインナーリード部を配置し、第2半導体チップの回路形成面上に第2リードフレームのインナーリード部を配置するLOC構造を採用しているため、半導体チップの積層方向における樹脂封止体の厚さを薄くすることが困難となる。
【0010】
本発明の目的は、2個の半導体チップを積層して樹脂封止した半導体装置の製造コストを低減する技術を提供することにある。
【0011】
本発明の他の目的は、2個の半導体チップを積層して樹脂封止した半導体装置の薄型化を推進する技術を提供することにある。
【0012】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【0014】
本発明の半導体装置は、裏面同士が対向するように重ね合わされた第1および第2半導体チップの側面近傍に固定電位リードが配置され、複数の信号リードおよび前記固定電位リードそれぞれの一面と前記第1半導体チップの主面に形成された複数のボンディングパッドとが複数のワイヤによって電気的に接続され、前記複数の信号リードおよび前記固定電位リードのそれぞれの他面と前記第2半導体チップの主面に形成された複数のボンディングパッドとが複数のワイヤによって電気的に接続され、前記第1および第2半導体チップと、前記複数の信号リードと、前記固定電位リードと、前記複数のワイヤとが樹脂封止されている。
【0015】
また、本発明の半導体装置は、前記第1および第2半導体チップのいずれか一方の主面に、前記第1および第2半導体チップを支持する吊りリードが固着されている。
【0016】
また、本発明の半導体装置は、前記第1および第2半導体チップが、それらの裏面の一部が重なり合わないように互いの位置をずらして対向配置され、前記固定電位リードの一部は、前記第1半導体チップの裏面の前記重なり合っていない領域に固着され、前記固定電位リードの他の一部は、前記第2半導体チップの裏面の前記重なり合っていない領域に固着されている。
【0017】
また、本発明の半導体装置は、前記固定電位リードの一部が前記第1および第2半導体チップの間に介在してそれらの裏面に固着され、前記固定電位リードの他の一部が前記第1および第2半導体チップの側面から外方に延在している。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【0019】
(実施の形態1)
図1は、本実施形態の半導体装置の上面をモールド樹脂の一部を除去した状態で示す平面図、図2は、この半導体装置の下面(実装面)をモールド樹脂の一部を除去した状態で示す平面図、図3は、この半導体装置の短辺方向(図1のIII −III 線)に沿った断面図、図4は、同じく長辺方向(図1のIV−IV線)に沿った断面図である。
【0020】
本実施形態の半導体装置は、2枚の半導体チップ(以下、単にチップという)1A、1Bを積層してモールド樹脂2で封止したTSOP(Thin Small Out-line Package) である。このTSOP1の平面形状は長方形であり、その幅(短辺の長さ)は例えば400ミル(mil) 、厚さは例えば1mmである。
【0021】
モールド樹脂2で封止された上記2枚のチップ1A、1Bは、それぞれの裏面が対向するように積層されている。すなわち、下層のチップ(第1半導体チップ)1Aは、その下面が回路形成面(主面)となっており、上層のチップ(第2半導体チップ)1Bは、その上面が回路形成面(主面)となっている。チップ1Aの裏面とチップ1Bの裏面とは、接着剤6によって互いに固着されている。
【0022】
上記2枚のチップ1A、1Bは、同一の外形寸法を有する長方形の単結晶シリコンチップであり、それらの回路形成面には、例えば64メガビット(Mbit )×4ビット(bit) のワード×ビット構成を有するDRAMが形成されている。すなわち、本実施形態のTSOP1は、64メガビット×4ビットのワード×ビット構成を有する同一品種のDRAMチップ1A、1Bを積層し、これらをモールド樹脂2で封止することによって128メガビット×8ビットのワード×ビット構成を有する大容量のDRAMパッケージを実現している。
【0023】
上記2枚のチップ1A、1Bのそれぞれの回路形成面の中央部には、その長辺方向に沿って一列に配置された複数のボンディングパッドBP(外部端子)が形成されている。すなわち、これらのチップ1A、1Bは、回路形成面の中央部にボンディングパッドBPを配置するセンターパッド方式を採用している。2枚のチップ1A、1Bは、一方のチップ1Aの回路形成面と他方のチップ1Bの回路形成面とがこのボンディングパッドBP列を対称軸として互いにミラー反転された状態で積層されている。
【0024】
上記2枚のチップ1A、1Bは、それらの長辺方向に沿って平行に延在する2本の吊りリード3A、3Aによって支持され、モールド樹脂2の内部の中央に配置されている。これらの吊りリード3Aは、例えば両面に接着剤(図示せず)が塗布されたポリイミドなどの耐熱性樹脂からなる絶縁フィルム4を介して下層のチップ1Aの回路形成面(下面)に固着されている。図4に示すように、吊りリード3Aの一部は、上層のチップ1Bの上部と下層のチップ1Aの下部とでモールド樹脂2の厚さをほぼ均等にするために、チップ1A、1Bの短辺近傍で下方に折り曲げられている。
【0025】
上記モールド樹脂2の二つの長辺の側面には、TSOP1の外部接続端子を構成する複数本のバスバーリード(固定電位リード)3Bおよびリード(信号リード)3Cが設けられている。バスバーリード3Bおよびリード3Cのそれぞれは、モールド樹脂2の内外に亘って延在しており、モールド樹脂2の内側の部分がインナーリード部、外側の部分がアウターリード部と呼ばれている。
【0026】
図1および図2に示すように、上記バスバーリード3Bおよびリード3Cのそれぞれのアウターリード部には、1番から54番までの端子番号が付されている。TSOP1をその上方から見た場合(図1)、左側列最上部のバスバーリード3Bが1番端子となり、以降、反時計回り方向に順次番号が増加し、右側列最上部のバスバーリード3Bが54番端子となっている。1番端子のバスバーリード3Bおよび27番端子のバスバーリード3Bは、モールド樹脂2の内側で一体に構成されている。また、28番端子のバスバーリード3Bおよび54番端子のバスバーリード3Bは、モールド樹脂2の内側で一体に構成されている。
【0027】
また、上記バスバーリード3Bおよびリード3Cのそれぞれのアウターリード部には、端子名が付されている。図1に表示した端子名は、上層のチップ1Bの端子名であり、図2に表示した端子名は、下層のチップ1Aの端子名である。
【0028】
Vccは電源電位(例えば3[V])に電位固定される電源電位端子、Vssは基準電位(例えぱ0[V])に電位固定される基準電位端子である。RASはロウアドレスストローブ端子、CASはカラムアドレスストローブ端子、WEはリード/ライトイネーブル端子、DQMは入出力マスク端子、CLKはクロック端子、CLEはクロックイネーブル端子、CSはチップセレクト端子、A0 〜A13はアドレス入力端子である。これらの端子は、いずれも2枚のチップ1A、1Bに共通の端子である。
【0029】
DQ0 〜DQ7 はデータ入出力端子である。これらの端子のうち、図1に示すDQ0 〜DQ3 は上層のチップ1Bのデータ入出力端子であり、これらの端子名が付されたリード3C(53番、50番、47番、44番)は、下層のチップ1AのNC(空き)端子になっている(図2)。また、図2に示すDQ4 〜DQ7 は下層のチップ1Aのデータ入出力端子であり、これらの端子名が付されたリード3C(11番、8番、5番、2番)は、上層のチップ1BのNC(空き)端子になっている(図1)。なお、4番、7番、10番、13番、15番、36番、40番、42番、45番、48番および51番の番号が付されたリード3Cは、2枚のチップ1A、1Bのいずれにも接続されていないNC端子である。
【0030】
モールド樹脂2の内部において、上記バスバーリード3Bは、主としてチップ1A、1Bの二つの長辺の側面近傍に1本ずつ配置されている。一方のバスバーリード3Bの両端部(アウターリード部)はモールド樹脂2の外部に引き出され、1番および27番の端子番号が付された電源電位端子(Vcc)を構成している。また、他方のバスバーリード3Bの両端部(アウターリード部)はモールド樹脂2の外部に引き出され、28番および54番の端子番号が付された基準電位端子(Vss)を構成している。これらのバスバーリード3B、3Bと上層のチップ1BのボンディングパッドBPとは、Auなどの低抵抗金属からなるワイヤ5を介して電気的に接続されている(図1)。同様に、これらのバスバーリード3B、3Bと下層のチップ1AのボンディングパッドBPとは、ワイヤ5を介して電気的に接続されている(図2)。
【0031】
モールド樹脂2の内部において、複数本のリード3Cのインナーリード部は、チップ1A、1Bを囲むように配置され、それらの先端部はバスバーリード3Bよりも僅かに外側に位置している。これらのリード3Cのうち、2枚のチップ1A、1Bに共通の端子である電源電位端子(Vcc)、基準電位端子(Vss)、ロウアドレスストローブ端子(RAS)、カラムアドレスストローブ端子(CAS)、リード/ライトイネーブル端子(WE)、入出力マスク端子(DQM)、クロック端子(CLK)、クロックイネーブル端子(CLE)、チップセレクト端子(CS)およびアドレス入力端子(A0 〜A13)を構成するリード3Cのインナーリード部は、チップ1Aの対応するボンディングパッドBPおよびチップ1Bの対応するボンディングパッドBPとそれぞれワイヤ5を介して電気的に接続されている(図1、図2)。
【0032】
また、上層のチップ1Bのデータ入出力端子(DQ0 〜DQ3 )を構成するリード3Cのインナーリード部は、チップ1Bの対応するボンディングパッドBPとワイヤ5を介して電気的に接続されており(図1)、下層のチップ1Aのデータ入出力端子(DQ4 〜DQ7 )を構成するリード3Cのインナーリード部は、チップ1Aの対応するボンディングパッドBPとワイヤ5を介して電気的に接続されている(図2)。
【0033】
次に、上記のように構成されたTSOP1の製造方法を図5〜図14を用いて工程順に説明する。
【0034】
図5は、TSOP1の製造に用いるリードフレームLF1の平面図である。このリードフレームLF1は、長方形の枠体10の内側に吊りリード3A、バスバーリード2Bおよびリード3Cなどの部材を形成した構成になっている。
【0035】
上記バスバーリード2Bおよびリード3Cのうち、図の左側のリード群は、リードフレームLF1の長辺方向に延在する1本のダムバー11Aによって互いに連結されている。同様に、図の右側のリード群は、リードフレームLF1の長辺方向に延在するもう1本のダムバー11Bによって互いに連結されている。これらのダムバー11A、11Bは、後述する製造工程でモールド樹脂2を成形する際に、溶融樹脂がモールド金型のキャビティから外部に漏出するのを防止するための部材である。
【0036】
上記リードフレームLF1は、例えば42アロイのような鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金あるいは銅(Cu)などからなる薄い板材をエッチング加工して枠体10、吊りリード3A、バスバーリード2B、リード3Cおよびダムバー11A、11Bなどの部材を形成した後、吊りリード3Aの一部をプレス加工で前記図4に示すような形状に折り曲げることによって製造される。リードフレームLF1を構成する板材の厚さは例えば0.1mm〜0.12mm、ダムバー11A、11Bの近傍におけるバスバーリード2Bおよびリード3Cの幅は例えば0.4mm、ピッチは例えば1.27mmである。なお、実際のリードフレームLF1は、5〜6個程度のTSOPを同時に成形できるような多連構造になっているが、図5にはTSOP1個分の領域が示されている。
【0037】
上記リードフレームLF1を使ってTSOP1を製造するには、まず、図6および図7(図6のVII −VII 線に沿った概略断面図)に示すように、リードフレームLF1の中央部に第1のチップ1Aを搭載する。リードフレームLF1にチップ1Aを搭載するには、例えば両面にアクリル/エポキシ樹脂系の接着剤を塗布した絶縁フィルム4をチップ1Aの主面(回路形成面)に貼り付け、次いでこの絶縁フィルム4をリードフレームLF1の吊りリード3Aに貼り付ける。あるいは、あらかじめ吊りリード3Aに絶縁フィルム4を貼り付けておき、この絶縁フィルム4にチップ1Aの主面を貼り付けてもよい。TSOP1の厚さを1mm以下にまで薄くするためには、あらかじめチップ1A(およびチップ1B)の裏面を研磨し、その厚さを200μm 以下、望ましくは100μm 以下にまで薄くしておく。また、絶縁フィルム4としては、厚さ50μm 以下、望ましくは30μm 以下のものを使用する。
【0038】
次に、図8に示すように、チップ1Aを搭載したリードフレームLF1をワイヤボンディング装置(図示せず)のヒートステージ20に搭載し、チップ1Aの裏面を真空吸着などによってヒートステージ20に固定した後、リードフレームLF1のバスバーリード2Bおよびリード3Cとチップ1Aの対応するボンディングパッドBPとをワイヤ5で電気的に接続する。ワイヤ5としては、例えば金(Au)ワイヤを使用する。また、ワイヤ5による接続方法としては、例えば熱圧着と超音波振動とを併用したワイヤボンディング方法を使用する。
【0039】
次に、図9および図10に示すように、チップ1Aの裏面に第2のチップ1Bの裏面を重ね合わせ、Agペーストなどの接着剤6を使って裏面同士を接着した後、図11および図12に示すように、リードフレームLF1のバスバーリード3Bおよびリード3Cとチップ1Bの対応するボンディングパッドBPとをワイヤ5で電気的に接続する。
【0040】
次に、上記リードフレームLF1をモールド金型(図示せず)に装着し、図13および図14に示すように、2枚のチップ1A、1Bおよびワイヤ5をリードフレームLF1の一部と共にモールド樹脂2で封止する。モールド樹脂2としては、例えばシリカが含有されたエポキシ系樹脂を使用する。
【0041】
その後、モールド樹脂2の外部に露出したリードフレームLF1の表面に半田メッキを施した後、リードフレームLF1の不要個所(ダムバー11A、11Bおよび枠体10)の切断除去およびモールド樹脂2の側面とダムバー11A、11Bとの隙間に残った樹脂の除去(バリ取り)などを行い、続いてモールド樹脂2の外部に露出したバスバーリード2Bおよびリード3Cのアウターリード部をガルウィング状に成形することにより、前記図1〜図4に示すTSOP1が完成する。
【0042】
このように、本実施の形態によれば、DRAMが形成された2枚のチップ1A、1Bを積層してモールド樹脂2で封止したことにより、一枚のチップをモールド樹脂で封止したTSOPに比べて実質的に2倍の容量を有するDRAMパッケージを実現することができる。すなわち、本実施形態のTSOP1をモジュール基板に実装することにより、パソコンやWS(ワークステーション)などのメインメモリに用いて好適な大容量DIMM(Dual In-line Memory Module)を実現することができる。なお、本実施形態のTSOP1は、通常のTSOPと同じ方法でモジュール基板に実装することができる。
【0043】
本実施の形態によれば、2枚のチップ1A、1Bを一枚のリードフレームLF1の吊りリード3Aで支持することにより、部材点数の増加が抑制されるので、2枚のチップ1A、1Bをモールド樹脂2で封止するTSOPの製造コストを低減することができる。また、2枚のチップ1A、1Bのそれぞれの主面上にリードを配置するLOC構造に比べてチップ1A、1Bの積層方向におけるモールド樹脂2の厚さを薄くすることができるので、超薄型のTSOP1を実現することもできる。
【0044】
(実施の形態2)
図15は、本実施形態の半導体装置の上面をモールド樹脂の一部を除去した状態で示す平面図、図16は、この半導体装置の下面(実装面)をモールド樹脂の一部を除去した状態で示す平面図、図17および図18は、この半導体装置の短辺方向に沿った断面図、図19(a)、(b)は、この半導体装置の長辺方向に沿った断面図である。
【0045】
前記実施形態1のTSOP1は、裏面同士を重ね合わせて積層した2枚のチップ1A、1Bを2本の吊りリード3A、3Aによって支持したが、本実施形態のTSOP2は、裏面同士を重ね合わせて積層した2枚のチップ1A、1Bを2本のバスバーリード3B、3Bによって支持している。すなわち、このTSOP2は、バスバーリード3Bが前記TSOP1の吊りリード3Aを兼ねた構成になっている。
【0046】
上記2枚のチップ1A、1Bは、互いの位置がそれらの短辺方向に僅かにずれており、両者の重なり合った領域のみが接着剤6によって互いに固着されている。すなわち、下層のチップ1Aは、一方の長辺の近傍において上面(裏面)の一部が上層のチップ1Bと重なり合っておらず、この領域には絶縁フィルム4を介して一本のバスバーリード3Bが固着されている。同様に、上層のチップ1Bは、一方の長辺の近傍において下面(回路形成面)の一部が下層のチップ1Aと重なり合っておらず、この領域には絶縁フィルム4を介してもう一本のバスバーリード3Bが固着されている。絶縁フィルム4としては、前記実施形態1と同様、両面に接着剤(図示せず)が塗布されたものを使用する。
【0047】
図18に示すように、上記チップ1A、1Bの長辺近傍において、チップ1Aの上面に固着されたバスバーリード3Bおよびチップ1Bの下面に固着されたバスバーリード3Bのそれぞれには、その延在方向と直交する方向に延在する複数本の短い分岐リード3Dが形成されており、チップ1A、1Bとバスバーリード3Bとを電気的に接続するワイヤ5の一端は、これらの分岐リード3Dの先端部にボンディングされている。また、図19(a)、(b)に示すように、2本のバスバーリード3Bの一方は、チップ1A、1Bの短辺近傍で上方に折り曲げられ、他方はチップ1A、1Bの短辺近傍で下方に折り曲げられている。
【0048】
図15および図16に示すように、上記バスバーリード3Bおよびリード3Cのそれぞれのアウターリード部には、1番から54番の端子番号が付されている。それらの端子名は前記実施形態1と同じであるため、その表示は省略する。
【0049】
図20は、上記TSOP2の製造に用いるリードフレームLF2の平面図である。このリードフレームLF2は、長方形の枠体10の内側にバスバーリード3B、リード3Cおよびダムバー11A、11Bなどの部材などを形成した構成になっている。
【0050】
上記リードフレームLF2を使ったTSOP2の製造は、前記実施形態1で説明した方法に準じて行えばよい。すなわち、図示は省略するが、まずリードフレームLF2に形成された2本のバスバーリード3Bの一方に絶縁フィルム4を介して第1のチップ1Aを固着した後、バスバーリード2Bおよびリード3Cとチップ1Aの対応するボンディングパッドBPとをワイヤ5で電気的に接続する。次に、もう一本のバスバーリード3Bに絶縁フィルム4を介して第2のチップ1Bを固着すると共にチップ1A、1Bの裏面同士を接着剤6で固着した後、バスバーリード3Bおよびリード3Cとチップ1Bの対応するボンディングパッドBPとをワイヤ5で電気的に接続する。
【0051】
次に、上記リードフレームLF2をモールド金型に装着し、2枚のチップ1A、1Bおよびワイヤ5をリードフレームLF2の一部と共にモールド樹脂2で封止する。続いて、モールド樹脂2の外部に露出したリードフレームLF2の表面に半田メッキを施し、さらにリードフレームLF2の不要個所の切断除去およびモールド樹脂2のバリ取りなどを行った後、モールド樹脂2の外部に露出したバスバーリード2Bおよびリード3Cのアウターリード部をガルウィング状に成形することにより、前記図15〜図19に示すTSOP2が完成する。
【0052】
(実施の形態3)
図21は、本実施形態の半導体装置の上面をモールド樹脂の一部を除去した状態で示す平面図、図22は、この半導体装置の下面(実装面)をモールド樹脂の一部を除去した状態で示す平面図、図23は、この半導体装置の短辺方向に沿った断面図、図24は、この半導体装置の長辺方向に沿った断面図である。
【0053】
本実施形態のTSOP3は、裏面同士を対向させた2枚のチップ1A、1Bの間に、それらの長辺方向に沿って平行に延在する2本のバスバーリード3B、3Bを挟み込むことによってチップ1A、1Bを支持している。これらのバスバーリード3Bは、両面に接着剤(図示せず)が塗布された絶縁フィルム4を介してチップ1A、1Bのそれぞれの裏面に固着されている。すなわち、このTSOP3は、バスバーリード3Bが前記TSOP1の吊りリード3Aを兼ねた構成になっている。
【0054】
チップ1A、1Bの間に挟まれた上記2本のバスバーリード3B、3Bのそれぞれの一部は、チップ1A、1Bの側面から外方に延在しており、そこに形成された分岐リード3Dの先端部には、チップ1A、1Bとバスバーリード3Bとを電気的に接続するワイヤ5の一端がボンディングされている。
【0055】
図21および図22に示すように、上記バスバーリード3Bおよびリード3Cのそれぞれのアウターリード部には、1番から54番の端子番号が付されている。それらの端子名は前記実施形態1と同じであるため、その表示は省略する。
【0056】
図25は、上記TSOP3の製造に用いるリードフレームLF3の平面図である。このリードフレームLF3は、長方形の枠体10の内側にバスバーリード3B、リード3Cおよびダムバー11A、11Bなどの部材などを形成した構成になっている。
【0057】
上記リードフレームLF3を使ったTSOP3の製造は、前記実施形態1で説明した方法に準じて行えばよい。すなわち、図示は省略するが、まずリードフレームLF2に形成された2本のバスバーリード3Bの片面に絶縁フィルム4を介して第1のチップ1Aを固着した後、バスバーリード2Bおよびリード3Cとチップ1Aの対応するボンディングパッドBPとをワイヤ5で電気的に接続する。次に、バスバーリード3Bのもう一方の面に絶縁フィルム4を介して第2のチップ1Bを固着した後、バスバーリード3Bおよびリード3Cとチップ1Bの対応するボンディングパッドBPとをワイヤ5で電気的に接続する。
【0058】
次に、上記リードフレームLF3をモールド金型に装着し、2枚のチップ1A、1Bおよびワイヤ5をリードフレームLF3の一部と共にモールド樹脂2で封止する。続いて、モールド樹脂2の外部に露出したリードフレームLF3の表面に半田メッキを施し、さらにリードフレームLF3の不要個所の切断除去およびモールド樹脂2のバリ取りなどを行った後、モールド樹脂2の外部に露出したバスバーリード2Bおよびリード3Cのアウターリード部をガルウィング状に成形することにより、前記図21〜図24に示すTSOP3が完成する。
【0059】
以上、本発明者によってなされた発明を前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0060】
例えば図26に示すように、2枚のチップ1A、1Bを支持する吊りリード3Aの長さを前記実施形態1の吊りリード3Aより短くしてもよい。このようにすると、前記実施形態1に比べてチップ1Aと吊りリード3Aとの接触面積が減少するのでチップ1A、1Bの安定性が若干低下するが、チップ1Aと吊りリード3Aとの間に介在する絶縁フィルム(4)の面積も減少するので、絶縁フィルム(4)の吸湿量が少なくなり、TSOP1のリフロークラック耐性が向上するという効果が得られる。
【0061】
同様に、前記実施形態2や前記実施形態3において、バスバーリード3Bの機能を損なわない範囲でその形状や長さを変更することもできる。
【0062】
また、リードフレームLFのバスバーリード3B(またはリード3C)とチップ1A、1BのボンディングパッドBPとをワイヤ5で接続する際は、図27に示すように、バスバーリード3B(またはリード3)の表面にワイヤ5の一端を接続(ファースト・ボンディング)してからボンディングパッドBPの表面にワイヤ5の他端を接続(セカンド・ボンディング)するリバース・ボンディング方式を採用してもよい。このようにすることにより、ワイヤ5のループ高さを低くすることができるので、TSOPの厚さをさらに薄くすることができる。
【0063】
本発明はTSOPに限定されるものではなく、例えばTSOJなど、アウターリード部の形状が異なる他の樹脂封止型半導体装置に適用することもできる。また、チップはDRAMに限定されるものではなく、例えばSRAMやフラッシュメモリなどのメモリLSIを形成したチップを使用することもできる。
【0064】
【発明の効果】
本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【0065】
本発明によれば、2個の半導体チップを積層して樹脂封止する半導体装置の製造コストを低減することができる。
【0066】
本発明によれば、2個の半導体チップを積層して樹脂封止する半導体装置の薄型化を推進することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1である半導体装置の上面を示す平面図である。
【図2】本発明の実施形態1である半導体装置の下面を示す平面図である。
【図3】図1のIII −III 線に沿った半導体装置の断面図である。
【図4】図1のIV−IV線に沿った半導体装置の断面図である。
【図5】本発明の実施形態1である半導体装置の製造に用いるリードフレームの平面図である。
【図6】本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図7】本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図8】本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図9】本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図10】本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図11】本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図12】本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図13】本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図14】本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図15】本発明の実施形態2である半導体装置の上面を示す平面図である。
【図16】本発明の実施形態2である半導体装置の下面を示す平面図である。
【図17】本発明の実施形態2である半導体装置の断面図である。
【図18】本発明の実施形態2である半導体装置の断面図である。
【図19】(a)、(b)は、本発明の実施形態2である半導体装置の断面図である。
【図20】本発明の実施形態2である半導体装置の製造に用いるリードフレームの平面図である。
【図21】本発明の実施形態3である半導体装置の上面を示す平面図である。
【図22】本発明の実施形態3である半導体装置の下面を示す平面図である。
【図23】本発明の実施形態3である半導体装置の断面図である。
【図24】本発明の実施形態3である半導体装置の断面図である。
【図25】本発明の実施形態3である半導体装置の製造に用いるリードフレームの平面図である。
【図26】本発明の他の実施形態である半導体装置の上面を示す平面図である。
【図27】本発明の他の実施形態である半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
1A、1B 半導体チップ
2 モールド樹脂
3A 吊りリード
3B バスバーリード(固定電位リード)
3C リード(信号リード)
3D 分岐リード
4 絶縁フィルム
5 ワイヤ
6 接着剤
10 枠体
11A、11B ダムバー
20 ステージ
BP ボンディングパッド
LF1〜LF3 リードフレーム
Claims (15)
- 裏面同士が対向するように重ね合わされた第1および第2半導体チップの側面近傍に固定電位リードが配置され、前記第1および第2半導体チップは、それらの裏面の一部が重なり合わないように互いの位置をずらして対向配置され、前記固定電位リードの一部は、前記第1半導体チップの裏面の前記重なり合っていない領域に固着され、前記固定電位リードの他の一部は、前記第2半導体チップの裏面の前記重なり合っていない領域に固着され、複数の信号リードおよび前記固定電位リードそれぞれの一面と前記第1半導体チップの主面に形成された複数のボンディングパッドとが複数のワイヤによって電気的に接続され、前記複数の信号リードおよび前記固定電位リードのそれぞれの他面と前記第2半導体チップの主面に形成された複数のボンディングパッドとが複数のワイヤによって電気的に接続され、前記第1および第2半導体チップと、前記複数の信号リードと、前記固定電位リードと、前記複数のワイヤとが樹脂封止された半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記第1および第2半導体チップのいずれか一方の主面には、前記第1および第2半導体チップを支持する吊りリードが固着されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2記載の半導体装置において、前記吊りリードは、絶縁フィルムを介在して前記第1および第2半導体チップのいずれか一方の主面に固着されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記固定電位リードの一部は、第1絶縁フィルムを介在して前記第1半導体チップの裏面に固着され、前記固定電位リードの他の一部は、第2絶縁フィルムを介在して前記第2半導体チップの裏面に固着されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記固定電位リードの一部は、前記第1および第2半導体チップの間に介在してそれらの裏面に固着され、前記固定電位リードの他の一部は、前記第1および第2半導体チップの側面から外方に延在していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項5記載の半導体装置において、前記固定電位リードの一部は、絶縁フィルムを介在して前記第1半導体チップの裏面および前記第2半導体チップの裏面に固着されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記第1および第2半導体チップの裏面同士は、接着剤によって互いに固着されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記第1および第2半導体チップの積層方向における前記樹脂の厚さは、1mm以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記第1および第2半導体チップは、同一の寸法で構成され、それぞれの主面には同一の集積回路が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記第1および第2半導体チップのそれぞれの主面には、同一の記憶容量を有するメモリLSIが形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項10記載の半導体装置において、前記メモリLSIは、DRAMであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記第1および第2半導体チップのそれぞれの主面に形成された前記複数のボンディングパッドは、前記主面のほぼ中央部に一列に配置されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記第1および第2半導体チップのそれぞれの厚さは、前記複数の信号リードおよび前記固定電位リードのそれぞれの厚さ以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記第1および第2半導体チップの厚さは、100μm以下であることを特徴とする半導体装置。
- 以下の工程を有する半導体装置の製造方法;
(a)搭載されるべき半導体チップの側面近傍に配置される固定電位リードと、複数の信号リードとが形成されたリードフレームを用意する工程、
(b)第1半導体チップの裏面に前記固定電位リードの一面の一部を固着し、前記第1半導体チップの側面近傍に延在する前記固定電位リードおよび前記複数の信号リードのそれぞれの一面と、前記第1半導体チップの主面に形成された複数のボンディングパッドとを複数のワイヤによって電気的に接続する工程、
(c)前記第1半導体チップの裏面と対向するように配置された第2半導体チップの裏面に前記固定電位リードの他面の一部を固着し、前記第2半導体チップの側面近傍に延在する前記固定電位リードおよび前記複数の信号リードのそれぞれの他面と、前記第2半導体チップの主面に形成された複数のボンディングパッドとを複数のワイヤによって電気的に接続する工程、
(d)前記第1および第2半導体チップと、前記複数の信号リードと、前記固定電位リードと、前記複数のワイヤとを樹脂封止する工程。
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