JPH06163801A

JPH06163801A - 樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number: JPH06163801A
Application number: JP31865092A
Authority: JP
Inventors: Teruhisa Ashina; 輝久阿品
Original assignee: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Priority date: 1992-11-27
Filing date: 1992-11-27
Publication date: 1994-06-10

Abstract

(57)【要約】【目的】樹脂封止型半導体装置におけるパッケージの
薄型化。【構成】レジンパッケージ１内において、リード２の
表裏面に配線兼固定テープ４が接着されている。半導体
チップ３はフェイスダウンボンディング状態で前記配線
兼固定テープ４に固定されている。配線兼固定テープ４
は、表裏面に接着剤５を有するとともに、所定箇所には
上下端にソルダー７を有する導体６が貫通状態で取り付
けられている。前記配線兼固定テープ４とリード２およ
び半導体チップ３は接着剤５で機械的に接着される。ま
た、リード２と半導体チップ３の電極９は導体６によっ
て電気的に接続される。なお、前記配線兼固定テープ４
は全体で４０μｍ程度の厚さとなっている。また、半導
体チップ３を被うレジン１１は５０μｍとなっている。
この結果、パッケージ１の薄型化が達成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＩＣ，ＬＳＩ等樹脂封止
型半導体装置に関し、特に半導体チップの電極とリード
との接続構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器は、機能面から高密度実装化
が、実装面から軽量化，小型化，薄型化が要請されてい
る。日経ＢＰ社発行「日経マイクロデバイス」１９８８
年５月号、昭和６３年５月１日発行、Ｐ５４〜Ｐ５７に
は、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）のパッ
ケージとして、チップ（半導体チップ）を載せるリード
フレームのダイ・パッド（タブ）をなくし、チップの上
あるいは下にインナーリードを引き回し、レジン（脂
封）で封止した構造のパッケージが開示されている。こ
のパッケージは、リードをチップの上面に配置したＬＯ
Ｃ（Lead on Chip）構造あるいはリードをチップの下面
に配置したＣＯＬ（Chip on Lead）構造となるととも
に、リードとチップとの間に絶縁フィルムを介在させて
いる。また、チップの電極は両端側に集められるととも
に、絶縁フィルムから露出している。そして、電極とリ
ード内端はワイヤによって電気的に接続されている。ま
た、この文献には、このような構造（ＬＯＣ構造，ＣＯ
Ｌ構造）を採用することによって、以下の利点がある旨
記載している。（１）チップの上下面を有効にインナー
・リードの配線として使えるため，リードフレームの設
計自由度が増す，（２）リードフレームを素子配線の一
部として使えるので，素子設計の自由度が増す，（３）
ワイヤー長を短くできるため，高速デバイスなどの素子
特性を上げられる，（４）インナー・リードを長くでき
るため，耐湿，耐熱などの信頼性が向上する，（５）こ
の構造を採用することによって，チップ・サイズが１０
０ｍｍ²を越えても、３００ミル・タイプのＤＩＰ（Du
al Inline Package ）やＳＯＪ（SmallOutline J Leade
d）に半導体チップを搭載できるようになる。また、こ
の技術は表面実装用パッケージにも適用できる。

【０００３】一方、特開昭61-101067 号公報には、メモ
リ容量増大のために、ＳＲＡＭ（Static Random Access
Memory ）ＩＣを４個積層させた構造が開示されてい
る。このメモリモジュールにあっては、各ＩＣを動作さ
せる端子は独立させてあるが、その他の共通となる端子
は相互に電気的に接続されている。さらに、工業調査会
発行「電子材料」１９９１年５月号、平成３年５月１日
発行、Ｐ２５〜Ｐ３６には、ＴＡＢ（Tape Automated B
onding）実装技術について記載されている。この文献に
は、ＤＴＣＰ（デュアルテープキャリヤパッケージ）や
０．５ｍｍ厚のパッケージ（ＤＴＣＰ）を４段スタック
実装したＳＲＡＭカードが開示されている。

【０００４】他方、工業調査会発行「電子材料別冊」昭
和５６年１１月１０日発行、Ｐ１６９〜Ｐ１７４には、
テープキャリヤボンダについて記載されている。この文
献には、ワイヤボンディング技術について、テープキャ
リヤボンダにおけるインナーリードボンディング技術と
の比較において記載している。この件には、ワイヤボン
ドの密度の限界を決定する要素として、キャピラリ直径
Ｔ，キャピラリ角度α，ワイヤ径ＷＤ，ワイヤループ高
さＨ，ワイヤループ角度βがあり、これらの要素を用い
てボンディングパッドの中心間距離とワイヤループ高さ
の関係を理論的に求めた結果が示されている。そして、
たとえば、ワイヤループ高さが３００μｍ，キャピラリ
直径１３５μｍ，機械誤差０であったとしても、ワイヤ
ボンディング可能な最小ボンディングパッドの中心間距
離は１４１μｍとなり、高密度ボンディングには大きす
ぎる値となる旨記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】樹脂封止型半導体装置
は、薄い金属板からなるリードフレームを用いる構造
や、絶縁性テープを用いるＴＡＢ構造等がある。前記リ
ードフレームを用いて製造した半導体装置は、パッケー
ジから突出するリードの強度が高く、製品としても個別
化が可能である。これに対して、ＴＡＢ構造は、リード
が数十μｍの厚さの銅箔等で形成してあることもあり、
配線基板等への実装時にテープから分離させかつ実装を
行う構造となっている。リードフレームを使用して半導
体装置を製造する構造の場合、半導体チップのサイズが
大きくなると、インナーリードの配線の引回しができな
くなり、前記文献に示されるようにＬＯＣ構造，ＣＯＬ
構造が採用されている。しかし、これらＬＯＣ構造，Ｃ
ＯＬ構造においても、半導体チップの電極とリードとの
電気的接続はワイヤボンディングによって行われてい
る。半導体チップの電極とリードをワイヤで接続した場
合、ワイヤループの高さは、低く形成しても、たとえ
ば、１５０〜３００μｍ程度の高さとなってしまう。こ
のため、パッケージの厚さは、前記ワイヤループの高さ
を見込んで厚くする必要があり、パッケージの薄型化の
阻害要因となっている。

【０００６】本発明の目的は、リードフレームを用いた
樹脂封止型半導体装置におけるパッケージの薄型化を図
ることにある。本発明の前記ならびにそのほかの目的と
新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあき
らかになるであろう。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の樹脂封止型半導
体装置は、その製造においてはリードフレームが使用さ
れ、樹脂で形成されたパッケージと、このパッケージの
内外に亘って延在するリードと、前記パッケージ内に配
設されかつ各電極が前記所定のリードの内端にそれぞれ
電気的に接続されてなる構造となっているとともに、前
記パッケージ内のリードは前記半導体チップの電極を配
列した面に対面し、かつこれらリードと半導体チップと
の間には絶縁性の配線兼固定テープが介在されるととも
に、この配線兼固定テープとリードおよび半導体チップ
は絶縁性の接着剤で接着され、半導体チップの電極とリ
ードは前記配線兼固定テープに貫通状態に埋め込まれた
導体によって電気的に接続されている。前記リードと半
導体チップを接続する接続部分の厚さは４０μｍ程度の
厚さとなっている。また、前記パッケージ内のリードの
両面に半導体チップが固定されている。

【０００８】また、本発明の他の実施例による樹脂封止
型半導体装置にあっては、パッケージ内に配線兼固定テ
ープが配設されているとともに、この配線兼固定テープ
の両面に半導体チップがフェイスダウンチップボンディ
ング状態で固定され、かつ配線兼固定テープの周辺部分
がリードに電気的かつ機械的に固定されてなるものであ
る。前記配線兼固定テープの厚さは８０μｍ程度の厚さ
となっている。また、この構造における他の実施例とし
て、前記リードはパッケージ内においてパッケージの一
側から他側に亘って延在するとともに、パッケージ内に
あっては屈曲して一段窪み、この窪み部分に前記配線兼
固定テープの下面に固定された半導体チップが収容され
る構造となっている。

【０００９】

【作用】上記した手段によれば、本発明の樹脂封止型半
導体装置は、半導体チップとリードの電気的かつ機械的
接続は絶縁性シートによって行われることから、パッケ
ージの厚さは、ワイヤボンディングにおけるワイヤルー
プ高さを勘案した厚さにする必要がなく薄くできるた
め、パッケージの薄型化が達成できる。

【００１０】本発明の他の実施例による樹脂封止型半導
体装置は、配線兼固定テープの表裏面に半導体チップを
フェイスダウンボンディング状態で固定し、かつこの配
線兼固定テープの周辺部分をリードに接続する構造とな
ることから、パッケージの厚さは、ワイヤボンディング
におけるワイヤループ高さを勘案した厚さにする必要が
なく薄くできるため、パッケージの薄型化が達成でき
る。また、この構造において、リードをパッケージ内で
屈曲させて窪みを設け、この窪み部分に半導体チップを
収容する実施例では、半導体チップを受ける窪んだリー
ド部分が補強部材となり、パッケージから突出するリー
ドの強度が高くなる。

【００１１】

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明の樹脂封止型半導体装置の概
要を示す模式的断面図、図２は同じく樹脂封止型半導体
装置における配線兼固定テープの一部を示す断面図、図
３は同じく半導体チップの電極とリードとの接続状態を
示す断面図、図４は同じく樹脂封止型半導体装置の概要
を示す一部を取り除いた状態を示す平面図、図５は本発
明の樹脂封止型半導体装置の製造に用いるリードフレー
ムを示す平面図である。

【００１２】本発明の樹脂封止型半導体装置は、図１お
よび図４に示すように、矩形状のレジンからなるパッケ
ージ１の両側から複数のリード２を突出した外観形状と
なっている。リード２は表面実装が可能なガルウィング
形状となっている。また、前記パッケージ１内におい
て、リード２の上面側および下面側にそれぞれ半導体チ
ップ３を配した構造となっている。前記半導体チップ３
とリード２との間には、配線兼固定テープ４が介在され
ている。この配線兼固定テープ４には、所望箇所に導体
が埋め込まれていて、この導体を介して、所定のリード
２と半導体チップ３の所定の電極が電気的に接続されて
いる。また、前記配線兼固定テープ４と半導体チップ３
は、接着剤を介して接着されている。

【００１３】前記配線兼固定テープ４は、たとえば、３
５μｍ程度の厚さのポリイミド樹脂からなるとともに、
半導体チップ３と略同じ大きさとなっている。また、こ
の配線兼固定テープ４は、図２に示すように、表裏面に
数μｍの厚さの接着剤５が設けられ、この接着剤５によ
ってリード２および半導体チップ３に接着される。ま
た、前記配線兼固定テープ４には、所定箇所に矩形状の
貫通孔が設けられるとともに、この貫通孔部分には導体
６が埋め込まれている。前記導体６は、前記貫通孔と一
致する矩形棒となるとともに、上下は突出し、かつこの
突出部分にはソルダー７が設けられている。前記導体６
は、たとえば金で形成されているとともに、ソルダー７
はＡｕ−ＳｎあるいはＰｂ−Ｓｎ等の低融点ソルダーで
形成されている。

【００１４】配線兼固定テープ４は、図３に示すよう
に、リード２および半導体チップ３と接着剤５を介して
接着し、リード２と半導体チップ３を一体化する。リー
ド２は接着剤５によって配線兼固定テープ４に接着（機
械的）されるが、配線兼固定テープ４に埋め込まれた導
体６と電気的に接続される。リード２は鉄−ニッケル合
金や銅合金からなる金属体となっていて、導体６とは、
ソルダー７の一時的溶融処理（リフロー）によって接続
される。接続を容易にしかつ確実にするため、必要に応
じてリード２の表面には図示はしないが、メッキ膜が設
けられる。これにより、所定の導体６と所定のリード２
が電気的に接続されることになる。なお、前記接着剤５
は、前記リフロー処理において、熱的な劣化が生じない
ものを選択する必要がある。

【００１５】一方、前記半導体チップ３と配線兼固定テ
ープ４は、接着剤５で機械的に接続される。また、半導
体チップ３の所定の電極９と配線兼固定テープ４の所定
の導体６は、導体６の先端のソルダー７によって電気的
に接続される。所定の導体６が所定のリード２および電
極９に電気的に接続されることによって、所定のリード
２と所定の電極９が電気的に接続されることになる。前
記導体６の周囲には接着剤５を設けてないが、これはソ
ルダー７の溶融によって過多分が流出して溜まる領域で
ある。したがって、ソルダー７の厚さや、接着剤５の厚
さ、さらには半導体チップ３における電極９の構造（突
出形状，窪み形状等）等によっては、導体６の周囲にま
で接着剤５を設けてもよい。また、導体６は矩形（正方
形）断面となり、たとえば、一辺が１００μｍまたは１
００μｍ以下となっている。これは、現在の電極９（ボ
ンディングパッド）が、一辺が１００μｍの大きさとな
っていることによるもので、特に限定はされない。この
ようなリード２と半導体チップ３を接着する配線兼固定
テープ４部分は、この実施例では全体で４０μｍ程度の
厚さとなっている。図４は、リード２の上の半導体チッ
プ３を部分的に除去した部分や、リード２および配線兼
固定テープ４を部分的に除去した部分を示した図であ
り、リード２と半導体チップ３との接続関係を示してあ
る。なお、図３に示すように、半導体チップ３の表面は
絶縁膜１０で被われている。

【００１６】前記半導体チップ３は、何れもＤＲＡＭを
構成し、たとえば、図１の場合では、それぞれのＤＲＡ
Ｍを選択的に動作させる固有の電極９（ＲＡＳ端子）
が、リード２に接続される状態を示してある。ＤＲＡＭ
は、電源端子Ｖ_CC，Ｖ_SSを始めとしてＤ_IN，Ｄ_OUT，Ｃ
ＡＳ，ＷＥ，Ａ₀〜Ａ_n等多くの共通端子を有する。し
たがって、一方の半導体チップ３の電極９の機能的配列
を変更することによって、リード２の上下に配設される
半導体チップ３の共通端子となる電極９は、リード２の
上下に接着される配線兼固定テープ４の導体６を介して
同一のリード２に電気的に接続されることになる。

【００１７】このような樹脂封止型半導体装置における
パッケージ１の厚さは、特に限定はされないが、０．８
９ｍｍ程度となる。すなわち、パッケージ１の厚さを構
成する各部の寸法は以下の通りである。リード２の厚さ
は０．１５ｍｍ、半導体チップ３の厚さは０．２８ｍ
ｍ、リード２と半導体チップ３を接続させる接続部分
（配線兼固定テープ４等）の厚さは５０μｍ、半導体チ
ップ３を被うレジン１１の厚さは５０μｍとなってい
る。したがって、ＬＯＣ構造およびＣＯＬ構造を採用し
て本発明と同じ形状の半導体装置を製造した場合、ワイ
ヤループ高さと本発明における接続部分の厚さ（４０μ
ｍ）の差の二倍程、パッケージ１の厚さが薄くなる。ま
た、本発明において、リード２の一面側にのみ半導体チ
ップ３を設けた場合には、前記条件のもとではパッケー
ジ１の厚さは、０．５７ｍｍとなる。なお、配線兼固定
テープ４をさらに薄いものを使用する等により、パッケ
ージ１の厚さは更に薄くなる。各部の寸法は前記実施例
に限定されるものではない。

【００１８】つぎに、本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造について説明する。樹脂封止型半導体装置の製造に
おいては、図５に示されるようなリードフレーム１５が
用意される。このリードフレーム１５は、０．１５ｍｍ
の厚さのＦｅ−Ｎｉ系合金あるいはＣｕ合金等からなる
金属板をプレス成形、あるいはエッチングすることによ
って形成されている。リードフレーム１５は、単位リー
ドパターンを一方向に直列に並べた形状となっている。
単位リードパターンは、一対の平行に延在する外枠１６
と、この外枠１６に直交する方向に延在する一対の内枠
１７とによって形成される枠形状となっている。また、
前記内枠１７の内側からは、前記外枠１６に平行になる
とともに、一定のピッチで枠の内方に向かって延在する
片持梁構造のリード２が複数設けられている。また、こ
れらのリード２は、前記外枠１６から延在し、前記内枠
１７に平行に延在するダム１８によって途中部分を支持
されている。このダム１８は、リード２を支える補強部
材となるとともに、パッケージ形成におけるモールド
時、流出するレジンを阻止するダムとして働く。

【００１９】このようなリードフレーム１５に対して、
図５の二点鎖線で示すように、半導体チップ３が配線兼
固定テープ４を介して固定される。配線兼固定テープ４
は、前述のように表裏面に接着剤５を有しかつ所定部分
に貫通構造の導体６を有する。また、この配線兼固定テ
ープ４は半導体チップ３と同じ寸法となっている。ま
た、リード２の表裏面に固定される半導体チップ３は、
前述のようにＤＲＡＭを構成している。そして、それぞ
れのＤＲＡＭを選択的に動作させる固有の電極９（ＲＡ
Ｓ端子）は、２つの半導体チップ３を対面させた状態
で、相互に一致しない位置にあり、それぞれ電気的に独
立するリード２に接続されるようになっているが、他の
電源端子Ｖ_CC，Ｖ_SSを始めとしてＤ_IN，Ｄ_OUT，ＣＡ
Ｓ，ＷＥ，Ａ₀〜Ａ_n等の機能を有する多くの共通端子
（電極９）は、２つの半導体チップ３を対面させた状態
で相互に重なり合う状態となり、共通のリード２に接続
されるようになっている。したがって、前記配線兼固定
テープ４における導体６の配列も前記電気的接続が可能
となる配列（パターン）になっている。そこで、リード
フレーム１５の表裏面に所定の配線兼固定テープ４を位
置決め接着する。ついで、リード２に接着された配線兼
固定テープ４に、所定の半導体チップ３をそれぞれ位置
決め固定する。

【００２０】つぎに、このようなリードフレーム１５は
リフロー処理される。このリフロー処理によって、前記
導体６の先端のソルダー７が一時的に溶融され、図３に
示すように、導体６とリード２および電極９が電気的か
つ機械的に確実に接続されることになる。

【００２１】つぎに、リードフレーム１５の外枠１６お
よびダム１８で囲まれる領域が、常用のトランスファモ
ールドによって封止され、図５の二点鎖線で示すよう
に、パッケージ１が形成される。その後、ダム１８を始
めとする不要リードフレーム部分が切断除去されるとと
もに、リード２が成形され、図１および図４に示すよう
な樹脂封止型半導体装置が製造される。

【００２２】

【発明の効果】

（１）本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードの表裏
面に配線兼固定テープを介して半導体チップを固定し、
かつ半導体チップ，リード等をモールドした構造となっ
ていることから、ワイヤによって半導体チップの電極と
リードを接続する構造に比較して、パッケージの厚さを
薄くすることができるという効果が得られる。

【００２３】（２）上記（１）により、本発明の樹脂封
止型半導体装置は、その製造において、リードに配線兼
固定テープを位置決め固定するとともに、前記配線兼固
定テープに半導体チップを位置決め固定する構造となっ
ていることから、組み立てが容易であるとともに、位置
決め精度も高くなるという効果が得られる。

【００２４】（３）本発明の樹脂封止型半導体装置は、
リードの表裏面にそれぞれＤＲＡＭ半導体チップを搭載
した構造となっていることから、メモリ容量の増大を図
ることができるという効果が得られる。

【００２５】（４）上記（１）〜（３）により、本発明
によれば、パッケージが薄い高メモリの樹脂封止型半導
体装置を提供することができるという相乗効果が得られ
る。

【００２６】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
前記実施例では、リードの両面に半導体チップを搭載し
たが、リードの一面にのみ半導体チップを搭載する構造
にも同様に適用でき、前記実施例同様な効果が得られ
る。

【００２７】図６は本発明の他の実施例による樹脂封止
型半導体装置の概要を示す模式的断面図であり、図７は
同じく半導体チップの電極とリードとの接続状態を示す
断面図、図８は同じく樹脂封止型半導体装置の平面図で
ある。この実施例では、内部に所望のパターンを有する
導体層２０を有する配線兼固定テープ４の両面に半導体
チップ３をフェイスダウンボンディング状態で固定し、
半導体チップ３から外れた配線兼固定テープ４の周辺部
分をリード２に電気的かつ機械的に固定した構造となっ
ている。また、リード２は、パッケージ１内においてパ
ッケージ１の一側から他側に亘って延在するとともに、
パッケージ１内にあっては屈曲して一段窪み、この窪み
部分２１に前記配線兼固定テープ４の下面に固定された
半導体チップ３が載って収容される構造となっている。
したがって、図８に示されるように、パッケージ１の両
側から突出するリード２は、相互に電気的に繋がる構造
となっている。このリード２は、パッケージ１内で繋が
っていることから、強度部材として作用し、パッケージ
１から突出するリード２の強度が高くなる。

【００２８】前記配線兼固定テープ４は、図７に示すよ
うに、一対の絶縁性テープ２２，２３間に所望パターン
の導体層２０を有する構造となっている。また、この配
線兼固定テープ４の所定箇所には、前記実施例と同様に
両端にソルダー７を有する導体６が設けられている。そ
して、この導体６は、その先端でそれぞれ半導体チップ
３の電極９に接続されている。前記絶縁性テープ２２，
２３の表面には、前記実施例と同様に接着剤５が設けら
れていて、この接着剤５によって半導体チップ３が接着
されている。また、配線兼固定テープ４の周辺部分にお
いては、前記導体層２０は下面の絶縁性テープ２３に穿
たれた孔に埋め込まれた導体２４（接着性の導体）を介
してリード２に接続される。この配線兼固定テープ４に
おいて、前記導体２４の代わりに、電極９との接続を行
う前記導体６をそのまま配線兼固定テープ４の周辺部分
に設ける構造でもよい。配線兼固定テープ４とリード２
との接続を導体６で行うようにすれば、配線兼固定テー
プ４の製造が容易となり、コストの低減も可能となる。
また、リード２と配線兼固定テープ４との接続は、接着
剤５によっても行われる。前記配線兼固定テープ４にお
いて、絶縁性テープ２２，２３は、それぞれ３５μｍ程
度のポリイミドレジンテープとなり、導体層２０は数μ
ｍの金属層で形成されている。また、接着剤５の厚さも
前記実施例と同様に数μｍの厚さとなっている。したが
って、配線兼固定テープ４の厚さは、全体で８０μｍ程
度となる。これにより、パッケージ１の薄い樹脂封止型
半導体装置を提供することができる。

【００２９】図９は、本発明の他の実施例による樹脂封
止型半導体装置の模式的断面図である。図６で示す実施
例では、配線兼固定テープ４の下面の半導体チップ３
を、リード２の窪み部分２１に載せて収容する構造とな
っているが、配線兼固定テープ４はリード２に対して接
着剤５および導体２４で接続されるため、配線兼固定テ
ープ４は大きく弛むことがない。そこで、この実施例で
は、半導体チップ３をリード２の窪み部分で支持させる
構造とはせず、リード２をパッケージ１の内外に亘って
延在させ、パッケージ１内のリード２は片持梁構造とし
てある。そして、このリード２の内端部分に配線兼固定
テープ４の周辺部分を接続する構造としてある。このよ
うな構造にすることによって、パッケージ１内にリード
２の窪み部分２１がないことから、パッケージ１を更に
薄くできる。また、この実施例の樹脂封止型半導体装置
では、パッケージ１の両側に延在するリード２はそれぞ
れ電気的に独立した構造とすることができる。

【００３０】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＤＲＡ
Ｍの製造技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではない。本発明は少なくとも樹脂封
止型半導体装置の製造技術には適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置の概要を示す
模式的断面図である。

【図２】本発明の樹脂封止型半導体装置における配線
兼固定テープの一部を示す断面図である。

【図３】本発明の樹脂封止型半導体装置における半導
体チップの電極とリードとの接続状態を示す断面図であ
る。

【図４】本発明の樹脂封止型半導体装置の概要を示す
一部を取り除いた状態を示す平面図である。

【図５】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造に用い
るリードフレームを示す平面図である。

【図６】本発明の他の実施例による樹脂封止型半導体
装置の概要を示す模式的断面図である。

【図７】本発明の他の実施例による樹脂封止型半導体
装置における半導体チップの電極とリードとの接続状態
を示す断面図である。

【図８】本発明の他の実施例による樹脂封止型半導体
装置の平面図である。

【図９】本発明の他の実施例による樹脂封止型半導体
装置の模式的断面図である。

【符号の説明】

１…パッケージ、２…リード、３…半導体チップ、４…
配線兼固定テープ、５…接着剤、６…導体、７…ソルダ
ー、９…電極、１０…絶縁膜、１１…レジン、１５…リ
ードフレーム、１６…外枠、１７…内枠、１８…ダム、
２０…導体層、２１…窪み部分、２２，２３…絶縁性テ
ープ、２４…導体。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂で形成されたパッケージと、このパ
ッケージの内外に亘って延在するリードと、前記パッケ
ージ内に配設されかつ各電極が前記所定のリードの内端
にそれぞれ電気的に接続されてなる半導体装置であっ
て、前記パッケージ内のリードは前記半導体チップの電
極を配列した面に対面し、かつこれらリードと半導体チ
ップとの間には絶縁性の配線兼固定テープが介在される
とともに、この配線兼固定テープとリードおよび半導体
チップは絶縁性の接着剤で接着され、半導体チップの電
極とリードは前記配線兼固定テープに貫通状態に埋め込
まれた導体によって電気的に接続されていることを特徴
とする半導体装置。
【請求項２】前記パッケージ内のリードの両面に半導
体チップが固定されていることを特徴とする請求項１記
載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】樹脂で形成されたパッケージと、このパ
ッケージの内外に亘って延在するリードと、前記パッケ
ージ内に配設されかつ各電極が前記所定のリードの内端
にそれぞれ電気的に接続されてなる半導体装置であっ
て、前記パッケージ内には配線兼固定テープが配設され
ているとともに、この配線兼固定テープの一面または両
面には半導体チップがフェイスダウンチップボンディン
グ状態で固定され、かつ前記半導体チップから外れた配
線兼固定テープの周辺部分がリードに電気的かつ機械的
に固定されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
【請求項４】前記リードはパッケージ内においてパッ
ケージの一側から他側に亘って延在するとともに、パッ
ケージ内にあっては屈曲して一段窪み、この窪み部分に
半導体チップが収容される構造となっていることを特徴
とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。