JP7024269B2 - 半導体装置、半導体装置の積層体、及び、半導体装置の積層体の搬送方法 - Google Patents

半導体装置、半導体装置の積層体、及び、半導体装置の積層体の搬送方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7024269B2
JP7024269B2 JP2017174553A JP2017174553A JP7024269B2 JP 7024269 B2 JP7024269 B2 JP 7024269B2 JP 2017174553 A JP2017174553 A JP 2017174553A JP 2017174553 A JP2017174553 A JP 2017174553A JP 7024269 B2 JP7024269 B2 JP 7024269B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
housing
convex portion
thickness direction
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017174553A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019050324A (ja
Inventor
忠彦 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP2017174553A priority Critical patent/JP7024269B2/ja
Priority to US16/048,344 priority patent/US10615088B2/en
Publication of JP2019050324A publication Critical patent/JP2019050324A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7024269B2 publication Critical patent/JP7024269B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/057Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49537Plurality of lead frames mounted in one device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601Structure
    • H01L2224/0603Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48095Kinked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4901Structure
    • H01L2224/4903Connectors having different sizes, e.g. different diameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Description

本発明は、半導体装置、半導体装置の積層体、及び、半導体装置の積層体の搬送方法に関する。
従来、パッケージ体の底面に配置されたリード端子に突起部を設けていた(例えば、特許文献1及び2参照)。また、樹脂ケースの表面にリード嵌入溝を設けていた(例えば、特許文献3参照)。
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開2005-11854号公報
[特許文献2] 実開昭58-168141号公報
[特許文献3] 実開平5-8929号公報
通常、半導体装置の筐体の表面には、装置の識別情報が刻印、印字または貼り付けられる。筐体の表面に傷または汚れが付くと、識別情報を認識することが困難になる場合がある。
本発明の第1の態様においては、半導体装置を提供する。半導体装置は筐体を有してよい。筐体は、第1の面と、凹部と、第2の面と、凸部とを備えてよい。凹部は、第1の面に設けられてよい。第2の面は、第1の面に対向してよい。凸部は、第2の面に接して設けられてよい。筐体の厚さ方向において、凹部と凸部とは互いに対応する位置に設けられてよい。筐体の厚さ方向は、第1の面から第2の面に向かう方向であってよい。
凸部の第2長さは、凹部の第1長さよりも大きくてよい。凸部の第2長さは、第2の面から厚さ方向における凸部の端部までの長さであってよい。凹部の第1長さは、第1の面から厚さ方向における第1の面とは反対側の凹部の端部までの長さであってよい。
半導体装置は、放熱部材を含んでよい。放熱部材は、第1の面または第2の面において外部に露出してよい。
筐体は、識別情報を有してよい。識別情報は、第1の面および第2の面の少なくとも一方に設けられてよい。
凸部の第2長さは、放熱部材の突出長さと、凹部の第1長さとを足した長さよりも大きくてよい。凸部の第2長さは、第2の面から厚さ方向における凸部の端部までの長さであってよい。放熱部材の突出長さは、第1の面または第2の面から突出する突出長さであってよい。凹部の第1長さは、第1の面から厚さ方向における第1の面とは反対側の凹部の端部までの長さであってよい。
半導体装置は、外部接続端子をさらに備えてよい。外部接続端子は、2の面から突出してよい。第2長さと、第2の面から厚さ方向における第2の面とは反対側の外部接続端子の端部までの突出長さとの差は、第1長さよりも大きくてよい。
放熱部材は、放熱部材が外部に露出する第1の面または第2の面に設けられた識別情報に代えて、識別情報を有してよい。識別情報は、放熱部材における端面であって外部に露出する端面に設けられてよい。
厚さ方向と平行な方向において筐体を見た場合に、凹部の外形は凸部の外形よりも大きくてよい。
筐体は、2つの凹部と、2つの凸部とを有してよい。
筐体は、3つの凹部と、3つの凸部とを有してよい。3つの凹部は、全てが同じ直線上に設けられていなくてよい。3つの凸部は、全てが同じ直線上に設けられていなくてよい。
厚さ方向と平行な方向において筐体を見た場合に、第1の面および第2の面の外側の外形は矩形形状であってよい。筐体は、4つの凹部と、4つの凸部とを有してよい。4つの凹部は、第1の面における角部に各々設けられてよい。4つの凸部は、第2の面における角部に各々設けられてよい。
凹部は、厚さ方向と平行な方向において第1の面を見た場合に互いに形状が異なってよい。凸部は、厚さ方向と平行な方向において第2の面を見た場合に互いに形状が異なってよい。厚さ方向において複数の筐体が重ねられた場合に、凸部は厚さ方向において対応する位置に設けられた凹部に嵌合する形状であってよい。
第1の面および第2の面は矩形形状であってよい。筐体は、第1の面の対向する二辺の各々に沿って延伸して設けられた凹部と、第2の面の対向する二辺の各々に沿って延伸して設けられた凸部とを有してよい。
筐体は、第1の面における三辺の各々に沿って延伸して設けられた凹部と、第2の面における三辺の各々に沿って延伸して設けられた凸部とを有してよい。
筐体は、第1の面における四辺の各々に沿って延伸して設けられた凹部と、第2の面における四辺の各々に沿って延伸して設けられた凸部とを有してよい。
筐体は、第1の面において環状に設けられた凹部と、第2の面において環状に設けられた凸部とを有してよい。
筐体は、枠部材と、封止樹脂部材とを含んでよい。封止樹脂部材は、厚さ方向において枠部材を見た場合に枠部材の内側に設けられてよい。封止樹脂部材の表面は、第1の面および第2の面の一部であってよい。凹部および凸部は、枠部材に設けられてよい。
筐体は、枠部材と、封止樹脂部材とを含んでよい。封止樹脂部材は、厚さ方向において枠部材を見た場合に枠部材の内側に設けられてよい。第1の面および第2の面は、封止樹脂部材の表面であってよい。凹部および凸部は、封止樹脂部材に設けられてよい。
筐体において、第1の面と、第2の面と、側面とが、各々同じ樹脂材料であってよい。筐体の側面は、厚さ方向において第1の面と第2の面との間に位置してよい。半導体装置は、放熱部材を含んでよい。放熱部材は、第1の面または第2の面において外部に露出してよい。
本発明の第2の態様においては、半導体装置を提供する。半導体装置は、筐体および放熱部材を有してよい。筐体は、各々が樹脂部材の表面である、第1の面および第2の面を有してよい。第2の面は、第1の面に対向してよい。放熱部材は、第1の面において筐体から外部に露出してよい。筐体が第2の面に接して設けられた凸部を有する場合に、放熱部材は放熱部材の端面に設けられた凹部を有してよい。これに代えて、筐体が第2の面に設けられた凹部を有する場合には、放熱部材は放熱部材の端面に接して設けられた凸部を有してよい。なお、第1の面から第2の面に向かう筐体の厚さ方向において、凹部と凸部とは互いに対応する位置に設けられてよい。
本発明の第3の態様においては、上述の半導体装置を厚さ方向において複数個積み重ねた積層体を提供する。
本発明の第4の態様においては、半導体装置の積層体の搬送方法を提供する。半導体装置の積層体の搬送方法は、半導体装置の積層体を形成する段階と、積層体を搬送用箱の内部に固定する段階と、搬送用箱を搬送する段階とを備えてよい。半導体装置の積層体を形成する段階において、上述の半導体装置を厚さ方向において複数個積み重ねてよい。
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
第1実施形態における半導体装置100の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。 図1の(A)において封止樹脂部材26を除いた状態を示す。 図2のA‐A断面を示す。 複数個の半導体装置100をZ方向において積み重ねた積層体250を搬送用箱400に収納した状態を示す。 半導体装置100の積層体250の搬送方法を示す。 ラック600の各スペース610に半導体装置800を収納した比較例を示す。 スティック型のケース700に複数の半導体装置800を収納した比較例を示す。 ロボットアーム500を用いて、通路510上において半導体装置100を移動させる本実施形態の様子を示す。 凹部22の外形と凸部24の外形とを説明する図である。 リードフレーム30の他の例を示す。 放熱部材40が第2の面14において外部に露出する例を示す。 凹部22及び凸部24の第1の変形例を示す。 凹部22及び凸部24の第2の変形例を示す。 凹部22及び凸部24の第3の変形例を示す。 凹部22及び凸部24の第4の変形例を示す。 凹部22及び凸部24の第5の変形例を示す。 凹部22及び凸部24の第6の変形例を示す。 凹部22及び凸部24の第7の変形例を示す。 第2実施形態における半導体装置110の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。 第3実施形態における半導体装置120の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。 第4実施形態における半導体装置130の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。 第4実施形態の変形例における半導体装置140の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。 半導体装置140を冷却器300上に載置した様子を示す。 第5実施形態における半導体装置150の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。 第5実施形態の変形例における半導体装置160の(A)上面図、(B)側面図及び(C)下面図を示す。 第6実施形態における半導体装置170の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。 第7実施形態における半導体装置180の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。 第8実施形態における半導体装置190の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。 第9実施形態における半導体装置200の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。 第10実施形態における半導体装置210の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。 図30の(C)側面図における筐体10の内部を示す。 半導体装置210の分解斜視図である。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図1は、第1実施形態における半導体装置100の(a)上面図、(b)側面図、及び(c)下面図を示す。本明細書において、X軸方向とY軸方向とは互いに直交する方向であり、Z軸方向はX‐Y平面に垂直な方向である。X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向は、いわゆる右手系を成す。なお、本明細書においては、Z軸方向と平行な方向を筐体10の厚さ方向と称する場合がある。本明細書において、+Z方向を「上」と称し、-Z方向を「下」と称する場合があるが、「上」及び「下」の用語は重力方向における上下方向に限定されない。これらの用語は、Z軸における相対的な方向を指すに過ぎない。
半導体装置100は、筐体10の内部に半導体チップを有する半導体パッケージであってよい。半導体装置100は、モーター駆動用インバータ及びDC/DCコンバータ等の電力変換回路における半導体モジュールとして用いられてよい。半導体装置100は、パワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)及びIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等のパワーデバイスと、当該パワーデバイスの駆動回路及び自己保護機能と、を有するIPM(Intelligent Power Module)であってもよい。また、半導体装置100は、BJT(Bipolar Junction Transistor)、FET(Field Effect Transistor)及びIGBT等のディスクリート(discrete)半導体チップであってもよい。
本例の半導体装置100は、筐体10と、複数のリードフレーム30と、放熱部材40とを有する。筐体10は、直方体形状を有してよい。筐体10は、パッケージ体とも呼ばれる。本例の筐体10は、枠部材20及び封止樹脂部材26を含む。筐体10の全体は樹脂で形成されてよく、枠部材20も樹脂で形成されてよい。つまり、筐体10の材料は、樹脂であってよい。例えば、枠部材20は、ポリフェニレンスルファイド(PPS)樹脂またはポリブチレンテレフタレート(PBT)樹脂で形成される。また、例えば、封止樹脂部材26は、エポキシ樹脂で形成される。なお、枠部材20及び封止樹脂部材26は同じ樹脂材料で形成されてもよい。
筐体10は、第1の面12と、Z軸方向において第1の面12に対向する第2の面14とを有してよい。本例において、第1の面12及び第2の面14は、X‐Y面に平行な面である。また、第1の面12及び第2の面14は、筐体10の下面及び上面でもある。より具体的には、本例の第1の面12は、凹部22が無いと仮定した場合における筐体10の-Z方向の端面である。また、本例の第2の面14は、凸部24が無いと仮定した場合における筐体10の+Z方向の端面であり、枠部材20及び封止樹脂部材26が面一に設けられた面である。
図1の(a)及び(c)に示す様に、Z軸方向と平行な方向において筐体10を見た場合に、第1の面12及び第2の面14の外側の外形は矩形形状である。本例の(a)及び(c)に示す筐体10の形状は略正方形であるが、他の例においては長方形であってもよい。本例の筐体10は、第1の面12における角部に各々設けられた4つの凹部22と、第2の面14における角部に各々設けられた4つの凸部24とを含む。
本例においては、複数の筐体10をZ軸方向に積み重ねた場合に、凸部24は凹部22に嵌合することができる。なお、本例においては、いずれの3つ以上の凹部22も同一直線上に設けられていない。これにより、本例においては、2組または3組の凹部22及び凸部24を設ける場合に比べて、複数の筐体10をより安定して積み重ねることができる。また、本例においては、複数の筐体10をZ軸方向に積み重ねた場合に、一の筐体10が他の筐体10に対してZ軸周りに回転することにより本来あるべき位置からずれること(θずれ)、を抑制することができる。また、凹部22及び凸部24は、半導体装置100を他の部材及び基板等に載置する場合の位置決めに利用することもできる。
筐体10の厚さ方向において枠部材20を見た場合に、封止樹脂部材26は枠部材20の内側に設けられてよい。本例においては、図1の(A)に示す様に第2の面14から第1の面12に向かう方向、及び、図1の(C)に示す様に第1の面12から第2の面14に向かう方向において筐体10を見た場合に、封止樹脂部材26は枠部材20の内側に設けられる。
本例において、枠部材20は、凹部22及び凸部24を有する。凹部22は第1の面12に設けられてよい。図1の(B)に示す様に、本例の凹部22は、枠部材20の一部に設けられた、第1の面12よりも上方に凹んだ部分である。本例において、第1の面12から+Z方向における凹部22の端部23までの長さを、第1長さLとする。本例において、端部23は、筐体10の厚さ方向における第1の面12とは反対側における凹部22の端部である。
凸部24は第2の面14に接して設けられてよい。本例の凸部24、第2の面14上に位置する。なお、図1の(B)においては凸部24にドットのハッチングを付し、枠部材20にはハッチングを付さないが、本例の凸部24は枠部材20の一部である。なお、他の例においては、凸部24を枠部材20とは異なる材料により形成してもよい。当該他の例において、枠部材20を構成する樹脂材料よりも硬度の高いガラスで凸部24を形成してよい。本例において、第2の面14から+Z方向における凸部24の端部25までの長さを、第2長さLとする。本例において、端部25は、筐体10の厚さ方向における第2の面14とは反対側における凹部22の端部である。
本例において、枠部材20の下面であって凹部22を除く部分は、第1の面12の一部である。また、枠部材20の上面であって凸部24を除く部分は、第2の面14の一部である。なお、図1の(B)に示す様に、封止樹脂部材26の表面は、第1の面12及び第2の面14の一部である。
放熱部材40は、筐体10の第1の面12において外部に露出してよい。本例の放熱部材40は、第1の面12から外部に突出する。本例において、第1の面12から筐体10の外部に位置する放熱部材40の端面41までの長さを、放熱部材40の突出長さhとする。なお、本例の突出長さhは正の値であるが、他の例において突出長さhはゼロであってもよい。つまり、放熱部材40の端面41は、第1の面12と面一であってもよい。本明細書において、放熱部材40が第1の面12において外部に露出するとは、突出長さhが、正の値である場合とゼロである場合とを含む。
図1の(A)に示す様に、本例の半導体装置100は、筐体10の第2の面14に識別情報15を有する。識別情報15は、個々の半導体装置100を特定可能な情報であってよい。識別情報15は、例示列挙すると、英文字、数字及びバーコード等の1次元コード、データマトリックス及びQRコード(登録商標)等の2次元コード、並びに、これらの組合せにより表示されてよい。また、筐体10にインクを直接設ける印字及び印刷、筐体10の表面をレーザーにより選択的に切削すること、筐体10の表面に刻印を設けること、筐体10に選択的に焼き色を付けること、並びに、識別情報15を有するシール等を筐体10に貼り付けること等の手段により、筐体10に識別情報15を設けてよい。
識別情報15は、機器により光学的に読み取り可能な情報であってよい。識別情報15から読み取った情報を電子的に取り扱うことにより、IoT(Internet of Things)の仕組みを通じて、生産段階から消費段階まで各半導体装置100を追跡することが可能となる。本例においては、後述の凹部22及び凸部24を設けることにより、識別情報15を適切に保護することができる。これにより、半導体装置100のトレーサビリティ(Traceability)を担保することができる。
図1の(C)に示す様に、本例の半導体装置100は、放熱部材40の端面41に識別情報13を有する。識別情報13は、識別情報15と同じ表示方法により、即ち、英文字、数字及びコード等により表示されてよく、識別情報15と同じ手段により設けられてよい。勿論、識別情報15もトレーサビリティに利用されてよい。本例においても、後述の凹部22及び凸部24を設けることにより、識別情報13を適切に保護することができる。それゆえ、第2の面14及び端面41のいずれにおいても半導体装置100のトレーサビリティを担保することができる。
凹部22及び凸部24は、筐体10の厚さ方向において互いに対応する位置に設けられてよい。また、第1の筐体10の第1の面12と、第2の筐体の第2の面14とを重ねた場合に、凸部24は凹部22に嵌合してよい。本例において、第2長さLは、長さhと第1長さLとを足した長さ(h+L)よりも大きい(即ち、h+L<L)。これにより、複数の半導体装置100をZ軸方向に積み重ねた場合に、第1の半導体装置100の放熱部材40の端面41と、第2の半導体装置100の第2の面14とが接触することを防ぐことができる。つまり、Z軸方向に隣接する放熱部材40の端面41と、筐体10の第2の面14とのクリアランスを確保しつつ、複数の筐体10をZ軸方向に積み重ねることができる。
本例では、放熱部材40の端面41と、筐体10の第2の面14とが接触することを防ぐことができるので、識別情報13及び15の両方に傷または汚れが付くことを防ぐことができる。それゆえ、識別情報を認識することが困難になるという事態を解消することができる。加えて、半導体装置100の外観不良を低減することができる。
本例においては、特に、複数の半導体装置100をまとめて搬送する場合に、筐体10を積み重ねても識別情報13及び15の両方に傷または汚れが付くことを防ぐことができる。従来においては、識別情報を認識することが困難になった結果、半導体装置100の性能には何ら問題が無い場合であっても半導体装置100を廃棄する場合があった。しかしながら、本例においては、傷または汚れが付くことを防ぐことにより、性能に問題は無い半導体装置100を廃棄するという事態を回避することができる。
なお、所定のZ軸方向長さの範囲に複数の半導体装置100を積み重ねる場合、クリアランス(L-L-h)が小さい程、より多くの半導体装置100を積み重ねることができる(但し、L-L-hは、ゼロよりも大きい)。これにより、複数の半導体装置100の輸送効率を向上させることができる。クリアランス(L-L-h)は、ゼロより大きく筐体10のZ軸方向の厚さ以下であってよい。一例において、筐体10のZ軸方向の厚さは5mmであり、第1長さLは0.5mmであり、第2長さLは1mmであり、突出長さhは0.1mmである。
複数のリードフレーム30の各々は、筐体10の側面16から外部に突出してよい。本例においては、筐体10における4つの側面16のうち、+X方向の端部に位置する側面16‐1から1つのリードフレーム30‐1が+X方向に突出し、-X方向の端部に位置する他の側面16‐3から3つのリードフレーム30‐2、30‐3及び30‐4が-X方向に突出する。なお、リードフレーム30の数は4つに限定されない。なお、他の例において、リードフレーム30は、第1の面12または第2の面14から突出してもよい。
図2は、図1の(A)において封止樹脂部材26を除いた状態を示す。半導体装置100は、枠部材20の内側に、半導体チップ50、ワイヤ54、56及び58、金属パターン層48、並びに、絶縁層46を有してよい。本例の半導体装置100は、2つの半導体チップ50‐1及び50‐2を有する。半導体チップ50は、例えばRC‐IGBT(Reverse Conducting‐IGBT)半導体チップである。
リードフレーム30‐1は、半導体装置100におけるコレクタ用の接続部品であってよい。リードフレーム30‐1は、半導体チップ50のコレクタ電極に電気的に接続してよい。本例のリードフレーム30‐1は、領域32‐1において、ワイヤ56‐1から56‐4と電気的に接続する。領域32‐1は、リードフレーム30‐1の一部であり、且つ、枠部材20の内側に位置する領域である。ワイヤ56‐1から56‐4は、領域32‐1と金属パターン層48とを電気的に接続する。
半導体チップ50は、金属パターン層48上に設けられる。半導体チップ50は、下面側にコレクタ電極を有してよい。コレクタ電極は、半田層等を介して金属パターン層48と電気的に接続してよい。また、金属パターン層48は、放熱部材40上に位置する絶縁層46上に設けられてよい。絶縁層46は、金属パターン層48と放熱部材40との電気的絶縁を担保してよい。
半導体チップ50は、上面側にエミッタ電極55とゲート電極57とを有してよい。エミッタ電極55‐1はワイヤ54‐1を介して、エミッタ電極55‐2はワイヤ54‐2を介して、それぞれリードフレーム30‐3の領域32‐3と電気的に接続してよい。リードフレーム30‐3は、半導体装置100におけるエミッタ用の接続部品であってよい。本例の領域32‐3は、リードフレーム30‐3の一部であり、且つ、枠部材20の内側に位置する領域である。
ゲート電極57‐1は、ワイヤ58‐1を介してリードフレーム30‐4の領域32‐4と電気的に接続してよい。リードフレーム30‐4は、半導体装置100におけるゲート用の接続部品であってよい。本例の領域32‐4は、リードフレーム30‐4の一部であり、且つ、枠部材20の内側に位置する領域である。リードフレーム30‐2も、半導体装置100におけるゲート用の接続部品であってよい。例えば、リードフレーム30‐4及び30‐2により、半導体チップ50‐1及び50‐2をオン及びオフする。ゲート電極57‐2は、リードフレーム30‐2の一部であり、且つ、枠部材20の内側に位置する領域である領域32‐2と、ワイヤ58‐2を介して電気的に接続してよい。
図3は、図2のA‐A断面を示す。A‐A断面は、X‐Z平面に平行であり、リードフレーム30‐1及び30‐3を通る。本例の半導体チップ50は、半田層52を介して、放熱部材40、絶縁層46及び金属パターン層48の積層体の上方に載置される。金属パターン層48の材料は、銅(Cu)であってよい。絶縁層46は、BN(窒化ホウ素)などの高放熱性を有する材料で形成されたフィラーが配合された樹脂絶縁層であってよい。放熱部材40の材料は、アルミニウム(Al)や銅(Cu)であってよい。
本例の放熱部材40は、半導体チップ50の熱を半導体装置100の外に逃がす機能を有する。放熱部材40は、内部に冷媒が流れる冷却器上に配置されてよい。半導体チップ50の熱を冷却することにより、半導体装置100における温度上昇に伴う、抵抗成分の増加による損失増加と熱暴走破壊とを未然に防ぐことができる。なお、他の例においては、絶縁層46及び金属パターン層48に代えて、セラミックス絶縁層の両面を銅で直接挟んだDCB(Direct Copper Bond)基板を用いてもよい。また、DCB基板を用いた場合に、放熱部材40上にDCB基板を設けてよいし、放熱部材40を省略してDCB基板を冷却器上に設けてもよい。
さらなら他の例においては、半導体装置100に絶縁層46を設けずに、リードフレーム30を半導体チップ50の下部まで延伸させてもよい。これにより、リードフレーム30が金属パターン層48と放熱部材40とを兼ねることができる。即ち、延伸したリードフレーム30の一面に半導体チップ50を搭載し、且つ、半導体チップ50を搭載した一面とは反対の面を、上述の放熱部材40の端面41に相当する放熱面としてもよい。
半導体装置100の製法を簡単に説明すると以下の様になる。まず、枠部材20を作成する。次に、枠部材20にリードフレーム30を取り付ける。なお、枠部材20とリードフレーム30とを予め一体形成しておいてもよい。次に、放熱部材40、絶縁層46及び金属パターン層48の積層体を枠部材20に嵌め込む。次に、半田層52を介して半導体チップ50を金属パターン層48に接着する。次に、ワイヤ54、56及び58により、半導体チップ50とリードフレーム30とを接続する。最後に、枠部材20に封止樹脂部材26を流し込む。なお、他の例においては、枠部材20及び封止樹脂部材26に代えて、筐体10をトランスファーモールドにより形成してもよい。
凹部22は、枠部材20を成型加工するときに用いられる、樹脂材料を金型に注入するための注入口(即ち、ゲート部)に対応してもよい。また、凸部24又は凹部22は、金型に樹脂材料を流し込んだ後、金型から枠部材20を押し出すためのイジェクター部として機能してもよい。例えば、金型に設けられたイジェクターピンが、凸部24又は凹部22を金型から外に押し出す。これにより、金型から枠部材20を取り出してよい。本例では、ゲート部及びイジェクター部に加えて、追加の凹部及び凸部を金型に設けなくてもよい点が有利である。
図4は、複数個の半導体装置100をZ方向において積み重ねた積層体250を搬送用箱400に収納した状態を示す。Z方向において隣接する筐体10の第2の面14と放熱部材40の端面41とのクリアランスは、L-L-hである。+Z方向の端部に位置する半導体装置100の凸部は、搬送用箱400の上板420に接触してよい。また、-Z方向の端部に位置する半導体装置100の端面41は、搬送用箱400の下板410に接触してよい。搬送用箱400の材料は、段ボール箱の材料として使用されるボール紙、又は、ポリプロピレン等のプラスチック、あるいはステンレスなどの金属であってよい。
搬送用箱400は、搬送用箱400の内部において積層体250が動かないように、積層体250を固定してよい。例えば、上板420を-Z方向に加圧し且つ下板410を+Z方向に加圧することにより、Z軸方向において積層体250を固定する。例えば、下板410及び上板420を側板430により固定することにより、下板410及び上板420に対する加圧を実現する。なお、下板410、上板420及び側板430を囲む様に固定部材を設置することにより、加圧を実現してもよい。
また、Y軸方向に対向する筐体10の側面16と搬送用箱400の側板とを接触させることにより、Y軸方向において積層体250を固定してもよい。これに加えて、凹部22に接触する凸部414を下板410に設け、且つ、X及びY方向の少なくとも一方において凸部24に接触する凸部424を上板420に設けることにより、積層体250がX‐Y平面方向に移動しないことを担保してもよい。凸部414及び凸部424は、筐体10の凹部22及び凸部24の数に対応して設けてもよい。
図5は、半導体装置100の積層体250の搬送方法を示す。本例の搬送方法は、積層体250を形成する段階S300と、積層体250を搬送用箱400の内部に固定する段階S310と、搬送用箱400を搬送する段階S320とを備える。段階S300において、前述のように、半導体装置100をZ軸方向において複数個積み重ねてよい。段階S310において、前述のように、搬送用箱400の内部に積層体250を固定してよい。段階S320において、ベルトコンベア、車両、船舶又は航空機により搬送用箱400を搬送してよく、人が搬送用箱400を手に持って搬送してもよい。
図6は、ラック600の各スペース610に半導体装置800を収納した比較例を示す。ラック600は、複数の半導体装置800を搬送するための専用ラックである。ラック600の内部に複数の仕切り板620を設けることにより、ラック600の内部は複数のスペース610に分離されている。半導体装置800は、凹部22または凸部24を有しない比較例における半導体装置である。比較例に係る半導体装置800も、筐体の上面又は放熱部材840の下面に識別情報を有する。当該比較例においては、スペース610内において半導体装置800が移動することにより下面及び上面が擦れるので、下面及び上面に設けられた識別情報に傷又は汚れが付く可能性がある。しかも、全ての半導体装置800において傷又は汚れが付く可能性がある。
これに対して、第1実施形態(上述の図4)においては、専用のラック600ではなく汎用の箱により、複数個積み重ねた半導体装置100を搬送することができる。それゆえ、図6の比較例に比べて搬送に要するコストを低減することができる。加えて、上述の図4の例においては、図6の比較例に比べて、識別情報に傷又は汚れが付く可能性を著しく低減することができる。
図7は、スティック型のケース700に複数の半導体装置800を収納した比較例を示す。ケース700は、複数の半導体装置800を搬送するための専用ケースである。ケース700は、Y軸方向の長さがX及びZ軸方向の長さよりも長い。ケース700は、半導体装置800の下部を支持する線状突起部710‐1及び710‐2と、半導体装置800の上部を押える線状突起部720‐1及び720‐2とを有する。また、ケース700は、線状突起部710‐1及び710‐2の間に設けられ、線状突起部710よりも突出長さが小さい線状幅広突起部714を有する。複数の半導体装置800は、ケース700内部においてY軸方向において一列に並んで収納される。
これに対して、半導体装置100を積み重ねた第1実施形態(上述の図4)においては、専用のケース700ではなく汎用の箱により複数の半導体装置100を搬送することができる。それゆれ、図7の比較例に比べて搬送に要するコストを低減することができる。加えて、図7の比較例においては、線状突起部710及び720と半導体装置800の表面とが擦れることにより識別情報に傷又は汚れが付く可能性がある。しかしながら、上述の図4の例においては、識別情報に傷又は汚れが付く可能性を著しく低減することができる。
図8は、ロボットアーム500を用いて、通路510上において半導体装置100を移動させる本実施形態の様子を示す。本例の半導体装置100は、凸部24が通路510に接するように、通路510上に置かれてよい。ロボットアーム500は、1つ以上の半導体装置100をまとめて+Y方向に押し出すことにより複数の半導体装置100を+Y方向に移動させてよい。ロボットアーム500は、複数の半導体装置100を含む各グループを順次+Y方向に移動させてよい。本例においても、第2の面14は通路510と直接接しないので、第2の面14に設けられた識別情報15に傷又は汚れが付くことを防ぐことができる。このように、凸部24は、半導体装置100を個別に搬送する場合においても有利である。
図9は、凹部22の外形と凸部24の外形とを説明する図である。Z軸方向において筐体10を見た場合に、凹部22の外形は凸部24の外形よりも大きくてよい。例えば、Z軸方向に積み重ねた2つの筐体10の側面16のX軸方向位置を揃えた状態において、凹部22のX軸方向長さは、凸部24のX軸方向長さよりもΔだけ大きい。また、同様にY軸方向位置を揃えた状態において、凹部22のY軸方向長さは、凸部24のY軸方向長さよりもΔだけ大きくてもよい。X及びY軸方向の少なくとも一方に遊びΔを設けることにより、凹部22及び凸部24の嵌合が容易になる。これにより、複数の半導体装置100を積み重ねる作業時間を短縮することができる。
図10は、リードフレーム30の他の例を示す。本例のリードフレーム30は、第1領域34と、第2領域36と、屈曲部35とを有する。本例において、第1領域34は、筐体10の側面16からX軸方向と平行に突出する。また、第2領域36は、第1領域34の筐体10の側面16とは反対側の端部からZ軸方向に対して所定の角度φだけ傾いてZ軸方向に突出する。屈曲部35は、第1領域34と第2領域36との接続部分に位置する。
本例において、Z軸方向に平行な直線と第2領域36とは角度φを成す。角度φは、複数の半導体装置100を積み重ねた場合に、Z軸方向において隣接するリードフレーム30の第2領域36同士が接触しない(干渉しない)角度であってよい。角度φは、鋭角であってよい。角度φは、例えば、0度より大きく90度より小さい。リードフレーム30の厚さを考慮した上で、リードフレーム30同士の接触を防ぐべく、角度φは7度以上であってよい。
図11は、放熱部材40が第2の面14において外部に露出する例を示す。本例において、第2の面14から筐体10の外部に位置する放熱部材40の端面41までの長さが、放熱部材40の突出長さhである。なお、本例の突出長さhは正の値であるが、他の例において突出長さhはゼロであってもよい。つまり、放熱部材40の端面41は、第2の面14と面一であってもよい。本例においても、クリアランス(L-L-h)が正の値であってよい。
本例においては、第1の面12に識別情報13が設けられ、端面41に識別情報15が設けられる。本例においても、半導体装置100をZ軸方向に複数個積み重ねた場合に、第1の面12の識別情報13及び端面41の識別情報15の両方又は一方に傷または汚れが付くことを防ぐことができる。また、図8の例の様に、凸部24が通路510に接するように半導体装置100が通路510に置かれた場合に、第2の面14に設けられた識別情報15に傷又は汚れが付くことを防ぐこともできる。
図12は、凹部22及び凸部24の第1の変形例を示す。(A)から(C)は、それぞれ、第1の変形例における半導体装置100の上面図、側面図、及び下面図を示す。筐体10は、2つ以上の凹部22と、Z軸方向において凹部22に対応する2つ以上の凸部24とを有してよい。なお、凹部22及び凸部24の数は、互いに独立した凹部22及び凸部24の数を意味してよい。例えば、2つの凹部22とは、互いに離間した2つの凹部22を意味する。また、2つの凸部24とは、互いに離間した2つの凸部24を意味してよい。
本例の筐体10は、X‐Y平面において対角線上に設けられた、2つの凹部22‐1及び22‐3と、2つの凸部24‐1及び24‐3とを有する。本例においても、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。
ただし、他の例においては、本例とは別の対角線上に、一組の凹部22と一組の凸部24を設けてもよい。さらなる他の例においては、一組の凸部24は、矩形形状の第2の面14の中心に対して点対称に設けられてもよい。この場合に、一組の凸部24は、第2の面14の辺に接するように設けられてよい。また、一組の凹部22は、Z軸方向において凸部24に対応する位置に設けられてよい。
図13は、凹部22及び凸部24の第2の変形例を示す。(A)から(C)は、それぞれ、第2の変形例における半導体装置100の上面図、側面図、及び下面図を示す。筐体10は、全てが同じ直線上に設けられていない3つの凹部22と、全てが同じ直線上に設けられていない3つの凸部24とを含んでよい。本例の筐体10は、3つの凹部22‐1、22‐3及び22‐4と、3つの凸部24‐1、24‐3及び24‐4とを有する。なお、筐体10は、凹部22‐1、22‐2、22‐3及び22‐4のうちの任意の3つと、Z軸方向において当該に任意の3つに対応する3つの凸部24とを有してもよい。本例においても、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。
さらに、本例においては、Z軸方向に複数の半導体装置100を積み重ねた場合に、半導体装置100のX及びY軸方向の向きを同じ向きに揃えることができる。例えば、第1段目の半導体装置100においてはリードフレーム30‐1が+X方向に突出して配置され、第2段目の半導体装置100においてはリードフレーム30‐1が-X方向に突出して配置される、という事態を防ぐことができる。このように半導体装置100の向きを揃えることにより、例えば、積み重ねた状態から半導体装置100を1つずつ取り出して、他の部材及び基板等に取り付ける作業が容易になり得る。
図14は、凹部22及び凸部24の第3の変形例を示す。(A)から(C)は、それぞれ、第3の変形例における半導体装置100の上面図、側面図、及び下面図を示す。本例の筐体10は、図1の例と同様に、4つの凹部22と4つの凸部24とを有する。ただし、Z軸方向と平行な方向において第2の面14を見た場合に、本例の凸部24は互いに形状が異なる。
図14の(A)に示す様に、本例の凸部24‐1は、半径R1の円柱の一部である。より詳細には、本例の凸部24‐1は、半径R1の円柱をX-Y平面において4分の1に分割した部分を含む。また、本例の凸部24‐2は四角柱であり、本例の凸部24‐3は三角柱である。さらに、本例の凸部24‐4は、半径R1よりも大きな半径R2の円柱の一部である。より詳細には、本例の凸部24‐4は、半径R2の円柱をX-Y平面において4分の1に分割した部分を含む。なお、円柱の一部の各々は、筐体10の側面16の角部の形状に対応した形状を有してよく、円を4分の1に分割した完全な4分の1の形状でなくてよい。
また、Z軸方向と平行な方向において第1の面12を見た場合に、凹部22も互いに形状が異なる。図14の(C)に示す様に、本例の凹部22は、凸部24に対応する形状である。Z軸方向において複数の筐体10が重ねられた場合に、凸部24は、Z軸向において対応する位置に設けられた凹部22に嵌合する形状である。
本例においても、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。さらに、Z軸方向に積み重ねた場合に、半導体装置100のX及びY軸方向の向きを揃えることもできる。なお、本例の特徴を図12及び図13の例に適用してもよい。
図15は、凹部22及び凸部24の第4の変形例を示す。(A)から(C)は、それぞれ、第4の変形例における半導体装置100の上面図、側面図、及び下面図を示す。筐体10は、矩形形状である第1の面12の対向する二辺の各々に沿って延伸して設けられた凹部22‐aと、矩形形状である第2の面14の対向する二辺の各々に沿って延伸して設けられた凸部24‐bとを有してよい。本例の筐体10は、凹部22‐a1及び22‐a3と、凸部24‐b1及び24‐b3とを有する。ただし、筐体10は、凹部22‐a2及び22‐a4と、凸部24‐b2及び24‐b4とを有してもよい。
本例の凹部22及び凸部24は各辺全体に渡って延伸するが、他の例の凹部22及び凸部24は各辺の一部に設けられてもよい。Y軸方向に延伸する凹部22‐a1のY軸方向長さが、凹部22‐a1のX軸方向長さに比べて長い場合に、凹部22‐a1は一辺の一部に設けられるとしてよい。同様に、Y軸方向に延伸する凸部24‐b1のY軸方向長さが、凸部24‐b1のX軸方向長さに比べて長い場合に、凸部24‐b1は一辺の一部に設けられるとしてよい。本例においても、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。
図16は、凹部22及び凸部24の第5の変形例を示す。(A)から(C)は、それぞれ、第5の変形例における半導体装置100の上面図、側面図、及び下面図を示す。筐体10は、第1の面12における三辺の各々に沿って延伸して設けられた凹部22‐aと、第2の面14における三辺の各々に沿って延伸して設けられた凸部24‐bとを有してよい。本例の筐体10は、凹部22‐a1、22‐a2及び22‐a3と、凸部24‐b1、24‐b2及び24‐b3と、を有する。なお、筐体10は、凹部22‐a1、22‐a2、22‐a3及び22‐a4のうちの任意の3つと、Z軸方向において当該任意の3つの凹部22‐aに対応する3つの凸部24‐bとを有してもよい。
本例においても、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。さらに、Z軸方向に積み重ねた場合に、半導体装置100のX及びY軸方向の向きを揃えることができる。
図17は、凹部22及び凸部24の第6の変形例を示す。(A)から(C)は、それぞれ、第6の変形例における半導体装置100の上面図、側面図、及び下面図を示す。筐体10は、第1の面12において環状に設けられた凹部22‐aと、第2の面14において環状に設けられた凸部24‐bとを有してよい。なお、環状とは、例示的に列挙すれば、角部が直角の矩形の環状、角部が曲率を有する矩形の環状、及び、円形の環状を含む。
環状に設けられた凹部22‐a及び24‐bは、X‐Y平面方向において幅を有してよい。この場合に、幅の内側部分は角部が曲率を有する矩形の環状とし、幅の外側部分は角部が直角の矩形の環状としてもよい。本例においても、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。
図18は、凹部22及び凸部24の第7の変形例を示す。(A)から(C)は、それぞれ、第7の変形例における半導体装置100の上面図、側面図、及び下面図を示す。筐体10は、第1の面12における四辺の各々に沿って延伸して設けられた凹部22‐aと、第2の面14における四辺の各々に沿って延伸して設けられた凸部24‐bとを有してよい。なお、本例においては、四辺各々の一部に凹部22‐aが設けられ、四辺各々の一部に凸部24‐bが設けられる。
本例の凹部22‐a1は、第1の面12の一辺に全体に渡って延伸せず、当該一辺の一部に設けられる。本例においては、凹部22‐a1のY軸方向長さが、凹部22‐a1のX軸方向長さに比べて長い。他の辺においても同様の関係が成り立つ。本例においても、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。
また、少なくとも1組の対向する二辺に設けられる凹部22(凸部24)は、必ずしも、第1の面12(第2の面14)の中心に対して点対称に配置されなくてもよい。また、少なくとも1組の対向する二辺に設けられる凹部22(凸部24)の延伸長さを異ならせてもよい。これにより、半導体装置100を積み重ねる場合に、半導体装置100のX及びY軸方向の向きを揃えることができる。
図19は、第2実施形態における半導体装置110の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。本例の半導体装置100は、第1実施形態に示した筐体10の側面16から突出するリードフレーム30に代えて、第2の面14から突出するリードフレーム60を有する。なお、本例のリードフレーム60は、外部接続端子の一例である。
本例のリードフレーム60は、第1領域62と、第2領域64と、屈曲部63とを有する。本例において、第1領域62は、第2の面14から+Z方向へ突出する。また、第2領域64は、第1領域62の第2の面14側とは反対側の端部からX軸方向に突出する。屈曲部63は、第1領域62と第2領域64との接続部分に位置する。
本例において、第2の面14からリードフレーム60のZ軸方向の端部66までの突出長さを、長さLとする。なお、端部66は、Z軸方向における第2の面14とは反対側におけるリードフレーム60の端部である。つまり、本例の長さLは、第2の面14から第2領域64のZ軸方向の最大高さ位置までの長さである。
本例において、凸部24の第2長さLと、長さLとの差(L-L)は、凹部22の第1長さLよりも大きい(即ち、L<L-L)。本例の半導体装置110は、第1の面12からの突出長さhが正の値である放熱部材40を有する。それゆえ、本例においては、{(L-L)-(L+h)}が正の値である。なお、放熱部材40の突出長さhがゼロである他の例においては、(L-L-L)が正の値であってよい。これにより、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。
図20は、第3実施形態における半導体装置120の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。第3実施形態においては、放熱部材40の突出長さhがゼロである。また、本例の半導体装置120は、第1実施形態のリードフレーム30を有する。本例において、第2長さLは第1長さLよりも大きい。つまり、本例では、(L-L)が正の値である。これにより、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。
図21は、第4実施形態における半導体装置130の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。本例の筐体10は、第2の面14に接して設けられた凸部44を有する。また、本例の放熱部材40は第1の面12において筐体10から外部に露出し、且つ、放熱部材40は端面41に設けられた凹部42を有する。なお、本例においても、Z軸方向において、凹部42と凸部44とは互いに対応する位置に設けられる。
本例の凹部42は、識別情報13に干渉しない位置に配置される。凹部42は、識別情報13の周りの任意の位置に設けられてよい。同様に、本例の凸部44は、識別情報15に干渉しない位置に配置されてよい。凸部44も、識別情報15の周りに設けられてよい。本例においては、(L-L-h)が正の値であれば、クリアランスを形成することができる。本例においても、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。
図22は、第4実施形態の変形例における半導体装置140の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。本例は、凹部42が第2の面14に設けられ、凸部44が放熱部材40の端面41に接して設けられる。係る点において、第4実施形態が変形されている。本例においても、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。なお、本例の第2長さLは、放熱部材40の端面41から凸部44の端部25までの長さであるとする。本例においても、(L-L-h)が正の値であれば、クリアランスを形成することができる。
図23は、半導体装置140を冷却器300上に載置した様子を示す。冷却器300は、Y軸方向に延伸する複数のフィン310を有する。各フィン310はX軸方向において互いに離間してよい。冷却液320は、隣接する2つのフィン310の間において+Y方向に流れてよい。半導体チップ50から出る熱は、フィン310及び冷却液320と熱交換することにより冷却されてよい。
本例の冷却器300は、半導体装置140の凸部44と嵌合する凹部330を有する。凹部330は、冷却器300に対する半導体装置140の位置決めに利用されてよい。本例においては、凸部44及び凹部330を用いて予め冷却器300と半導体装置140との相対位置を決定するので、冷却器300上に半導体装置140を載置する作業を短時間で行うことができる。なお、放熱部材40が凹部42を有する場合に、冷却器300が凹部42に嵌合する凸部を有してもよい。
図24は、第5実施形態における半導体装置150の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。本例の半導体装置150は、放熱部材40を有しない。半導体装置150は、例えば、ディスクリート半導体チップである。本例において、筐体10における第1の面12及び第2の面14は、封止樹脂部材26の表面である。
凹部22及び凸部24は、封止樹脂部材26に設けられてよい。本例の凸部24は、第1の面12に接する封止樹脂部材26の一部である。ただし、凸部24は、樹脂材料よりも硬度の高いガラスで形成されてもよい。凸部24を封止樹脂部材26で形成する場合に比べて、凸部24を封止樹脂部材26とは異なる材料で形成する方が、筐体10の形成がより簡略化できる場合がある。
本例の凹部22は、識別情報13に干渉しない位置に配置される。凹部22は、識別情報13の周りの任意の位置に設けられてよい。同様に、本例の凸部24は、識別情報15に干渉しない位置に配置される。凸部24も、識別情報15の周りに設けられてよい。本例においても、第2長さLは、第1長さLよりも大きくてよい。これにより、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。
なお、第1実施形態のように、凹部22を第1の面12の4ヶ所の各々に設けてもよく、凸部24を第2の面14の4ヶ所の各々に設けてもよい。また、図9から図18に示した特徴を、本例に適用してよいのは勿論である。
上述のように、本例の半導体装置150は放熱部材40を有しない。但し、第1から第4実施形態の様に放熱部材40を設ける場合には、放熱部材40は第1の面12又は第2の面14から外部に露出してよい。例えば、放熱部材40が第1の面12において外部に露出する場合に、第1の面12に設けられた識別情報13に代えて、放熱部材40の端面41に識別情報13を設ける。これに代えて、放熱部材40が第2の面14において外部に露出する場合に、第2の面14に設けられた識別情報15に代えて、放熱部材40の端面41に識別情報15を設けてよい。
図25は、第5実施形態の変形例における半導体装置160の(A)上面図、(B)側面図及び(C)下面図を示す。本例においては、第1の面12に接して凸部24が設けられ、第2の面14に凹部22が設けられる。係る点が、第5実施形態と異なる。その他の点は、第5実施形態と同じである。
図26は、第6実施形態における半導体装置170の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。本例の筐体10は、枠部材20及び封止樹脂部材26を有しない。本例の筐体10は、金型にエポキシ樹脂等の樹脂を流し込みモールド成形する、いわゆるトランスファーモールド(transfer molding)により形成される。それゆえ、本例の筐体10は、第1の面12、第2の面14及び側面16が、各々同じ樹脂材料である。なお、側面16は、Z軸方向において第1の面12と第2の面14との間に位置する。
本例の凹部22は、トランスファーモールドにおいて樹脂材料を金型に注入するためのゲート部に対応してよい。それゆえ、凹部22の端部23が第1の面12等と同じ樹脂材料であるということは、筐体10がトランスファーモールドにより形成されたことを示す特徴であると見なしてよい。
なお、凹部22及び凸部24は、金型にモールド樹脂を流し込んだ後、金型から筐体10を押し出すためのイジェクター部として機能してよい。例えば、金型に設けられたイジェクターピンが、凹部22又は凸部24を金型から外に押し出す。これにより、金型から筐体10を取り出してよい。本例では、ゲート部及びイジェクター部に加えて、追加の凹部及び凸部を金型に設けなくてもよい点が有利である。
本例の半導体装置170は、第1の面12において外部に露出する放熱部材40を含む。また、凹部22は第1の面12における4ヵ所の角部に各々設けられ、凸部24は第2の面14における4ヵ所の角部に各々設けられる。本例においても、クリアランス(L-L-h)が正の値であってよい。これにより、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。なお、本例の変形例として、図11に示す例の様に、放熱部材40は、第2の面14において外部に露出してもよい。
図27は、第7実施形態における半導体装置180の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。本例においては、放熱部材40の突出長さhがゼロである。係る点が、第6実施形態と異なる。本例においては、(L-L)が正の値であれば、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。
図28は、第8実施形態における半導体装置190の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。第4実施形態(図21)と同様に、本例の凹部42は、放熱部材40の端面41に設けられる。また、本例の凸部44は、Z軸方向において凹部42に対応する位置であって、第2の面14に接して設けられる。係る点が、第6実施形態と異なる。なお、本例の変形例として、第4実施形態の変形例(図22)と同様に、端面41に接して凸部44を設け、第2の面14に凹部42を設けてもよい。
図29は、第9実施形態における半導体装置200の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。本例の半導体装置200は、第5実施形態(図24)と同様に、放熱部材40を有しない。係る点が、第6実施形態と異なる。
図30は、第10実施形態における半導体装置210の(A)上面図、(B)側面図、及び(C)下面図を示す。本例の半導体装置210は、第1の面12において外部に露出するリードフレーム80と、第2の面14において外部に露出するリードフレーム90と、を有する。外部に露出するリードフレーム80及び90を介して、半導体装置210は冷却されてよい。
本例の筐体10は、第6実施形態(図26)と同様に、トランスファーモールドにより形成された樹脂体であってよい。それゆえ、本例においても、凹部22及び凸部24に起因する上述した有利な効果を享受することができる。本例の半導体装置210は、側面16‐1から突出するリードフレーム70‐1から70‐4を有する。リードフレーム70‐1から70‐4は、半導体装置210におけるゲート用の接続部品であってよい。また、リードフレーム80は、半導体装置210におけるエミッタ(及びカソード)用の接続部品である。リードフレーム90は、半導体装置210におけるコレクタ(及びアノード)用の接続部品である。
リードフレーム80は、側面16‐3から突出する第1領域82と、第1の面12において外部に露出する第2領域84とを含む。また、リードフレーム90は、側面16‐3から突出する第1領域92と、第2の面14において外部に露出する第2領域94とを含む。本例においては、第2領域84及び第2領域94が、第1実施形態等における放熱部材40として機能する。つまり、本例の半導体装置210は、第1の面12及び第2の面14の両面から冷却され得る。ただし、第2領域84及び冷却器300の間、並びに、第2領域94及び冷却器300の間には絶縁基板が設けられてよい。
図31は、図30の(B)側面図における筐体10の内部を示す。半導体チップ50のコレクタ電極は、半田層78‐1を介して、リードフレーム80の第2領域84に電気的に接続してよい。半導体チップ50のエミッタ電極は、半田層78‐2、導電性スペーサ76及び半田層78‐3を介して、リードフレーム90の第2領域94に電気的に接続してよい。また、半導体チップ50のゲート電極はワイヤ59を介してリードフレーム70‐1から70‐4に接続してよい。
図32は、半導体装置210の分解斜視図である。ただし、理解を容易にするため、半導体装置210におけるモールド樹脂及び半田層78は省略する。本例の半導体装置210は、Y軸方向に並んで設けられたIGBTチップである半導体チップ50‐1と、FWDチップである半導体チップ50‐2とを有する。半導体チップ50‐1及び50‐2の下面は、リードフレーム80の第2領域84に共に電気的に接続される。また、半導体チップ50‐1及び50‐2の上面は、導電性スペーサ76等を介して、リードフレーム90の第2領域94に共に電気的に接続される。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
特許請求の範囲、明細書、及び図面中において示した装置、システム、プログラム、及び方法における動作、手順、ステップ、及び段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、及び図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順序で実施することが必須であることを意味するものではない。
10・・筐体、12・・第1の面、13・・識別情報、14・・第2の面、15・・識別情報、16・・側面、20・・枠部材、22・・凹部、23・・端部、24・・凸部、25・・端部、26・・封止樹脂部材、30・・リードフレーム、32・・領域、34・・第1領域、35・・屈曲部、36・・第2領域、40・・放熱部材、41・・端面、42・・凹部、44・・凸部、46・・絶縁層、48・・金属パターン層、50・・半導体チップ、52・・半田層、54・・ワイヤ、55・・エミッタ電極、56・・ワイヤ、57・・ゲート電極、58・・ワイヤ、59・・ワイヤ、60・・リードフレーム、62・・第1領域、63・・屈曲部、64・・第2領域、66・・端部、70・・リードフレーム、76・・導電性スペーサ、78・・半田層、80・・リードフレーム、82・・第1領域、84・・第2領域、90・・リードフレーム、92・・第1領域、94・・第2領域、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200、210・・半導体装置、250・・積層体、300・・冷却器、310・・フィン、320・・冷却液、330・・凹部、400・・搬送用箱、410・・下板、414・・凸部、420・・上板、424・・凸部、430・・側板、500・・ロボットアーム、510・・通路、600・・ラック、610・・スペース、620・・仕切り板、700・・ケース、710・・線状突起部、714・・線状幅広突起部、720・・線状突起部、800・・半導体装置、840・・放熱部材

Claims (19)

  1. 筐体を有する半導体装置であって、
    前記筐体は、
    第1の面と、
    前記第1の面に設けられた凹部と、
    前記第1の面に対向する第2の面と、
    前記第2の面に接して設けられた凸部と
    を備え、
    前記第1の面から前記第2の面に向かう前記筐体の厚さ方向において、前記凹部と前記凸部とは互いに対応する位置に設けられ
    前記第1の面において外部に突出する放熱部材を含み、
    前記放熱部材は、前記凹部よりも前記第1の面の中心側に設けられる、半導体装置。
  2. 前記第2の面から前記厚さ方向における前記凸部の端部までにおける前記凸部の第2長さは、前記第1の面から前記厚さ方向における前記第1の面とは反対側の前記凹部の端部までにおける前記凹部の第1長さよりも大きい
    請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記筐体は、前記第2の面に設けられた識別情報を有する
    請求項1または2に記載の半導体装置
  4. 前記第2の面から前記厚さ方向における前記凸部の端部までにおける凸部の第2長さは、前記第1の面または前記第2の面から突出する前記放熱部材の突出長さと、前記第1の面から前記厚さ方向における前記第1の面とは反対側の前記凹部の端部までにおける凹部の第1長さとを足した長さよりも大きい
    請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置。
  5. 前記放熱部材は、前記放熱部材における端面であって外部に露出する前記端面に設けられた識別情報を有する
    請求項3に記載の半導体装置。
  6. 前記第2の面から突出する外部接続端子をさらに備え、
    前記第2の面から前記厚さ方向における前記凸部の端部までにおける凸部の第2長さと、前記第2の面から前記厚さ方向における前記第2の面とは反対側の前記外部接続端子の端部までの突出長さとの差は、前記第1の面から前記厚さ方向における前記第1の面とは反対側の前記凹部の端部までにおける凹部の第1長さよりも大きい
    請求項4または5に記載の半導体装置。
  7. 前記厚さ方向と平行な方向において前記筐体を見た場合に、前記凹部の外形は前記凸部の外形よりも大きい
    請求項1からのいずれか一項に記載の半導体装置。
  8. 前記筐体は、2つの前記凹部と、2つの前記凸部とを有する
    請求項1からのいずれか一項に記載の半導体装置。
  9. 前記筐体は、
    全てが同じ直線上に設けられていない3つの前記凹部と、
    全てが同じ直線上に設けられていない3つの前記凸部と
    を有する
    請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。
  10. 前記厚さ方向と平行な方向において前記筐体を見た場合に、前記第1の面および前記第2の面の外側の外形は矩形形状であり、
    前記筐体は、
    前記第1の面における角部に各々設けられた4つの前記凹部と、
    前記第2の面における角部に各々設けられた4つの前記凸部と
    を有する
    請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。
  11. 前記凹部は、前記厚さ方向と平行な方向において前記第1の面を見た場合に互いに形状が異なり、
    前記凸部は、前記厚さ方向と平行な方向において前記第2の面を見た場合に互いに形状が異なり、
    前記厚さ方向において複数の前記筐体が重ねられた場合に、前記凸部は前記厚さ方向において対応する位置に設けられた前記凹部に嵌合する形状である
    請求項10に記載の半導体装置。
  12. 前記第1の面および前記第2の面は矩形形状であり、
    前記筐体は、
    前記第1の面の対向する二辺の各々に沿って延伸して設けられた前記凹部と、
    前記第2の面の対向する二辺の各々に沿って延伸して設けられた前記凸部と
    を有する
    請求項1からのいずれか一項に記載の半導体装置。
  13. 前記筐体は、
    前記第1の面における三辺の各々に沿って延伸して設けられた前記凹部と、
    前記第2の面における三辺の各々に沿って延伸して設けられた前記凸部と
    を有する
    請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。
  14. 前記筐体は、
    前記第1の面における四辺の各々に沿って延伸して設けられた前記凹部と、
    前記第2の面における四辺の各々に沿って延伸して設けられた前記凸部と
    を有する
    請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。
  15. 前記筐体は、
    前記第1の面において環状に設けられた前記凹部と、
    前記第2の面において環状に設けられた前記凸部と
    を有する
    請求項14に記載の半導体装置。
  16. 前記筐体は、
    枠部材と、
    前記厚さ方向において前記枠部材を見た場合に前記枠部材の内側に設けられた、封止樹脂部材と
    を含み、
    前記封止樹脂部材の表面は、前記第1の面および前記第2の面の一部であり、
    前記凹部および前記凸部は、前記枠部材に設けられる
    請求項1から15のいずれか一項に記載の半導体装置
  17. 前記筐体において、前記第1の面と、前記第2の面と、前記厚さ方向において前記第1の面と前記第2の面との間に位置する側面とが、各々同じ樹脂材料であり
    請求項1から16のいずれか一項に記載の半導体装置
  18. 請求項1から17のいずれか一項に記載の半導体装置を前記厚さ方向において複数個積み重ねた積層体。
  19. 請求項1から17のいずれか一項に記載の半導体装置を前記厚さ方向において複数個積み重ねることにより、半導体装置の積層体を形成する段階と、
    前記積層体を搬送用箱の内部に固定する段階と、
    前記搬送用箱を搬送する段階と
    を備える、半導体装置の積層体の搬送方法。
JP2017174553A 2017-09-12 2017-09-12 半導体装置、半導体装置の積層体、及び、半導体装置の積層体の搬送方法 Active JP7024269B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017174553A JP7024269B2 (ja) 2017-09-12 2017-09-12 半導体装置、半導体装置の積層体、及び、半導体装置の積層体の搬送方法
US16/048,344 US10615088B2 (en) 2017-09-12 2018-07-30 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017174553A JP7024269B2 (ja) 2017-09-12 2017-09-12 半導体装置、半導体装置の積層体、及び、半導体装置の積層体の搬送方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019050324A JP2019050324A (ja) 2019-03-28
JP7024269B2 true JP7024269B2 (ja) 2022-02-24

Family

ID=65631504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017174553A Active JP7024269B2 (ja) 2017-09-12 2017-09-12 半導体装置、半導体装置の積層体、及び、半導体装置の積層体の搬送方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10615088B2 (ja)
JP (1) JP7024269B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019102519A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP7129944B2 (ja) * 2019-05-08 2022-09-02 三菱電機株式会社 半導体装置
DE102019113082A1 (de) 2019-05-17 2020-11-19 Infineon Technologies Ag Halbleiter-gehäuse und verfahren zum bilden eines halbleiter-gehäuses

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009200415A (ja) 2008-02-25 2009-09-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2010192848A (ja) 2009-02-20 2010-09-02 Yamaha Corp 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2015115557A (ja) 2013-12-13 2015-06-22 株式会社東芝 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58168141U (ja) 1982-05-06 1983-11-09 京セラ株式会社 リ−ドレスパツケ−ジ
JPS6046051A (ja) * 1983-08-24 1985-03-12 Nec Corp 半導体装置
JP2708191B2 (ja) * 1988-09-20 1998-02-04 株式会社日立製作所 半導体装置
JP2567961B2 (ja) * 1989-12-01 1996-12-25 株式会社日立製作所 半導体装置及びリ−ドフレ−ム
JP2569932Y2 (ja) * 1991-05-31 1998-04-28 京セラ株式会社 半導体パッケージ
JPH058929U (ja) 1991-07-15 1993-02-05 株式会社指月電機製作所 電気部品の外装構造
JPH06302730A (ja) * 1993-04-19 1994-10-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 放熱板と半導体装置
JPH08139117A (ja) * 1994-11-04 1996-05-31 Toshiba Corp 半導体装置の外囲器の形成方法
JP2005011854A (ja) 2003-06-16 2005-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP4271590B2 (ja) * 2004-01-20 2009-06-03 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US20090026470A1 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Novalite Optronics Corp. Super thin side-view light-emitting diode (led) package and fabrication method thereof
US7875962B2 (en) * 2007-10-15 2011-01-25 Power Integrations, Inc. Package for a power semiconductor device
JP2013025540A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Toshiba Corp 半導体記憶装置
DE102012215705B4 (de) * 2012-09-05 2021-09-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gehäuse für ein optisches bauelement, baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer baugruppe
DE102015108700A1 (de) * 2015-06-02 2016-12-08 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiter-Leistungs-Package und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102015109073B4 (de) * 2015-06-09 2023-08-10 Infineon Technologies Ag Elektronische Vorrichtungen mit erhöhten Kriechstrecken
US10461010B2 (en) * 2016-04-04 2019-10-29 Mitsubishi Electric Corporation Power module, power semiconductor device and power module manufacturing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009200415A (ja) 2008-02-25 2009-09-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2010192848A (ja) 2009-02-20 2010-09-02 Yamaha Corp 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2015115557A (ja) 2013-12-13 2015-06-22 株式会社東芝 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019050324A (ja) 2019-03-28
US10615088B2 (en) 2020-04-07
US20190080972A1 (en) 2019-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7024269B2 (ja) 半導体装置、半導体装置の積層体、及び、半導体装置の積層体の搬送方法
EP2750212B1 (en) Light emitting device package, light emitting device using that package, and illumination device using the light emitting devices
US6949816B2 (en) Semiconductor component having first surface area for electrically coupling to a semiconductor chip and second surface area for electrically coupling to a substrate, and method of manufacturing same
US20170271240A1 (en) Power semiconductor module and cooler
US9006784B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101015294B1 (ko) 반도체 패키지용 방열 플레이트 및 반도체 장치
US20160254217A1 (en) Package module of power conversion circuit and manufacturing method thereof
US7531844B2 (en) Light emitting element
US10074598B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6539727B2 (ja) 分配機能タイバーを有するギャングクリップ
JP2014113025A (ja) 半導体電力変換装置およびその製造方法
JP6677616B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20150115478A1 (en) Semiconductor module
EP2728618B1 (en) Semiconductor module
JP5136458B2 (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
KR20090127294A (ko) 발광 장치
US9893641B2 (en) Three-phase inverter module
JP2008300627A (ja) 半導体装置
CN115799210A (zh) 陶瓷覆铜板及功率模块的制备方法
JP7367418B2 (ja) 半導体モジュールおよび車両
JP5987634B2 (ja) パワー半導体モジュール
JPH1145964A (ja) 半導体装置、その製造方法
US20240021496A1 (en) Semiconductor device
US8041196B2 (en) Heat radiating plate storage tray
US20220084901A1 (en) Semiconductor apparatus and semiconductor apparatus manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200813

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210608

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210816

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220111

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220124

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7024269

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150