JP2569932Y2 - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージInfo
- Publication number
- JP2569932Y2 JP2569932Y2 JP1991040640U JP4064091U JP2569932Y2 JP 2569932 Y2 JP2569932 Y2 JP 2569932Y2 JP 1991040640 U JP1991040640 U JP 1991040640U JP 4064091 U JP4064091 U JP 4064091U JP 2569932 Y2 JP2569932 Y2 JP 2569932Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- semiconductor package
- marking
- base
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、セラミック製半導体パ
ッケージに関する。
ッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より用いられているサーディップ型
のセラミック製半導体パッケージの構造は、図７に示す
ように、セラミック製のベース１５とセラミック製のキ
ャップ１１およびこれらの間に保持される外部リード
（不図示）からなっていた。そして、上記ベース１５の
キャビティ部１６に半導体チップを収納して、不図示の
外部リードとワイヤボンディングし、キャップ１１を被
せてガラス封止するようになっていた。
のセラミック製半導体パッケージの構造は、図７に示す
ように、セラミック製のベース１５とセラミック製のキ
ャップ１１およびこれらの間に保持される外部リード
（不図示）からなっていた。そして、上記ベース１５の
キャビティ部１６に半導体チップを収納して、不図示の
外部リードとワイヤボンディングし、キャップ１１を被
せてガラス封止するようになっていた。
【０００３】また、上記キャップ１１の表面には、型番
などのマーキング１３が形成されており、ＥＰ ＲＯＭ
等の場合は、ガラス等からなる透光窓１４を備えてい
た。
などのマーキング１３が形成されており、ＥＰ ＲＯＭ
等の場合は、ガラス等からなる透光窓１４を備えてい
た。
【０００４】
【本考案が解決しようとする課題】ところが、上記セラ
ミック製のキャップ１１およびベース１５は、セラミッ
ク原料粉末をプレス成形した後焼成したものであり、そ
の製造工程において原料粉末の詰まりが均一となりにく
く、最終的に３０〜１００μｍの反りが発生することを
避けられなかった。
ミック製のキャップ１１およびベース１５は、セラミッ
ク原料粉末をプレス成形した後焼成したものであり、そ
の製造工程において原料粉末の詰まりが均一となりにく
く、最終的に３０〜１００μｍの反りが発生することを
避けられなかった。
【０００５】そのため、上記マーキング１３あるいは透
光窓１４側が凸状となるように反りが発生した場合、半
導体パッケージの製造、搬送工程で、マーキング１３あ
るいは透光窓１４部分が他の部材と接触して、マーキン
グ１３にカスレが発生したり、透光窓にキズが付くとい
う問題点があった。
光窓１４側が凸状となるように反りが発生した場合、半
導体パッケージの製造、搬送工程で、マーキング１３あ
るいは透光窓１４部分が他の部材と接触して、マーキン
グ１３にカスレが発生したり、透光窓にキズが付くとい
う問題点があった。
【０００６】そこで、本考案は上記課題に鑑み、セラミ
ック製のキャップ、ベース、およびこれらの間に保持さ
れる外部リードからなる半導体パッケージにおいて、上
記キャップおよび／またはベースの外表面に、マーキン
グまたは透光窓を保護するための先細り状をした突出部
をプレス成形により一体的に形成するとともに、上記突
出部の高さを０．０３ｍｍ以上でかつキャップおよび／
またはベースの厚みの２５％以下としたことを特徴とす
るものである。
ック製のキャップ、ベース、およびこれらの間に保持さ
れる外部リードからなる半導体パッケージにおいて、上
記キャップおよび／またはベースの外表面に、マーキン
グまたは透光窓を保護するための先細り状をした突出部
をプレス成形により一体的に形成するとともに、上記突
出部の高さを０．０３ｍｍ以上でかつキャップおよび／
またはベースの厚みの２５％以下としたことを特徴とす
るものである。
【０００７】
【実施例】以下本考案実施例を図によって説明する。
【０００８】本考案実施例の半導体パッケージを構成す
るセラミック製キャップのみの平面図を図１に、断面図
を図２（Ａ）にそれぞれ示す。このキャップ１には外表
面にマーキング３が形成され、該マーキング３が形成さ
れた面の全周囲に連続した突出部２を形成してある。そ
のため、このキャップ１を用いた半導体パッケージは、
製造工程、搬送工程などにおいて、マーキング３部分が
他の部材と接触することがなく、マーキング３のカスレ
を防止できる。
るセラミック製キャップのみの平面図を図１に、断面図
を図２（Ａ）にそれぞれ示す。このキャップ１には外表
面にマーキング３が形成され、該マーキング３が形成さ
れた面の全周囲に連続した突出部２を形成してある。そ
のため、このキャップ１を用いた半導体パッケージは、
製造工程、搬送工程などにおいて、マーキング３部分が
他の部材と接触することがなく、マーキング３のカスレ
を防止できる。
【０００９】また、上記キャップ１は、アルミナ、ムラ
イト、窒化アルミなどのセラミックスで形成されてお
り、これらのセラミック原料粉末をプレス成形した後、
焼成することによって得られるものである。そして、プ
レス成形時に、金型を予め上記凸部２に対応する形状と
しておくことによって、プレス成形を行うだけで、容易
に上記凸部２を形成することができる。
イト、窒化アルミなどのセラミックスで形成されてお
り、これらのセラミック原料粉末をプレス成形した後、
焼成することによって得られるものである。そして、プ
レス成形時に、金型を予め上記凸部２に対応する形状と
しておくことによって、プレス成形を行うだけで、容易
に上記凸部２を形成することができる。
【００１０】また、上記突出部２の拡大断面図を図２
（Ｂ）に示す。本考案において、この突出部２の高さＨ
については０．０３ｍｍ以上必要である。これは、キャ
ップ１に発生する反りが０．０３〜０．１ｍｍ程度であ
るため、突出部２の高さＨが０．０３ｍｍ以下では、マ
ーキング３のカスレを防止する効果に乏しいためであ
る。一方、高さＨが大きいと、プレス成形時における突
出部２と他の部分との圧縮比の差が大きくなって変形し
やすくなってしまうが、種々実験の結果、高さＨはキャ
ップ１の厚みの２５％以下であれば問題なかった。した
がって、突出部２の高さＨは、０．０３ｍｍ以上で、か
つキャップ１の厚みの２５％以下とすれば良い。
（Ｂ）に示す。本考案において、この突出部２の高さＨ
については０．０３ｍｍ以上必要である。これは、キャ
ップ１に発生する反りが０．０３〜０．１ｍｍ程度であ
るため、突出部２の高さＨが０．０３ｍｍ以下では、マ
ーキング３のカスレを防止する効果に乏しいためであ
る。一方、高さＨが大きいと、プレス成形時における突
出部２と他の部分との圧縮比の差が大きくなって変形し
やすくなってしまうが、種々実験の結果、高さＨはキャ
ップ１の厚みの２５％以下であれば問題なかった。した
がって、突出部２の高さＨは、０．０３ｍｍ以上で、か
つキャップ１の厚みの２５％以下とすれば良い。
【００１１】さらに、突出部２の幅Ｄについては、プレ
ス成形用の金型加工上の問題から、０．０５ｍｍ以上必
要である。また、突出部２の側面２ａは角度θの抜きテ
ーパを形成することが望ましい。この角度θが５°より
小さいと、プレス成形時に成形体が抜けにくく、突出部
２にクラックが発生しやすくなる。一方、角度θが４０
°より大きいと突出部２の幅Ｄを大きくしなければなら
ず、製品形状の点で問題となる。そのため、抜きテーパ
の角度θは５〜４０°の範囲とすればよい。
ス成形用の金型加工上の問題から、０．０５ｍｍ以上必
要である。また、突出部２の側面２ａは角度θの抜きテ
ーパを形成することが望ましい。この角度θが５°より
小さいと、プレス成形時に成形体が抜けにくく、突出部
２にクラックが発生しやすくなる。一方、角度θが４０
°より大きいと突出部２の幅Ｄを大きくしなければなら
ず、製品形状の点で問題となる。そのため、抜きテーパ
の角度θは５〜４０°の範囲とすればよい。
【００１２】なお、図２の実施例では、突出部２として
断面が台形状のものを示したが、これに限らず曲面状の
突出部２としても良い。
断面が台形状のものを示したが、これに限らず曲面状の
突出部２としても良い。
【００１３】次に、本考案の他の実施例を説明する。
【００１４】上記実施例ではキャップ１の周辺部に突出
部２を形成したが、図３（Ａ）に示すように、マーキン
グ３の近傍のみに突出部２を形成してもよい。また、図
３（Ｂ）に示すように、キャップ１の全周囲ではなく、
２つの長辺部分にのみ突出部２を形成することもでき
る。同様に、図３（Ｃ）に示すように、キャップ１の四
隅のみに突出部２を形成したものでも良い。
部２を形成したが、図３（Ａ）に示すように、マーキン
グ３の近傍のみに突出部２を形成してもよい。また、図
３（Ｂ）に示すように、キャップ１の全周囲ではなく、
２つの長辺部分にのみ突出部２を形成することもでき
る。同様に、図３（Ｃ）に示すように、キャップ１の四
隅のみに突出部２を形成したものでも良い。
【００１５】また、図４に示すように、透光窓４を有す
るキャップ１の場合は、透光窓４の近傍のみに突出部２
を形成してもよい。
るキャップ１の場合は、透光窓４の近傍のみに突出部２
を形成してもよい。
【００１６】なお、図１乃至図４に示した突出部２の代
わりに図５や図６に示すような、キャップ１の外表面の
うち、マーキング３や透光窓４の近傍のみを窪ませた形
状としても、マーキング３のカスレや透光窓４の傷付き
を防ぐことができるが、図５や図６に示すようなキャッ
プ１をプレス成形により一体的に形成すると、焼成時に
大きな反りが発生し、平面研削が必要となったり、製品
不良が発生するといった不都合がある。即ち、図５や図
６に示すような窪みをプレス成形により形成する場合、
成形体内において充填密度の不均一が発生するために焼
成時に大きな反りを生じることになる。これに対し、図
１乃至図４の突出部２は、キャップの外表面における占
有率が小さいため、成形体内における充填密度の不均一
が小さく、焼成時の反りを抑えて所定の寸法内に形成す
ることができ、図５や図６のような窪みを形成したもの
とは異なるものである。
わりに図５や図６に示すような、キャップ１の外表面の
うち、マーキング３や透光窓４の近傍のみを窪ませた形
状としても、マーキング３のカスレや透光窓４の傷付き
を防ぐことができるが、図５や図６に示すようなキャッ
プ１をプレス成形により一体的に形成すると、焼成時に
大きな反りが発生し、平面研削が必要となったり、製品
不良が発生するといった不都合がある。即ち、図５や図
６に示すような窪みをプレス成形により形成する場合、
成形体内において充填密度の不均一が発生するために焼
成時に大きな反りを生じることになる。これに対し、図
１乃至図４の突出部２は、キャップの外表面における占
有率が小さいため、成形体内における充填密度の不均一
が小さく、焼成時の反りを抑えて所定の寸法内に形成す
ることができ、図５や図６のような窪みを形成したもの
とは異なるものである。
【００１７】また、以上の実施例では、半導体パッケー
ジを構成するキャップ１についてのみ述べたが、ベース
側にマーキング等がある場合は、ベースのマーキングの
周囲に突出部を形成すればよい。
ジを構成するキャップ１についてのみ述べたが、ベース
側にマーキング等がある場合は、ベースのマーキングの
周囲に突出部を形成すればよい。
【００１８】ここで、図１に示すキャップ１を試作し、
搬送工程におけるマーキング３のカスレ発生率を調べる
実験を行った。キャップ１は、黒色アルミナセラミック
スで形成し、大きさは５２×１３×１．２７ｍｍとし、
突出部２の高さＨを種々変化させた。また、マーキング
３はインク転写により形成した。突出部２の高さＨと、
カスレ発生率との関係を表１に示すように、高さＨが
０．０３ｍｍ以上の突出部２を形成することによって、
カスレ発生率を低くできることがわかる。
搬送工程におけるマーキング３のカスレ発生率を調べる
実験を行った。キャップ１は、黒色アルミナセラミック
スで形成し、大きさは５２×１３×１．２７ｍｍとし、
突出部２の高さＨを種々変化させた。また、マーキング
３はインク転写により形成した。突出部２の高さＨと、
カスレ発生率との関係を表１に示すように、高さＨが
０．０３ｍｍ以上の突出部２を形成することによって、
カスレ発生率を低くできることがわかる。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【考案の効果】以上のように、本考案によれば、セラミ
ック製半導体パッケージにおいて、マーキングまたは透
光窓を保護するための先細り状をした突出部をプレス成
形により一体的に形成するとともに、上記突出部の高さ
を０．０３ｍｍ以上でかつキャップおよび／またはベー
スの厚みの２５％以下としたことから、焼成時に大きな
反りを生じることがなく所定の寸法内に形成することが
できるとともに、パッケージの製造、搬送工程で、マー
キングのカスレや透光窓の傷付きを防止することがで
き、品質の良いパッケージを安定して提供することがで
きる。
ック製半導体パッケージにおいて、マーキングまたは透
光窓を保護するための先細り状をした突出部をプレス成
形により一体的に形成するとともに、上記突出部の高さ
を０．０３ｍｍ以上でかつキャップおよび／またはベー
スの厚みの２５％以下としたことから、焼成時に大きな
反りを生じることがなく所定の寸法内に形成することが
できるとともに、パッケージの製造、搬送工程で、マー
キングのカスレや透光窓の傷付きを防止することがで
き、品質の良いパッケージを安定して提供することがで
きる。
【図１】本考案実施例の半導体パッケージを構成するセ
ラミック製キャップの平面図である。
ラミック製キャップの平面図である。
【図２】（Ａ）は図１中のＸ−Ｘ線断面図、（Ｂ）は同
図（Ａ）中のＡ部拡大断面図である。
図（Ａ）中のＡ部拡大断面図である。
【図３】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は本考案の他の実施例によ
る半導体パッケージを構成するセラミック製キャップの
平面図である。
る半導体パッケージを構成するセラミック製キャップの
平面図である。
【図４】本考案の他の実施例による半導体パッケージを
構成するセラミック製キャップの平面図である。
構成するセラミック製キャップの平面図である。
【図５】（Ａ）は本考案範囲外の半導体パッケージを構
成するセラミック製キャップの平面図、（Ｂ）は同図
（Ａ）中のＹ−Ｙ線断面図である。
成するセラミック製キャップの平面図、（Ｂ）は同図
（Ａ）中のＹ−Ｙ線断面図である。
【図６】（Ａ）は本考案範囲外の半導体パッケージを構
成するセラミック製キャップの平面図、（Ｂ）は同図
（Ａ）中のＺ−Ｚ線断面図である。
成するセラミック製キャップの平面図、（Ｂ）は同図
（Ａ）中のＺ−Ｚ線断面図である。
【図７】サーディップ型の半導体パッケージの構造を示
す斜視図である。
す斜視図である。
１：キャップ、 ２：突出部、 ３：マーキング、
４：透光窓
４：透光窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭51−126052（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−14738（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−27048（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭57−130442（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】セラミック製のキャップ、ベース、および
これらの間に保持される外部リードからなる半導体パッ
ケージにおいて、上記キャップおよび／またはベースの
外表面に、マーキングまたは透光窓を保護するための先
細り状をした突出部をプレス成形により一体的に形成す
るとともに、上記突出部の高さを０．０３ｍｍ以上でか
つキャップおよび／またはベースの厚みの２５％以下と
したことを特徴とする半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991040640U JP2569932Y2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991040640U JP2569932Y2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 半導体パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133447U JPH04133447U (ja) | 1992-12-11 |
| JP2569932Y2 true JP2569932Y2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=31921648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991040640U Expired - Fee Related JP2569932Y2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569932Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006150671A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Meiki Co Ltd | 成形品の離型方法 |
| JP7024269B2 (ja) * | 2017-09-12 | 2022-02-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の積層体、及び、半導体装置の積層体の搬送方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51126052A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-02 | Hitachi Ltd | Semi-conductor equipment |
| JPS57130442U (ja) * | 1981-02-09 | 1982-08-14 | ||
| JPS6214738U (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-29 | ||
| JPS6327048U (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-22 |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP1991040640U patent/JP2569932Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04133447U (ja) | 1992-12-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |