JPS6154259B2 - - Google Patents
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- JPS6154259B2 JPS6154259B2 JP7411379A JP7411379A JPS6154259B2 JP S6154259 B2 JPS6154259 B2 JP S6154259B2 JP 7411379 A JP7411379 A JP 7411379A JP 7411379 A JP7411379 A JP 7411379A JP S6154259 B2 JPS6154259 B2 JP S6154259B2
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- Japan
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- resin
- semiconductor device
- thickness
- sealed
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- Expired
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 37
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/181—Encapsulation
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
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- H01L2924/351—Thermal stress
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- Power Engineering (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄型樹脂封止半導体装置、特に外部リ
ードが四方向に導出した半導体装置の外形に関す
るものである。
ードが四方向に導出した半導体装置の外形に関す
るものである。
電子装置に実装する半導体装置は、電子装置の
小型化の傾向に従つてその外形も小型化、薄型化
の傾向にある。樹脂封止型半導体装置においても
半導体装置を実装した電子装置の厚さを薄く小型
化するという目的から機械的強度を損なわない程
度に薄型の樹脂封止型半導体装置が使われてい
る。この場合、半導体装置の封止樹脂厚は、リー
ドフレームのペレツトを搭載した側の面に樹脂を
厚くその反対側に樹脂を薄く封入成形されてい
る。それ故、封入樹脂とペレツト或いは樹脂とリ
ードフレームとのバイメタル効果により、半導体
装置外形周辺部が樹脂厚の大きい方に反り上が
り、半導体装置全体として厚みが増してしまうの
が現状であつた。
小型化の傾向に従つてその外形も小型化、薄型化
の傾向にある。樹脂封止型半導体装置においても
半導体装置を実装した電子装置の厚さを薄く小型
化するという目的から機械的強度を損なわない程
度に薄型の樹脂封止型半導体装置が使われてい
る。この場合、半導体装置の封止樹脂厚は、リー
ドフレームのペレツトを搭載した側の面に樹脂を
厚くその反対側に樹脂を薄く封入成形されてい
る。それ故、封入樹脂とペレツト或いは樹脂とリ
ードフレームとのバイメタル効果により、半導体
装置外形周辺部が樹脂厚の大きい方に反り上が
り、半導体装置全体として厚みが増してしまうの
が現状であつた。
この様子を第１図の従来の薄型樹脂封止半導体
装置の断面図で説明すると、第１図ａのように、
封止樹脂１のリードフレーム面２より上方の樹脂
厚t1と下方の樹脂厚t2とがt1＞t2であると、全体の
厚さtaは、同図ｂのように反り上がつた全体の厚
さtbに対しta＜tbの関係になつてしまう。このこ
とは実装上、電子装置の小型化、薄型化に反する
ことであり好ましくないことは当然である。
装置の断面図で説明すると、第１図ａのように、
封止樹脂１のリードフレーム面２より上方の樹脂
厚t1と下方の樹脂厚t2とがt1＞t2であると、全体の
厚さtaは、同図ｂのように反り上がつた全体の厚
さtbに対しta＜tbの関係になつてしまう。このこ
とは実装上、電子装置の小型化、薄型化に反する
ことであり好ましくないことは当然である。
この反りは、デユアルインライン型の半導体装
置ならば、外部リードの導出していない二辺をネ
ジ等の治具で機械的に押さえることも可能である
が、四方向に外部リードの導出した半導体装置で
はそのようなことは困難なことである。そこで、
この反りの防止法として、ペレツト搭載部の近傍
のみを厚く樹脂封止する方法も提案されているが
この方法では機械的強度が維持できず、更に熱応
力の不均衝をも招き、樹脂クラツクを生ずる結果
となる。
置ならば、外部リードの導出していない二辺をネ
ジ等の治具で機械的に押さえることも可能である
が、四方向に外部リードの導出した半導体装置で
はそのようなことは困難なことである。そこで、
この反りの防止法として、ペレツト搭載部の近傍
のみを厚く樹脂封止する方法も提案されているが
この方法では機械的強度が維持できず、更に熱応
力の不均衝をも招き、樹脂クラツクを生ずる結果
となる。
本発明はこのような欠点を除去し、実装上薄型
として機能する樹脂封止型半導体装置を提供する
ことにある。
として機能する樹脂封止型半導体装置を提供する
ことにある。
本発明の要旨は、樹脂封止成形後、半導体装置
の周辺部が反り上がつても半導体装置全体として
の厚さに実質上変化がないような構造とすること
にある。
の周辺部が反り上がつても半導体装置全体として
の厚さに実質上変化がないような構造とすること
にある。
以下本発明を図面を用いて説明する。
第２図ａ，ｂは本発明の薄型樹脂封止半導体装
置の断面図である。すなわちａ図のように、封止
樹脂１のリードフレーム面２より上方の樹脂厚t1
下方の樹脂厚t2，全体の樹脂厚taの寸法を有し四
辺形に封止した樹脂の上方部分の周辺部又は四隅
の角部を、平面又は曲面に削つて周辺部の樹脂の
肉厚を薄くしたものである。外部リード３は、リ
ードフレーム面２と同面に導出され、折り曲げ成
形されている。又ｂ図は、ａ図の半導体装置の樹
脂周辺部の反り上がり部（点線で示す）が生じな
くなり、全体の樹脂厚寸法がtaのままで変化がな
い状態を示している。
置の断面図である。すなわちａ図のように、封止
樹脂１のリードフレーム面２より上方の樹脂厚t1
下方の樹脂厚t2，全体の樹脂厚taの寸法を有し四
辺形に封止した樹脂の上方部分の周辺部又は四隅
の角部を、平面又は曲面に削つて周辺部の樹脂の
肉厚を薄くしたものである。外部リード３は、リ
ードフレーム面２と同面に導出され、折り曲げ成
形されている。又ｂ図は、ａ図の半導体装置の樹
脂周辺部の反り上がり部（点線で示す）が生じな
くなり、全体の樹脂厚寸法がtaのままで変化がな
い状態を示している。
第３図は本発明の第１の実施例を示す斜視図で
ある。これは封止樹脂１の四隅の面をとつた構造
であり、角部の反りの発生を小さくするばかりで
なく、反り上がつても半導体装置全体の厚さに影
響を及ばさないのは勿論、このような構造は面を
とる角度を調節することにより樹脂成形金型から
の型離れがよくなり、半導体装置を製造する上で
金型掃除等の作業時間を短縮することが出来る。
又このような構造をとると、半導体装置全体とし
て樹脂の肉厚に厚薄の差が小さくなり、樹脂内の
応力分布の不均衡から生じる樹脂クラツクの発生
を防ぐことが出来る。
ある。これは封止樹脂１の四隅の面をとつた構造
であり、角部の反りの発生を小さくするばかりで
なく、反り上がつても半導体装置全体の厚さに影
響を及ばさないのは勿論、このような構造は面を
とる角度を調節することにより樹脂成形金型から
の型離れがよくなり、半導体装置を製造する上で
金型掃除等の作業時間を短縮することが出来る。
又このような構造をとると、半導体装置全体とし
て樹脂の肉厚に厚薄の差が小さくなり、樹脂内の
応力分布の不均衡から生じる樹脂クラツクの発生
を防ぐことが出来る。
第４図は本発明の第２の実施例を示す斜視図で
ある。これは封止樹脂１の周辺部の面をとつた構
造であり、効果は前記第１の実施例と同様である
が、さらに実装の際には本構造を採用すれば、外
部リード３の導出部の樹脂厚みが薄いため半田付
装置、器具等における取付工具の寸法的制約が緩
和される。これは外部リード３を短かくすること
が出来、半導体装置の実装密度を上げるという効
果がある。
ある。これは封止樹脂１の周辺部の面をとつた構
造であり、効果は前記第１の実施例と同様である
が、さらに実装の際には本構造を採用すれば、外
部リード３の導出部の樹脂厚みが薄いため半田付
装置、器具等における取付工具の寸法的制約が緩
和される。これは外部リード３を短かくすること
が出来、半導体装置の実装密度を上げるという効
果がある。
第５図は本発明の第３の実施例を示す斜視図ａ
及び断面図ｂである。これは封止樹脂１の周辺部
又は上面全体を曲面で形成した構造であり、効果
は前記第２の実施例と同様であり、特に樹脂上面
全体を上に凸の球面で形成すると、樹脂内部応力
の均衡を保ちやすく、周辺部の反り防止に対する
効果は大きくなるものである。
及び断面図ｂである。これは封止樹脂１の周辺部
又は上面全体を曲面で形成した構造であり、効果
は前記第２の実施例と同様であり、特に樹脂上面
全体を上に凸の球面で形成すると、樹脂内部応力
の均衡を保ちやすく、周辺部の反り防止に対する
効果は大きくなるものである。
なお、上記の実施例の組み合わせ、或いは封止
樹脂周辺部の角を曲面で形成する等の構造でもよ
いことは勿論であり、導出した外部リードの折り
曲げ加工等の作業を防げるものではない。
樹脂周辺部の角を曲面で形成する等の構造でもよ
いことは勿論であり、導出した外部リードの折り
曲げ加工等の作業を防げるものではない。
以上述べたように本発明の薄型樹脂封止半導体
装置は、リードフレームのペレツト搭載側の面に
樹脂を厚く、反対面に薄くなるように樹脂封止し
ても、機械的強度を減ずることもなく、又周辺部
の樹脂厚が薄いため反りの程度を小さくすること
ができるばかりではなく、反つた場合にも、第２
図ｂのように反り上がり部（点線で示す）がない
ので全体の厚みに変化が生じることのない構造と
することができる。又封止樹脂の厚薄の変化を緩
くとることにより機械的強度を減ずることもなく
なり熱的不均衡を招くこともなくなる。
装置は、リードフレームのペレツト搭載側の面に
樹脂を厚く、反対面に薄くなるように樹脂封止し
ても、機械的強度を減ずることもなく、又周辺部
の樹脂厚が薄いため反りの程度を小さくすること
ができるばかりではなく、反つた場合にも、第２
図ｂのように反り上がり部（点線で示す）がない
ので全体の厚みに変化が生じることのない構造と
することができる。又封止樹脂の厚薄の変化を緩
くとることにより機械的強度を減ずることもなく
なり熱的不均衡を招くこともなくなる。
第１図ａ，ｂは従来の薄型樹脂封止半導体装置
の断面図、第２図は本発明に係る薄型樹脂封止半
導体装置の断面図、第３図は本発明の第１の実施
例を示す斜視図、第４図は本発明の第２の実施例
を示す斜視図、第５図は本発明の第３の実施例を
示すａは斜視図ｂは断面図である。 １……封止樹脂、２……リードフレーム面、３
……外部リード。
の断面図、第２図は本発明に係る薄型樹脂封止半
導体装置の断面図、第３図は本発明の第１の実施
例を示す斜視図、第４図は本発明の第２の実施例
を示す斜視図、第５図は本発明の第３の実施例を
示すａは斜視図ｂは断面図である。 １……封止樹脂、２……リードフレーム面、３
……外部リード。
Claims (1)
- １ リードフレームをはさんでその両面に異なる
厚さに樹脂封止し、前記リードフレーム面から四
方向に外部リードが導出した四辺形の薄型樹脂封
止半導体装置において、前記封止樹脂のうち厚い
方の樹脂が四辺形の周辺部に向うに従い樹脂厚が
薄くなることを特徴とする薄型樹脂封止半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7411379A JPS55165654A (en) | 1979-06-12 | 1979-06-12 | Semiconductor device sealed up with thin resin |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7411379A JPS55165654A (en) | 1979-06-12 | 1979-06-12 | Semiconductor device sealed up with thin resin |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55165654A JPS55165654A (en) | 1980-12-24 |
| JPS6154259B2 true JPS6154259B2 (ja) | 1986-11-21 |
Family
ID=13537813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7411379A Granted JPS55165654A (en) | 1979-06-12 | 1979-06-12 | Semiconductor device sealed up with thin resin |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55165654A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56160053A (en) * | 1980-05-14 | 1981-12-09 | Hitachi Ltd | Resin sealing type semiconductor device |
| JPS5861654A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| WO1992020205A1 (en) * | 1991-04-26 | 1992-11-12 | Motorola, Inc. | Tapered semiconductor device package |
-
1979
- 1979-06-12 JP JP7411379A patent/JPS55165654A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55165654A (en) | 1980-12-24 |
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