JP3336328B2 - 樹脂封止型半導体装置およびその製造に用いられるリードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造に用いられるリードフレームInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型半導体装
置およびその製造に用いられるリードフレームに関し、
特にＬＯＣ（Lead On Chip）構造の樹脂封止型半導体装
置の製造に適用して有効な技術に関する。
置およびその製造に用いられるリードフレームに関し、
特にＬＯＣ（Lead On Chip）構造の樹脂封止型半導体装
置の製造に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置（半導体集積回路装置）の一
つとして、主面にボンディングパッドを設けた半導体チ
ップの主面に絶縁フィルムを介して絶縁的にリードを固
定するとともに、前記リード内端と前記ボンディングパ
ッドを導電性のワイヤで接続し、前記リードの外端を除
いて全体を樹脂封止体（レジンパッケージ）で封止した
ＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置が知られている。
つとして、主面にボンディングパッドを設けた半導体チ
ップの主面に絶縁フィルムを介して絶縁的にリードを固
定するとともに、前記リード内端と前記ボンディングパ
ッドを導電性のワイヤで接続し、前記リードの外端を除
いて全体を樹脂封止体（レジンパッケージ）で封止した
ＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置が知られている。
【０００３】ＬＯＣ構造は、ＤＲＡＭ（Dynamic Random
Access Memory），ＳＲＡＭ（Static Random Access M
emory)等多くのＩＣに採用されている。
Access Memory），ＳＲＡＭ（Static Random Access M
emory)等多くのＩＣに採用されている。
【０００４】たとえば、日経ＢＰ社発行「日経エレクト
ロニクス」1994年５月９日号、Ｐ53には、ＬＯＣ構造を
採用したＳＯＪ（Small Outline J Leaded）型のＤＲＡ
Ｍについて記載されている。
ロニクス」1994年５月９日号、Ｐ53には、ＬＯＣ構造を
採用したＳＯＪ（Small Outline J Leaded）型のＤＲＡ
Ｍについて記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＬＯＣ構造を採用した
ＤＲＡＭにおいて、半導体チップの主面に設けたメモリ
マット切り替え用配線（ヒューズ）にクラックが入り、
信頼性が悪くなることが極稀に発生することが本発明者
によってあきらかにされた。
ＤＲＡＭにおいて、半導体チップの主面に設けたメモリ
マット切り替え用配線（ヒューズ）にクラックが入り、
信頼性が悪くなることが極稀に発生することが本発明者
によってあきらかにされた。
【０００６】ＬＯＣ構造パッケージにおいては、絶縁フ
ィルム（絶縁テープ）を介して半導体チップ上でリード
の引き回しが行われる。このとき、特に外部端子数の多
い（多ピン：多リード）製品においては、半導体チップ
の主面に露出するメモリマット切り替え用配線上にもリ
ードの引き回しがなされてしまうことがある。
ィルム（絶縁テープ）を介して半導体チップ上でリード
の引き回しが行われる。このとき、特に外部端子数の多
い（多ピン：多リード）製品においては、半導体チップ
の主面に露出するメモリマット切り替え用配線上にもリ
ードの引き回しがなされてしまうことがある。
【０００７】メモリマット切り替え用配線は、半導体装
置（ＤＲＡＭ）の電気特性の補正を行うために設けら
れ、必要に応じて、たとえば、レーザ光で切断されるこ
ともあり、半導体チップの主面に露出する構造となって
いる。
置（ＤＲＡＭ）の電気特性の補正を行うために設けら
れ、必要に応じて、たとえば、レーザ光で切断されるこ
ともあり、半導体チップの主面に露出する構造となって
いる。
【０００８】この結果、樹脂封止（モールド）時、樹脂
（レジン）中の比較的硬い粒子であるガラスのフィラー
が、前記メモリマット切り替え用配線（以下単に露出配
線とも呼称する）とリードとの間に挟まり、モールド時
あるいはその後のストレスによって露出配線を圧迫し、
クラックを発生させることもあることが判明した。
（レジン）中の比較的硬い粒子であるガラスのフィラー
が、前記メモリマット切り替え用配線（以下単に露出配
線とも呼称する）とリードとの間に挟まり、モールド時
あるいはその後のストレスによって露出配線を圧迫し、
クラックを発生させることもあることが判明した。
【０００９】露出配線のクラック発生は断線に至る不良
モードとなる。
モードとなる。
【００１０】本発明の目的は、半導体チップの主面に露
出する配線にクラックが発生しない信頼性の高い樹脂封
止型半導体装置を提供することにある。
出する配線にクラックが発生しない信頼性の高い樹脂封
止型半導体装置を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、半導体チップの主面
に露出する配線にクラックが発生しない信頼性の高い樹
脂封止型半導体装置を製造するに適したリードフレーム
を提供することにある。
に露出する配線にクラックが発生しない信頼性の高い樹
脂封止型半導体装置を製造するに適したリードフレーム
を提供することにある。
【００１２】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００１４】（１）主面に露出した配線およびボンディ
ングパッドを有する半導体チップと、前記半導体チップ
の主面に絶縁フィルムを介して一部が絶縁的に固定され
るリードと、前記リードと前記ボンディングパッドを電
気的に接続する接続手段と、前記半導体チップおよびリ
ードの一部ならびに接続手段を被う樹脂封止体とからな
り、前記リードの先端はそれぞれ前記樹脂封止体から外
に突出して外部端子を構成する樹脂封止型半導体装置で
あって、前記配線の真上に延在するリードにおいては部
分的に屈曲して前記樹脂封止体を形成するフィラーの大
きさよりも広い間隔を有して配線に対面している構成と
なっている。前記配線は半導体装置の電気特性を補正す
るための調整用配線（メモリマット切り替え用配線）と
なっている。
ングパッドを有する半導体チップと、前記半導体チップ
の主面に絶縁フィルムを介して一部が絶縁的に固定され
るリードと、前記リードと前記ボンディングパッドを電
気的に接続する接続手段と、前記半導体チップおよびリ
ードの一部ならびに接続手段を被う樹脂封止体とからな
り、前記リードの先端はそれぞれ前記樹脂封止体から外
に突出して外部端子を構成する樹脂封止型半導体装置で
あって、前記配線の真上に延在するリードにおいては部
分的に屈曲して前記樹脂封止体を形成するフィラーの大
きさよりも広い間隔を有して配線に対面している構成と
なっている。前記配線は半導体装置の電気特性を補正す
るための調整用配線（メモリマット切り替え用配線）と
なっている。
【００１５】（２）主面に露出した配線およびボンディ
ングパッドを有する半導体チップと、前記半導体チップ
の主面に絶縁フィルムを介して一部が絶縁的に固定され
るリードと、前記リードと前記ボンディングパッドを電
気的に接続する接続手段と、前記半導体チップおよびリ
ードの一部ならびに接続手段を被う樹脂封止体とからな
り、前記リードの先端はそれぞれ前記樹脂封止体から外
に突出して外部端子を構成する樹脂封止型半導体装置で
あって、前記リードは前記配線の真上から外れている構
成となっている。前記配線は半導体装置の電気特性を補
正するための調整用配線（メモリマット切り替え用配
線）となっている。
ングパッドを有する半導体チップと、前記半導体チップ
の主面に絶縁フィルムを介して一部が絶縁的に固定され
るリードと、前記リードと前記ボンディングパッドを電
気的に接続する接続手段と、前記半導体チップおよびリ
ードの一部ならびに接続手段を被う樹脂封止体とからな
り、前記リードの先端はそれぞれ前記樹脂封止体から外
に突出して外部端子を構成する樹脂封止型半導体装置で
あって、前記リードは前記配線の真上から外れている構
成となっている。前記配線は半導体装置の電気特性を補
正するための調整用配線（メモリマット切り替え用配
線）となっている。
【００１６】
【００１７】（３）主面に露出した配線およびボンディ
ングパッドを有する半導体チップと、前記半導体チップ
の主面に絶縁フィルムを介して一部が絶縁的に固定され
るリードと、前記リードと前記ボンディングパッドを電
気的に接続する接続手段と、前記半導体チップおよびリ
ードの一部ならびに接続手段を被う樹脂封止体とからな
り、前記リードの先端はそれぞれ前記樹脂封止体から外
に突出して外部端子を構成し、前記リードは前記配線の
真上に位置する樹脂封止型半導体装置の製造に用いられ
るリードフレームであって、前記配線の真上に延在する
リードにおいては部分的に屈曲して前記樹脂封止体を形
成するフィラーの大きさよりも広い間隔を有して配線に
対面するように構成されている。前記配線は半導体装置
の電気特性を補正するための調整用配線（メモリマット
切り替え用配線）である。
ングパッドを有する半導体チップと、前記半導体チップ
の主面に絶縁フィルムを介して一部が絶縁的に固定され
るリードと、前記リードと前記ボンディングパッドを電
気的に接続する接続手段と、前記半導体チップおよびリ
ードの一部ならびに接続手段を被う樹脂封止体とからな
り、前記リードの先端はそれぞれ前記樹脂封止体から外
に突出して外部端子を構成し、前記リードは前記配線の
真上に位置する樹脂封止型半導体装置の製造に用いられ
るリードフレームであって、前記配線の真上に延在する
リードにおいては部分的に屈曲して前記樹脂封止体を形
成するフィラーの大きさよりも広い間隔を有して配線に
対面するように構成されている。前記配線は半導体装置
の電気特性を補正するための調整用配線（メモリマット
切り替え用配線）である。
【００１８】前記（１）の手段によれば、メモリマット
切り替え用配線の真上にリードが延在しても、前記リー
ドは部分的に屈曲して前記樹脂封止体を形成するフィラ
ーの大きさよりも広い間隔を有して前記メモリマット切
り替え用配線に対面していることから、メモリマット切
り替え用配線とリード間に硬いフィラーが介在しても、
フィラーの大きさよりも前記間隔は広くなっているた
め、レジンの硬化収縮力によってリードを介して単一の
硬いフィラーがメモリマット切り替え用配線に強く作用
しても、メモリマット切り替え用配線にクラックが入る
ようなことがなくなり、電気特性の信頼性が向上する。
切り替え用配線の真上にリードが延在しても、前記リー
ドは部分的に屈曲して前記樹脂封止体を形成するフィラ
ーの大きさよりも広い間隔を有して前記メモリマット切
り替え用配線に対面していることから、メモリマット切
り替え用配線とリード間に硬いフィラーが介在しても、
フィラーの大きさよりも前記間隔は広くなっているた
め、レジンの硬化収縮力によってリードを介して単一の
硬いフィラーがメモリマット切り替え用配線に強く作用
しても、メモリマット切り替え用配線にクラックが入る
ようなことがなくなり、電気特性の信頼性が向上する。
【００１９】前記（２）の手段によれば、半導体チップ
上を引き回されるリードはメモリマット切り替え用配線
の真上から外れていることから、メモリマット切り替え
用配線上に硬いフィラーが載っても、このフィラーにリ
ードによって大きな力が加わることがなく、フィラーの
下のメモリマット切り替え用配線にクラックが入らず、
電気特性の信頼性が向上する。
上を引き回されるリードはメモリマット切り替え用配線
の真上から外れていることから、メモリマット切り替え
用配線上に硬いフィラーが載っても、このフィラーにリ
ードによって大きな力が加わることがなく、フィラーの
下のメモリマット切り替え用配線にクラックが入らず、
電気特性の信頼性が向上する。
【００２０】
【００２１】前記（３）の手段によれば、メモリマット
切り替え用配線の真上にリードが延在するリードフレー
ムであっても、前記メモリマット切り替え用配線の真上
に延在するリード部分は屈曲して前記樹脂封止体を形成
するフィラーの大きさよりも広い間隔を有して配線に対
面するようになっていることから、半導体装置の製造に
使用した場合、メモリマット切り替え用配線とリードと
の間に硬いフィラーが入っても、メモリマット切り替え
用配線とリードとの間隔が前記フィラーの大きさに比較
して十分大きいため、フィラーによってメモリマット切
り替え用配線にクラックが入らず、電気特性の信頼性が
向上する。
切り替え用配線の真上にリードが延在するリードフレー
ムであっても、前記メモリマット切り替え用配線の真上
に延在するリード部分は屈曲して前記樹脂封止体を形成
するフィラーの大きさよりも広い間隔を有して配線に対
面するようになっていることから、半導体装置の製造に
使用した場合、メモリマット切り替え用配線とリードと
の間に硬いフィラーが入っても、メモリマット切り替え
用配線とリードとの間隔が前記フィラーの大きさに比較
して十分大きいため、フィラーによってメモリマット切
り替え用配線にクラックが入らず、電気特性の信頼性が
向上する。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２３】（実施形態１）図１乃至図８は本発明の一
実施形態（実施形態１）である樹脂封止型半導体装置に
係わる図であり、図１は樹脂封止型半導体装置の断面
図、図２は他の切断線に沿う断面図、図３は平面図、図
４は樹脂封止型半導体装置におけるメモリマット切り替
え用配線とリードとの相関を示す一部の平面図、図５は
メモリマット切り替え用配線とリードとの相関を示す一
部の断面図、図６は樹脂封止型半導体装置の製造に使用
されるリードフレームの平面図、図７は半導体チップに
リードを固定した状態のリードフレームを示す平面図、
図８は樹脂封止されたリードフレームを示す平面図であ
る。
実施形態（実施形態１）である樹脂封止型半導体装置に
係わる図であり、図１は樹脂封止型半導体装置の断面
図、図２は他の切断線に沿う断面図、図３は平面図、図
４は樹脂封止型半導体装置におけるメモリマット切り替
え用配線とリードとの相関を示す一部の平面図、図５は
メモリマット切り替え用配線とリードとの相関を示す一
部の断面図、図６は樹脂封止型半導体装置の製造に使用
されるリードフレームの平面図、図７は半導体チップに
リードを固定した状態のリードフレームを示す平面図、
図８は樹脂封止されたリードフレームを示す平面図であ
る。
【００２４】本実施形態１では、たとえば、ＤＲＡＭが
組み込まれたＳＯＪパッケージ構造の樹脂封止型半導体
装置について説明する。本発明の樹脂封止型半導体装置
２０は、図１〜図３に示すように、樹脂（レジン）から
なる矩形体状の樹脂封止体１と、この樹脂封止体１の両
側から突出する複数のリード２とからなっている。樹脂
封止体１から突出したリード２部分（アウターリード）
は、樹脂封止体１から突出した付け根部分で下方に折れ
曲がるとともに、下端は内側に半円を描いて曲がり、い
わゆるＪベンドリードとなっている。
組み込まれたＳＯＪパッケージ構造の樹脂封止型半導体
装置について説明する。本発明の樹脂封止型半導体装置
２０は、図１〜図３に示すように、樹脂（レジン）から
なる矩形体状の樹脂封止体１と、この樹脂封止体１の両
側から突出する複数のリード２とからなっている。樹脂
封止体１から突出したリード２部分（アウターリード）
は、樹脂封止体１から突出した付け根部分で下方に折れ
曲がるとともに、下端は内側に半円を描いて曲がり、い
わゆるＪベンドリードとなっている。
【００２５】また、前記樹脂封止体１の内部には矩形体
からなる半導体チップ３が封止されている。半導体チッ
プ３は、図示はしないがＤＲＡＭが形成されている。前
記半導体チップ３は、図示しないが主面中央に長手方向
に沿って１列に亘ってボンディングパッド（電極）が複
数設けられている。
からなる半導体チップ３が封止されている。半導体チッ
プ３は、図示はしないがＤＲＡＭが形成されている。前
記半導体チップ３は、図示しないが主面中央に長手方向
に沿って１列に亘ってボンディングパッド（電極）が複
数設けられている。
【００２６】また、樹脂封止体１内におけるリード部分
（インナーリード）の先端（リード内端部６）は、前記
半導体チップ３の主面上に絶縁フィルム（絶縁テープ）
７を介して絶縁的に固定されている。前記絶縁フィルム
７は、たとえば、ポリイミド樹脂系の両面接着テープと
なっている。
（インナーリード）の先端（リード内端部６）は、前記
半導体チップ３の主面上に絶縁フィルム（絶縁テープ）
７を介して絶縁的に固定されている。前記絶縁フィルム
７は、たとえば、ポリイミド樹脂系の両面接着テープと
なっている。
【００２７】前記リード内端部６と図示しないボンディ
ングパッドは、導電性のワイヤ１７で電気的に接続され
ている。
ングパッドは、導電性のワイヤ１７で電気的に接続され
ている。
【００２８】一方、これが本発明の特徴の一つである
が、図１に示すように、一部のリード２では、半導体チ
ップ３の表面上で一段階段状に屈曲し、半導体チップ３
の表面から遠くなる離間部分４を有している。この離間
部分４の真下には、ＤＲＡＭの電気特性の補正を行うた
めの露出したメモリマット切り替え用配線（以下配線ま
たは露出配線とも呼称する）５が設けられている。メモ
リマット切り替え用配線５の表面と離間部分４の下面と
の間隔は、前記樹脂封止体１を構成するフィラー１０の
直径よりも充分大きくなっている。
が、図１に示すように、一部のリード２では、半導体チ
ップ３の表面上で一段階段状に屈曲し、半導体チップ３
の表面から遠くなる離間部分４を有している。この離間
部分４の真下には、ＤＲＡＭの電気特性の補正を行うた
めの露出したメモリマット切り替え用配線（以下配線ま
たは露出配線とも呼称する）５が設けられている。メモ
リマット切り替え用配線５の表面と離間部分４の下面と
の間隔は、前記樹脂封止体１を構成するフィラー１０の
直径よりも充分大きくなっている。
【００２９】前記メモリマット切り替え用配線５は、図
４に示すように、一部のリード２の真下に位置してい
る。
４に示すように、一部のリード２の真下に位置してい
る。
【００３０】メモリマット切り替え用配線５は、図５に
示すように、半導体チップ３の表面の絶縁性の保護膜９
が部分的に削除された構造となることによって、半導体
チップ３の表面に露出している。
示すように、半導体チップ３の表面の絶縁性の保護膜９
が部分的に削除された構造となることによって、半導体
チップ３の表面に露出している。
【００３１】本実施形態１の樹脂封止型半導体装置２０
は、メモリマット切り替え用配線５の表面とリード２の
下面との間隔は、メモリマット切り替え用配線５の真上
のリード２部分では、半導体チップ３の表面から離れる
ように一段階段状に屈曲する離間部分４となっているこ
とから、その間隔が広くなる。この結果、図５に示すよ
うに、樹脂封止時、メモリマット切り替え用配線５とリ
ード２（すなわち、離間部分４）との間に硬いフィラー
１０が位置するようなことがあっても、単一の粒子であ
るガラスのフィラー１０が同時に離間部分４とメモリマ
ット切り替え用配線５に接触するようなことがない。し
たがって、樹脂封止後の樹脂の硬化収縮等によって、従
来のように収縮力でリード２がフィラー１０に強く作用
してメモリマット切り替え用配線５の表面を強く押圧す
る現象が起きず、メモリマット切り替え用配線５にクラ
ックが発生するようなこともなくなる。このため、メモ
リマット切り替え用配線５にクラックが入ることによる
電気特性の劣化が起きず、樹脂封止型半導体装置２０の
信頼性の向上が図れる。
は、メモリマット切り替え用配線５の表面とリード２の
下面との間隔は、メモリマット切り替え用配線５の真上
のリード２部分では、半導体チップ３の表面から離れる
ように一段階段状に屈曲する離間部分４となっているこ
とから、その間隔が広くなる。この結果、図５に示すよ
うに、樹脂封止時、メモリマット切り替え用配線５とリ
ード２（すなわち、離間部分４）との間に硬いフィラー
１０が位置するようなことがあっても、単一の粒子であ
るガラスのフィラー１０が同時に離間部分４とメモリマ
ット切り替え用配線５に接触するようなことがない。し
たがって、樹脂封止後の樹脂の硬化収縮等によって、従
来のように収縮力でリード２がフィラー１０に強く作用
してメモリマット切り替え用配線５の表面を強く押圧す
る現象が起きず、メモリマット切り替え用配線５にクラ
ックが発生するようなこともなくなる。このため、メモ
リマット切り替え用配線５にクラックが入ることによる
電気特性の劣化が起きず、樹脂封止型半導体装置２０の
信頼性の向上が図れる。
【００３２】つぎに、本実施形態１の樹脂封止型半導体
装置２０の製造方法について説明する。
装置２０の製造方法について説明する。
【００３３】最初に図６に示されるようなリードフレー
ム２１が用意される。このリードフレーム２１は、０．
１５ｍｍ程度の厚さのＦｅ−Ｎｉ系合金あるいはＣｕ合
金等からなる金属板をエッチングまたは精密プレスによ
ってパターニングすることによって形成される。リード
フレーム２１は複数の単位リードパターンを一方向に直
列に並べた形状となっている。単位リードパターンは、
一対の平行に延在する外枠２２と、この一対の外枠２２
を連結しかつ外枠２２に直交する方向に延在する一対の
内枠２３とによって形成される枠２４内に形成されてい
る。
ム２１が用意される。このリードフレーム２１は、０．
１５ｍｍ程度の厚さのＦｅ−Ｎｉ系合金あるいはＣｕ合
金等からなる金属板をエッチングまたは精密プレスによ
ってパターニングすることによって形成される。リード
フレーム２１は複数の単位リードパターンを一方向に直
列に並べた形状となっている。単位リードパターンは、
一対の平行に延在する外枠２２と、この一対の外枠２２
を連結しかつ外枠２２に直交する方向に延在する一対の
内枠２３とによって形成される枠２４内に形成されてい
る。
【００３４】一方、前記枠２４の内枠２３の内側から複
数のリード２が枠２４の中央に向かって延在している。
これらリード２は、途中まで相互に平行となって延在し
てアウターリードを形成するが、途中から枠２４の中心
方向にそれぞれ屈曲して片持梁構造のインナーリードを
形成している。前記インナーリードは樹脂封止体１内に
位置するリード部分である。また、前記アウターリード
部分のリード２は、前記内枠２３に平行に延在するダム
２５によって連結されている。前記ダム２５は後述する
レジンモールド時、溶けたレジンの流出を阻止するダム
として、また強度部材として作用する。
数のリード２が枠２４の中央に向かって延在している。
これらリード２は、途中まで相互に平行となって延在し
てアウターリードを形成するが、途中から枠２４の中心
方向にそれぞれ屈曲して片持梁構造のインナーリードを
形成している。前記インナーリードは樹脂封止体１内に
位置するリード部分である。また、前記アウターリード
部分のリード２は、前記内枠２３に平行に延在するダム
２５によって連結されている。前記ダム２５は後述する
レジンモールド時、溶けたレジンの流出を阻止するダム
として、また強度部材として作用する。
【００３５】また、これが本実施形態１のリードフレー
ム２１の特徴の一つであるが、半導体チップ３の主面に
設けられるメモリマット切り替え用配線５の真上に位置
するリード２は、図５に示されるように、半導体チップ
３の主面から遠ざかるように一段屈曲して離間部分４を
形成している。前記離間部分４は、図６および図７にお
いて黒く塗り潰した部分である。
ム２１の特徴の一つであるが、半導体チップ３の主面に
設けられるメモリマット切り替え用配線５の真上に位置
するリード２は、図５に示されるように、半導体チップ
３の主面から遠ざかるように一段屈曲して離間部分４を
形成している。前記離間部分４は、図６および図７にお
いて黒く塗り潰した部分である。
【００３６】さらに、前記外枠２２には、図示しないガ
イド孔等が設けられている。これらガイド孔等は、リー
ドフレーム２１の移送や位置決め等のガイドとして利用
される。
イド孔等が設けられている。これらガイド孔等は、リー
ドフレーム２１の移送や位置決め等のガイドとして利用
される。
【００３７】なお、インナーリードのパターンによって
は、メモリマット切り替え用配線５の真上に位置しない
リード２をも含めて全てのリードに離間部分４を設けて
も支障はない。また、離間部分４を形成するための屈曲
構造は、リード２を樹脂封止体１の中間高さにできるだ
け寄せるために２箇所設ける構造としたが、一箇所の屈
曲で真っ直ぐ樹脂封止体１から突出する構造としても良
い。
は、メモリマット切り替え用配線５の真上に位置しない
リード２をも含めて全てのリードに離間部分４を設けて
も支障はない。また、離間部分４を形成するための屈曲
構造は、リード２を樹脂封止体１の中間高さにできるだ
け寄せるために２箇所設ける構造としたが、一箇所の屈
曲で真っ直ぐ樹脂封止体１から突出する構造としても良
い。
【００３８】つぎに、このようなリードフレーム２１
は、図７に示すように、半導体チップ３の主面に重ねら
れる。半導体チップ３の主面には、図７に示されるよう
な両面接着テープからなる絶縁テープ７が貼り付けられ
るとともに、この絶縁テープ７にはリードフレーム２１
のインナーリード部分の先端のリード内端部６が貼り付
けられる。これによって、リード２は半導体チップ３の
主面に絶縁的に取り付けられてＬＯＣ構造が形成され
る。
は、図７に示すように、半導体チップ３の主面に重ねら
れる。半導体チップ３の主面には、図７に示されるよう
な両面接着テープからなる絶縁テープ７が貼り付けられ
るとともに、この絶縁テープ７にはリードフレーム２１
のインナーリード部分の先端のリード内端部６が貼り付
けられる。これによって、リード２は半導体チップ３の
主面に絶縁的に取り付けられてＬＯＣ構造が形成され
る。
【００３９】つぎに、半導体チップ３の主面に設けられ
た図示しないボンディングパッドと、リード内端部６を
金線等からなる導電性のワイヤ１７で電気的に接続す
る。
た図示しないボンディングパッドと、リード内端部６を
金線等からなる導電性のワイヤ１７で電気的に接続す
る。
【００４０】つぎに、このリードフレーム２１は、常用
のモールド（トランスファモールド）技術によって、所
定部分に樹脂封止体１が形成される。樹脂封止体１は、
図８に示されるように、半導体チップ，インナーリード
およびワイヤを被う。樹脂封止体１はその厚さがたとえ
ば１ｍｍ程度となる。
のモールド（トランスファモールド）技術によって、所
定部分に樹脂封止体１が形成される。樹脂封止体１は、
図８に示されるように、半導体チップ，インナーリード
およびワイヤを被う。樹脂封止体１はその厚さがたとえ
ば１ｍｍ程度となる。
【００４１】この樹脂封止において、樹脂に含まれる硬
い粒子であるガラスのフィラー１０が、図５に示すよう
に、メモリマット切り替え用配線５と離間部分４との間
に入っても、メモリマット切り替え用配線５と離間部分
４との間隔が、フィラー１０の大きさよりも充分に大き
くなっていることから、樹脂の硬化収縮によっても、フ
ィラー１０がメモリマット切り替え用配線５に強く当た
ることがなくなり、フィラー１０の介在によるメモリマ
ット切り替え用配線５のクラック破損は発生しなくな
る。
い粒子であるガラスのフィラー１０が、図５に示すよう
に、メモリマット切り替え用配線５と離間部分４との間
に入っても、メモリマット切り替え用配線５と離間部分
４との間隔が、フィラー１０の大きさよりも充分に大き
くなっていることから、樹脂の硬化収縮によっても、フ
ィラー１０がメモリマット切り替え用配線５に強く当た
ることがなくなり、フィラー１０の介在によるメモリマ
ット切り替え用配線５のクラック破損は発生しなくな
る。
【００４２】つぎに、不要となるリードフレーム部分は
切断除去される。さらに、パッケージ１から突出するリ
ード２は成形されて、図１および図２に示されるような
ＳＯＪ構造の樹脂封止型半導体装置２０が製造される。
切断除去される。さらに、パッケージ１から突出するリ
ード２は成形されて、図１および図２に示されるような
ＳＯＪ構造の樹脂封止型半導体装置２０が製造される。
【００４３】（実施形態２）図９は、本発明の他の実施
形態（実施形態２）である樹脂封止型半導体装置におけ
るメモリマット切り替え用配線とリードとの相関を示す
一部の平面図である。
形態（実施形態２）である樹脂封止型半導体装置におけ
るメモリマット切り替え用配線とリードとの相関を示す
一部の平面図である。
【００４４】本実施形態２では、メモリマット切り替え
用配線５の真上にリード２が位置しないように、半導体
チップ３に絶縁テープ７を介してリード２を固定した構
造となっている。
用配線５の真上にリード２が位置しないように、半導体
チップ３に絶縁テープ７を介してリード２を固定した構
造となっている。
【００４５】すなわち、本実施形態２の樹脂封止型半導
体装置２０は、主面に露出したメモリマット切り替え用
配線（配線）５およびボンディングパッドを有する半導
体チップ３と、前記半導体チップ３の主面に絶縁テープ
７を介して一部が絶縁的に固定されるリード２と、前記
リード２と前記ボンディングパッドを電気的に接続する
ワイヤ１７（接続手段）と、前記半導体チップ３および
リード２の一部ならびにワイヤ１７を被う樹脂封止体１
とからなり、前記リード２の先端はそれぞれ前記樹脂封
止体１から外に突出して外部端子を構成する。また、前
記リード２は前記メモリマット切り替え用配線５の真上
から外れている構造となっている。
体装置２０は、主面に露出したメモリマット切り替え用
配線（配線）５およびボンディングパッドを有する半導
体チップ３と、前記半導体チップ３の主面に絶縁テープ
７を介して一部が絶縁的に固定されるリード２と、前記
リード２と前記ボンディングパッドを電気的に接続する
ワイヤ１７（接続手段）と、前記半導体チップ３および
リード２の一部ならびにワイヤ１７を被う樹脂封止体１
とからなり、前記リード２の先端はそれぞれ前記樹脂封
止体１から外に突出して外部端子を構成する。また、前
記リード２は前記メモリマット切り替え用配線５の真上
から外れている構造となっている。
【００４６】したがって、半導体チップ３上を引き回さ
れるリード２（インナーリード）は、メモリマット切り
替え用配線５の真上から外れていることから、メモリマ
ット切り替え用配線５上に硬いフィラー１０が載って
も、樹脂の硬化収縮等においてフィラー１０にリード２
によって大きな力が加わることがなく、フィラー１０の
下のメモリマット切り替え用配線５にクラックが入らな
くなり、電気特性の信頼性が向上する。
れるリード２（インナーリード）は、メモリマット切り
替え用配線５の真上から外れていることから、メモリマ
ット切り替え用配線５上に硬いフィラー１０が載って
も、樹脂の硬化収縮等においてフィラー１０にリード２
によって大きな力が加わることがなく、フィラー１０の
下のメモリマット切り替え用配線５にクラックが入らな
くなり、電気特性の信頼性が向上する。
【００４７】（実施形態３）図１０は、本発明の他の実
施形態（実施形態３）である樹脂封止型半導体装置にお
けるメモリマット切り替え用配線とリードとの相関を示
す一部の平面図である。
施形態（実施形態３）である樹脂封止型半導体装置にお
けるメモリマット切り替え用配線とリードとの相関を示
す一部の平面図である。
【００４８】本実施形態３では、メモリマット切り替え
用配線５の真上にリード２が位置しているが、前記メモ
リマット切り替え用配線５は絶縁テープ７で被われる構
造となっている。絶縁テープ７はポリイミド樹脂等から
なり弾力体となっている。
用配線５の真上にリード２が位置しているが、前記メモ
リマット切り替え用配線５は絶縁テープ７で被われる構
造となっている。絶縁テープ７はポリイミド樹脂等から
なり弾力体となっている。
【００４９】すなわち、本実施形態３の樹脂封止型半導
体装置２０は、主面に露出した配線（メモリマット切り
替え用配線５）およびボンディングパッドを有する半導
体チップ３と、前記半導体チップ３の主面に樹脂からな
る絶縁フィルム７を介して一部が絶縁的に固定されるリ
ード２と、前記リード２と前記ボンディングパッドを電
気的に接続するワイヤ１７（接続手段）と、前記半導体
チップ３およびリード２の一部ならびにワイヤ１７を被
う樹脂封止体１とからなり、前記リード２の先端はそれ
ぞれ前記樹脂封止体１から外に突出して外部端子を構成
する。また、前記配線は前記絶縁フィルム７で被われて
いる構成となっている。前記配線は半導体装置の電気特
性を補正するための調整用配線（メモリマット切り替え
用配線５）となっている。
体装置２０は、主面に露出した配線（メモリマット切り
替え用配線５）およびボンディングパッドを有する半導
体チップ３と、前記半導体チップ３の主面に樹脂からな
る絶縁フィルム７を介して一部が絶縁的に固定されるリ
ード２と、前記リード２と前記ボンディングパッドを電
気的に接続するワイヤ１７（接続手段）と、前記半導体
チップ３およびリード２の一部ならびにワイヤ１７を被
う樹脂封止体１とからなり、前記リード２の先端はそれ
ぞれ前記樹脂封止体１から外に突出して外部端子を構成
する。また、前記配線は前記絶縁フィルム７で被われて
いる構成となっている。前記配線は半導体装置の電気特
性を補正するための調整用配線（メモリマット切り替え
用配線５）となっている。
【００５０】したがって、本実施形態３の樹脂封止型半
導体装置２０は、メモリマット切り替え用配線５の真上
にリード２が延在しても、前記メモリマット切り替え用
配線５は弾力性のある絶縁フィルム７で被われているこ
とから、リード２とメモリマット切り替え用配線５間に
硬いフィラー１０が入り、かつリード２から硬いフィラ
ー１０に応力が掛かっても、前記絶縁フィルム７で応力
を吸収するため、メモリマット切り替え用配線５にクラ
ックが入ることがなく、電気特性の信頼性が向上する。
導体装置２０は、メモリマット切り替え用配線５の真上
にリード２が延在しても、前記メモリマット切り替え用
配線５は弾力性のある絶縁フィルム７で被われているこ
とから、リード２とメモリマット切り替え用配線５間に
硬いフィラー１０が入り、かつリード２から硬いフィラ
ー１０に応力が掛かっても、前記絶縁フィルム７で応力
を吸収するため、メモリマット切り替え用配線５にクラ
ックが入ることがなく、電気特性の信頼性が向上する。
【００５１】また、本実施形態３の構造では、リード２
とメモリマット切り替え用配線５の間に絶縁性の絶縁フ
ィルム７が介在されるため、リード２を絶縁フィルム７
に密着させるようにすれば、メモリマット切り替え用配
線５上の絶縁フィルム７とリード２との間にフィラー１
０が入り込まなくなり、フィラー１０に起因するメモリ
マット切り替え用配線５のクラック破損は生じなくな
る。
とメモリマット切り替え用配線５の間に絶縁性の絶縁フ
ィルム７が介在されるため、リード２を絶縁フィルム７
に密着させるようにすれば、メモリマット切り替え用配
線５上の絶縁フィルム７とリード２との間にフィラー１
０が入り込まなくなり、フィラー１０に起因するメモリ
マット切り替え用配線５のクラック破損は生じなくな
る。
【００５２】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５３】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＳＯＪ
パッケージ構造の樹脂封止型半導体装置の製造技術に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではない。
なされた発明をその背景となった利用分野であるＳＯＪ
パッケージ構造の樹脂封止型半導体装置の製造技術に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではない。
【００５４】本発明は少なくとも半導体チップの主面に
露出した調整用配線を有する樹脂封止型半導体装置の製
造技術には適用できる。
露出した調整用配線を有する樹脂封止型半導体装置の製
造技術には適用できる。
【００５５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００５６】（１）樹脂封止型半導体装置は、半導体チ
ップの主面に露出するメモリマット切り替え用配線上に
硬いフィラーが載っても、メモリマット切り替え用配線
上からリードを外したり、またはメモリマット切り替え
用配線の表面から遠ざかるようにリードを屈曲させた
り、さらにはメモリマット切り替え用配線を弾力性のあ
る絶縁フィルムで被ったりすることによって、樹脂の硬
化収縮時、硬いフィラーがメモリマット切り替え用配線
に強く当たらないようにするため、メモリマット切り替
え用配線にクラックが入らず、電気特性の信頼性が向上
する。
ップの主面に露出するメモリマット切り替え用配線上に
硬いフィラーが載っても、メモリマット切り替え用配線
上からリードを外したり、またはメモリマット切り替え
用配線の表面から遠ざかるようにリードを屈曲させた
り、さらにはメモリマット切り替え用配線を弾力性のあ
る絶縁フィルムで被ったりすることによって、樹脂の硬
化収縮時、硬いフィラーがメモリマット切り替え用配線
に強く当たらないようにするため、メモリマット切り替
え用配線にクラックが入らず、電気特性の信頼性が向上
する。
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である樹脂
封止型半導体装置の断面図である。
封止型半導体装置の断面図である。
【図２】本実施形態１の樹脂封止型半導体装置の他の切
断線に沿う断面図である。
断線に沿う断面図である。
【図３】本実施形態１の樹脂封止型半導体装置の平面図
である。
である。
【図４】本実施形態１の樹脂封止型半導体装置における
メモリマット切り替え用配線とリードとの相関を示す一
部の平面図である。
メモリマット切り替え用配線とリードとの相関を示す一
部の平面図である。
【図５】本実施形態１の樹脂封止型半導体装置における
メモリマット切り替え用配線とリードとの相関を示す一
部の断面図である。
メモリマット切り替え用配線とリードとの相関を示す一
部の断面図である。
【図６】本実施形態１の樹脂封止型半導体装置の製造に
使用されるリードフレームの平面図である。
使用されるリードフレームの平面図である。
【図７】本実施形態１の樹脂封止型半導体装置の製造に
おいて半導体チップにリードを固定した状態のリードフ
レームを示す平面図である。
おいて半導体チップにリードを固定した状態のリードフ
レームを示す平面図である。
【図８】本実施形態１の樹脂封止型半導体装置の製造に
おいて樹脂封止されたリードフレームを示す平面図であ
る。
おいて樹脂封止されたリードフレームを示す平面図であ
る。
【図９】本発明の他の実施形態（実施形態２）である樹
脂封止型半導体装置におけるメモリマット切り替え用配
線とリードとの相関を示す一部の平面図である。
脂封止型半導体装置におけるメモリマット切り替え用配
線とリードとの相関を示す一部の平面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態（実施形態３）である
樹脂封止型半導体装置におけるメモリマット切り替え用
配線とリードとの相関を示す一部の平面図である。
樹脂封止型半導体装置におけるメモリマット切り替え用
配線とリードとの相関を示す一部の平面図である。
１…樹脂封止体、２…リード、３…半導体チップ、４…
離間部分、５…メモリマット切り替え用配線、６…リー
ド内端部、７…絶縁フィルム（絶縁テープ）、９…保護
膜、１０…フィラー、１７…ワイヤ、２０…樹脂封止型
半導体装置、２１…リードフレーム、２２…外枠、２３
…内枠、２４…枠、２５…ダム。
離間部分、５…メモリマット切り替え用配線、６…リー
ド内端部、７…絶縁フィルム（絶縁テープ）、９…保護
膜、１０…フィラー、１７…ワイヤ、２０…樹脂封止型
半導体装置、２１…リードフレーム、２２…外枠、２３
…内枠、２４…枠、２５…ダム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−291947（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−254677（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−7126（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−291152（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−152495（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/28 - 23/31 H01L 23/50
Claims (3)
- 【請求項１】 主面に露出した配線およびボンディング
パッドを有する半導体チップと、前記半導体チップの主
面に絶縁フィルムを介して一部が絶縁的に固定されるリ
ードと、前記リードと前記ボンディングパッドを電気的
に接続する接続手段と、前記半導体チップおよびリード
の一部ならびに接続手段を被う樹脂封止体とからなり、
前記リードの先端はそれぞれ前記樹脂封止体から外に突
出して外部端子を構成する樹脂封止型半導体装置であっ
て、前記配線の真上に延在するリードにおいては部分的
に屈曲して前記樹脂封止体を形成するフィラーの大きさ
よりも広い間隔を有して配線に対面していることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 主面に露出した配線およびボンディング
パッドを有する半導体チップと、前記半導体チップの主
面に絶縁フィルムを介して一部が絶縁的に固定されるリ
ードと、前記リードと前記ボンディングパッドを電気的
に接続する接続手段と、前記半導体チップおよびリード
の一部ならびに接続手段を被う樹脂封止体とからなり、
前記リードの先端はそれぞれ前記樹脂封止体から外に突
出して外部端子を構成する樹脂封止型半導体装置であっ
て、前記リードは前記配線の真上から外れていることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 主面に露出した配線およびボンディング
パッドを有する半導体チップと、前記半導体チップの主
面に絶縁フィルムを介して一部が絶縁的に固定されるリ
ードと、前記リードと前記ボンディングパッドを電気的
に接続する接続手段と、前記半導体チップおよびリード
の一部ならびに接続手段を被う樹脂封止体とからなり、
前記リードの先端はそれぞれ前記樹脂封止体から外に突
出して外部端子を構成し、前記リードは前記配線の真上
に位置する樹脂封止型半導体装置の製造に用いられるリ
ードフレームであって、前記配線の真上に延在するリー
ドにおいては部分的に屈曲して前記樹脂封止体を形成す
るフィラーの大きさよりも広い間隔を有して配線に対面
するように構成されていることを特徴とするリードフレ
ーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP537496A JP3336328B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造に用いられるリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP537496A JP3336328B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造に用いられるリードフレーム |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002188143A Division JP2003031754A (ja) | 2002-06-27 | 2002-06-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199636A JPH09199636A (ja) | 1997-07-31 |
| JP3336328B2 true JP3336328B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=11609405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP537496A Expired - Fee Related JP3336328B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造に用いられるリードフレーム |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3336328B2 (ja) |
-
1996
- 1996-01-17 JP JP537496A patent/JP3336328B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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|---|---|
| JPH09199636A (ja) | 1997-07-31 |
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