JPH06291244A - リードフレームおよび半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよび半導体装置Info
- Publication number
- JPH06291244A JPH06291244A JP7396593A JP7396593A JPH06291244A JP H06291244 A JPH06291244 A JP H06291244A JP 7396593 A JP7396593 A JP 7396593A JP 7396593 A JP7396593 A JP 7396593A JP H06291244 A JPH06291244 A JP H06291244A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- leads
- semiconductor device
- frame
- insulating material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】製造工程を簡略化すると共に、リードピッチの
ファイン化および半導体装置のマウント精度の緩和を図
るリードフレームおよび半導体装置を提供する。 【構成】各インナーリード７間、各アウターリード８間
および各リードと内枠フレーム９、外枠フレーム１０間
にエポシキ樹脂からなる絶縁材料５を充填すると共に、
各アウターリード８の断面を逆台形に形成し、従来、テ
スト工程の前に行なっていたリード曲げ工程をテスト工
程後に実施可能とし、しかも各リード間に充填されてい
る絶縁材料５の除去を容易にした。なお、半導体装置の
アウターリード８はすべての領域で断面を逆台形に形成
した。
ファイン化および半導体装置のマウント精度の緩和を図
るリードフレームおよび半導体装置を提供する。 【構成】各インナーリード７間、各アウターリード８間
および各リードと内枠フレーム９、外枠フレーム１０間
にエポシキ樹脂からなる絶縁材料５を充填すると共に、
各アウターリード８の断面を逆台形に形成し、従来、テ
スト工程の前に行なっていたリード曲げ工程をテスト工
程後に実施可能とし、しかも各リード間に充填されてい
る絶縁材料５の除去を容易にした。なお、半導体装置の
アウターリード８はすべての領域で断面を逆台形に形成
した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置組立用のリ
ードフレームおよび半導体装置に関するものである。
ードフレームおよび半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置用のリードフレーム１
ａを図８（ａ）に示す。図８（ａ）に示すように各リー
ド（インナーリード２２及びアウターリード２１）はダ
ム・バー２０及び内枠フレーム２３、外枠のフレーム２
４と連結され保持されている。すなわち、ダム・バー２
０によって、各リードは内枠のフレーム２３と、アウタ
ーリード２１は外部フレーム２４とそれぞれ接続するこ
とによって、ダム・バー２０及びフレーム２３、２４は
各リードの補強とトランスファーモールド等の成形時に
樹脂（モールド・コーンパンド）の流れを防止する役割
を持っている。
ａを図８（ａ）に示す。図８（ａ）に示すように各リー
ド（インナーリード２２及びアウターリード２１）はダ
ム・バー２０及び内枠フレーム２３、外枠のフレーム２
４と連結され保持されている。すなわち、ダム・バー２
０によって、各リードは内枠のフレーム２３と、アウタ
ーリード２１は外部フレーム２４とそれぞれ接続するこ
とによって、ダム・バー２０及びフレーム２３、２４は
各リードの補強とトランスファーモールド等の成形時に
樹脂（モールド・コーンパンド）の流れを防止する役割
を持っている。
【０００３】また、一般にリードフレームの製造はスタ
ンピング又はエッチングによって製作されているが、前
者は機械的に切断する手段で断面は垂直に切断され、ま
た後者はリードフレーム材の両面からエッチングしてお
り、アウターリード２１の断面形状は図８（ｂ）に示す
ように形成されている。
ンピング又はエッチングによって製作されているが、前
者は機械的に切断する手段で断面は垂直に切断され、ま
た後者はリードフレーム材の両面からエッチングしてお
り、アウターリード２１の断面形状は図８（ｂ）に示す
ように形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術ではダム・バ
ーは、各リードの補強及びダムバリ止役を果たしていた
が、成形後の半導体装置では電気的にも各リードは分離
しなければならず、機械的に切断する工程が必要であっ
た。また、ダム・バー切断後に曲げ工程と、その後テス
ト工程等の工程が入るが、曲げ精度にずれが発生するの
で、最終工程で外観検査が必要であった。
ーは、各リードの補強及びダムバリ止役を果たしていた
が、成形後の半導体装置では電気的にも各リードは分離
しなければならず、機械的に切断する工程が必要であっ
た。また、ダム・バー切断後に曲げ工程と、その後テス
ト工程等の工程が入るが、曲げ精度にずれが発生するの
で、最終工程で外観検査が必要であった。
【０００５】最近、半導体装置のリードのファインピッ
チ化、多ピン化が進み、このような半導体装置のダム・
バーの切断工程において、切断する機械的精度の確保が
困難になってきた。また、このような半導体装置のリー
ド曲げ工程から、テスト工程に移行する際、例えば半導
体装置を容器に収容して運搬中にリードが容器壁と衝突
してリード足曲りが発生するという問題があった。
チ化、多ピン化が進み、このような半導体装置のダム・
バーの切断工程において、切断する機械的精度の確保が
困難になってきた。また、このような半導体装置のリー
ド曲げ工程から、テスト工程に移行する際、例えば半導
体装置を容器に収容して運搬中にリードが容器壁と衝突
してリード足曲りが発生するという問題があった。
【０００６】また、半導体装置を半田等によってプリン
ト基板に接続する際、半導体装置のリードがファインピ
ッチ化されているために、プリント基板へマウントする
ときマウンターの精度等によって接着面幅が狭いことが
望まれている。すなわち、接着面幅が広い場合、マウン
ター等の精度ズレ等によって半導体装置とプリント基板
上のピッチずれが生じた場合は、ブリッジ等が発生する
という問題があった。
ト基板に接続する際、半導体装置のリードがファインピ
ッチ化されているために、プリント基板へマウントする
ときマウンターの精度等によって接着面幅が狭いことが
望まれている。すなわち、接着面幅が広い場合、マウン
ター等の精度ズレ等によって半導体装置とプリント基板
上のピッチずれが生じた場合は、ブリッジ等が発生する
という問題があった。
【０００７】本発明は上述の問題点を解決する半導体装
置用リードフレームおよび半導体装置を提供することを
課題とするものである。
置用リードフレームおよび半導体装置を提供することを
課題とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記問題点を解
決するものであり、半導体装置組立て用のリードフレー
ムに適用され、次の技術手段を採った。すなわち、各リ
ード間及びリードとフレーム間に少くともリードと同等
の厚さの絶縁材料を充填してなることを特徴とするリー
ドフレームである。
決するものであり、半導体装置組立て用のリードフレー
ムに適用され、次の技術手段を採った。すなわち、各リ
ード間及びリードとフレーム間に少くともリードと同等
の厚さの絶縁材料を充填してなることを特徴とするリー
ドフレームである。
【０００９】少くともリード部の断面は上底が下底より
長い逆台形形状に形成すれば好適である。本発明の半導
体装置は、少くともアウターリードの断面がすべての領
域で上底が下底より長い逆台形形状に形成することを特
徴とする。
長い逆台形形状に形成すれば好適である。本発明の半導
体装置は、少くともアウターリードの断面がすべての領
域で上底が下底より長い逆台形形状に形成することを特
徴とする。
【００１０】
【作用】本発明によれば、リード断面形状を逆台形と
し、リード材料と異なる絶縁材料を用いてリード間及び
リードとフレーム間を充填することにより、リードピッ
チがファイン化した場合、刃物による切断工程において
加工精度は問題でなくなり単に押し出しだけで絶縁材料
を除去することができる。
し、リード材料と異なる絶縁材料を用いてリード間及び
リードとフレーム間を充填することにより、リードピッ
チがファイン化した場合、刃物による切断工程において
加工精度は問題でなくなり単に押し出しだけで絶縁材料
を除去することができる。
【００１１】また充填材料が絶縁体であるので、テスト
工程が終った最後の工程でリード曲げ工程を実施するこ
とが可能となり、運搬中のリード足曲りの発生問題を防
止することができる。本願発明のリードフレームを使用
した半導体装置では、従来のようなダム・バーを使用し
なくてもよいことが特徴である。
工程が終った最後の工程でリード曲げ工程を実施するこ
とが可能となり、運搬中のリード足曲りの発生問題を防
止することができる。本願発明のリードフレームを使用
した半導体装置では、従来のようなダム・バーを使用し
なくてもよいことが特徴である。
【００１２】
【実施例】本願発明のリードフレームを用いた半導体装
置の製造工程を図面によって簡単に説明する。図２に示
すように、先ず、リードフレーム１の材料上の一面に感
光性レジスト２を塗布し、リードフレーム１材料の他の
面はレジスタ２ａ等によってマスクを行い、露光現象に
よってリードのパターニングを行う（図２（ａ））。感
光性レジスト２塗布面からのみウェット・エッチング液
に浸漬し、一方向からのみの等方エッチングを行う。こ
の結果、感光性レジスト２の塗布面のパターン幅はレジ
スト２ａ面のパターン幅より狭くなる（図２（ｂ））。
この工程で、従来、リード補強と樹脂の流れ止め作用を
受持っていたダム・バーをもエッチングで削除する。
置の製造工程を図面によって簡単に説明する。図２に示
すように、先ず、リードフレーム１の材料上の一面に感
光性レジスト２を塗布し、リードフレーム１材料の他の
面はレジスタ２ａ等によってマスクを行い、露光現象に
よってリードのパターニングを行う（図２（ａ））。感
光性レジスト２塗布面からのみウェット・エッチング液
に浸漬し、一方向からのみの等方エッチングを行う。こ
の結果、感光性レジスト２の塗布面のパターン幅はレジ
スト２ａ面のパターン幅より狭くなる（図２（ｂ））。
この工程で、従来、リード補強と樹脂の流れ止め作用を
受持っていたダム・バーをもエッチングで削除する。
【００１３】リードフレームの製作後めっき等の後処理
を行ない、トランスファーモールドプレスにより、図２
（ｂ）の工程でエッチングによって削除した各リード間
に相当する部分にエポキシ樹脂等の絶縁材料５をトラン
スファーモールド成形装置で充填する（図２（ｃ））。
なお４はモールド金型を示す。図３は完成されたリード
フレーム１であり、各リード７、８間及びリード７、８
とフレーム９、１０間には絶縁材料５が充填されてい
る。図示していないが、このリードフレームのインナー
部と半導体基板上に配された結線パツト間を金線等によ
って結線する。次いで図４に示すように、結線されたリ
ードフレームの半導体装置部をパッケージにモールド成
形する。この時、リード間には絶縁材料５が充填されて
いるので絶縁材料５をそのまま包含して成形することが
できる。
を行ない、トランスファーモールドプレスにより、図２
（ｂ）の工程でエッチングによって削除した各リード間
に相当する部分にエポキシ樹脂等の絶縁材料５をトラン
スファーモールド成形装置で充填する（図２（ｃ））。
なお４はモールド金型を示す。図３は完成されたリード
フレーム１であり、各リード７、８間及びリード７、８
とフレーム９、１０間には絶縁材料５が充填されてい
る。図示していないが、このリードフレームのインナー
部と半導体基板上に配された結線パツト間を金線等によ
って結線する。次いで図４に示すように、結線されたリ
ードフレームの半導体装置部をパッケージにモールド成
形する。この時、リード間には絶縁材料５が充填されて
いるので絶縁材料５をそのまま包含して成形することが
できる。
【００１４】次いで、図５に示すように、成形された半
導体装置のリード部を内部、外部フレームから切断分離
する。図６は図５のＢ−Ｂ矢視図を示す。この状態で、
テスト工程が実施され、電気的良品・不良品が選別され
る。選別完了後、良品のみに、図７に示すようなリード
曲げ工程が実施される。図１（ａ）は本発明のリードフ
レーム１の平面図を示したものであり、上述の図３と同
一のものである。また、図１（ｂ）は図１（ａ）Ａ−Ａ
矢視図である。
導体装置のリード部を内部、外部フレームから切断分離
する。図６は図５のＢ−Ｂ矢視図を示す。この状態で、
テスト工程が実施され、電気的良品・不良品が選別され
る。選別完了後、良品のみに、図７に示すようなリード
曲げ工程が実施される。図１（ａ）は本発明のリードフ
レーム１の平面図を示したものであり、上述の図３と同
一のものである。また、図１（ｂ）は図１（ａ）Ａ−Ａ
矢視図である。
【００１５】５は絶縁材料（エポキシ樹脂等）、７はイ
ンナーリード、８はアウターリード、９は内枠フレー
ム、１０は外枠フレームである。図１（ｂ）に示すよう
に、アウターリード８の断面は逆台形形状に形成したの
で、リード間の絶縁材料５の断面形状は、台形形状とな
り、図７に示すリード曲げ工程において上部から押出ピ
ンによって押出せば容易に除去することができる。
ンナーリード、８はアウターリード、９は内枠フレー
ム、１０は外枠フレームである。図１（ｂ）に示すよう
に、アウターリード８の断面は逆台形形状に形成したの
で、リード間の絶縁材料５の断面形状は、台形形状とな
り、図７に示すリード曲げ工程において上部から押出ピ
ンによって押出せば容易に除去することができる。
【００１６】本発明の実施例では、絶縁材料５を内枠・
外枠で囲まれたリード間の全領域について充填したが、
リード部の１部について実施してもよい。
外枠で囲まれたリード間の全領域について充填したが、
リード部の１部について実施してもよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、内枠・外枠に囲まれた
領域内の各リード間には絶縁材料を充填されているの
で、リードフレームに半導体装置を装着してトランスフ
ァーモールドで成形する際、絶縁材料をそのまま包含し
て成形することができる。さらに、リード断面形状が逆
台形であるため、リード間の絶縁材料の断面形状は台形
となり、上部から軽く押出す程度で絶縁材料を除去する
ことができる。
領域内の各リード間には絶縁材料を充填されているの
で、リードフレームに半導体装置を装着してトランスフ
ァーモールドで成形する際、絶縁材料をそのまま包含し
て成形することができる。さらに、リード断面形状が逆
台形であるため、リード間の絶縁材料の断面形状は台形
となり、上部から軽く押出す程度で絶縁材料を除去する
ことができる。
【００１８】また、内枠及び外枠のフレームによって囲
まれた領域内の各リード間に絶縁材料が充填されている
場合は、リード切断後電気的特性を検査した後リード曲
げ工程で絶縁材料を除去可能であり、リード曲げ工程完
了後の工程でリード足曲りの発生が低減できる。また半
導体装置にリードピッチが同じでもプリント基板等に半
田等によって接続する場合、リード部の接着面幅が狭い
ので、半田のリフローによるはみ出しが少く、半導体装
置のマウント精度が緩和できる。また、本発明には従来
技術のようなダム・バーがないので、ダム・バーの切断
工程における問題点が解消し、そのために、リードピッ
チをファイン化することができる。
まれた領域内の各リード間に絶縁材料が充填されている
場合は、リード切断後電気的特性を検査した後リード曲
げ工程で絶縁材料を除去可能であり、リード曲げ工程完
了後の工程でリード足曲りの発生が低減できる。また半
導体装置にリードピッチが同じでもプリント基板等に半
田等によって接続する場合、リード部の接着面幅が狭い
ので、半田のリフローによるはみ出しが少く、半導体装
置のマウント精度が緩和できる。また、本発明には従来
技術のようなダム・バーがないので、ダム・バーの切断
工程における問題点が解消し、そのために、リードピッ
チをファイン化することができる。
【図１】図１（ａ）は本発明の一実施例のリードフレー
ムの平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ矢視図で
ある。
ムの平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ矢視図で
ある。
【図２】図２（ａ）はリードフレーム材料のパターニン
グの説明図、図２（ｂ）は感光性レジスト塗布面にエッ
チングを行う説明図、図２（ｃ）はエッチング部に絶縁
材料を充填する説明図である。
グの説明図、図２（ｂ）は感光性レジスト塗布面にエッ
チングを行う説明図、図２（ｃ）はエッチング部に絶縁
材料を充填する説明図である。
【図３】完成したリードフレームの説明図である。
【図４】モールドされた半導体装置部の説明図である。
【図５】リードフレームから切断分離された半導体装置
部の説明図である。
部の説明図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ矢視図である。
【図７】半導体装置部のリード曲げの説明図である。
【図８】図８（ａ）は従来例のリードフレームの説明
図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＣ−Ｃ矢視図である。
図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＣ−Ｃ矢視図である。
１、１ａ リードフレーム ２ 感光性レジ
スト ２ａ レジスト ４ モールド金
型 ５ 絶縁材料（エポキシ樹脂） ７ インナーリード ８ アウターリ
ード ９ 内枠フレーム １０ 外枠フレー
ム ２０ ダム・バー ２１ アウターリ
ード ２２ インナーリード ２３ 内枠フレー
ム ２４ 外枠フレーム
スト ２ａ レジスト ４ モールド金
型 ５ 絶縁材料（エポキシ樹脂） ７ インナーリード ８ アウターリ
ード ９ 内枠フレーム １０ 外枠フレー
ム ２０ ダム・バー ２１ アウターリ
ード ２２ インナーリード ２３ 内枠フレー
ム ２４ 外枠フレーム
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置組立て用のリードフレームに
おいて、各リード間及びリードとフレーム間に少くとも
リードと同等の厚さの絶縁材料を充填してなることを特
徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 少くともリード部の断面は上底が下底よ
り長い逆台形形状である請求項１記載のリードフレー
ム。 - 【請求項３】 少くともアウターリードの断面がすべて
の領域で上底が下底より長い逆台形形状であることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7396593A JPH06291244A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | リードフレームおよび半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7396593A JPH06291244A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | リードフレームおよび半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291244A true JPH06291244A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=13533303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7396593A Withdrawn JPH06291244A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | リードフレームおよび半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291244A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008182240A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | インターロック構造を備えたチップキャリア |
| JP2012160517A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP7396593A patent/JPH06291244A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008182240A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | インターロック構造を備えたチップキャリア |
| JP2012160517A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |