JP2008182240A - インターロック構造を備えたチップキャリア - Google Patents
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Abstract
【課題】リードフレームおよびそのリードフレームの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料を、エッチングされた領域を形成するための所定のエッチングレベルへと第一の側面から選択的にエッチングする。その後、ベース材料の第一の側面上のエッチングされた領域が、充填用化合物で充填される。その後、ベース材料が、第二の側面上に充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへと第二の側面からエッチングされる。
【選択図】図3d
【解決手段】まず、平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料を、エッチングされた領域を形成するための所定のエッチングレベルへと第一の側面から選択的にエッチングする。その後、ベース材料の第一の側面上のエッチングされた領域が、充填用化合物で充填される。その後、ベース材料が、第二の側面上に充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへと第二の側面からエッチングされる。
【選択図】図3d
Description
本発明は電子装置に係り、特に、半導体のアセンブリ及びパッケージング中に半導体集積回路チップを支持するために使用されるリードフレーム等のチップキャリアに関する。
リードフレームは伝統的に、その上に取り付けられた半導体回路に電気相互接続を提供するために使用される。典型的に、リードフレームを製造するために使用されるベース材料は、銅合金、ステンレス鋼または42合金である。しかしながら、より小さくて薄いパッケージサイズを有しながらもより高いリード数を有する高性能装置に対する要求によって、より高価なボール・グリッド・アレイ(Ball‐Grid Array,BGA)等の積層基板が急速に使用されるようになっている。
モールド化合物がリードフレームの一側の上のみにおいてリードフレーム上へとモールドされるというQFN(Quad Flat No‐Lead)パッケージが開発されている。これは、小さなサイズ、費用対効果、高い歩留まりで知られている。これは、BGAパッケージと性能及び効率において匹敵する。また、QFNパッケージは、共平面性及び放熱性が改善された高速回路に対して、特定の機械的利点を有する。QFNパッケージは、高周波数応用において“ノイズ”を生成するアンテナとして機能することがあるガルウイング型リードを有さないので、その電気性能は、従来のリードパッケージに対して優れている。
QFNパッケージは、低リード数アレイにおいて使用されるのに最適である。それにも関わらず、標準的なリードフレームパッケージと比較した際のQFNパッケージの他の利点は、より高密度の相互接続を提供できるという点である。QFNパッケージのリードは典型的に、一、二または三列の構成で配置されている。また、QFNパッケージは、リードフレームに基づいたパッケージングが、積層に基づいた基板よりもコストが安いという利点を生かしている。何故ならば、多くの高コストの製造段階を介して印刷回路基板を製造するのよりも、単純に銅の薄いピースをエッチングしてリードフレームを形成する方が安価だからである。
しかしながら、既存のリードフレーム製造プロセスは、電気相互接続の多重の列を容易に備えることができるBGAパッケージと比較して同程度の性能を有するリードフレームを製造するには、依然として不安定である。このような高性能リードフレームを製造可能なリードフレームを製造するための新規プロセスを開発する必要があるということは明らかである。
従って、より高価なBGA基板に対して有効な代替物として使用可能なリードフレーム等のチップキャリアを開発することが、本発明の課題の一つである。
また、従来のリードフレームと比較して比較的多数のリードを有し、そのリードがインターロック構造で適切に支持されてリードフレームが高密度パッケージングに適しているチップキャリアを製造することが、本発明の他の課題である。
本発明の第一側面によると、リードフレームの製造方法が提供される。本製造方法は、平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料を提供する段階と、エッチングされた領域を形成するための所定のエッチングレベルへと第一の側面からベース材料を選択的にエッチングする段階と、ベース材料の第一の側面上のエッチングされた領域を充填用化合物で充填する段階と、第二の側面上に充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへと第二の側面からベース材料をエッチングする段階とを備える。
本発明の第二側面によるとリードフレームが提供される。本リードフレームは、実質的に平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料であり、該ベース材料のエッチングされた領域によって離隔された少なくとも一つのダイパッド及び複数のリードを画定するベース材料と、ダイパッド及びリードをインターロックするためのベース材料のエッチングされた領域に形成された充填用化合物とを含み、充填用化合物が、ベース材料の平坦な第一及び第二の側面と略同一平面であるように形成されている。
本発明の第三側面によるとリードフレームが提供される。本リードフレームは、実質的に平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料であり、該ベース材料のエッチングされた領域によって離隔された少なくとも一つのダイパッド及び複数のリードを画定するベース材料と、ダイパッド及びリードをインターロックするためのベース材料のエッチングされた領域に形成された充填用化合物と、ベース材料に対して充填用化合物を固定するための、エッチングされた領域の周囲のエッジに沿って配置されたくぼみ形状の固定用特徴部とを備える。
以下、本発明の好ましい実施形態を例示する添付図面を参照して、本発明の更なる詳細を開示する。図面の特殊性及びそれに関連する開示は、特許請求の範囲によって定められる本発明の広範な同一性の一般性を失わせるものではないということは理解されたい。
本発明によるリードフレーム及びその製造の特徴は、添付図面を参照して、以下の詳細な開示を読むことによって、完全に理解されるものである。
図1は、半導体ダイ11を支持するために使用される本発明の好ましい実施形態によるリードフレームの部分切開平面図である。リードフレームは、リード12と、半導体ダイ11がその上に結合されるダイパッド10とを備える。半導体ダイは、ファインワイヤ13(典型的には金ワイヤ)を用いてリード12に接続される。リード12及びダイパッド10は、ニッケル、ニッケル合金の第一層、パラジウム、金、銀、これらの合金の第二層でメッキされて、リード12とワイヤ13との間の接続性を増強させ、並びに、リード12及びダイパッド10の印刷回路基板上へのはんだぬれ性を増強させる。望ましくは、リードフレームはリード12の内側と外側のリングを備え、リードフレーム内の電機接続の密度を増大させる。
図2aから2fは、ベース材料が図1のリードフレームを製造するためのものである製造プロセスの第一パート中の多様な段階におけるベース材料の断面図を示す。図2aは、そこからリードフレームが形成される第一及び第二の平坦な側面を有するベース金属20から成る金属ベース材料を示す。例えば、ベース材料は、略0.003から0.020インチまでの厚さの銅の薄いシートを含む。
図2bは、フォトレジスト層21がベース金属20の第一側面上に加えられた様子を示す。フォトレジスト21は、感光性アクリルポリマーの系を含み得て、また、シート形状または液体として適用され得る。その厚さは0.0002から0.003インチまでの範囲で有り得る。
図2cは、フォトレジスト層21がマスキングされて、露光されて、その後、フォトレジスト層21のマスキングされていない領域を除去するために現像されて、リードフレームパターンを形成するために選択的にエッチングされるベース金属の特定の領域22が露出される様子を示す。
図2dは、第一ハーフエッチングプロセス後のリードフレーム構造を示し、このプロセス中に、ベース金属20の露出された領域22が、所望のリードフレームパターンを生じさせるための所定のエッチングレベルへと、ベース金属20のシートの厚さの略半分に選択的にエッチングされる23。このエッチングプロセスは典型的には湿式エッチングプロセスであり、塩化第二鉄または塩化第二銅がエッチング剤として使用される。ここで、当該分野においては、多数の他の周知のエッチングプロセス及びエッチング剤が存在しており、本発明は特定のエッチングプロセスに限定されるものではない。
図2eでは、残存するフォトレジストが、エッチングされたベース材料から剥離されて、ハーフエッチングされたリードフレームパターン24が残される。この剥離プロセスは、アルカリ溶液での水溶解を用いて行われることが好ましい。
ベース金属20の第一側面上のエッチングされた領域はその後、充填用化合物25で充填される。図2fは、モールド化合物や穴埋めインクなどの充填用化合物25が、それぞれモールドまたは印刷によってリードフレーム24のハーフエッチングされた領域のキャビティ内に導入された後のハーフエッチングされたリードフレーム24を示す。このプロセスの後には、リード12及びダイパッド10の両方が、硬化プラスチックモールド化合物または穴埋めインクによって、取り囲まれて、インターロックされている。従来の下流プロセスとの互換性のために、モールド化合物は、半導体パッケージング産業において一般的に使用されている熱硬化型プラスチック化合物であることが好ましい。充填用化合物25を注入した後に、余剰の充填用化合物を除去するために、好ましくは、モールド化合物または穴埋めインクのにじみのばり取りが化学的なばり取りまたは機械的なばり取りのどちらか、またはその両方によって実行される。
代替案として、上述のようにベース金属20の第一側面をエッチングする前に、電気分解または他のメッキプロセスによって、ベース金属20の第二側面の全体または選択された領域の上に、一つ以上のメッキ層28(図3及び4を参照)を堆積させることが可能である。この場合、ベース金属の第二側面は、第一側面上のエッチングの際にメッキ層28を保護するために、適切に被覆されることが望ましい。第一側面上のエッチングの後には、エッチングされた領域は、充填用化合物25で同様に充填される。
図2に示されるプロセスの後で、二つの選択肢のいずれか一つを用いて、最終的なリードフレームを製造することができる。
図3aから3dは、完成したリードフレームを製造するための本発明の第一の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の様々な段階におけるベース材料の断面図を示す。図3aは、積層後のリードフレームを示し、積層中においては、テープ、フォトレジスト、印刷レジストまたは他のカバー層が、エッチングマスク26として第一側面に加えられて、(既にハーフエッチングされている)第一側面の上面が、第二エッチングプロセス中に更にエッチングされることを防止するために、モールドされたリードフレームパターンを被覆する。
図3bでは、選択的エッチングではなくて、第二側面上の被覆されていない表面の実質的に全てがハーフエッチングされており、第二エッチングプロセス後のリードフレーム構造27が示されている。この第二エッチングプロセス中に、エッチングマスクによって被覆されていない銅シートの表面は、リードフレーム構造27を生じさせるためのエッチングレベルへと、ベース金属20の厚さの略半分にエッチングされる。このエッチングプロセスは、図2dのプロセスと同じものであるが、選択的にマスキングせずに実施されることが好ましく、ベース金属20の第二側面の全てがこのエッチングレベルへとエッチングされることになる。第二側面からベース金属20をエッチングした後では、充填用化合物25が第二側面上に露出される。
図3cは、層またはテープの剥離後のリードフレーム構造27を示し、この剥離中に、エッチングマスクとして使用された保護層26が除去される。
図3dは、メッキプロセス後の完成したリードフレーム29を示し、このメッキプロセス中に、複数のメッキ層28が、充填用化合物25で充填されていないベース金属20の第一及び第二側面の領域上に堆積される。まず、ニッケルまたはニッケル合金の中間層28が、好ましくは無電解メッキプロセスによって加えられる。中間層の厚さは典型的には、0.25から10マイクロメートルまでで有り得て、より好ましくは、0.5から5マイクロメートルまでの範囲内である。次に、一つ以上の保護層を、好ましくは無電解メッキまたは浸漬プロセスによって、メッキするが、ここで、パラジウム、パラジウム合金、金、金合金、銀から成る組から選択された少なくとも一つの金属がメッキされる。保護層の厚さは、0.001から5マイクロメートルまでの範囲内であることが好ましい。充填用化合物25は導電体ではないので、このメッキ層28は、充填用化合物の上にはメッキされない。これによって、本発明の好ましい実施形態によるリードフレームが製造される。
図4aから4gは、完成したリードフレームを製造するための本発明の第二の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の様々な段階におけるベース材料の断面図を示す。本実施形態では、メッキは、リードフレーム構造27の一つの表面上(好ましくは第一側面上)にまず行われる。図4aは、積層後のリードフレームを示し、この積層中に、テープ、フォトレジスト、印刷レジストまたは他のカバー層が、メッキマスク26として加えられて、メッキ中に銅シートの充填されていない第二側面上でメッキが生じることを防止するために、銅シートを被覆する。
図4bは、メッキ後のリードフレームを示し、ニッケル/パラジウム、ニッケル/金、ニッケル/パラジウム/金、及び/又は、銀及び錫を含む一方のメッキ層28が、好ましくは電気メッキ及び/又は無電解メッキによって、メッキされ得る。このメッキ層28のメッキの厚さは、0.001から5マイクロメートルまでの範囲内であることが好ましい。
図4cは、マスクを剥離した後のリードフレーム構造を示し、第二側面用のカバー層として使用されたエッチングマスク26が除去されている。
図4dは、積層後のリードフレーム構造を示し、この積層中に、リードフレームの第一側面上のハーフエッチングされた表面が第二エッチングプロセス中にエッチングされることを防止するために、テープ、フォトレジスト、印刷レジストまたはエッチングマスク26等の他のカバー層が加えられる。
図4eは、第二エッチング後のリードフレームを示し、第二エッチング中に、ベース材料の第二側面が、充填用化合物25を露出させるためにシートの深さの半分にエッチングされる。このエッチングプロセスは、図3bに関して説明したエッチングプロセスと同じものである。
第一側面をエッチングする前にメッキ層28でベース金属20の第二側面の全てがメッキされているという上述の代替案のプロセスにおいては、第二側面の全てがエッチングされないことが望ましい。その代わりに、第二側面上のメッキ層28が最終的な製品において維持される領域は、こうしたエッチング中に被覆されることが望ましい。従って、この場合、ベース金属20の第二側面上に充填用化合物25を露出させるために、充填用化合物25が位置するベース金属20の選択された領域のみが、第二側面上でエッチングされる。従って、ベース金属20の第二側面は既にメッキされているので、図4fに関連して以下に開示されるベース金属20の第二側面の更なるメッキは必要ない。
図4fは、ベース金属20の第二側面のエッチング後の第二側面のメッキ後のリードフレームを示す。複数のメッキ層28が、充填用化合物25によって充填されていない領域の上に堆積されている。選択肢の一つは、メッキ(好ましくは無電解メッキ)によって、ニッケルまたはニッケル合金の中間層を加えることである。ニッケル層の厚さは典型的には、0.25から10マイクロメートルまでで有り得て、好ましくは0.5から5マイクロメートルまでの範囲内である。その後、一つ以上の保護層が、好ましくは無電解または浸漬メッキによって、メッキされ、このメッキ中に、パラジウム、パラジウム合金、金、金合金から成る組から選択された少なくとも一つの金属がメッキされる。保護層の厚さは0.001から5マイクロメートルまでの範囲内であることが好ましい。他の選択肢は、銀または錫の層を0.001から5マイクロメートルの範囲内で、好ましくは、無電解または浸漬メッキを用いてメッキすることである。充填用化合物25は導電体ではないので、このメッキ層28は、充填用化合物の上にはメッキされない。
図4gは、層またはテープの剥離後の完成したリードフレーム構造29を示し、この剥離中に、エッチングマスク26またはカバー層として使用された積層が除去される。
図5aから5dは、本発明の好ましい実施形態による製造プロセスを利用して製造することのできるリードフレームの様々なレイアウトを示す。図5aは、2列のリードレイアウトを有するリードフレーム14の平面図である。この構成では、それぞれのダイパッド10を取り囲む二列のリード12が存在する。それぞれのダイパッド10は複数のリード12によって取り囲まれており、リード12及びダイパッド10は、リードフレーム14のベース材料のエッチングされた領域16によって離隔されている。ダイパッド10及びリード10のインターロックのために、充填用化合物25が、リードフレーム14のエッチングされた領域16中に導入されている。図3d及び4gに示されるように、充填用化合物25は、ベース材料の第一及び第二の平坦な側面と実質的に同一平面であるように形成される。リード12は正方形または矩形の形状で有り得て、また、規則的な一直線のパターンに配置され得る。
図5bは、3列のリードレイアウトを有するリードフレーム14の平面図である。この構成では、それぞれのダイパッド10を取り囲む三列のリード12が存在する。リード12は正方形または矩形の形状で有り得て、また、規則的な一直線のパターンに配置され得る。このレイアウトによって、リードフレーム14が、2列のリードレイアウトよりも高いリード数を提供可能になる。
図5cは、3列のリードレイアウトを有する他のリードフレーム14の平面図であるが、リードは、規則的な一直線のパターンの代わりに、スタガード型パターンを有する。このスタガード型パターンは、ワイヤ結合ループレイアウトの選択肢をより多くする利点を有する。
図5dは、3列のスタガード型リードレイアウトを有する更に他のリードフレーム14の平面図であるが、リード12は、四角形の代わりに、円形にエッチングされている。円形のリード12は、モールド中にモールド化合物の流れを促進することに役立ち得る。
図6aから6eは、本発明の好ましい実施形態によるリードフレームのモールド中のモールドのボイド形成を防止し、モールドの固定を増強するための様々な特徴部を示す。図6aはモールド化合物でリードフレーム14をモールドする際のモールドのボイドを防止し、充填用化合物に対する固定を増強するための複数の特徴部を示す。
固定用特徴部の一つは、ダイパッド10のエッジに沿って予めエッチングされて間隔の空けられた多重ノッチという形状で有り得るノッチイン特徴部30を含む。これはモールド後のモールド化合物を固定するためのものであり、モールド化合物が外れることを防止する。また、ノッチイン特徴部30は、モールドの流れを促進し、モールドのボイドを排除することができる。このノッチイン特徴部は、正方形や矩形等の四角形で有り得る。
更なる固定用特徴部は、リードフレーム14のエッチングされた領域16の周囲のエッジに沿ったくぼみで有り得て、リードフレーム14に対して充填用化合物25を固定するためのものである。くぼみは、エッチングされた領域16の側面に沿った実質的なT字型で有り得て(例えばT字型ロック31)、または、コーナーの実質的なM字型(例えばM字型ロック32)で有り得る。また、T字型ロック31及びM字型ロック32は、モールドのボイドが、リードフレーム14のモールドパネルのエッジ上に形成されることを防止するのに役立つ。
図6bは、モールド固定用及びボイド形成防止用特徴部が、ダイパッド10のエッジ上の半円形のノッチイン特徴部33である場合を示すリードフレーム14の平面図である。この半円形は、モールドのボイドを防止することにおいて優れた性能を示す。
図6cは、ダイパッド10上の他のモールド固定用特徴部を示し、ダイパッド10の全体が多数の小型パッド34から成っている。小型パッド34のそれぞれは、エッチングされた領域16においてこの小型パッドが充填用化合物25で取り囲まれた際に、充填用化合物25に対する固定用特徴部として機能し得る。
図6dは、ベース材料に対して充填用化合物を固定するための固定用特徴部として機能する露出されたタイバー35を示す。露出されたタイバー35のそれぞれは、ダイパッド10をコーナーのリード12に接続し、また、タイバー35はそれぞれのダイパッド10のコーナーに位置していることが好ましい。これは、ダイパッド10が大型のダイサイズ用に設計されている場合に特に有益である。更に、図6a及び6dの特徴部を組み合わせて、より良いリードフレーム性能を達成することができる。
図6eは、リードフレーム14上に非金属のダイパッド10を有するリードフレーム14の平面図である。金属ダイパッド10の代わりに、リードフレーム上に取り付けられたダイが、上述のようなダイパッドの位置において、リードフレーム14のエッチングされた領域16上へと導入された充填用化合物上に、直接存在している。
従って、本発明により、まずベース材料の一側からベース材料をエッチングして、モールド化合物や穴埋めインク等の充填用化合物を、ダイパッド及びリードの保持用のインターロックリードフレームパターンとして加えることによる、リードフレームの製造方法が開示された。その後、ベース材料は反対側からエッチングされて、充填用化合物が露出される。これによって、リードフレームのリード数が大幅に増加し、また、最終的なパッケージの厚さが減少する。
また、リードフレームパターンをインターロックし、それによって、従来技術の方法と比較してリード数を顕著に増加し、パッケージングの厚さを減少するために、モールド化合物や穴埋めインク等の充填用化合物を使用する、新規リードフレームが開示された。本発明の好ましい実施形態によって、2ミルという薄さのより薄いリードフレームの製造が可能になる。また、本発明のプロセスによって、リードフレームとこれをインターロックする充填用化合物との間の接着性を良くすることができる。
使用されるフォトレジスト、モールド化合物、穴埋めインク、印刷レジスト及びテープの種類、リードフレームを形成するためにベース材料をエッチングするプロセス、リードとパッドとの間のインターロックを形成するためにモールドするまたはインクで穴埋めするプロセス、モールドのにじみを除去するためのばり取りのプロセス、メッキ層を堆積させるプロセス等の上述の様々なプロセスの詳細は、例示目的のためだけに提供されたものであり、均等な結果を提供する他のプロセス及び材料で代替してもよいということは認識されたい。
本発明の原理について、本願で開示される特定の方法に関して明示したが、本発明の実施において、多様な逸脱が行われ得ることは認識されたい。本発明の範囲は、本願で開示される特定の方法に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって判断されるものである。
10 ダイパッド
11 半導体ダイ
12 リード
13 ファインワイヤ
14 リードフレーム
11 半導体ダイ
12 リード
13 ファインワイヤ
14 リードフレーム
Claims (23)
- 平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料を提供する段階と、
エッチングされた領域を形成するための所定のエッチングレベルへと前記第一の側面から前記ベース材料を選択的にエッチングする段階と、
前記ベース材料の前記第一の側面上の前記エッチングされた領域を充填用化合物で充填する段階と、
前記第二の側面上に前記充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへと前記第二の側面から前記ベース材料をエッチングする段階とを備える、リードフレームの製造方法。 - 前記エッチングレベルが、前記ベース材料の厚さの略半分である、請求項1に記載の製造方法。
- 前記充填用化合物が穴埋めインクを含む、請求項1に記載の製造方法。
- 前記充填用化合物で充填する段階が、前記穴埋めインクを前記エッチングされた領域上へと印刷する段階を含む、請求項3に記載の製造方法。
- 前記充填用化合物がモールド化合物を含む、請求項1に記載の製造方法。
- 前記充填用化合物を導入した後に、前記ベース材料の前記第一の側面から余剰な充填用化合物を除去する段階を更に備える、請求項1に記載の製造方法。
- 前記ベース材料の前記第一の側面を被覆する一方で、被覆されていない前記第二の側面から前記ベース材料をエッチングする段階を更に備える、請求項1に記載の製造方法。
- 前記第二の側面をエッチングした後に、前記充填用化合物で充填されていない前記ベース材料の前記第一及び第二の側面の領域上にメッキ層を堆積させる段階を更に備える、請求項7に記載の製造方法。
- 前記ベース材料の前記第二の側面の略全てが、選択的にエッチングされず、前記第二の側面上の前記充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへとエッチングされる、請求項1に記載の製造方法。
- 前記ベース材料の前記第二の側面上の選択された領域のみが、前記第二の側面上の前記充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへと選択的エッチングによって、エッチングされる、請求項1に記載の製造方法。
- 前記第二の側面をエッチングする前に、前記ベース材料の前記第二の側面を被覆して、
前記ベース材料の前記第一の側面上にメッキ層を堆積させる段階を更に備える、請求項1に記載の製造方法。 - 前記ベース材料の前記第二の側面をエッチングする前に、メッキされた前記ベース材料の前記第一の側面を被覆する段階を含む、請求項11に記載の製造方法。
- 前記ベース材料の前記第二の側面をエッチングした後に、前記第二の側面上に一つ以上のメッキ層を堆積させる段階を更に備える、請求項12に記載の製造方法。
- 前記第一の側面から前記ベース材料を選択的にエッチングする前に、準備されている前記ベース材料の第二側面上にメッキ層を堆積させる段階を更に備える、請求項1に記載の製造方法。
- 前記第二の側面から前記ベース材料をエッチングする段階は、前記第二の側面上にメッキされたメッキ層を選択的に被覆する一方で、被覆された前記メッキ層をエッチングせずに前記第二側面上に前記充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへと前記第二の側面から前記ベース材料を選択的にエッチングする段階を更に備える、請求項14に記載の製造方法。
- 実質的に平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料であり、該ベース材料のエッチングされた領域によって離隔された少なくとも一つのダイパッド及び複数のリードを画定するベース材料と、
前記ダイパッド及び前記リードをインターロックするための前記ベース材料の前記エッチングされた領域に形成された充填用化合物とを含み、
前記充填用化合物が、前記ベース材料の平坦な前記第一及び第二の側面と略同一平面であるように形成されている、リードフレーム。 - 前記ベース材料に対して前記充填用化合物を固定するための、前記ダイパッドのエッジに沿って間隔の空けられた複数のノッチを備えた前記ベース材料上の固定用特徴部を含む、請求項16に記載のリードフレーム。
- 前記ノッチが半円形または四角形である、請求項17に記載のリードフレーム。
- 前記ベース材料に対して前記充填用化合物を固定するための、前記ダイパッドを前記リードに接続するタイバーを備えた前記ベース材料上の固定用特徴部を含む、請求項16に記載のリードフレーム。
- 前記ダイパッドのそれぞれが、前記ダイパッドに対して前記充填用化合物を固定するための、前記充填用化合物によって取り囲まれた複数の小型パッドを有する、請求項16に記載のリードフレーム。
- 前記ベース材料に対して前記充填用化合物を固定するための、前記エッチングされた領域の周囲のエッジに沿って配置された複数のくぼみを備えた前記ベース材料上の固定用特徴部を含む、請求項16に記載のリードフレーム。
- 前記複数のくぼみが略T字型またはM字型である、請求項21に記載のリードフレーム。
- 実質的に平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料であり、該ベース材料のエッチングされた領域によって離隔された少なくとも一つのダイパッド及び複数のリードを画定するベース材料と、
前記ダイパッド及び前記リードをインターロックするための前記ベース材料の前記エッチングされた領域に形成された充填用化合物と、
前記ベース材料に対して前記充填用化合物を固定するための、前記エッチングされた領域の周囲のエッジに沿って配置されたくぼみ形状の固定用特徴部とを備える、リードフレーム。
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