JPS5932138Y2 - 半導体装置の樹脂モ−ルド装置 - Google Patents

半導体装置の樹脂モ−ルド装置

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JPS5932138Y2
JPS5932138Y2 JP5126778U JP5126778U JPS5932138Y2 JP S5932138 Y2 JPS5932138 Y2 JP S5932138Y2 JP 5126778 U JP5126778 U JP 5126778U JP 5126778 U JP5126778 U JP 5126778U JP S5932138 Y2 JPS5932138 Y2 JP S5932138Y2
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JP
Japan
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heat sink
cavity
resin material
mold
upper mold
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Expired
Application number
JP5126778U
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JPS54154375U (ja
Inventor
孝夫 村瀬
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本案は半導体装置の樹脂モールド装置の改良に関するも
のである。
一般に半導体装置は例えば第1図〜第3図に示すように
金属部材よりなる放熱板Aにリード片b1〜b7よりな
るリードBを、リード片b1.b7が放熱板Aの突出部
Cによってかしめ固定されかつリード片b2〜b6が放
熱板Aの上面に離隔位置するように配設すると共に、放
熱板Aのほぼ中央部に固定された半導体素子りの電極と
リード片b2〜b6とを金属細線Eにて接続し、然る後
、放熱板Aにおける半導体素子りの固定側を樹脂材Fに
てモールド被覆して構成されている。
ところで、放熱板Aにおける主要部分の樹脂材Fによる
モールド被覆は例えば第4図〜第5図に示すように、放
熱板Aにおける半導体素子りの非固定側が上部金型G1
の上部内壁面に密着されるようにリードBを上部金型G
1及び下部金型G2にて挾持し、この状態で上部金型G
1と下部金型G2とによって構成されるキャビティに樹
脂材Fを注入することによって行なわれている。
しかし乍ら、この放熱板Aは金属素材を半導体素子りの
非固定側より固定側に向けて所望形状に打抜き加工され
ている関係で、非固定側の陵線部には丸味を帯びた変形
部Hが形成されており、特にそれの板厚が厚くなるほど
大きくなる傾向にある。
従って、樹脂材Fのモールド被覆に先立って放熱板Aに
おける半導体素子りの非固定側を上部金型G1の上部内
壁面に密着させても、その周縁部分には変形部Hのため
に密着させることができない。
これがために、樹脂材Fのモールド被覆時に変形部Hと
上部金型G1の上部内壁面との間の空隙部に樹脂材Fが
流れ込む上、特にエポキシ樹脂のように流動性に優れた
ものであっては変形部Hよりさらに内側の放熱板Aと上
部金型G0の上部内壁面との接触面に、放熱板Aの加工
時における変形などに起因して0.02mm程度の隙間
が形成されていても、その隙間に樹脂材Fが流れ込んで
第6図に示すようにバリKが形成される。
このバIJ Kは放熱板Aの変形量に応して形成される
ために、その形状は一定化せず、外観が著しく損なわれ
るのみならず、放熱板Aを放熱器に固定する場合、取付
面が密着しないために、放熱効果が著しく阻害される。
従って、従来においてはブラツシ法、サンドブラスト法
などを用いてバリKを除去することが試みられているが
、除去の際に放熱板Aの側面と樹脂材Fとの接触境界部
分に剥離や樹脂クラックが生じたりして耐湿性が損なわ
れ易いという欠点がある。
それ故に、本出願人は先に特願昭52−127005号
明細書にて、裏面の周縁部にテーパ部を形成した放熱板
の表面に半導体素子を固定すると共に、半導体素子の電
極とリードとを金属細線にて接続してなる半導体装置構
成体を上部金型及び下部金型から構成されるキャビティ
に、キャビティ内壁面に形成した凹部のエツジがテーパ
部に当接されるようにセットし、この状態でキャビティ
に樹脂材を注入するモールド方法を提案した。
この方法によれば、放熱板のキャビティ内壁面への接触
が面接触から線接触となるために、両者の密着性が向上
し、放熱板の裏面への樹脂パリの形成を効果的に抑制す
ることができる。
しかし乍ら、放熱板のテーパ部へ接触するキャビティ凹
部のエツジはほぼ90°に構成されているために、放熱
板に若干の反りなどが存在すると、テーパ部の全周に互
って密着しにくくなる。
特に、密着性が悪い場合には樹脂が放熱板の裏面に漏れ
てパリを形成するようになるという問題が生ずる。
本案はこのような点に鑑み、金属部材の加工精度に余り
影響されることなく、不所望部分へのパリの発生を効果
的に抑制しうる半導体装置の樹脂モールド装置を提供す
るもので、以下実施例について説明する。
第7図〜第8図において、1は上部金型であって、その
下面には樹脂材を注入する凹部2が形成されている。
そして、凹部2の上部内壁面2aには後述する放熱板の
周縁部におけるテーパ部にほぼ合致する部分に突出部3
が形成されている。
この突出部3は先端が鋭角に構成されており、無端状の
角形に形成されているが、パリの発生の少ない部分にお
いては省略しうる。
そして突出部3によって囲繞される部分には凹部4が形
成されており、その上部内壁面4aは凹部2の上部内壁
面2aより上方に位置するように構成されている。
5は下部金型であって、その上面には凹部6が形成され
ており、上部金型1の凹部2とによってキャビティが構
成される。
次にこの装置を用いた半導体装置の樹脂材によるモール
ド被覆方法について第9図〜第14図を参照して説明す
る。
まず、第9図〜第10図に示すように、熱伝導性良好な
る金属部材よりなる放熱板7の裏面7bにおける周縁部
にテーパ部8を形成し、この放熱板7にリード片9.〜
9□よりなるリード9を、リード片9..97が放熱板
7の突出部によってかしめ固定され、かつ、リード片9
□〜96が放熱板7の上面7aに離隔位置するように配
設すると共に、放熱板7のほぼ中央部分に半導体素子1
0を半田部材を用いて固定し、然る後、リード片92〜
96と半導体素子10の電極とを金属細線11にて接続
して半導体装置を構成する。
次にこの半導体装置を第11図に示すように、放熱板7
の裏面7bにおけるテーパ部8が上部金型1の突出部3
に密接するようにリード9を上部金型1及び下部金型5
によって挾持してキャビティに収納配置する。
尚、この際、放熱板7の裏面7.は上部金型1の上部内
壁面2aに対してほぼ面一となるようにセットされる。
次にこの状態において、第12図に示すように、凹部2
,6によって構成されたキャビティ内にゲート(図示せ
ず)より溶融状態の樹脂材12′を注入する。
すると、キャビティ内は下方により上方に向けて順次樹
脂材12′にて充実される。
そしてキャビティが樹脂材12′によって完全に充実さ
れると、樹脂材12′は放熱板7のテーパ部8と突出部
3との当接部分から裏面7.に流出しようとするが、密
着性がよいために殆んど流出しない。
そして、この状態で樹脂材12′は硬化する。
次に上部金型1及び下部金型5からノックアウトピン(
図示せず)を用いて取り出すことによって第13図〜第
14図に示す半導体装置が得られる。
このように上部金型1における凹部2の上部内壁面2a
には放熱板7の周縁部におけるテーパ部8に対応するよ
うに突出部8が形成されているので、仮に放熱板7に若
干の変形が生じていても、半導体装置を上部金型1及び
下部金型5にセットする際に、突出部3がテーパ部3に
若干喰い込むようにして密着される。
このために、キャビティ内に例えばエポキシ樹脂のよう
に流動性に富んだ樹脂材12′が注入されても、放熱板
7の裏面7.にはパリは発生しない。
又、突出部3は放熱板7のテーパ部8に若干喰い込むよ
うにして密着する関係で、仮に放熱板7に若干の反りな
どの変形が生じると、一部では突出部3とテーパ部8と
の間に隙間が形成されるものの、他の部分では一層喰い
込むようになるために、その隙間の拡大が抑制される。
例えば、その隙間が0.02mmであっても、放熱板7
の裏面7bに隣接するテーパ部8と突出部3とによって
構成される溝13に漏出した樹脂材12′が溜まり、溝
の形成方向に流れる関係で、裏面7bへのパリ発生を軽
減できる。
従って、従来のようにサンドブラスト法などによるパリ
除去を要しないために、樹脂材12と放熱板7との境界
部分に剥離やクラックが生じることはなく、耐湿性を改
善できる。
さらには上部金型1及び下部金型5に放熱板7をセット
する際に、放熱板7の裏面7bと凹部2の上部内壁面2
aとを面一にすれば、樹脂外装後における半導体装置の
放熱器への取付けに際し樹脂材へのクラック発生を効果
的に低減できる。
尚、本案は何ら上記実施例にのみ制約されることなく、
例えば突出部は上部金型の他、下部金型に設けることも
できるし、樹脂材のモールド形態によっては双方に設け
ることもできる。
さらにはキャビティの形状は半導体装置の外形によって
適宜に設定できる。
以上のように本案によれば、放熱板の加工精度に余り影
響されることなく、不所望部分のパリの発生を効果的に
抑制でき、商品性の高い樹脂モールド形半導体装置を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体装置の要部破断平面図、第2図は第1図
のI−I断面図、第3図は第1図のIIII断面図、第
4図は樹脂材によるモールド被覆方法を説明するための
側断面図、第5図は第4図のX部拡大図、第6図は第1
図の下面図、第7図は本案の一実施例を示す要部側断面
図、第8図は本案に係る上部金型の下面図、第9図〜第
14図は樹脂モールド方法の説明図であって、第9図は
モールド前の半導体装置の平面図、第10図は第9図の
III−III断面図、第11図は半導体装置の上部金
型及び下部金型へのセット状態を示す側断面図、第12
図は樹脂材の注入状態を示す側断面図、第13図はモー
ルド後の半導体装置を示す側断面図、第14図は第13
図の下面図である。 図中、1は上部金型、2,6は凹部(キャビティ)、3
は突出部、5は下部金型である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 上部金型と下部金型とからなり、」部金型と下部金型と
    によって構成されるキャビティに、裏面の周縁部にテー
    パ部を形成した放熱板の表面に半導体素子を固定すると
    共に、半導体素子の電極とリードとを金属細線にて接続
    してなる半導体装置構成体をセットした際に、放熱板の
    テーパ部に密接する先端が鋭角な突出部をキャビティ内
    壁面よりキャビティ内に突出するように形成したことを
    特徴とする半導体装置の樹脂モールド装置。
JP5126778U 1978-04-17 1978-04-17 半導体装置の樹脂モ−ルド装置 Expired JPS5932138Y2 (ja)

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JP5126778U JPS5932138Y2 (ja) 1978-04-17 1978-04-17 半導体装置の樹脂モ−ルド装置

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JP5126778U JPS5932138Y2 (ja) 1978-04-17 1978-04-17 半導体装置の樹脂モ−ルド装置

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JPS54154375U JPS54154375U (ja) 1979-10-26
JPS5932138Y2 true JPS5932138Y2 (ja) 1984-09-10

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JPS54154375U (ja) 1979-10-26

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