JPH036408Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH036408Y2 JPH036408Y2 JP6884282U JP6884282U JPH036408Y2 JP H036408 Y2 JPH036408 Y2 JP H036408Y2 JP 6884282 U JP6884282 U JP 6884282U JP 6884282 U JP6884282 U JP 6884282U JP H036408 Y2 JPH036408 Y2 JP H036408Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- mold
- cavity
- resin
- pipe
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
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Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本案は半導体装置用の樹脂モールド装置に関
し、特に放熱板の裏面への樹脂バリの形成を抑制
することを目的とするものである。
し、特に放熱板の裏面への樹脂バリの形成を抑制
することを目的とするものである。
一般に半導体装置は例えば第１図〜第２図に示
すように、放熱板Ａに半導体素子Ｂを固定すると
共に、半導体素子Ｂの電極と一端がそれの近傍に
位置するように配設されたリードＣとを金属細線
Ｄにて接続し、かつ半導体素子Ｂを含む主要部分
を樹脂材Ｅにてモールド被覆して構成されてい
る。
すように、放熱板Ａに半導体素子Ｂを固定すると
共に、半導体素子Ｂの電極と一端がそれの近傍に
位置するように配設されたリードＣとを金属細線
Ｄにて接続し、かつ半導体素子Ｂを含む主要部分
を樹脂材Ｅにてモールド被覆して構成されてい
る。
ところで、この半導体装置の樹脂材Ｅによるモ
ールド被覆は例えば第３図に示すように、半導体
装置構成体を上部金型F1、下部金型F2内に、リ
ードＣが上部金型F1及び下部金型F2にて挾持さ
れ、かつ放熱板Ａの裏面と上部金型F1のキヤビ
テイ内壁面との間にエヤベントＧが形成されるよ
うにセツトした上で、キヤビテイに溶融状態の樹
脂材を注入することによつて行われている。
ールド被覆は例えば第３図に示すように、半導体
装置構成体を上部金型F1、下部金型F2内に、リ
ードＣが上部金型F1及び下部金型F2にて挾持さ
れ、かつ放熱板Ａの裏面と上部金型F1のキヤビ
テイ内壁面との間にエヤベントＧが形成されるよ
うにセツトした上で、キヤビテイに溶融状態の樹
脂材を注入することによつて行われている。
しかし乍ら、リードＣの放熱板Ａに対する平行
度が良好に保たれている場合には樹脂モールド時
にエヤベント部分への樹脂材Ｅの流入は実用上殆
んど支障のない程度に抑えることができるもので
あるが、それぞれの平行度が不充分の場合にはリ
ードＣの上部金型F1と下部金型F2とによる型締
め時に、エヤベントＧの間隔が不所望に広くなつ
たり、狭くなつたりする。そして、特にその間隔
が例えば0.03mm程度と広くなつた場合には樹脂材
の注入時に、溶融樹脂材がエヤベント部分に流入
してしまい。第４図に示すように放熱板Ａの裏面
に薄膜状の樹脂バリＨが形成される。
度が良好に保たれている場合には樹脂モールド時
にエヤベント部分への樹脂材Ｅの流入は実用上殆
んど支障のない程度に抑えることができるもので
あるが、それぞれの平行度が不充分の場合にはリ
ードＣの上部金型F1と下部金型F2とによる型締
め時に、エヤベントＧの間隔が不所望に広くなつ
たり、狭くなつたりする。そして、特にその間隔
が例えば0.03mm程度と広くなつた場合には樹脂材
の注入時に、溶融樹脂材がエヤベント部分に流入
してしまい。第４図に示すように放熱板Ａの裏面
に薄膜状の樹脂バリＨが形成される。
この樹脂バリＨは形態が一定化せず、外観が著
しく損なわれるのみならず、放熱板Ａをシヤーシ
に固定する場合、取付面が密着しないために、放
熱効果が著しく阻害される。
しく損なわれるのみならず、放熱板Ａをシヤーシ
に固定する場合、取付面が密着しないために、放
熱効果が著しく阻害される。
従つて、従来においてはブラツシ法、サンドブ
ラスト法などを用いて樹脂バリＨを除去すること
が試みられているが、除去の際に放熱板Ａと樹脂
材Ｅとの境界部分にクラツクが生じたりして耐湿
性が損なわれるという問題がある。
ラスト法などを用いて樹脂バリＨを除去すること
が試みられているが、除去の際に放熱板Ａと樹脂
材Ｅとの境界部分にクラツクが生じたりして耐湿
性が損なわれるという問題がある。
本案はこのような点に鑑み、リードと放熱板と
に若干の不平行状態が存在しても、放熱板への樹
脂バリの形成を効果的に抑えることのできる樹脂
モールド装置を提供するもので、以下実施例につ
いて説明する。
に若干の不平行状態が存在しても、放熱板への樹
脂バリの形成を効果的に抑えることのできる樹脂
モールド装置を提供するもので、以下実施例につ
いて説明する。
第５図〜第６図において、１は上部金型であつ
て、それの下面にはキヤビテイ２が形成されてい
る。そして、キヤビテイ２の上部内壁面２ａの所
望部分には弾性部材例えば耐熱シリコンゴムより
なるパイプ３が、その下端面３ａが上部内壁面２
ａより若干突出するように植設されている。この
パイプ３は真空系に接続されており、下端部には
適宜にスリツト４が形成されている。一方、上部
金型１の下方には下部金型５が上下動自在なるよ
うに配設されている。そして、下部金型５の上部
金型１のキヤビテイ２に対向する部分にはキヤビ
テイ６が形成されている。
て、それの下面にはキヤビテイ２が形成されてい
る。そして、キヤビテイ２の上部内壁面２ａの所
望部分には弾性部材例えば耐熱シリコンゴムより
なるパイプ３が、その下端面３ａが上部内壁面２
ａより若干突出するように植設されている。この
パイプ３は真空系に接続されており、下端部には
適宜にスリツト４が形成されている。一方、上部
金型１の下方には下部金型５が上下動自在なるよ
うに配設されている。そして、下部金型５の上部
金型１のキヤビテイ２に対向する部分にはキヤビ
テイ６が形成されている。
次にこの装置による半導体装置の樹脂モールド
方法について第７図〜第８図を参照して説明す
る。まず、第７図に示すように、放熱板７に半導
体素子８を固定すると共に、半導体素子８の電極
と一端がそれの近傍に位置するように配設された
リード９とを金属細線１０にて接続して半導体装
置構成体を得る。次にこの半導体装置構成体を第
８図に示すように上部金型１、下部金型５内に、
リード９が上部金型１及び下部金型５にて挾持さ
れ、かつ放熱板７の裏面が上部金型１の上部内壁
面２ａより突出するパイプ３の下端面３ａにて真
空吸着されるようにセツトする。そして、キヤビ
テイ２，６内に溶融状態の樹脂材１１を注入する
と、キヤビテイ内の空気は上部内壁面２ａと放熱
板７の裏面との間に形成されたエヤベント１２、
スリツト４を介してパイプ３に排出される。樹脂
材１１の硬化後、上部金型１、下部金型５より取
出し、不要なタイバーを切除することによつて半
導体装置の樹脂モールドを完了する。
方法について第７図〜第８図を参照して説明す
る。まず、第７図に示すように、放熱板７に半導
体素子８を固定すると共に、半導体素子８の電極
と一端がそれの近傍に位置するように配設された
リード９とを金属細線１０にて接続して半導体装
置構成体を得る。次にこの半導体装置構成体を第
８図に示すように上部金型１、下部金型５内に、
リード９が上部金型１及び下部金型５にて挾持さ
れ、かつ放熱板７の裏面が上部金型１の上部内壁
面２ａより突出するパイプ３の下端面３ａにて真
空吸着されるようにセツトする。そして、キヤビ
テイ２，６内に溶融状態の樹脂材１１を注入する
と、キヤビテイ内の空気は上部内壁面２ａと放熱
板７の裏面との間に形成されたエヤベント１２、
スリツト４を介してパイプ３に排出される。樹脂
材１１の硬化後、上部金型１、下部金型５より取
出し、不要なタイバーを切除することによつて半
導体装置の樹脂モールドを完了する。
このように上部金型１の上部内壁面２ａにはパ
イプ３が、その下端面３ａが上部内壁面２ａより
若干例えば0.01mm程度突出するように植設されて
いるので、仮にリード９の放熱板７に対する平行
度が不充分であることに原因してエヤベント１２
の間隔が不所望に広くなつても、放熱板７の裏面
がパイプ３の下端面３ａに強制的に真空吸引さ
れ、エヤベント１２の間隔はパイプ３の突出量に
よつて定まる所望値に修正される。このために、
樹脂モールド時に、溶融状態の樹脂材のエヤベン
ト部分への流入を抑制でき、樹脂バリの発生を効
果的に防止できる。
イプ３が、その下端面３ａが上部内壁面２ａより
若干例えば0.01mm程度突出するように植設されて
いるので、仮にリード９の放熱板７に対する平行
度が不充分であることに原因してエヤベント１２
の間隔が不所望に広くなつても、放熱板７の裏面
がパイプ３の下端面３ａに強制的に真空吸引さ
れ、エヤベント１２の間隔はパイプ３の突出量に
よつて定まる所望値に修正される。このために、
樹脂モールド時に、溶融状態の樹脂材のエヤベン
ト部分への流入を抑制でき、樹脂バリの発生を効
果的に防止できる。
又、パイプ３の上部内壁面２ａから突出する下
端部には放熱板７の真空吸引に支障のない程度の
スリツト４が形成されているので、キヤビテイ
２，６内の空気をエヤベント１２、スリツト４を
介してパイプ３に強制的に排出できる。このため
に、キヤビテイ２，６に注入された樹脂材１１へ
のボイドの形成を効果的に減少できる。
端部には放熱板７の真空吸引に支障のない程度の
スリツト４が形成されているので、キヤビテイ
２，６内の空気をエヤベント１２、スリツト４を
介してパイプ３に強制的に排出できる。このため
に、キヤビテイ２，６に注入された樹脂材１１へ
のボイドの形成を効果的に減少できる。
尚、本案において、パイプは放熱板の裏面が下
部金型側となるように配置される場合には下部金
型に植設しなければなららい。又、パイプのキヤ
ビテイ内壁面への突出量は0.01mmに限定されるこ
となく、適宜に変更できる。
部金型側となるように配置される場合には下部金
型に植設しなければなららい。又、パイプのキヤ
ビテイ内壁面への突出量は0.01mmに限定されるこ
となく、適宜に変更できる。
以上のように本案によれば、リードと放熱板と
に若干の不平行状態が存在しても、放熱板への樹
脂バリの形成を効果的に抑えることができる。
に若干の不平行状態が存在しても、放熱板への樹
脂バリの形成を効果的に抑えることができる。
第１図は従来の半導体装置の横断面図、第２図
は第１図の側断面図、第３図は樹脂モールド方法
を説明するための側断面図、第４図は第１図の下
面図、第５図は本案の一実施例を示す側断面図、
第６図は上部金型の下面図、第７図〜第８図は樹
脂モールド方法の説明図であつて、第７図は半導
体装置構成体の平面図、第８図は上部金型、下部
金型へのセツト状態を示す側断面図である。 図中、１は上部金型、２，６はキヤビテイ、３
はパイプ、３ａは下端、５は下部金型、１２はエ
ヤベントである。
は第１図の側断面図、第３図は樹脂モールド方法
を説明するための側断面図、第４図は第１図の下
面図、第５図は本案の一実施例を示す側断面図、
第６図は上部金型の下面図、第７図〜第８図は樹
脂モールド方法の説明図であつて、第７図は半導
体装置構成体の平面図、第８図は上部金型、下部
金型へのセツト状態を示す側断面図である。 図中、１は上部金型、２，６はキヤビテイ、３
はパイプ、３ａは下端、５は下部金型、１２はエ
ヤベントである。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 上下一対の金型衝合面に形成したキヤビテイ内
に放熱板の一つの面を近接させて収容しキヤビテ
イ内に樹脂を注入して放熱板の主要部分を樹脂モ
ールドする装置において、 上記放熱板が近接するキヤビテイ内壁に、真空
系に接続されかつ端面にスリツトを形成した弾性
部材よりなるパイプを、上記端面が若干突出する
ように植設したことを特徴とする樹脂モールド装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6884282U JPS58171315U (ja) | 1982-05-11 | 1982-05-11 | 樹脂モ−ルド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6884282U JPS58171315U (ja) | 1982-05-11 | 1982-05-11 | 樹脂モ−ルド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171315U JPS58171315U (ja) | 1983-11-16 |
| JPH036408Y2 true JPH036408Y2 (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=30078593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6884282U Granted JPS58171315U (ja) | 1982-05-11 | 1982-05-11 | 樹脂モ−ルド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171315U (ja) |
-
1982
- 1982-05-11 JP JP6884282U patent/JPS58171315U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58171315U (ja) | 1983-11-16 |
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