JPH0526763Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、半導体装置、例えば半導体レーザ装
置、電荷結合形撮像素子（CCD）、高電子移動度
トランジスタ（HEMT）、紫外線消去EPROMな
どに使用されるダイパツトを備えたリードフレー
ムに関し、更に詳しくはダイパツトの表面にモー
ルド加工が施されるモールド領域とモールド加工
が施されない非モールド領域を有するリードフレ
ームに関する。

［考案の概要］ 本考案は、半導体素子が固設され、半導体装置
の基板として用いられるダイパツトを備え、該ダ
イパツト表面に、モールド部が形成されるモール
ド領域と、モールド部が形成されない非モールド
領域を有するリードフレームにおいて、 前記ダイパツト表面のモールド領域と非モール
ド領域との境界線上に又は非モールド領域内に該
境界線に沿うように溝を条設し、別途モールド金
型に設けた突条と該溝とがモールド成形時に密着
し得るようにしたことにより、 モールド加工によりバリが発生しにくく、モー
ルド部がダイパツトに対して正確に形成されるよ
うにしたものである。

［従来の技術］ 従来、この種のリードフレームとしては、例え
ば第５図に示すようなものがある。

図中、２０はリードフレームであり、金属等の
板を、所定の形状にカツテイング又はエツチング
したものである。

ここで、ダイパツト２は、リードフレーム２０
の中心線付近に略長方形に切り残された部分であ
つて、半導体装置の基板となる。さらに、ダイパ
ツト２はサポートバー３を介して、リードフレー
ム２０の外枠である支持部４に支持されている。
また、５はリードであつて、該ダイパツトの周囲
に対向して配され、一端が支持部４に連結されて
いる。

以上説明したリードフレーム２０を用いて、半
導体装置を製造する場合には、まずモールド加工
が施されるが、ダイパツト２の表面には、モール
ド部７が形成されるモールド領域８と、モールド
部７が形成されない非モールド領域９がある。第
５図においては、境界線６によりモールド領域と
非モールド領域の境界を表している。モールド加
工が施される場合、第６図に示すように、リード
フレーム２０は成形台１１の上に置かれ、成形金
型１２がリードフレーム２０の支持部４を基準と
してダイパツト２を包囲するように固定される。
ここで、該成形金型１２における、モールド領域
８に対応する部分には、溝状のキヤビテイ１４が
形成されていて、非モールド領域に対応する部分
では、成形金型１２は、ダイパツト２の表面に当
接している。そして、キヤビテイ１４に樹脂を充
填するには、前記成形金型において一端がキヤビ
テイ１４に連通する溝状のゲート部１５を通して
溶融樹脂を注入する。このようにしてモールド部
を成形すると、非モールド領域９において、成形
金型１２とダイパツト２の間の僅かな隙間に、溶
融樹脂が浸入し、第７図に見られるように、ダイ
パツトの表面にバリ２１と呼ばれる不必要な樹脂
の薄膜が形成されるので、バリ２１を取り除く必
要がある。そこで、モールド加工の後、サンドブ
ラストなどにより、バリ２１を取り除く。その
後、ダイパツト２に半導体素子を固設する。ここ
では、半導体素子に対してダイパツト２の位置を
決定することが必要なので、リードフレーム２０
の支持部４の位置を固定している。つまり、リー
ドフレーム２０の支持部４が、ダイパツト２の位
置決めの基準となつている。

以上のようにして半導体装置が完成される。

［考案が解決しようとする問題点］ しかしながら、以上説明したような従来例にお
いては、次に述べるような問題点がある。

第１に、前記ダイパツトの表面における非モー
ルド領域にバリが発生するという問題点がある。
従来はこの問題点を解消するためにサンドブラス
トなどをおこなつていたが、それ自体に手間がか
かる上に、ダイパツトの非モールド部における表
面が粗くなるため好ましいものではない。

第２に、成形金型に対してダイパツトの位置を
決定する場合、リードフレームの支持部が基準と
なつているが、ダイパツトの支持部に対する位置
は必ずしも正確ではないために、モールド部がダ
イパツトに対して正確に形成されないという問題
点がある。

本考案は、かかる従来の問題点に鑑み創案され
たものであり、非モールド領域にバリが発生せ
ず、モールド部がダイパツトに対して正確に形成
される技術を提供しようとするものである。

［問題点を解決するための手段］ そこで、本考案は、半導体素子が固設され、半
導体装置の基板として用いられるダイパツトを備
え、該ダイパツト表面に、モールド部が形成され
るモールド領域と、モールド部が形成されない非
モールド領域を有するリードフレームにおいて、 前記ダイパツト表面のモールド領域と非モール
ド領域との境界線上に又は非モールド領域内に該
境界線に沿うように溝を条設し、別途モールド金
型に設けた突条と該溝とがモールド成形時に密着
し得るようにしたことをその構成としている。

［作用］ モールド加工に利用される成形金型に、ダイパ
ツト上の溝に嵌合するように、突条を設ければ、
モールド加工の際に、溶融樹脂が非モールド部に
対し溝より先には浸入しないため、バリの発生を
防止すると共に、前記溝と前記突条が嵌合するた
めに、成形金型のダイパツトに対する位置を正確
に設定できるので、モールド部がダイパツトに対
して正確に形成される。

［実施例］ 以下、本考案に係るリードフレームの詳細を図
面に示す実施例に基づいて説明する。

第１図は本考案に係るリードフレームの実施例
を示す平面図である。

リードフレーム１は、金属等の板をカツテイン
グ又はエツチングにより所定の形状に成形したも
のである。本実施例において、カツテイング又は
エツチングにより、リードフレーム１の中心線付
近に略長方形に切り残された部分は、ダイパツト
２であり完成されるべき半導体装置の基板とな
る。ダイパツト２は、サポートバー３を介して、
リードフレーム１の外枠部分にあたる支持部４に
支持されている。また、ダイパツト２の周囲に
は、これに対向するようにリード５が配設され一
端が、支持部４に連結されている。該リード５は
半導体装置の内部と外部を電気的に連絡するため
に設けられている。ところで、ダイパツト２の表
面において、長方形の境界線６を境に外側の領域
にはモールド部７が形成されるので、よつてその
領域をモールド領域８と呼び、境界線６より内側
の領域は、モールド部７が形成されないので非モ
ールド領域９と呼ぶ。

ここで、前記ダイパツト２には、モールド加工
を施した場合バリを発生させないために都合が良
いように溝１０が設けられている。つまり、溝１
０は非モールド領域９において、前記境界線６に
沿うように、ダイパツト２の表面に設けられてい
る。

リードフレーム１は、以上の様な構成をもつて
いるが、次に第２〜４図に基づいて、リードフレ
ーム１を用いて半導体装置を製造する場合を説明
する。

まず、モールド加工が施される場合、第２図に
示すように、リードフレーム１は成形台１１の上
に置かれる。そして、成形金型１２がダイパツト
２を包囲するように固定されるが、該成形金型１
２にはダイパツト１の表面上に設けられた前記溝
１０に対応して突条１３が設けられているので、
成形金型には突条１３が溝１０に嵌合するように
固定される。ここで、該成形金型１２における、
モールド領域８に対応する部分には、溝状のキヤ
ビテイ１４が形成されていて、非モールド領域９
に隣接する部分では、成形金型１２は、ダイパツ
ト２の表面に当接している。そして、キヤビテイ
１４に樹脂を充填するには、前記成形金型１２に
おいて一端がキヤビテイ１４に連通する溝状のゲ
ート部１５を通して溶融樹脂を注入する。以上の
ようにしてモールド部７を成形すると、非モール
ド領域９において、成形金型１２とダイパツト２
の間に僅かな隙間が生じても、前記溝１０と前記
凸部１３が密着して嵌合しているために、溶融樹
脂が隙間に浸入するのが阻止される。そのため、
バリの発生が防止でき、モールド加工を施した
後、バリ除去のための工程を必要とせず、ただち
に半導体素子１６を固設する工程に進める。ま
た、前記溝１０と前記突条１３が嵌合するように
成形金型１２を固定するので、ダイパツト２に対
して成形金型１２の位置が正確に決定され、よつ
て、モールド部７はダイパツト２に対して正確に
成形される。

以上のようにして、モールド加工が終了する
と、半導体素子１４を固設する工程に移るのだ
が、これを第３図及び第４図を用いて説明する。

半導体素子１６を固設する場合に、ダイパツト
２に対して半導体素子１４を正確に位置づけるこ
とが問題となるが、前述したように、モールド部
７がダイパツト２に対して精度良く成形されてい
るので、モールド部７を基準として半導体素子１
４をダイパツト２の表面に固設すれば、正確な位
置づけが可能となる。

以上、実施例について述べたが、この他に本考
案の構成の要旨に付随して各種設計変更が可能で
ある。

［考案の効果］ 以上の説明から明らかなように、本考案に係る
リードフレームにあつては、ダイパツトの表面に
おける非モールド部に、バリが発生することがな
いので、バリを除去するためのサンドブラストな
どをする必要がなく、サンドブラストによつて該
非モールド部の表面を粗くすることがないという
効果と、さらに、バリを除去する行程を省略でき
るという効果がある。また、モールド部がダイパ
ツトに対して正確に形成されるので、そのこと自
体も半導体装置を正確に形成するという効果を奏
するが、モールド部の位置が正確であるために、
ダイパツト上に半導体素子を固設する場合、ダイ
パツトに対する半導体素子の位置の基準として、
モールド部を利用できるのでリードフレームの支
持部を基準とする場合よりも、ダイパツトに対し
て正確に固設できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例に係るリードフレームの平面
図、第２図は本実施例におけるモールド加工を示
す縦断面図、第３図は本実施例において半導体素
子を固設する工程を示す斜視図、第４図は本実施
例において半導体素子を固設する工程を示す縦断
面図、第５図は従来例のリードフレームの平面
図、第６図は従来例におけるモールド加工を示す
縦断面図、第７図は従来例にモールド加工を施し
た後の状態を示す縦断面図である。 １……リードフレーム、２……ダイパツト、６
……境界線、７……モールド部、１０……溝、１
２……成形金型、１３……突条。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体素子が固設され、半導体装置の基板とし
   て用いられるダイパツトを備え、該ダイパツト表
   面に、モールド部が形成されるモールド領域と、
   モールド部が形成されない非モールド領域を有す
   るリードフレームにおいて、 前記ダイパツト表面のモールド領域と非モール
   ド領域との境界線上に又は非モールド領域内に該
   境界線に沿うように溝を条設し、別途モールド金
   型に設けた突条と該溝とがモールド成形時に密着
   し得るようにしたことを特徴とするリードフレー
   ム。