JP2001338940A - 半導体ｉｃの樹脂モールド装置および樹脂モールド方法 - Google Patents
半導体ｉｃの樹脂モールド装置および樹脂モールド方法Info
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- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームに搭載されたＩＣチップをモ
ールド樹脂で封止するための上金型と下金型とを有し、
下金型にはリードフレームに形成された位置決め穴に挿
入されるガイドピンが植設されている半導体ＩＣの樹脂
モールド装置において、リードフレームとモールド樹脂
との位置ずれを可及的に低減し、リードフレームの中央
にモールド樹脂を常に精度良く位置決めできるようにす
る。 【解決手段】 リードフレーム１の位置決め穴１ｂは、
所定の傾斜角度θでもって下方に拡径されたテーパー状
に形成される一方、ガイドピン１２は、下金型６の上面
６ａから突出している突出部１２ａが位置決め穴１ｂと
同じ傾斜角度θを有する円錐形に形成され、また、この
突出部１２ａの下金型６の上面６ａと面一となる部分の
直径Ｄｃが位置決め穴１ｂの下端の直径Ｄｈとして許容
される最大値と一致するように設定されている。
ールド樹脂で封止するための上金型と下金型とを有し、
下金型にはリードフレームに形成された位置決め穴に挿
入されるガイドピンが植設されている半導体ＩＣの樹脂
モールド装置において、リードフレームとモールド樹脂
との位置ずれを可及的に低減し、リードフレームの中央
にモールド樹脂を常に精度良く位置決めできるようにす
る。 【解決手段】 リードフレーム１の位置決め穴１ｂは、
所定の傾斜角度θでもって下方に拡径されたテーパー状
に形成される一方、ガイドピン１２は、下金型６の上面
６ａから突出している突出部１２ａが位置決め穴１ｂと
同じ傾斜角度θを有する円錐形に形成され、また、この
突出部１２ａの下金型６の上面６ａと面一となる部分の
直径Ｄｃが位置決め穴１ｂの下端の直径Ｄｈとして許容
される最大値と一致するように設定されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームに
搭載されたＩＣチップを樹脂モールドするために使用さ
れる半導体ＩＣの樹脂モールド装置、およびその装置を
用いた樹脂モールド方法に係り、特には、金型とリード
フレームとの位置決めを高精度に行うための技術に関す
る。
搭載されたＩＣチップを樹脂モールドするために使用さ
れる半導体ＩＣの樹脂モールド装置、およびその装置を
用いた樹脂モールド方法に係り、特には、金型とリード
フレームとの位置決めを高精度に行うための技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ＩＣは、モールド工程、
メッキ工程、リード加工工程などを経て製造されるが、
特に、モールド工程では、図６に示すように、リードフ
レーム１のダイパッド上に搭載されてワイヤ２を介して
電気的に接続されたＩＣチップ３を外部環境から保護
し、また、その後のプリント基板への接続や実装を容易
にするために、樹脂モールドが行われる。なお図中、１
ａはリードフレーム１に形成された位置決め穴である。
メッキ工程、リード加工工程などを経て製造されるが、
特に、モールド工程では、図６に示すように、リードフ
レーム１のダイパッド上に搭載されてワイヤ２を介して
電気的に接続されたＩＣチップ３を外部環境から保護
し、また、その後のプリント基板への接続や実装を容易
にするために、樹脂モールドが行われる。なお図中、１
ａはリードフレーム１に形成された位置決め穴である。
【０００３】図７はこのような樹脂モールドを行うため
の樹脂モールド装置を示す断面図である。この樹脂モー
ルド装置は、上金型５と下金型６とを有し、上下の金型
５，６にはパッケージ形成用のキャビティ７，８が設け
られている。また、下金型６には、モールド樹脂の注入
路となるランナー１０やゲート１１が形成されるととも
に、リードフレーム１に予め形成された位置決め穴１ａ
に挿入されるガイドピン１４が植設され、また、上金型
５には、モールド樹脂投入用のポット部１５や上記のガ
イドピン１４の係入用の凹部１６が形成されている。
の樹脂モールド装置を示す断面図である。この樹脂モー
ルド装置は、上金型５と下金型６とを有し、上下の金型
５，６にはパッケージ形成用のキャビティ７，８が設け
られている。また、下金型６には、モールド樹脂の注入
路となるランナー１０やゲート１１が形成されるととも
に、リードフレーム１に予め形成された位置決め穴１ａ
に挿入されるガイドピン１４が植設され、また、上金型
５には、モールド樹脂投入用のポット部１５や上記のガ
イドピン１４の係入用の凹部１６が形成されている。
【０００４】この樹脂モールド装置を使用してＩＣチッ
プ３を樹脂モールドするには、まず、ワイヤボンディン
グされたＩＣチップ３を搭載したリードフレーム１につ
いて、その位置決め穴１ａを下金型６のガイドピン１４
に挿入する。これにより、リードフレーム１が下金型６
に対して位置決めされるので、次に、上下の金型５，６
を閉じた後、ポット部１５にタブレット状のモールド樹
脂１７を投入して加熱軟化させた後、この樹脂１７をプ
ランジャー１８で加圧して、溶融したモールド樹脂１７
をランナ１０およびゲート１１を通ってキャビティ７，
８内に注入する。これにより、ＩＣチップ３がモールド
樹脂１７で封止されるので、所定時間の経過後に樹脂が
硬化すれば、上下の金型５，６を開いて樹脂モールドさ
れた半導体ＩＣの成型品が得られる。
プ３を樹脂モールドするには、まず、ワイヤボンディン
グされたＩＣチップ３を搭載したリードフレーム１につ
いて、その位置決め穴１ａを下金型６のガイドピン１４
に挿入する。これにより、リードフレーム１が下金型６
に対して位置決めされるので、次に、上下の金型５，６
を閉じた後、ポット部１５にタブレット状のモールド樹
脂１７を投入して加熱軟化させた後、この樹脂１７をプ
ランジャー１８で加圧して、溶融したモールド樹脂１７
をランナ１０およびゲート１１を通ってキャビティ７，
８内に注入する。これにより、ＩＣチップ３がモールド
樹脂１７で封止されるので、所定時間の経過後に樹脂が
硬化すれば、上下の金型５，６を開いて樹脂モールドさ
れた半導体ＩＣの成型品が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なモールド工程において、ＩＣチップ３を封止するモー
ルド樹脂がリードフレーム１の中央に精度良く配置され
ていないと、次のような不都合を生じる。すなわち、モ
ールド工程以降にあるリード加工工程などにおいては、
モールド樹脂の外形を基準にしてリードの曲げ加工や、
タイバーの切断などを行っているので、リードフレーム
１に対するモールド樹脂の位置がずれていると、モール
ド樹脂のパッケージに傷を付けたり、リードやタイバー
が正常に切断されなかったりして、製品の品質や性能が
劣化して信頼性に欠けたものになる。さらに、ＩＣソケ
ットヘの装着などの際にも支障を生じることになる。
なモールド工程において、ＩＣチップ３を封止するモー
ルド樹脂がリードフレーム１の中央に精度良く配置され
ていないと、次のような不都合を生じる。すなわち、モ
ールド工程以降にあるリード加工工程などにおいては、
モールド樹脂の外形を基準にしてリードの曲げ加工や、
タイバーの切断などを行っているので、リードフレーム
１に対するモールド樹脂の位置がずれていると、モール
ド樹脂のパッケージに傷を付けたり、リードやタイバー
が正常に切断されなかったりして、製品の品質や性能が
劣化して信頼性に欠けたものになる。さらに、ＩＣソケ
ットヘの装着などの際にも支障を生じることになる。
【０００６】そのため、従来技術では、前述のように、
モールド樹脂とリードフレーム１との位置関係を適切な
ものとするために、リードフレーム１には位置決め穴１
ａを形成する一方、下金型６にはガイドピン１４を設け
て、モールド樹脂とリードフレーム１との位置関係を規
制するようにしているものの、依然として、次のような
問題がある。
モールド樹脂とリードフレーム１との位置関係を適切な
ものとするために、リードフレーム１には位置決め穴１
ａを形成する一方、下金型６にはガイドピン１４を設け
て、モールド樹脂とリードフレーム１との位置関係を規
制するようにしているものの、依然として、次のような
問題がある。
【０００７】従来の樹脂モールド装置において、下金型
６に植設されているガイドピン１４は、図８（ａ），
（ｂ）に示すように、その先端部分１４ａは円錐形に形
成され、また、位置決め穴１ａと実質的に嵌合する部分
１４ｂは円柱形に形成されており、しかも、この円柱形
の部分１４ｂは下金型６の上面６ａよりもリードフレー
ム１の厚さ分よりも幾分上方に突出して配置されてい
る。また、リードフレーム１の位置決め穴１ａは、軸方
向に沿って同一径になるように形成されている。
６に植設されているガイドピン１４は、図８（ａ），
（ｂ）に示すように、その先端部分１４ａは円錐形に形
成され、また、位置決め穴１ａと実質的に嵌合する部分
１４ｂは円柱形に形成されており、しかも、この円柱形
の部分１４ｂは下金型６の上面６ａよりもリードフレー
ム１の厚さ分よりも幾分上方に突出して配置されてい
る。また、リードフレーム１の位置決め穴１ａは、軸方
向に沿って同一径になるように形成されている。
【０００８】ここで、リードフレーム１の位置決め穴１
ａをガイドピン１４に対して容易に抜き差しできるよう
にするために、リードフレーム１やガイドピン１４の加
工精度や熱膨張等を考慮して、位置決め穴１ａの内径は
規定寸法よりも若干大きくなるように寸法公差が設定さ
れている。たとえば、ガイドピン１４の円柱状の部分１
４ｂの直径の規定値を１.５ｍｍとした場合、位置決め
穴１ａの内径の寸法公差は、＋０．０５ｍｍ（最大公
差）〜＋０．００ｍｍ（最小公差）まで許容されてい
る。
ａをガイドピン１４に対して容易に抜き差しできるよう
にするために、リードフレーム１やガイドピン１４の加
工精度や熱膨張等を考慮して、位置決め穴１ａの内径は
規定寸法よりも若干大きくなるように寸法公差が設定さ
れている。たとえば、ガイドピン１４の円柱状の部分１
４ｂの直径の規定値を１.５ｍｍとした場合、位置決め
穴１ａの内径の寸法公差は、＋０．０５ｍｍ（最大公
差）〜＋０．００ｍｍ（最小公差）まで許容されてい
る。
【０００９】このように、リードフレーム１をガイドピ
ン１４に対して容易に抜き差しできるようにするため
に、位置決め穴１ａとガイドピン１４との間には僅かな
遊び（隙間）Δが生じるように予め設定しているので、
たとえば、位置決め穴１ａの寸法公差が最大となり、か
つ、図８（ａ）に示すように、ガイドピンに対して位置
決め穴が左寄りに偏心したり、同図（ｂ）に示すように
ガイドピンに対して位置決め穴が右寄りに偏心したりす
るなど、ガイドピン１４に対して位置決め穴１ａが片寄
っていると、リードフレーム１に対する封止後のモール
ド樹脂の位置ずれ量が大きくなり、結局、上述したよう
に、その後の工程において、モールド樹脂に傷を付けた
り、リードやタイバーが正常に切断されなかったりし
て、製品の品質や性能が劣化するなどの不都合を生じ
る。
ン１４に対して容易に抜き差しできるようにするため
に、位置決め穴１ａとガイドピン１４との間には僅かな
遊び（隙間）Δが生じるように予め設定しているので、
たとえば、位置決め穴１ａの寸法公差が最大となり、か
つ、図８（ａ）に示すように、ガイドピンに対して位置
決め穴が左寄りに偏心したり、同図（ｂ）に示すように
ガイドピンに対して位置決め穴が右寄りに偏心したりす
るなど、ガイドピン１４に対して位置決め穴１ａが片寄
っていると、リードフレーム１に対する封止後のモール
ド樹脂の位置ずれ量が大きくなり、結局、上述したよう
に、その後の工程において、モールド樹脂に傷を付けた
り、リードやタイバーが正常に切断されなかったりし
て、製品の品質や性能が劣化するなどの不都合を生じ
る。
【００１０】なお、リードフレーム１とモールド樹脂と
の位置ずれの原因は、上記の位置決め穴１ａとガイドピ
ン１４との遊び以外にも、リードフレーム１の熱膨張や
ガイドピン１４の摩耗等に起因する場合があるが、前者
の熱膨張については、設計的に解決することができ、ま
た、後者のガイドピン１４の摩耗については、交換の運
用ルールを改善することで容易に対処することが可能で
ある。
の位置ずれの原因は、上記の位置決め穴１ａとガイドピ
ン１４との遊び以外にも、リードフレーム１の熱膨張や
ガイドピン１４の摩耗等に起因する場合があるが、前者
の熱膨張については、設計的に解決することができ、ま
た、後者のガイドピン１４の摩耗については、交換の運
用ルールを改善することで容易に対処することが可能で
ある。
【００１１】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、リードフレームとモールド樹脂
との位置ずれを可及的に低減し、リードフレームの中央
にモールド樹脂を常に精度良く位置決め配置できる半導
体ＩＣの樹脂モールド装置、およびその装置を用いた樹
脂モールド方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、リードフレームとモールド樹脂
との位置ずれを可及的に低減し、リードフレームの中央
にモールド樹脂を常に精度良く位置決め配置できる半導
体ＩＣの樹脂モールド装置、およびその装置を用いた樹
脂モールド方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、リー
ドフレームに搭載されたＩＣチップをモールド樹脂で封
止するための上金型と下金型とを有し、前記下金型には
前記リードフレームに形成された位置決め穴に挿入され
るガイドピンが植設されている半導体ＩＣの樹脂モール
ド装置において、リードフレームの位置決め穴は、所定
の傾斜角度でもって下方に拡径されたテーパー状に形成
される一方、前記ガイドピンは、下金型の上面から突出
している突出部が前記位置決め穴と同じ傾斜角度を有す
る円錐形に形成され、かつ、この突出部の前記下金型の
上面と面一となる部分の直径が前記位置決め穴の下端の
直径として許容される最大値と一致するように設定され
ている。
ドフレームに搭載されたＩＣチップをモールド樹脂で封
止するための上金型と下金型とを有し、前記下金型には
前記リードフレームに形成された位置決め穴に挿入され
るガイドピンが植設されている半導体ＩＣの樹脂モール
ド装置において、リードフレームの位置決め穴は、所定
の傾斜角度でもって下方に拡径されたテーパー状に形成
される一方、前記ガイドピンは、下金型の上面から突出
している突出部が前記位置決め穴と同じ傾斜角度を有す
る円錐形に形成され、かつ、この突出部の前記下金型の
上面と面一となる部分の直径が前記位置決め穴の下端の
直径として許容される最大値と一致するように設定され
ている。
【００１３】請求項２の発明は、請求項１記載の半導体
ＩＣの樹脂モールド装置を使用し、ＩＣチップが搭載さ
れたリードフレームの位置決め穴を前記ガイドピンに挿
入した後、上下の金型を閉じてから両者の間に形成され
たキャビティにモールド樹脂を充填、硬化させて、半導
体ＩＣのパッケージを形成するようにしている。
ＩＣの樹脂モールド装置を使用し、ＩＣチップが搭載さ
れたリードフレームの位置決め穴を前記ガイドピンに挿
入した後、上下の金型を閉じてから両者の間に形成され
たキャビティにモールド樹脂を充填、硬化させて、半導
体ＩＣのパッケージを形成するようにしている。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．半導体ＩＣは、モ
ールド工程、メッキ工程、リード加工工程などを経て製
造されるが、特に、モールド工程では、図１に示すよう
に、リードフレーム１のダイパッド上に搭載されてワイ
ヤ２を介して電気的に接続されたＩＣチップ３を外部環
境から保護し、また、その後のプリント基板への接続や
実装を容易にするために、樹脂モールドが行われる。な
お図中、１ｂはリードフレーム１に形成された位置決め
穴である。
ールド工程、メッキ工程、リード加工工程などを経て製
造されるが、特に、モールド工程では、図１に示すよう
に、リードフレーム１のダイパッド上に搭載されてワイ
ヤ２を介して電気的に接続されたＩＣチップ３を外部環
境から保護し、また、その後のプリント基板への接続や
実装を容易にするために、樹脂モールドが行われる。な
お図中、１ｂはリードフレーム１に形成された位置決め
穴である。
【００１５】図２はこのような樹脂モールドを行うため
の樹脂モールド装置を示す断面図であり、この樹脂モー
ルド装置は、上金型５と下金型６とを有し、上下の金型
５，６にはパッケージ形成用のキャビティ７，８が設け
られている。また、下金型６には、モールド樹脂の注入
路となるランナー１０やゲート１１が形成されるととも
に、リードフレーム１に予め形成された位置決め穴１ｂ
に挿入されるガイドピン１２が植設され、また、上金型
５には、モールド樹脂投入用のポット部１５や上記のガ
イドピン１２の係入用の凹部１６が形成されている。
の樹脂モールド装置を示す断面図であり、この樹脂モー
ルド装置は、上金型５と下金型６とを有し、上下の金型
５，６にはパッケージ形成用のキャビティ７，８が設け
られている。また、下金型６には、モールド樹脂の注入
路となるランナー１０やゲート１１が形成されるととも
に、リードフレーム１に予め形成された位置決め穴１ｂ
に挿入されるガイドピン１２が植設され、また、上金型
５には、モールド樹脂投入用のポット部１５や上記のガ
イドピン１２の係入用の凹部１６が形成されている。
【００１６】この樹脂モールド装置を使用してＩＣチッ
プ３を樹脂モールドするには、まず、ワイヤボンディン
グされたＩＣチップ３を搭載したリードフレーム１につ
いて、その位置決め穴１ｂを下金型６のガイドピン１４
に挿入する。これにより、リードフレーム１が下金型６
に対して位置決めされるので、次に、上下の金型５，６
を閉じた後、ポット部１５にタブレット状のモールド樹
脂１７を投入して加熱軟化させた後、この樹脂１７をプ
ランジャー１８で加圧して、溶融したモールド樹脂１７
をランナ１０およびゲート１１を通ってキャビティ７，
８内に注入する。これにより、ＩＣチップ３がモールド
樹脂１７で封止されるので、所定時間の経過後に樹脂が
硬化すれば、上下の金型５，６を開いて樹脂モールドさ
れた半導体ＩＣの成型品が得られる。
プ３を樹脂モールドするには、まず、ワイヤボンディン
グされたＩＣチップ３を搭載したリードフレーム１につ
いて、その位置決め穴１ｂを下金型６のガイドピン１４
に挿入する。これにより、リードフレーム１が下金型６
に対して位置決めされるので、次に、上下の金型５，６
を閉じた後、ポット部１５にタブレット状のモールド樹
脂１７を投入して加熱軟化させた後、この樹脂１７をプ
ランジャー１８で加圧して、溶融したモールド樹脂１７
をランナ１０およびゲート１１を通ってキャビティ７，
８内に注入する。これにより、ＩＣチップ３がモールド
樹脂１７で封止されるので、所定時間の経過後に樹脂が
硬化すれば、上下の金型５，６を開いて樹脂モールドさ
れた半導体ＩＣの成型品が得られる。
【００１７】図３は、本発明の実施の形態１における樹
脂モールド装置において、下金型に設けられたガイドピ
ンにリードフレームの位置決め穴を挿入する直前の状態
を示す断面図である。この実施の形態では、リードフレ
ーム１の位置決め穴１ｂは、所定の傾斜角度θでもって
下方に拡径されたテーパー状に形成されている。一方、
下金型６に植設されたガイドピン１２は、下金型６の上
面６ａから突出している突出部１２ａと下金型６内に埋
設された埋設部１２ｂとからなる。そして、突出部１２
ａはリードフレーム１の位置決め穴１ｂと同じ傾斜角度
θを有する円錐形に形成され、また、埋設部１２ｂは円
柱形に形成されている。したがって、このガイドピン１
２は、円錐形の突出部１２ａのみが下金型６の上面６ａ
から上方に突出しており、下金型６の上面６ａより上に
は、従来のような円柱形の部分は露出しない形状になっ
ている。
脂モールド装置において、下金型に設けられたガイドピ
ンにリードフレームの位置決め穴を挿入する直前の状態
を示す断面図である。この実施の形態では、リードフレ
ーム１の位置決め穴１ｂは、所定の傾斜角度θでもって
下方に拡径されたテーパー状に形成されている。一方、
下金型６に植設されたガイドピン１２は、下金型６の上
面６ａから突出している突出部１２ａと下金型６内に埋
設された埋設部１２ｂとからなる。そして、突出部１２
ａはリードフレーム１の位置決め穴１ｂと同じ傾斜角度
θを有する円錐形に形成され、また、埋設部１２ｂは円
柱形に形成されている。したがって、このガイドピン１
２は、円錐形の突出部１２ａのみが下金型６の上面６ａ
から上方に突出しており、下金型６の上面６ａより上に
は、従来のような円柱形の部分は露出しない形状になっ
ている。
【００１８】しかも、ガイドピン１２に設けられた突出
部１２ａの下金型６の上面６ａと面一となる下端部分
（つまり、円錐の底面に相当する部分）の直径Ｄｃは、
リードフレーム１の位置決め穴１ｂの下端の直径Ｄｈと
して許容される最大値と一致するように設定されてい
る。たとえば、位置決め穴１ｂの下端の直径Ｄｈの規定
値を１．５ｍｍとし、このときの寸法公差として＋０．
０５ｍｍ（最大公差）〜＋０.００ｍｍ（最小公差）が
許容されている場合、ガイドピン１２の突出部１２ａの
底面の直径Ｄｃは、位置決め穴１ｂの下端の直径Ｄｈが
最大公差となるときの１．５５ｍｍ（＝１．５０＋０．
０５）となるように設定されている。
部１２ａの下金型６の上面６ａと面一となる下端部分
（つまり、円錐の底面に相当する部分）の直径Ｄｃは、
リードフレーム１の位置決め穴１ｂの下端の直径Ｄｈと
して許容される最大値と一致するように設定されてい
る。たとえば、位置決め穴１ｂの下端の直径Ｄｈの規定
値を１．５ｍｍとし、このときの寸法公差として＋０．
０５ｍｍ（最大公差）〜＋０.００ｍｍ（最小公差）が
許容されている場合、ガイドピン１２の突出部１２ａの
底面の直径Ｄｃは、位置決め穴１ｂの下端の直径Ｄｈが
最大公差となるときの１．５５ｍｍ（＝１．５０＋０．
０５）となるように設定されている。
【００１９】このようにリードフレーム１の位置決め穴
１ｂの直径Ｄｈには多少の公差を伴うが、位置決め穴１
ｂの位置を精度良く形成することは、現在の製造技術か
らも数μｍのオーダーで可能であり、また、上記の下金
型６に設けたガイドピン１２の位置や大きさを高精度に
設けることも、規在の製造技術からして数μｍのオーダ
ーで可能である。なお、ガイドピン１２は、リードフレ
ーム１の位置決め穴１ｂに対して繰り返し抜き差しされ
るので、耐摩耗性に優れた素材を選択し、更に、硬度を
高めるために表面処理を施すことが好ましい。
１ｂの直径Ｄｈには多少の公差を伴うが、位置決め穴１
ｂの位置を精度良く形成することは、現在の製造技術か
らも数μｍのオーダーで可能であり、また、上記の下金
型６に設けたガイドピン１２の位置や大きさを高精度に
設けることも、規在の製造技術からして数μｍのオーダ
ーで可能である。なお、ガイドピン１２は、リードフレ
ーム１の位置決め穴１ｂに対して繰り返し抜き差しされ
るので、耐摩耗性に優れた素材を選択し、更に、硬度を
高めるために表面処理を施すことが好ましい。
【００２０】この樹脂モールド装置を用いて樹脂モール
ドを行うには、まず、図示しないＩＣチップが搭載され
たリードフレーム１の位置決め穴１ｂをガイドピン１２
に挿入する。このとき、図４（ａ）に示すように、リー
ドフレーム１の位置決め穴１ｂの下端の直径Ｄｈが最大
公差になってガイドピン１２の突出部１２ａの下端の直
径Ｄｃと一致している場合（たとえば、上記の例でＤｈ
＝Ｄｃ＝１.５５ｍｍの場合）、リードフレーム１は、
下金型６の上面６ａとの間に隙間を生じることがなく、
しかも、ガイドピン１２の円錐形の突出部１２ａと、位
置決め穴１ｂとは同じ傾斜角度θに設定されているの
で、突出部１２ａと位置決め穴１ｂとの間に従来のよう
な遊びを生じることがない。そのため、図２に示したよ
うに、上下の金型５，６を閉じてから両者５，６の間に
形成されたキャビティ７，８にモールド樹脂を充填、硬
化させて半導体ＩＣのパッケージを形成した場合には、
リードフレーム１の中央に精度良く樹脂モールドするこ
とができる。
ドを行うには、まず、図示しないＩＣチップが搭載され
たリードフレーム１の位置決め穴１ｂをガイドピン１２
に挿入する。このとき、図４（ａ）に示すように、リー
ドフレーム１の位置決め穴１ｂの下端の直径Ｄｈが最大
公差になってガイドピン１２の突出部１２ａの下端の直
径Ｄｃと一致している場合（たとえば、上記の例でＤｈ
＝Ｄｃ＝１.５５ｍｍの場合）、リードフレーム１は、
下金型６の上面６ａとの間に隙間を生じることがなく、
しかも、ガイドピン１２の円錐形の突出部１２ａと、位
置決め穴１ｂとは同じ傾斜角度θに設定されているの
で、突出部１２ａと位置決め穴１ｂとの間に従来のよう
な遊びを生じることがない。そのため、図２に示したよ
うに、上下の金型５，６を閉じてから両者５，６の間に
形成されたキャビティ７，８にモールド樹脂を充填、硬
化させて半導体ＩＣのパッケージを形成した場合には、
リードフレーム１の中央に精度良く樹脂モールドするこ
とができる。
【００２１】また、図４（ｂ）に示すように、リードフ
レーム１の位置決め穴１ｂの下端の直径Ｄｈが最小公差
になってガイドピン１２の突出部１２ａの底面の直径Ｄ
ｃよりも小さくなった場合（たとえば、上記の例でＤｈ
＝１．５０ｍｍ、Ｄｃ＝１．５５ｍｍの場合）、リード
フレーム１は下金型６の上面６ａから浮き上がって両者
１，６ａの間に僅かな隙間が発生することになる。しか
し、その場合でも、ガイドピン１２の円錐形の突出部１
２ａと、位置決め穴１ｂとは同じ傾斜角度θに設定され
ているので、リードフレーム１は上下の金型５，６に対
して位置ずれすることがなく、リードフレーム１の中央
に精度良く樹脂モールドすることができる。
レーム１の位置決め穴１ｂの下端の直径Ｄｈが最小公差
になってガイドピン１２の突出部１２ａの底面の直径Ｄ
ｃよりも小さくなった場合（たとえば、上記の例でＤｈ
＝１．５０ｍｍ、Ｄｃ＝１．５５ｍｍの場合）、リード
フレーム１は下金型６の上面６ａから浮き上がって両者
１，６ａの間に僅かな隙間が発生することになる。しか
し、その場合でも、ガイドピン１２の円錐形の突出部１
２ａと、位置決め穴１ｂとは同じ傾斜角度θに設定され
ているので、リードフレーム１は上下の金型５，６に対
して位置ずれすることがなく、リードフレーム１の中央
に精度良く樹脂モールドすることができる。
【００２２】ただし、図４（ｂ）のようにリードフレー
ム１が浮き上がる場合には、上金型５のキャビティ７に
よって形成される樹脂モールド部分を少し削り取るなど
の配慮が必要である。たとえば、図５に示すように、ガ
イドピン１２の突出部１２ａの傾斜角度θ＝１５°とし
たとき、リードフレーム１の浮き上がり量ｘが最大にな
るのは、リードフレーム１の位置決め穴１ｂの下端の直
径Ｄｈが最小公差（＋０．００ｍｍ）となるとき、つま
り、Ｄｈ＝１．５０ｍｍのときであるから、このときの
浮き上がり量ｘは、図５および次式に示すように、 ｘ＝｛（１．５５−１．５）／２｝／ｔａｎ１５° ＝０．０９３ｍｍ となる。
ム１が浮き上がる場合には、上金型５のキャビティ７に
よって形成される樹脂モールド部分を少し削り取るなど
の配慮が必要である。たとえば、図５に示すように、ガ
イドピン１２の突出部１２ａの傾斜角度θ＝１５°とし
たとき、リードフレーム１の浮き上がり量ｘが最大にな
るのは、リードフレーム１の位置決め穴１ｂの下端の直
径Ｄｈが最小公差（＋０．００ｍｍ）となるとき、つま
り、Ｄｈ＝１．５０ｍｍのときであるから、このときの
浮き上がり量ｘは、図５および次式に示すように、 ｘ＝｛（１．５５−１．５）／２｝／ｔａｎ１５° ＝０．０９３ｍｍ となる。
【００２３】この浮き上がり量ｘが、リードフレーム１
に損傷を与えたり、樹脂モールド時のキャビティ７，８
に影響を与える場合には、浮き上がり量ｘを小さくする
対策を容易に講じることが可能である。たとえば、ガイ
ドピン１２の突出部１２ａの傾斜角度θをもう少し大き
く設定したり、あるいは、突出部１２ａの下端の直径Ｄ
ｃを小さくすることで対処できる。
に損傷を与えたり、樹脂モールド時のキャビティ７，８
に影響を与える場合には、浮き上がり量ｘを小さくする
対策を容易に講じることが可能である。たとえば、ガイ
ドピン１２の突出部１２ａの傾斜角度θをもう少し大き
く設定したり、あるいは、突出部１２ａの下端の直径Ｄ
ｃを小さくすることで対処できる。
【００２４】
【発明の効果】請求項１，２の発明によれば、リードフ
レームに形成したテーパー形状の位置決め穴と、この位
置決め穴と同じ傾斜角度を有する円錐形に形成された突
出部を有するガイドピンとでリードフレームを位置決め
するようにし、かつ、ガイドピンの突出部は、下金型の
上面と面一となる部分の直径が位置決め穴の下端の直径
として許容される最大値と一致するように設定している
ので、リードフレームの位置決め穴に製造時の公差が存
在していても、位置決め穴とガイドピンの突出部との間
に遊びは生じず、したがって、リードフレームが金型に
対して位置ずれすることがなく、その中央に精度良く樹
脂モールドすることができる。そのため、モールド工程
以降にあるリード加工工程のように、モールド樹脂の外
形を基準にしてリードの曲げ加工や、タイバーの切断な
どを行う場合にも何らの支障なく加工を行うことがで
き、また、ＩＣソケットヘの装着も支障無く行うことが
できる。さらに、熱膨張によって位置決め穴を含めたリ
ードフレームの形状が変化しても、常に位置決め穴の中
央で位置決めできるために、リードフレームや金型の熱
設計が容易である。
レームに形成したテーパー形状の位置決め穴と、この位
置決め穴と同じ傾斜角度を有する円錐形に形成された突
出部を有するガイドピンとでリードフレームを位置決め
するようにし、かつ、ガイドピンの突出部は、下金型の
上面と面一となる部分の直径が位置決め穴の下端の直径
として許容される最大値と一致するように設定している
ので、リードフレームの位置決め穴に製造時の公差が存
在していても、位置決め穴とガイドピンの突出部との間
に遊びは生じず、したがって、リードフレームが金型に
対して位置ずれすることがなく、その中央に精度良く樹
脂モールドすることができる。そのため、モールド工程
以降にあるリード加工工程のように、モールド樹脂の外
形を基準にしてリードの曲げ加工や、タイバーの切断な
どを行う場合にも何らの支障なく加工を行うことがで
き、また、ＩＣソケットヘの装着も支障無く行うことが
できる。さらに、熱膨張によって位置決め穴を含めたリ
ードフレームの形状が変化しても、常に位置決め穴の中
央で位置決めできるために、リードフレームや金型の熱
設計が容易である。
【図１】 本発明の実施の形態１におけるＩＣチップを
搭載したリードフレームを示す平面図である。
搭載したリードフレームを示す平面図である。
【図２】 本発明の実施の形態１における樹脂モールド
装置を示す断面図である。
装置を示す断面図である。
【図３】 本発明の実施の形態１における樹脂モールド
装置において、下金型に設けられたガイドピンにリード
フレームの位置決め穴を挿入する直前の状態を示す拡大
断面図である。
装置において、下金型に設けられたガイドピンにリード
フレームの位置決め穴を挿入する直前の状態を示す拡大
断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態１における樹脂モールド
装置において、リードフレームの位置決め穴が下金型の
ガイドピンに対して偏心を起こすことなく位置決めされ
ている状態を示す説明図である。
装置において、リードフレームの位置決め穴が下金型の
ガイドピンに対して偏心を起こすことなく位置決めされ
ている状態を示す説明図である。
【図５】 本発明の樹脂モールド装置を使用することに
よって発生するリードフレームの浮き上がり量を計算す
る場合の説明図である。
よって発生するリードフレームの浮き上がり量を計算す
る場合の説明図である。
【図６】 ＩＣチップを搭載したリードフレームを示す
平面図である。
平面図である。
【図７】 従来の樹脂モールド装置を示す断面図であ
る。
る。
【図８】 従来の樹脂モールド装置において、ガイドピ
ンに対する位置決め穴の偏心が生じる状況を示す説明図
である。
ンに対する位置決め穴の偏心が生じる状況を示す説明図
である。
１ リードフレーム、１ｂ 位置決め穴、３ ＩＣチッ
プ、５ 上金型、６下金型、１２ ガイドピン、１２ａ
突出部、１２ｂ 埋設部、θ 傾斜角度。
プ、５ 上金型、６下金型、１２ ガイドピン、１２ａ
突出部、１２ｂ 埋設部、θ 傾斜角度。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームに搭載されたＩＣチップ
をモールド樹脂で封止するための上金型と下金型とを有
し、前記下金型には前記リードフレームに形成された位
置決め穴に挿入されるガイドピンが植設されている半導
体ＩＣの樹脂モールド装置において、前記リードフレー
ムの位置決め穴は、所定の傾斜角度でもって下方に拡径
されたテーパー状に形成される一方、前記ガイドピン
は、下金型の上面から突出している突出部が前記位置決
め穴と同じ傾斜角度を有する円錐形に形成され、かつ、
この突出部の前記下金型の上面と面一となる部分の直径
が前記位置決め穴の下端の直径として許容される最大値
と一致するように設定されていることを特徴とする半導
体ＩＣの樹脂モールド装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体ＩＣの樹脂モール
ド装置を使用し、ＩＣチップが搭載されたリードフレー
ムの位置決め穴を前記ガイドピンに挿入した後、上下の
金型を閉じてから両者の間に形成されたキャビティにモ
ールド樹脂を充填、硬化させて、半導体ＩＣのパッケー
ジを形成することを特徴とする半導体ＩＣの樹脂モール
ド方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000159527A JP2001338940A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 半導体ｉｃの樹脂モールド装置および樹脂モールド方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000159527A JP2001338940A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 半導体ｉｃの樹脂モールド装置および樹脂モールド方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001338940A true JP2001338940A (ja) | 2001-12-07 |
Family
ID=18663833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000159527A Pending JP2001338940A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 半導体ｉｃの樹脂モールド装置および樹脂モールド方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001338940A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004294070A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Denso Corp | 磁気検出装置の製造方法 |
| JP2011121463A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Bridgestone Corp | クローラ走行装置 |
| CN103346136A (zh) * | 2013-06-05 | 2013-10-09 | 吉林华微斯帕克电气有限公司 | 功率模块及其封装方法 |
| JP2014157855A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 |
| US20150086666A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor manufacturing apparatus |
-
2000
- 2000-05-30 JP JP2000159527A patent/JP2001338940A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004294070A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Denso Corp | 磁気検出装置の製造方法 |
| JP2011121463A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Bridgestone Corp | クローラ走行装置 |
| JP2014157855A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 |
| CN103346136A (zh) * | 2013-06-05 | 2013-10-09 | 吉林华微斯帕克电气有限公司 | 功率模块及其封装方法 |
| CN103346136B (zh) * | 2013-06-05 | 2016-01-27 | 吉林华微斯帕克电气有限公司 | 功率模块及其封装方法 |
| US20150086666A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor manufacturing apparatus |
| CN104517863A (zh) * | 2013-09-26 | 2015-04-15 | 精工电子有限公司 | 半导体制造装置 |
| US9296142B2 (en) * | 2013-09-26 | 2016-03-29 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor manufacturing apparatus |
| US9694523B2 (en) | 2013-09-26 | 2017-07-04 | Sii Semiconductor Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
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