JP2014157855A - 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 - Google Patents

樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 Download PDF

Info

Publication number
JP2014157855A
JP2014157855A JP2013026579A JP2013026579A JP2014157855A JP 2014157855 A JP2014157855 A JP 2014157855A JP 2013026579 A JP2013026579 A JP 2013026579A JP 2013026579 A JP2013026579 A JP 2013026579A JP 2014157855 A JP2014157855 A JP 2014157855A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
lead frame
frame
hole
optical semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013026579A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6064649B2 (ja
Inventor
Kazunori Oda
小田  和範
Megumi Oishi
恵 大石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2013026579A priority Critical patent/JP6064649B2/ja
Publication of JP2014157855A publication Critical patent/JP2014157855A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6064649B2 publication Critical patent/JP6064649B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】孔部の内周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体を提供する。
【解決手段】樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、互いに絶縁する複数の端子部11、12を有し、端子部11、12のうち少なくとも一つの表面にLED素子2が接続される光半導体装置1に用いられるリードフレーム10が、孔部Hを有する枠体Fに多面付けされたリードフレームの多面付け体MSと、リードフレームの外周側面及び端子部11、12間に形成されるフレーム樹脂部20aと、孔部Hの内周側面に形成され、樹脂孔部hを形成する孔樹脂部20dとから構成される光反射樹脂層20とを備える。
【選択図】図4

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用の樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体に関するものである。
従来、LED素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた2つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた(例えば、特許文献1)。
このような光半導体装置の中には、端子部を覆う樹脂層が、光半導体素子を囲むようにして、光半導体素子の搭載面から突出するようにリフレクタが形成され、光半導体素子から発光する光の方向等を制御するものがある。このような光半導体装置は、多面付けされたリードフレーム(リードフレームの多面付け体)に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、光半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって同時に複数製造される。
ここで、光半導体装置の製造過程において製造される樹脂付きリードフレームの多面付け体のなかには、枠体の一部に、搬送や位置決めに使用する孔部が形成されているものがある。このような樹脂付きリードフレームの多面付け体は、その孔部の内周側面に枠体の金属面が表出しており、搬送用ピン等がその孔部に挿入された場合に、ピンと枠体の金属面とが摩擦接触し、孔部の内周側面から金属粉が発生してしまう場合があった。この金属粉がリードフレームの端子部に付着すると、端子部間を短絡させてしまう場合があり、光半導体素子を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置1が製造されてしまう要因となっていた。
特開2011−151069号公報
本発明の課題は、孔部の内周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体を提供することである。
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。
第1の発明は、互いに絶縁する複数の端子部(11、12)を有し、前記端子部のうち少なくとも一つの表面に光半導体素子(2)が接続される光半導体装置(1)に用いられるリードフレーム(10)が、孔部(H)を有する枠体(F)に多面付けされたリードフレームの多面付け体(MS)と、前記リードフレームの外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部(20a)と、前記孔部の内周側面に形成され、樹脂孔部(h)を形成する孔樹脂部(20d)とから構成される樹脂層(20)と、を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)である。
第2の発明は、第1の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)において、前記樹脂孔部(h)は、その内周側面が、前記孔部(H)の内周側面に対して傾斜していること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第3の発明は、第1の発明又は第2の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)において、前記樹脂層(20)は、前記枠体(F)の裏面の少なくとも一部に形成される枠体樹脂部(20c)を備え、前記枠体樹脂部と前記孔樹脂部(20d)とが結合していること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第4の発明は、第3の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)において、前記枠体(F)は、その裏面の少なくとも一部が、前記端子部(11、12)の裏面に対して窪んでおり、前記枠体樹脂部(20c)は、前記枠体の窪んだ部分に形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第5の発明は、第4の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)において、前記孔部(H1、H2)は、前記枠体(F)に対して複数設けられ、前記枠体は、前記孔部のうち少なくとも1つ(H2)の外周縁を避けるようにして窪んでいること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第6の発明は、第1の発明から第5の発明までのいずれかの樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレーム(10)の前記端子部(11、12)のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子(2)と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層(30)とを備えること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。
本発明によれば、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体は、孔部の内周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。
第1実施形態の光半導体装置1の全体構成を示す図である。 第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの全体図である。 第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。 第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。 第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rに形成された樹脂孔部hの詳細を説明する図である。 第1実施形態のリードフレーム10の製造過程を説明する図である。 第1実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。 第1実施形態の光半導体装置1の製造過程を説明する図である。 トランスファ成形の概略を説明する図である。 インジェクション成形の概略を説明する図である。 第2実施形態のリードフレームの多面付け体MSの全体図である。 第2実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。 第2実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。 第2実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rに形成された樹脂孔部h及び孔部H2の詳細を説明する図である。 第3実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。 第3実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。 第3実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rに形成された樹脂孔部h及び孔部H2の詳細を説明する図である。 変形形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
(第1実施形態)
以下、図面等を参照して、本発明の第1実施形態について説明する。
図1は、第1実施形態の光半導体装置1の全体構成を示す図である。
図1(a)は、光半導体装置1の平面図を示し、図1(b)は、光半導体装置1の側面図を示し、図1(c)は、光半導体装置1の裏面図を示す。図1(d)は、図1(a)のd−d断面図を示す。
図2は、第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの全体図である。
図3は、第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。
図3(a)、図3(b)は、それぞれリードフレームの多面付け体MSの平面図、裏面図を示し、図3(c)、図3(d)は、それぞれ図3(a)のc−c断面図、d−d断面図を示す。
図4は、第1実施形態の光反射樹脂層20が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。
図4(a)、図4(b)は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図を示し、図4(c)、図4(d)は、それぞれ図4(a)のc−c断面図と、d−d断面図を示す。
図5は、第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rに形成された樹脂孔部hの詳細を説明する図であり、図4(d)のA部詳細図である。
各図において、光半導体装置1、リードフレームの多面付け体MS、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図における左右方向をX方向、上下方向をY方向、厚み方向をZ方向とする。
光半導体装置1は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したLED素子2が発光する照明装置である。光半導体装置1は、図1に示すように、LED素子2(光半導体素子)、リードフレーム10、光反射樹脂層20(樹脂層)、透明樹脂層30を備える。
光半導体装置1は、多面付けされたリードフレーム10(リードフレームの多面付け体MS、図2参照)に光反射樹脂層20を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体R(図4参照)を作製し、LED素子2を電気的に接続し、透明樹脂層30を形成して、パッケージ単位に切断(ダイシング)することによって製造される(詳細は後述する)。
LED素子2は、発光層として一般に用いられるLED(発光ダイオード)の素子であり、例えば、GaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaP等の化合物半導体単結晶、又は、InGaN等の各種GaN系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
リードフレーム10は、一対の端子部、すなわち、LED素子2が載置、接続される端子部11と、ボンディングワイヤ2aを介してLED素子2に接続される端子部12とから構成される。
端子部11、12は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、42合金(Ni40.5%〜43%のFe合金)等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部11、12は、図3に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Sが形成されており、電気的に独立している。端子部11、12は、1枚の金属基板(銅板)をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部11は、図1に示すように、その表面にLED素子2が載置、接続されるLED端子面11aが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面11bが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部11は、LED素子2が載置されるため、端子部12に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部12は、その表面にLED素子2のボンディングワイヤ2aが接続されるLED端子面12aが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面12bが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部11、12は、その表面及び裏面にめっき層Cが形成されており(図6(e)参照)、表面側のめっき層Cは、LED素子2の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Cは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部11、12は、図3に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Mが設けられている。
凹部Mは、リードフレーム10の裏面側から見て、各端子部11、12の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部11、12の厚みの1/3〜2/3程度に形成されている。
リードフレーム10は、端子部11、12の周囲や、端子部11、12間の空隙部S等に、光反射樹脂層20を形成する樹脂が充填される場合に、図4に示すように、凹部Mにも樹脂が充填され、光反射樹脂層20と各端子部11、12との接触面積を大きくしている。また、厚み(Z)方向において、リードフレーム10と光反射樹脂層20とを交互に構成することができる。これにより、凹部Mは、光反射樹脂層20が、平面方向(X方向、Y方向)及び厚み方向において、リードフレーム10から剥離してしまうのを抑制することができる。
連結部13は、枠体F内に多面付けされた各リードフレーム10の端子部11、12を、隣接する他のリードフレーム10の端子部や、枠体Fに連結している。連結部13は、多面付けされた各リードフレーム10上にLED素子2等が搭載され、光半導体装置1の多面付け体(図7参照)が形成された場合に、リードフレーム10を形成する外形線(図3(a)及び図3(b)中の破線)でダイシング(切断)される。
連結部13は、端子部11、12を形成する各辺のうち、端子部11、12が対向する辺を除いた辺に形成されている。
具体的には、連結部13aは、図3(a)に示すように、端子部12の右(+X)側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の左(−X)側の辺とを接続し、また、端子部11の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の右側の辺とを接続している。枠体Fに隣接する端子部11、12に対しては、連結部13aは、端子部11の左側の辺又は端子部12の右側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13bは、端子部11の上(+Y)側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の下(−Y)側の辺とを接続し、また、端子部11の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の上側の辺とを接続する。枠体Fに隣接する端子部11に対しては、連結部13bは、端子部11の上側又は下側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13cは、端子部12の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の下側の辺とを接続し、また、端子部12の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の上側の辺とを接続する。枠体Fに隣接する端子部12に対しては、連結部13cは、端子部12の上側又は下側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13d(補強部)は、端子部11及び端子部12間の空隙部Sの延長上を横切るようにして形成される。ここで、空隙部Sの延長上とは、空隙部Sを上下(Y)方向に延長させた領域をいう。本実施形態では、連結部13dは、一の端子部(12、11)と、その端子部の空隙部Sを挟んだ対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部(11、12)とを連結するために、端子部11の上側の辺及び端子部12の下側の辺に対して、傾斜(例えば、45度)した形状に形成される。
具体的には、連結部13dは、端子部12の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の下側の辺とを接続し、また、端子部11の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の上側の辺とを接続する。また、枠体Fに隣接する端子部11、12に対しては、連結部13dは、端子部12の上側の辺又は端子部11の下側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13dが設けられることによって、リードフレームの多面付け体MSは、光反射樹脂層20を形成する工程において、端子部11と端子部12との間隔がずれたり、各端子部11、12が枠体Fに対して捩れたりするのを抑制することができる。また、連結部13dは、光半導体装置1の空隙部Sの強度を向上させることができ、空隙部Sにおいて破損してしまうのを抑制することができる。
なお、端子部11、12は、連結部13によって、隣り合う他のリードフレーム10の端子部11、12と電気的に導通されるが、光半導体装置1の多面付け体を形成した後に、光半導体装置1(リードフレーム10)の外形(図3(a)の破線)に合わせて各連結部13を切断(ダイシング)することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。
連結部13は、図3(b)、図3(c)に示すように、端子部11、12の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部11、12の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部13は、その裏面が、各端子部11、12の凹部Mの底面(窪んだ部分)と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層20の樹脂が充填された場合に、図4(b)、図4(c)に示すように、連結部13の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層20がリードフレーム10から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の裏面には、図4(b)に示すように、矩形状の外部端子面11b、12bが表出することとなり、光半導体装置1の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置1の面内(XY平面内)の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
リードフレームの多面付け体MSは、上述のリードフレーム10を枠体F内に多面付けしたものをいう。本実施形態では、図2及び図3に示すように、縦横に複数個、連結部13によって連結されたリードフレーム10の集合体Gを、複数組(本実施形態では4組)、左右方向に配列させて枠体F内に形成したものである。
枠体Fは、リードフレーム10の集合体G毎に、リードフレーム10を固定する部材である。枠体Fは、図3(b)〜図3(d)に示すように、その裏面全面が、端子部11、12の外部端子面11b、12bに対して窪むように段部Dが形成されている。より具体的には、枠体Fの段部Dは、その窪んだ面が、連結部13の裏面と同一平面を形成している。また、枠体Fには、図2、図3に示すように、その表面から裏面に貫通する孔部Hが複数形成されている。
孔部Hは、枠体Fの短辺に設けられた円形状の孔であり、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rに樹脂孔部h(後述する)を形成するために設けられる。
光反射樹脂層20は、図4に示すように、フレーム樹脂部20aと、リフレクタ樹脂部20bと、枠体樹脂部20cと、孔樹脂部20dとから構成される。
フレーム樹脂部20aは、端子部11、12の外周側面(リードフレーム10の外周及び空隙部S)だけでなく、各端子部に設けられた凹部Mや、連結部13の裏面にも形成される。
リフレクタ樹脂部20bは、リードフレーム10の表面側(リードフレーム10のLED素子2が接続される側)に突出するように形成され、リードフレーム10に接続されるLED素子2から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部20bは、端子部11、12のLED端子面11a、12aを囲むようにして、リードフレーム10の表面側に突出しており、LED端子面11aに接続されるLED素子2から発光する光を反射させて、光半導体装置1から光を効率よく照射させる。
リフレクタ樹脂部20bは、その外形が、枠体Fの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み(高さ)寸法が、LED端子面11aに接続されるLED素子2の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。
枠体樹脂部20cは、図4(b)〜図4(d)に示すように、枠体Fの段部Dに形成される樹脂層である。
ここで、リードフレーム10は銅などの金属により形成され、光反射樹脂層20は熱硬化性樹脂等の樹脂により形成され、また、両者の材料の線膨張率には差がある。リードフレームの多面付け体MSは、上述したように表面側にリフレクタ樹脂部20bが形成されることから裏面側に比べ表面側に樹脂が多く形成される。そのため、仮に、段部Dに枠体樹脂部20cが形成されていない場合、この樹脂の硬化過程において、上記線膨張率の差によって樹脂付きリードフレームの多面付け体Rに反りが発生してしまうこととなる。
上記反りの発生を抑制するために、光反射樹脂層20の樹脂中に特定のフィラー(粉末)を含有させて線膨張率を、リードフレーム10の金属に近づけることも可能である。しかし、光反射樹脂層20の光反射特性を維持するために、フィラーの含有量は制限されてしまい、樹脂の線膨張率を十分に金属に近づけられない場合がある。また、樹脂に熱可塑性樹脂を使用した場合は、線膨張率の調整自体をすることができない。
そのため、本実施形態では、枠体Fの裏面全面に枠体樹脂部20cが設けられているため、リードフレーム10の表面及び裏面に形成される樹脂の量を均等又は略均等にすることができる。これにより、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、樹脂の硬化過程において、上述の反りの発生を抑制することができる。
また、枠体樹脂部20cは、その裏面が、端子部11、12の外部端子面11b、12bと略同一平面に形成される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、その裏面が平坦となるので、特殊な固定治具を必要とすることなく、光半導体装置1の製造過程において、搬送装置等に載置することができる。
孔樹脂部20dは、枠体Fに設けられた孔部Hの内周側面に形成されており、図5に示すように、孔部Hを塞ぐことなく、表裏面に貫通する樹脂孔部hを形成している。また、孔樹脂部20dは、枠体樹脂部20cと結合しており、これにより、孔樹脂部20dが、枠体Fの孔部Hから剥離してしまうのを抑制することができる。
樹脂孔部hは、樹脂付きリードフレームの多面付け体R等を搬送するときに使用される搬送装置の搬送用ピンや、特定の装置に配置される場合に使用される位置決めピン等が挿入される孔である。
また、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、光半導体装置1の製造過程において、多様な装置等に配置されることとなるが、樹脂孔部hが形成されていることによって、光反射樹脂層20を基準として、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rのアライメントを行うことができる。このとき、樹脂孔部hは、貫通しているので、透過光によるより精度の高いアライメントに用いることができる。
ここで、樹脂付きリードフレームの多面付け体は、樹脂孔部hが形成されていない場合、すなわち孔部Hの内周側面に孔樹脂部20dが形成されていない場合、孔部Hの内周側面に金属面が表出する。そのため、樹脂付きリードフレームの多面付け体は、その搬送時等において、搬送用ピン等が孔部Hに挿入されることとなるが、孔部Hの内周側面と搬送用ピンとが摩擦接触し、孔部Hから金属粉が発生してしまう場合がある。この金属粉がリードフレームに付着すると、端子部11、12間を短絡させてしまう場合があり、LED素子2を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置が製造されてしまう要因となる。
そのため、本実施形態では、孔部Hの内周側面に孔樹脂部20dを形成し、孔部Hに搬送用ピン等が挿入されても、樹脂孔部hの内周側面が搬送用ピンと接触することとなり、上記金属粉の発生を防ぐことができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、上述したような不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
また、樹脂孔部hは、その内周側面が、枠体Fの孔部Hの内周側面に対して傾斜するように形成されている。具体的には、樹脂孔部hは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの表面側の孔径が、裏面側の孔径よりも小さくなるように、いわゆるテーパー状に形成される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの裏面側から樹脂孔部hに挿入された搬送用ピン等が、樹脂孔部hから容易に抜けるようにすることができる。
また、テーパー状に形成されることで、樹脂孔部hは、透過光による樹脂付きリードフレームの多面付け体Rのアライメントにおいて、その透過光が、枠体Fの表面側から樹脂孔部h内に対して照射された場合に、樹脂孔部hの内周側面に反射してしまうのを抑制することができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rのアライメント精度を向上させることができる。すなわち、樹脂孔部hを、透過光を発光する面側の孔径がカメラを設置する側の孔径よりも小さくなるようなテーパー状に形成すれば、透過光の過剰な反射がカメラ側に広がらないため、より検出精度を良くすることができる。
光反射樹脂層20は、リードフレーム10に載置されるLED素子2の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層20を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。更に、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
また、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
透明樹脂層30は、リードフレーム10上に載置されたLED素子2を保護するとともに、発光したLED素子2の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層30は、図1に示すように、光反射樹脂層20のリフレクタ樹脂部20bによって囲まれたLED端子面11a、12a上に形成される。
透明樹脂層30は、光の取り出し効率を向上させるために、LED素子2の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、LED素子2に高輝度LED素子を用いる場合、透明樹脂層30は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
次に、リードフレーム10の製造方法について説明する。
図6は、第1実施形態のリードフレーム10の製造過程を説明する図である。
図6(a)は、レジストパターンを形成した金属基板100を示す平面図と、その平面図のa−a断面図とを示す。図6(b)は、エッチング加工されている金属基板100を示す図である。図6(c)は、エッチング加工後の金属基板100を示す図である。図6(d)は、レジストパターンが除去された金属基板100を示す図である。図6(e)は、めっき処理が施された金属基板100を示す図である。
なお、図6においては、1枚のリードフレーム10の製造過程について図示するが、実際には、1枚の金属基板100からリードフレームの多面付け体MSが製造される。
リードフレーム10の製造において、金属基板100を加工してリードフレーム10を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム10の製造方法について説明する。
まず、平板状の金属基板100を用意し、図6(a)に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン40a、40bを形成する。なお、レジストパターン40a、40bの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図6(b)に示すように、レジストパターン40a、40bを耐エッチング膜として、金属基板100に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板100の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板100として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板100の両面からスプレーエッチングすることができる。
ここで、リードフレーム10には、端子部11、12の外周部や、各端子部11、12間の空隙部S、孔部Hのように貫通した空間と、凹部Mや、段部D、連結部13の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する(図3参照)。本実施形態では、金属基板100の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板100の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板100の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板100には、図6(c)に示すように、凹部Mが形成された端子部11、12が形成され、金属基板100上にリードフレーム10が形成される。
次に、図6(d)に示すように、金属基板100(リードフレーム10)からレジストパターン40を除去する。
そして、図6(e)に示すように、リードフレーム10が形成された金属基板100にめっき処理を行い、端子部11、12にめっき層Cを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Cを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Cを形成してもよい。
以上により、リードフレーム10は、図2及び図3に示すように、枠体Fに多面付けされた状態で製造される。なお、図2及び図3において、めっき層Cは省略されている。
次に、光半導体装置1の製造方法について説明する。
図7は、第1実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
図8は、第1実施形態の光半導体装置1の製造過程を説明する図である。
図8(a)は、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の断面図であり、図8(b)は、LED素子2が電気的に接続されたリードフレーム10の断面図を示す。図8(c)は、透明樹脂層30が形成されたリードフレーム10の断面図を示す。図8(d)は、ダイシングにより個片化された光半導体装置1の断面図を示す。
なお、図8においては、1台の光半導体装置1の製造過程について図示するが、実際には、1枚の金属基板100から複数の光半導体装置1が製造されるものとする。また、図8(a)〜(d)は、それぞれ図6(a)の断面図に基づくものである。
図8(a)に示すように、金属基板100上にエッチング加工により形成されたリードフレーム10の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層20を形成する。光反射樹脂層20は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形(射出成形)のように、樹脂成形金型にリードフレーム10(金属基板100)をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム10上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部11、12の外周側から凹部Mや、連結部13の裏面、枠体Fの段部D(裏面全面)へと流れ込み、フレーム樹脂部20aが形成され、リードフレーム10と接合する。
また、これと同時に、リフレクタ樹脂部20bが、リードフレームの表面側に突出して、各端子部11、12のLED端子面11a、12aを囲むようにして形成される。更に、枠体樹脂部20cが、枠体Fの裏面の全面に形成される。
このとき、枠体Fに設けられた孔部Hには、金型に形成された樹脂孔部hを成形するピン型が挿入されており、樹脂が、枠体Fの裏面から孔部Hとピン型との間に流れ込むことによって、孔部Hの内周側面に孔樹脂部20dが形成される。これにより、枠体Fの孔部Hには、樹脂孔部hが形成される。
以上により、図4に示すように、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが作製され、その表面及び裏面に、それぞれ、各端子部11、12のLED端子面11a、12aと、外部端子面11b、12bとが表出した状態となる(図4(a)、図4(b)参照)。
なお、樹脂孔部hが光反射樹脂層20の成形と同時に形成されることによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rに改めて樹脂孔部hを形成する工程を省略することができる。また、改めて樹脂孔部を形成した場合には、位置精度の加工公差が累積されてしまうため、樹脂孔部を用いた樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの位置決めや画像アライメントが必要となる工程において精度不足となる問題を生じるおそれがある。しかし、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rでは、このような問題の発生も防ぐことができる。
次に、図8(b)に示すように、端子部11のLED端子面11aに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してLED素子2を載置し、また、端子部12のLED端子面12aに、ボンディングワイヤ2aを介してLED素子2を電気的に接続する。ここで、LED素子2とボンディングワイヤ2aは複数あってもよく、一つのLED素子2に複数のボンディングワイヤ2aが接続されてもよく、ボンディングワイヤ2aをダイパッドに接続させてもよい。また、LED素子2を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ2aは、例えば、金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)等の導電性の良い材料からなる。
そして、図8(c)に示すように、リフレクタ樹脂部20bに囲まれたLED素子2を覆うようにして透明樹脂層30を形成する。
透明樹脂層30は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図7に示すように、光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図8(d)に示すように、光半導体装置1の外形(図7中の破線)に合わせて、光反射樹脂層20及び透明樹脂層30とともに、リードフレーム10の連結部13を切断(ダイシング、パンチング、カッティング等)して、1パッケージに分離(個片化)された光半導体装置1(図1参照)を得る。
次に、上述の図8(a)におけるリードフレーム10に光反射樹脂層20を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図9は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図9(a)は、金型の構成を説明する図であり、図9(b)〜図9(i)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
図10は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図10(a)〜図10(c)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図9及び図10において、説明を明確にするために、リードフレーム10の単体に対して光反射樹脂層20が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体MSに対して光反射樹脂層20が形成される。
(トランスファ成形)
トランスファ成形は、図9(a)に示すように、上型111及び下型112等から構成される金型110を使用する。
まず、作業者は、上型111及び下型112を加熱した後、図9(b)に示すように、上型111と下型112との間にリードフレームの多面付け体MSを配置するとともに、下型112に設けられたポット部112aに光反射樹脂層20を形成する樹脂を充填する。
そして、図9(c)に示すように、上型111及び下型112を閉じて(型締め)、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図9(d)及び図9(e)に示すように、プランジャー113によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型110内へと充填(トランスファ)させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。
所定の時間の経過後、図9(f)及び図9(g)に示すように、上型111及び下型112を開き、上型111に設けられたイジェクターピン111aにより、上型111から光反射樹脂層20が成形されたリードフレームの多面付け体MSを取り外す。その後、図9(h)に示すように、上型111の流路(ランナー)部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図9(i)に示すように、光反射樹脂層20が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成する。
(インジェクション成形)
インジェクション成形は、図10(a)に示すように、上から順に、ノズルプレート121、スプループレート122、ランナープレート123(上型)、下型124等から構成される金型120を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート123及び下型124間にリードフレームの多面付け体MSを配置して、金型120を閉じる(型締め)。
そして、図10(b)に示すように、ノズル125をノズルプレート121のノズル穴に配置して、光反射樹脂層20を形成する樹脂を金型120内に射出する。ノズル125から射出された樹脂は、スプループレート122のスプルー122aを通過し、ランナープレート123のランナー123a及びゲートスプルー123bを通過した上で、リードフレームの多面付け体MSが配置された金型120内へと樹脂が充填される。
樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図10(c)に示すように、ランナープレート123を下型124から開き、下型124に設けられたイジェクターピン124aによって、光反射樹脂層20が形成されたリードフレームの多面付け体MSを下型124から取り外す。そして、光反射樹脂層20が形成されたリードフレームの多面付け体MSから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成する。
なお、本実施形態のインジェクション成形の金型120は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体MSに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体MSの各リードフレーム10に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを得ることができる。
電子線硬化樹脂を用いる場合、成形加工後に電子線を照射させることとなるが、この電子線は、被照射物の比重が大きいと透過率が下がるため、樹脂に比べて金属を透過しにくい。このため、板厚方向に電子線を照射することで、電子線硬化した樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを得ることができる。
本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
(1)樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、孔部Hの内周側面に樹脂孔部hが形成されるので、搬送装置の搬送用ピン等が孔部Hの内周側面の金属面と摩擦接触し、金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、LED素子2を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置1が製造されてしまうのを抑制することができる。
電子線硬化樹脂を用いた場合、孔樹脂部20dは電子線が金属部分を透過しない構造のため、孔部Hの深さ方向に対して、均一にかつ強固に硬化させることができる。これにより、搬送用ピンなどの金属と直接摩擦接触する孔樹脂部20dが光半導体装置部分よりも強固に硬化されるため、樹脂の摩耗などによる異物発生や、孔樹脂部20dの変形を効果的に防ぐことができる。
(2)樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、枠体Fの孔部Hの内周側面に形成され樹脂孔部hの内周側面が、孔部Hの内周側面に対して傾斜しているので、樹脂孔部hに挿入された搬送装置の搬送用ピン等の抜けを容易にすることができる。
また、透過光による樹脂付きリードフレームの多面付け体Rのアライメントにおいて、センサの透過光が、枠体Fの表面側から樹脂孔部h内に対して照射された場合に、樹脂孔部hの内周側面に反射してしまうのを抑制することができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rのアライメント精度を向上させることができる。
(3)樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、枠体Fの裏面に形成される枠体樹脂部20cが、孔部Hの内周側面に形成される孔樹脂部20dと結合しているので、孔樹脂部20dが枠体Fから剥離してしまうのを抑制することができる。
また、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、枠体Fの裏面に光反射樹脂層20が形成されていることによって、光反射樹脂層20の硬化過程において、リフレクタ樹脂部20bの存在により樹脂付きリードフレームに反りが生じてしまうのを抑制することができる。
(4)樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、枠体Fの裏面が、端子部11、12の裏面に対して窪む段部Dが形成され、その段部Dに枠体樹脂部20cが形成されるので、樹脂付きリードフレームの多面付け体の裏面を平坦にすることができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、光半導体装置1の製造過程において、特殊な固定治具を必要とすることなく、搬送装置等に載置することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図11は、第2実施形態のリードフレームの多面付け体MSの全体図である。
図12は、第2実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。図12(a)、図12(b)は、それぞれリードフレームの多面付け体MSの平面図、裏面図を示し、図12(c)、図12(d)、図12(e)は、それぞれ図12(a)のc−c断面図、d−d断面図、e−e断面図を示す。
図13は、第2実施形態の光反射樹脂層20が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。
図13(a)、図13(b)は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図を示し、図13(c)、図13(d)、図13(e)は、それぞれ図13(a)のc−c断面図と、d−d断面図、e−e断面図を示す。
図14は、第2実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rに形成された樹脂孔部h及び孔部H2の詳細を説明する図である。図14(a)は、図13(d)のA部詳細図であり、図14(b)は、図13(e)のB部詳細図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第2実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、枠体Fの裏面に形成される孔部の構成が、第1実施形態の孔部Hの構成と相違する。
枠体Fは、図11に示すように、その表裏面に貫通する孔部H1及び孔部H2が複数形成されている。また、枠体Fは、図12に示すように、その裏面に、孔部H2の外周縁を避けるようにして、外部端子面11b、12bに対して窪むように段部Dが形成されている。
枠体Fの段部Dは、その窪んだ面が、連結部13の裏面と同一平面を形成するように形成されている。
孔部H1は、枠体Fの短辺に設けられた孔であり、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rに樹脂孔部hを形成するために設けられる。
孔部H2は、枠体Fの長辺に設けられた孔であり、リードフレームの多面付け体MS(枠体F)を基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Rのアライメントを行うために設けられる。
枠体樹脂部220cは、図13に示すように、枠体Fの裏面に形成される樹脂であり、孔部H2の外周縁を除いた段部Dに形成されている。つまり、枠体樹脂部220cの端部と孔部H2とが離間している。そのため、枠体樹脂部220cは、孔部H2内には形成されず、孔部H2の内周側面には、枠体Fの金属面が表出することとなる。これにより、孔部H2は、リードフレームの多面付け体MSを基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Rのアライメントを行うことができる。孔部H2は、孔部H1(樹脂孔部h)と同様に貫通しているので、透過光による高精度なアライメントに用いることができる。
以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、上述の第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rと同様の効果を奏することができる。
また、樹脂つきリードフレームの多面付け体Rは、枠体Fに孔部H2を有しているので、リードフレームの多面付け体MSを基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Rのアライメントを行うことができる。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図15は、第3実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。図15(a)、図15(b)は、それぞれリードフレームの多面付け体MSの平面図、裏面図を示し、図15(c)、図15(d)、図15(e)は、それぞれ図15(a)のc−c断面図、d−d断面図、e−e断面図を示す。
図16は、第3実施形態の光反射樹脂層20が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。
図16(a)、図16(b)は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図を示し、図16(c)、図16(d)、図16(e)は、それぞれ図16(a)のc−c断面図と、d−d断面図、e−e断面図を示す。
図17は、第3実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rに形成された樹脂孔部h及び孔部H2の詳細を説明する図である。図17(a)は、図16(d)のA部詳細図であり、図17(b)は、図16(e)のB部詳細図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第3実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、リードフレームの多面付け体MSの構成が、第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rと相違する。
リードフレームの多面付け体MSは、リードフレーム10を枠体F内に多面付けしたものである。本実施形態では、縦横に複数個、連結部13によって連結されたリードフレーム10の集合体Gを、複数組(本実施形態では4組)、左右方向に配列させて枠体F内に形成したものである(図2参照)。
枠体Fは、図15に示すように、リードフレーム10の集合体G毎に、リードフレーム10を固定する部材であり、その外形が矩形状に形成されている。また、枠体Fは、集合体G内に、複数のリードフレーム10を連結する治具孔プレート14を備えている。枠体Fは、リードフレームの多面付け体MSの製品となる部分(端子部11や端子部12)以外の部分をいい、治具孔プレート14も枠体Fの一部となる。
枠体Fは、その短手方向の辺(短辺)上に、その表裏面に貫通する孔部H2が複数形成されている。また、枠体Fは、その裏面に、孔部H2の外周縁を避けるようにして、外部端子面11b、12bに対して窪むように段部Dが形成されている。
枠体Fの段部Dは、その窪んだ面が、連結部13の裏面と同一平面を形成している。
治具孔プレート14は、複数のリードフレーム10を、連結部13を介して連結する枠体Fの一部である。治具孔プレート14は、矩形状に形成され、その中央部に表裏面に貫通する孔部H1が形成されている。治具孔プレート14は、その表面が、LED端子面11a、12aと同一平面内に形成され、その裏面の全面が、連結部13の裏面と同一平面内に形成されている。なお、治具孔プレート14は、その裏面の一部が、連結部13の裏面と同一平面内に形成されるようにしてもよいが、裏面の全面を同一平面内にした場合のほうが、リードフレームの多面付け体MSに対する樹脂の回り込みがより良くなる。
治具孔プレート14は、集合体Gの領域内に設けられることによって、特にリードフレームの多面付け体MSの外形が大きく、位置決め箇所が多く必要な場合においても、リードフレーム10の近傍の点を基点として、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを、精度よく搬送装置等に対して位置決めしたり、アライメントしたりすることができる。なお、治具孔プレート14は、集合体Gの領域内に1つだけでなく、複数設けるようにしてもよい。
孔部H1は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rに樹脂孔部hを形成するために設けられる。
孔部H2は、枠体Fの短辺に設けられた孔であり、リードフレームの多面付け体MS(枠体F)を基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Rのアライメントを行うために設けられる。
フレーム樹脂部320aは、図16に示すように、端子部11、12の外周側面(リードフレーム10の外周及び空隙部S)だけでなく、各端子部に設けられた凹部Mや、連結部13の裏面、治具孔プレート14の裏面にも形成される。
枠体樹脂部320cは、枠体Fの裏面に形成される樹脂であり、孔部H2の外周縁を除いた段部Dに形成されている。つまり、図17(b)に示すように、枠体樹脂部320cの端部と孔部H2とが離間している。そのため、枠体樹脂部320cは、孔部H2内には形成されず、孔部H2の内周側面には、枠体Fの金属面が表出することとなる。これにより、孔部H2は、リードフレームの多面付け体MSを基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Rのアライメントを行うことができる。孔部H2は、孔部H1(樹脂孔部h)と同様に貫通しているので、透過光による高精度なアライメントに用いることができる。
孔樹脂部320dは、治具孔プレート14に設けられた孔部H1の内周側面に形成されており、図17(a)に示すように、孔部Hを塞ぐことなく、表裏面に貫通する樹脂孔部hを形成している。また、孔樹脂部320dは、フレーム樹脂部320aと結合しており、これにより、孔樹脂部320dが、治具孔プレート14の孔部H1から剥離してしまうのを抑制することができる。
樹脂孔部hは、樹脂付きリードフレームの多面付け体R等を搬送するときに使用される搬送装置等の位置決めピン等が挿入されたり、光反射樹脂層20を基準として、透過光による樹脂付きリードフレームの多面付け体Rのアライメントを行ったりするのに使用される。樹脂孔部hは、その内周側面が、孔部H1の内周側面と平行になるように形成されている。
以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、上述の第1実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Rと同様の効果を奏することができる。
また、Rは、枠体Fの治具孔プレート14に孔部H1が設けられ、その内周側面に樹脂孔部hが形成されているので、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの外形が大きく、位置決め箇所が多く必要な場合においても、リードフレーム10の近傍の点を基点として、搬送装置等に対する位置決めや、アライメントを精度よく行うことができる。
更に、樹脂つきリードフレームの多面付け体Rは、枠体Fに孔部H2を有しているので、リードフレームの多面付け体MSを基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Rのアライメントを行うことができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。
図18は、変形形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
(変形形態)
(1)第1実施形態、第2実施形態において、樹脂孔部hは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの表面側の孔径が、裏面側の孔径よりも小さくなるように形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、樹脂孔部hは、表面側の孔径が裏面側の孔径よりも大きくなるように形成してもよい。なお、この場合、搬送用ピンの挿入は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの表面側から行い、透過光による位置決めのセンサ光の入射は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの裏面側から行う必要がある。
(2)第1実施形態において、枠体Fの裏面に段部Dを形成し、その段部Dに枠体樹脂部20cを形成する例を示したが、これに限定されない。例えば、段部Dを設けずに、端子部と同等の厚みに形成された枠体Fの裏面に枠体樹脂部20cを設けることも可能である。この場合、枠体樹脂部20cの厚みを適宜変更することにより、リードフレーム10の表面及び裏面に形成される樹脂の量を、第1実施形態の場合よりも均等になるように近づけることができ、反り抑制の効果を向上させることができる。
(3)各実施形態において、枠体樹脂部20cは、枠体Fの裏面に全面若しくは略全面に形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、枠体樹脂部20cは、孔樹脂部20dを形成する必要がある孔部Hに対応した部分にのみ設けるようにしてもよい。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体の光反射樹脂層20を形成する樹脂の量を削減することができる。
(4)各実施形態において、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、枠体樹脂部20cを備える例を示したが、これに限定されない。枠体樹脂部を設けずに、孔部Hの内周側面にのみ孔樹脂部が形成されるようにしてもよい。
(5)第1実施形態、第2実施形態において、樹脂孔部hは、その内周側面が、孔部Hの内周側面に対して傾斜する、いわゆるテーパーが形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、樹脂孔部hは、その内周側面が、孔部Hの内周側面と平行になるように形成してもよい。
また、第3実施形態の樹脂孔部hは、その内周側面が、孔部H1の内周側面に対して傾斜する、いわゆるテーパーが形成されるようにしてもよい。
更に、各実施形態において、樹脂孔部hは、円形状の孔である例を示したが、これに限定されるものでなく、楕円や、矩形状等の多角形状の孔であってもよい。
(6)各実施形態においては、リードフレーム10は、端子部11及び端子部12を備える例を示したが、リードフレームは、3以上の端子部を備えていてもよい。例えば、図18に示すように、端子部を3つ設け、その1つ(211)にはLED素子2を実装し、他の2つ(212)にはボンディングワイヤ2aを介してLED素子2と接続してもよい。
(7)各実施形態において、リードフレーム10は、LED素子2を載置、接続するダイパッドとなる端子部11と、LED素子2とボンディングワイヤ2aを介して接続されるリード側端子部となる端子部12とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、LED素子2が2つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、2つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
(8)各実施形態においては、リードフレーム10は、LED素子2等の光半導体素子を接続する光半導体装置1に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。
1 光半導体装置
2 LED素子
10 リードフレーム
11 端子部
12 端子部
13 連結部
20 光反射樹脂層
20a フレーム樹脂部
20b リフレクタ樹脂部
20c 枠体樹脂部
20d 孔樹脂部
30 透明樹脂層
D 段部
F 枠体
G 集合体
H 孔部
h 樹脂孔部
M 凹部
MS リードフレームの多面付け体
R 樹脂付きリードフレームの多面付け体
S 空隙部

Claims (6)

  1. 互いに絶縁する複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つの表面に光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられるリードフレームが、孔部を有する枠体に多面付けされたリードフレームの多面付け体と、
    前記リードフレームの外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部と、前記孔部の内周側面に形成され、樹脂孔部を形成する孔樹脂部とから構成される樹脂層と、
    を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  2. 請求項1に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
    前記樹脂孔部は、その内周側面が、前記孔部の内周側面に対して傾斜していること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
    前記樹脂層は、前記枠体の裏面の少なくとも一部に形成される枠体樹脂部を備え、前記枠体樹脂部と前記孔樹脂部とが結合していること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  4. 請求項3に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
    前記枠体は、その裏面の少なくとも一部が、前記端子部の裏面に対して窪んでおり、
    前記枠体樹脂部は、前記枠体の窪んだ部分に形成されること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  5. 請求項4に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
    前記孔部は、前記枠体に対して複数設けられ、
    前記枠体は、前記孔部のうち少なくとも1つの外周縁を避けるようにして窪んでいること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  6. 請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体と、
    前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
    前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
    を特徴とする光半導体装置の多面付け体。
JP2013026579A 2013-02-14 2013-02-14 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 Expired - Fee Related JP6064649B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013026579A JP6064649B2 (ja) 2013-02-14 2013-02-14 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013026579A JP6064649B2 (ja) 2013-02-14 2013-02-14 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014157855A true JP2014157855A (ja) 2014-08-28
JP6064649B2 JP6064649B2 (ja) 2017-01-25

Family

ID=51578573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013026579A Expired - Fee Related JP6064649B2 (ja) 2013-02-14 2013-02-14 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6064649B2 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01152735A (ja) * 1987-12-10 1989-06-15 Sanken Electric Co Ltd 樹脂封止型電子部品の製造方法
JPH04271153A (ja) * 1991-02-27 1992-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子の製造方法
JPH065645A (ja) * 1992-06-23 1994-01-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子の樹脂成形方法
JP2001338940A (ja) * 2000-05-30 2001-12-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体icの樹脂モールド装置および樹脂モールド方法
JP2007088160A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Sharp Corp 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、及び電子機器
JP2011108941A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Mitsui High Tec Inc リードフレームおよびその製造方法、ならびにそのリードフレームを用いた半導体装置の製造方法
JP2011151102A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Apic Yamada Corp リードフレーム及びリードフレームの製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01152735A (ja) * 1987-12-10 1989-06-15 Sanken Electric Co Ltd 樹脂封止型電子部品の製造方法
JPH04271153A (ja) * 1991-02-27 1992-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子の製造方法
JPH065645A (ja) * 1992-06-23 1994-01-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子の樹脂成形方法
JP2001338940A (ja) * 2000-05-30 2001-12-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体icの樹脂モールド装置および樹脂モールド方法
JP2007088160A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Sharp Corp 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、及び電子機器
JP2011108941A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Mitsui High Tec Inc リードフレームおよびその製造方法、ならびにそのリードフレームを用いた半導体装置の製造方法
JP2011151102A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Apic Yamada Corp リードフレーム及びリードフレームの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6064649B2 (ja) 2017-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6209826B2 (ja) リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6197297B2 (ja) リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6115671B2 (ja) リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置
JP6167556B2 (ja) リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2014116579A (ja) 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6171360B2 (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置
JP5884789B2 (ja) リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2014138088A (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体
JP6064649B2 (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体
JP2017027991A (ja) 樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム用金型
JP6065599B2 (ja) リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体
JP2014060370A (ja) 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2015038917A (ja) リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6111683B2 (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体
JP6264777B2 (ja) 樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体の製造方法、光半導体装置の製造方法
JP2015032699A (ja) リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置
JP6311250B2 (ja) リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体
JP6201335B2 (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体
JP6115058B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6311240B2 (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体
JP6172253B2 (ja) リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置
JP6375753B2 (ja) リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体
JP6136345B2 (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体
JP2016030338A (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体の製造方法、それに使用される射出成形用金型、リードフレームの多面付け体
JP6020246B2 (ja) 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151208

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160830

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20160928

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161028

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161205

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6064649

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees