JP2014157855A - 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 - Google Patents
樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014157855A JP2014157855A JP2013026579A JP2013026579A JP2014157855A JP 2014157855 A JP2014157855 A JP 2014157855A JP 2013026579 A JP2013026579 A JP 2013026579A JP 2013026579 A JP2013026579 A JP 2013026579A JP 2014157855 A JP2014157855 A JP 2014157855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- frame
- hole
- optical semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】孔部の内周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体を提供する。
【解決手段】樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、互いに絶縁する複数の端子部１１、１２を有し、端子部１１、１２のうち少なくとも一つの表面にＬＥＤ素子２が接続される光半導体装置１に用いられるリードフレーム１０が、孔部Ｈを有する枠体Ｆに多面付けされたリードフレームの多面付け体ＭＳと、リードフレームの外周側面及び端子部１１、１２間に形成されるフレーム樹脂部２０ａと、孔部Ｈの内周側面に形成され、樹脂孔部ｈを形成する孔樹脂部２０ｄとから構成される光反射樹脂層２０とを備える。
【選択図】図４
【解決手段】樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、互いに絶縁する複数の端子部１１、１２を有し、端子部１１、１２のうち少なくとも一つの表面にＬＥＤ素子２が接続される光半導体装置１に用いられるリードフレーム１０が、孔部Ｈを有する枠体Ｆに多面付けされたリードフレームの多面付け体ＭＳと、リードフレームの外周側面及び端子部１１、１２間に形成されるフレーム樹脂部２０ａと、孔部Ｈの内周側面に形成され、樹脂孔部ｈを形成する孔樹脂部２０ｄとから構成される光反射樹脂層２０とを備える。
【選択図】図４
Description
本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用の樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体に関するものである。
従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
このような光半導体装置の中には、端子部を覆う樹脂層が、光半導体素子を囲むようにして、光半導体素子の搭載面から突出するようにリフレクタが形成され、光半導体素子から発光する光の方向等を制御するものがある。このような光半導体装置は、多面付けされたリードフレーム（リードフレームの多面付け体）に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、光半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって同時に複数製造される。
ここで、光半導体装置の製造過程において製造される樹脂付きリードフレームの多面付け体のなかには、枠体の一部に、搬送や位置決めに使用する孔部が形成されているものがある。このような樹脂付きリードフレームの多面付け体は、その孔部の内周側面に枠体の金属面が表出しており、搬送用ピン等がその孔部に挿入された場合に、ピンと枠体の金属面とが摩擦接触し、孔部の内周側面から金属粉が発生してしまう場合があった。この金属粉がリードフレームの端子部に付着すると、端子部間を短絡させてしまう場合があり、光半導体素子を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまう要因となっていた。
このような光半導体装置の中には、端子部を覆う樹脂層が、光半導体素子を囲むようにして、光半導体素子の搭載面から突出するようにリフレクタが形成され、光半導体素子から発光する光の方向等を制御するものがある。このような光半導体装置は、多面付けされたリードフレーム（リードフレームの多面付け体）に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、光半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって同時に複数製造される。
ここで、光半導体装置の製造過程において製造される樹脂付きリードフレームの多面付け体のなかには、枠体の一部に、搬送や位置決めに使用する孔部が形成されているものがある。このような樹脂付きリードフレームの多面付け体は、その孔部の内周側面に枠体の金属面が表出しており、搬送用ピン等がその孔部に挿入された場合に、ピンと枠体の金属面とが摩擦接触し、孔部の内周側面から金属粉が発生してしまう場合があった。この金属粉がリードフレームの端子部に付着すると、端子部間を短絡させてしまう場合があり、光半導体素子を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまう要因となっていた。
本発明の課題は、孔部の内周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体を提供することである。
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。
第１の発明は、互いに絶縁する複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つの表面に光半導体素子（２）が接続される光半導体装置（１）に用いられるリードフレーム（１０）が、孔部（Ｈ）を有する枠体（Ｆ）に多面付けされたリードフレームの多面付け体（ＭＳ）と、前記リードフレームの外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部（２０ａ）と、前記孔部の内周側面に形成され、樹脂孔部（ｈ）を形成する孔樹脂部（２０ｄ）とから構成される樹脂層（２０）と、を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）である。
第２の発明は、第１の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記樹脂孔部（ｈ）は、その内周側面が、前記孔部（Ｈ）の内周側面に対して傾斜していること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記樹脂層（２０）は、前記枠体（Ｆ）の裏面の少なくとも一部に形成される枠体樹脂部（２０ｃ）を備え、前記枠体樹脂部と前記孔樹脂部（２０ｄ）とが結合していること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第４の発明は、第３の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記枠体（Ｆ）は、その裏面の少なくとも一部が、前記端子部（１１、１２）の裏面に対して窪んでおり、前記枠体樹脂部（２０ｃ）は、前記枠体の窪んだ部分に形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第５の発明は、第４の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記孔部（Ｈ１、Ｈ２）は、前記枠体（Ｆ）に対して複数設けられ、前記枠体は、前記孔部のうち少なくとも１つ（Ｈ２）の外周縁を避けるようにして窪んでいること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第２の発明は、第１の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記樹脂孔部（ｈ）は、その内周側面が、前記孔部（Ｈ）の内周側面に対して傾斜していること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記樹脂層（２０）は、前記枠体（Ｆ）の裏面の少なくとも一部に形成される枠体樹脂部（２０ｃ）を備え、前記枠体樹脂部と前記孔樹脂部（２０ｄ）とが結合していること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第４の発明は、第３の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記枠体（Ｆ）は、その裏面の少なくとも一部が、前記端子部（１１、１２）の裏面に対して窪んでおり、前記枠体樹脂部（２０ｃ）は、前記枠体の窪んだ部分に形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第５の発明は、第４の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記孔部（Ｈ１、Ｈ２）は、前記枠体（Ｆ）に対して複数設けられ、前記枠体は、前記孔部のうち少なくとも１つ（Ｈ２）の外周縁を避けるようにして窪んでいること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第６の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレーム（１０）の前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。
本発明によれば、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体は、孔部の内周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。
（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの全体図である。
図３は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図４は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。
図４（ａ）、図４（ｂ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図４（ｃ）、図４（ｄ）は、それぞれ図４（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図を示す。
図５は、第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに形成された樹脂孔部ｈの詳細を説明する図であり、図４（ｄ）のＡ部詳細図である。
各図において、光半導体装置１、リードフレームの多面付け体ＭＳ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの全体図である。
図３は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図４は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。
図４（ａ）、図４（ｂ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図４（ｃ）、図４（ｄ）は、それぞれ図４（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図を示す。
図５は、第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに形成された樹脂孔部ｈの詳細を説明する図であり、図４（ｄ）のＡ部詳細図である。
各図において、光半導体装置１、リードフレームの多面付け体ＭＳ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。
光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（リードフレームの多面付け体ＭＳ、図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図４参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（リードフレームの多面付け体ＭＳ、図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図４参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、図３に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、図３に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図６（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図６（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部１１、１２は、図３に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓ等に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図４に示すように、凹部Ｍにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に構成することができる。これにより、凹部Ｍは、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
連結部１３は、枠体Ｆ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を、隣接する他のリードフレーム１０の端子部や、枠体Ｆに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図７参照）が形成された場合に、リードフレーム１０を形成する外形線（図３（ａ）及び図３（ｂ）中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺に形成されている。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺に形成されている。
具体的には、連結部１３ａは、図３（ａ）に示すように、端子部１２の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の左（−Ｘ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の右側の辺とを接続している。枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ａは、端子部１１の左側の辺又は端子部１２の右側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１１に対しては、連結部１３ｂは、端子部１１の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｄ（補強部）は、端子部１１及び端子部１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして形成される。ここで、空隙部Ｓの延長上とは、空隙部Ｓを上下（Ｙ）方向に延長させた領域をいう。本実施形態では、連結部１３ｄは、一の端子部（１２、１１）と、その端子部の空隙部Ｓを挟んだ対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部（１１、１２）とを連結するために、端子部１１の上側の辺及び端子部１２の下側の辺に対して、傾斜（例えば、４５度）した形状に形成される。
具体的には、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。また、枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺又は端子部１１の下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
具体的には、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。また、枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺又は端子部１１の下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｄが設けられることによって、リードフレームの多面付け体ＭＳは、光反射樹脂層２０を形成する工程において、端子部１１と端子部１２との間隔がずれたり、各端子部１１、１２が枠体Ｆに対して捩れたりするのを抑制することができる。また、連結部１３ｄは、光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上させることができ、空隙部Ｓにおいて破損してしまうのを抑制することができる。
なお、端子部１１、１２は、連結部１３によって、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１（リードフレーム１０）の外形（図３（ａ）の破線）に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。
連結部１３は、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の凹部Ｍの底面（窪んだ部分）と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図４（ｂ）、図４（ｃ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図４（ｂ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図４（ｂ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述のリードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものをいう。本実施形態では、図２及び図３に示すように、縦横に複数個、連結部１３によって連結されたリードフレーム１０の集合体Ｇを、複数組（本実施形態では４組）、左右方向に配列させて枠体Ｆ内に形成したものである。
枠体Ｆは、リードフレーム１０の集合体Ｇ毎に、リードフレーム１０を固定する部材である。枠体Ｆは、図３（ｂ）〜図３（ｄ）に示すように、その裏面全面が、端子部１１、１２の外部端子面１１ｂ、１２ｂに対して窪むように段部Ｄが形成されている。より具体的には、枠体Ｆの段部Ｄは、その窪んだ面が、連結部１３の裏面と同一平面を形成している。また、枠体Ｆには、図２、図３に示すように、その表面から裏面に貫通する孔部Ｈが複数形成されている。
孔部Ｈは、枠体Ｆの短辺に設けられた円形状の孔であり、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに樹脂孔部ｈ（後述する）を形成するために設けられる。
枠体Ｆは、リードフレーム１０の集合体Ｇ毎に、リードフレーム１０を固定する部材である。枠体Ｆは、図３（ｂ）〜図３（ｄ）に示すように、その裏面全面が、端子部１１、１２の外部端子面１１ｂ、１２ｂに対して窪むように段部Ｄが形成されている。より具体的には、枠体Ｆの段部Ｄは、その窪んだ面が、連結部１３の裏面と同一平面を形成している。また、枠体Ｆには、図２、図３に示すように、その表面から裏面に貫通する孔部Ｈが複数形成されている。
孔部Ｈは、枠体Ｆの短辺に設けられた円形状の孔であり、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに樹脂孔部ｈ（後述する）を形成するために設けられる。
光反射樹脂層２０は、図４に示すように、フレーム樹脂部２０ａと、リフレクタ樹脂部２０ｂと、枠体樹脂部２０ｃと、孔樹脂部２０ｄとから構成される。
フレーム樹脂部２０ａは、端子部１１、１２の外周側面（リードフレーム１０の外周及び空隙部Ｓ）だけでなく、各端子部に設けられた凹部Ｍや、連結部１３の裏面にも形成される。
リフレクタ樹脂部２０ｂは、リードフレーム１０の表面側（リードフレーム１０のＬＥＤ素子２が接続される側）に突出するように形成され、リードフレーム１０に接続されるＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部２０ｂは、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出しており、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。
リフレクタ樹脂部２０ｂは、その外形が、枠体Ｆの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み（高さ）寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。
フレーム樹脂部２０ａは、端子部１１、１２の外周側面（リードフレーム１０の外周及び空隙部Ｓ）だけでなく、各端子部に設けられた凹部Ｍや、連結部１３の裏面にも形成される。
リフレクタ樹脂部２０ｂは、リードフレーム１０の表面側（リードフレーム１０のＬＥＤ素子２が接続される側）に突出するように形成され、リードフレーム１０に接続されるＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部２０ｂは、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出しており、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。
リフレクタ樹脂部２０ｂは、その外形が、枠体Ｆの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み（高さ）寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。
枠体樹脂部２０ｃは、図４（ｂ）〜図４（ｄ）に示すように、枠体Ｆの段部Ｄに形成される樹脂層である。
ここで、リードフレーム１０は銅などの金属により形成され、光反射樹脂層２０は熱硬化性樹脂等の樹脂により形成され、また、両者の材料の線膨張率には差がある。リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述したように表面側にリフレクタ樹脂部２０ｂが形成されることから裏面側に比べ表面側に樹脂が多く形成される。そのため、仮に、段部Ｄに枠体樹脂部２０ｃが形成されていない場合、この樹脂の硬化過程において、上記線膨張率の差によって樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに反りが発生してしまうこととなる。
ここで、リードフレーム１０は銅などの金属により形成され、光反射樹脂層２０は熱硬化性樹脂等の樹脂により形成され、また、両者の材料の線膨張率には差がある。リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述したように表面側にリフレクタ樹脂部２０ｂが形成されることから裏面側に比べ表面側に樹脂が多く形成される。そのため、仮に、段部Ｄに枠体樹脂部２０ｃが形成されていない場合、この樹脂の硬化過程において、上記線膨張率の差によって樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに反りが発生してしまうこととなる。
上記反りの発生を抑制するために、光反射樹脂層２０の樹脂中に特定のフィラー（粉末）を含有させて線膨張率を、リードフレーム１０の金属に近づけることも可能である。しかし、光反射樹脂層２０の光反射特性を維持するために、フィラーの含有量は制限されてしまい、樹脂の線膨張率を十分に金属に近づけられない場合がある。また、樹脂に熱可塑性樹脂を使用した場合は、線膨張率の調整自体をすることができない。
そのため、本実施形態では、枠体Ｆの裏面全面に枠体樹脂部２０ｃが設けられているため、リードフレーム１０の表面及び裏面に形成される樹脂の量を均等又は略均等にすることができる。これにより、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、樹脂の硬化過程において、上述の反りの発生を抑制することができる。
そのため、本実施形態では、枠体Ｆの裏面全面に枠体樹脂部２０ｃが設けられているため、リードフレーム１０の表面及び裏面に形成される樹脂の量を均等又は略均等にすることができる。これにより、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、樹脂の硬化過程において、上述の反りの発生を抑制することができる。
また、枠体樹脂部２０ｃは、その裏面が、端子部１１、１２の外部端子面１１ｂ、１２ｂと略同一平面に形成される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、その裏面が平坦となるので、特殊な固定治具を必要とすることなく、光半導体装置１の製造過程において、搬送装置等に載置することができる。
孔樹脂部２０ｄは、枠体Ｆに設けられた孔部Ｈの内周側面に形成されており、図５に示すように、孔部Ｈを塞ぐことなく、表裏面に貫通する樹脂孔部ｈを形成している。また、孔樹脂部２０ｄは、枠体樹脂部２０ｃと結合しており、これにより、孔樹脂部２０ｄが、枠体Ｆの孔部Ｈから剥離してしまうのを抑制することができる。
樹脂孔部ｈは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ等を搬送するときに使用される搬送装置の搬送用ピンや、特定の装置に配置される場合に使用される位置決めピン等が挿入される孔である。
また、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、光半導体装置１の製造過程において、多様な装置等に配置されることとなるが、樹脂孔部ｈが形成されていることによって、光反射樹脂層２０を基準として、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うことができる。このとき、樹脂孔部ｈは、貫通しているので、透過光によるより精度の高いアライメントに用いることができる。
樹脂孔部ｈは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ等を搬送するときに使用される搬送装置の搬送用ピンや、特定の装置に配置される場合に使用される位置決めピン等が挿入される孔である。
また、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、光半導体装置１の製造過程において、多様な装置等に配置されることとなるが、樹脂孔部ｈが形成されていることによって、光反射樹脂層２０を基準として、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うことができる。このとき、樹脂孔部ｈは、貫通しているので、透過光によるより精度の高いアライメントに用いることができる。
ここで、樹脂付きリードフレームの多面付け体は、樹脂孔部ｈが形成されていない場合、すなわち孔部Ｈの内周側面に孔樹脂部２０ｄが形成されていない場合、孔部Ｈの内周側面に金属面が表出する。そのため、樹脂付きリードフレームの多面付け体は、その搬送時等において、搬送用ピン等が孔部Ｈに挿入されることとなるが、孔部Ｈの内周側面と搬送用ピンとが摩擦接触し、孔部Ｈから金属粉が発生してしまう場合がある。この金属粉がリードフレームに付着すると、端子部１１、１２間を短絡させてしまう場合があり、ＬＥＤ素子２を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置が製造されてしまう要因となる。
そのため、本実施形態では、孔部Ｈの内周側面に孔樹脂部２０ｄを形成し、孔部Ｈに搬送用ピン等が挿入されても、樹脂孔部ｈの内周側面が搬送用ピンと接触することとなり、上記金属粉の発生を防ぐことができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、上述したような不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
そのため、本実施形態では、孔部Ｈの内周側面に孔樹脂部２０ｄを形成し、孔部Ｈに搬送用ピン等が挿入されても、樹脂孔部ｈの内周側面が搬送用ピンと接触することとなり、上記金属粉の発生を防ぐことができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、上述したような不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
また、樹脂孔部ｈは、その内周側面が、枠体Ｆの孔部Ｈの内周側面に対して傾斜するように形成されている。具体的には、樹脂孔部ｈは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの表面側の孔径が、裏面側の孔径よりも小さくなるように、いわゆるテーパー状に形成される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの裏面側から樹脂孔部ｈに挿入された搬送用ピン等が、樹脂孔部ｈから容易に抜けるようにすることができる。
また、テーパー状に形成されることで、樹脂孔部ｈは、透過光による樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントにおいて、その透過光が、枠体Ｆの表面側から樹脂孔部ｈ内に対して照射された場合に、樹脂孔部ｈの内周側面に反射してしまうのを抑制することができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメント精度を向上させることができる。すなわち、樹脂孔部ｈを、透過光を発光する面側の孔径がカメラを設置する側の孔径よりも小さくなるようなテーパー状に形成すれば、透過光の過剰な反射がカメラ側に広がらないため、より検出精度を良くすることができる。
また、テーパー状に形成されることで、樹脂孔部ｈは、透過光による樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントにおいて、その透過光が、枠体Ｆの表面側から樹脂孔部ｈ内に対して照射された場合に、樹脂孔部ｈの内周側面に反射してしまうのを抑制することができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメント精度を向上させることができる。すなわち、樹脂孔部ｈを、透過光を発光する面側の孔径がカメラを設置する側の孔径よりも小さくなるようなテーパー状に形成すれば、透過光の過剰な反射がカメラ側に広がらないため、より検出精度を良くすることができる。
光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。更に、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
また、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。更に、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
また、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層３０は、図１に示すように、光反射樹脂層２０のリフレクタ樹脂部２０ｂによって囲まれたＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ上に形成される。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図６は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図６（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図６（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図６（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図６（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図６（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図６においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。
図６は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図６（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図６（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図６（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図６（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図６（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図６においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。
リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。
まず、平板状の金属基板１００を用意し、図６（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。
次に、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。
ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓ、孔部Ｈのように貫通した空間と、凹部Ｍや、段部Ｄ、連結部１３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図３参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図６（ｃ）に示すように、凹部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。
エッチング処理により金属基板１００には、図６（ｃ）に示すように、凹部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。
次に、図６（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図６（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２及び図３に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２及び図３において、めっき層Ｃは省略されている。
そして、図６（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２及び図３に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２及び図３において、めっき層Ｃは省略されている。
次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図７は、第１実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
図８は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図８（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図８（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図８（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図８（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
なお、図８においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図８（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図６（ａ）の断面図に基づくものである。
図７は、第１実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
図８は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図８（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図８（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図８（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図８（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
なお、図８においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図８（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図６（ａ）の断面図に基づくものである。
図８（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形（射出成形）のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍや、連結部１３の裏面、枠体Ｆの段部Ｄ（裏面全面）へと流れ込み、フレーム樹脂部２０ａが形成され、リードフレーム１０と接合する。
また、これと同時に、リフレクタ樹脂部２０ｂが、リードフレームの表面側に突出して、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして形成される。更に、枠体樹脂部２０ｃが、枠体Ｆの裏面の全面に形成される。
このとき、枠体Ｆに設けられた孔部Ｈには、金型に形成された樹脂孔部ｈを成形するピン型が挿入されており、樹脂が、枠体Ｆの裏面から孔部Ｈとピン型との間に流れ込むことによって、孔部Ｈの内周側面に孔樹脂部２０ｄが形成される。これにより、枠体Ｆの孔部Ｈには、樹脂孔部ｈが形成される。
このとき、枠体Ｆに設けられた孔部Ｈには、金型に形成された樹脂孔部ｈを成形するピン型が挿入されており、樹脂が、枠体Ｆの裏面から孔部Ｈとピン型との間に流れ込むことによって、孔部Ｈの内周側面に孔樹脂部２０ｄが形成される。これにより、枠体Ｆの孔部Ｈには、樹脂孔部ｈが形成される。
以上により、図４に示すように、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが作製され、その表面及び裏面に、それぞれ、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出した状態となる（図４（ａ）、図４（ｂ）参照）。
なお、樹脂孔部ｈが光反射樹脂層２０の成形と同時に形成されることによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに改めて樹脂孔部ｈを形成する工程を省略することができる。また、改めて樹脂孔部を形成した場合には、位置精度の加工公差が累積されてしまうため、樹脂孔部を用いた樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの位置決めや画像アライメントが必要となる工程において精度不足となる問題を生じるおそれがある。しかし、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒでは、このような問題の発生も防ぐことができる。
なお、樹脂孔部ｈが光反射樹脂層２０の成形と同時に形成されることによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに改めて樹脂孔部ｈを形成する工程を省略することができる。また、改めて樹脂孔部を形成した場合には、位置精度の加工公差が累積されてしまうため、樹脂孔部を用いた樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの位置決めや画像アライメントが必要となる工程において精度不足となる問題を生じるおそれがある。しかし、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒでは、このような問題の発生も防ぐことができる。
次に、図８（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。
そして、図８（ｃ）に示すように、リフレクタ樹脂部２０ｂに囲まれたＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図７に示すように、光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図８（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形（図７中の破線）に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図７に示すように、光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図８（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形（図７中の破線）に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。
次に、上述の図８（ａ）におけるリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図９は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図９（ａ）は、金型の構成を説明する図であり、図９（ｂ）〜図９（ｉ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
図１０は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図９及び図１０において、説明を明確にするために、リードフレーム１０の単体に対して光反射樹脂層２０が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して光反射樹脂層２０が形成される。
図９は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図９（ａ）は、金型の構成を説明する図であり、図９（ｂ）〜図９（ｉ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
図１０は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図９及び図１０において、説明を明確にするために、リードフレーム１０の単体に対して光反射樹脂層２０が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して光反射樹脂層２０が形成される。
（トランスファ成形）
トランスファ成形は、図９（ａ）に示すように、上型１１１及び下型１１２等から構成される金型１１０を使用する。
まず、作業者は、上型１１１及び下型１１２を加熱した後、図９（ｂ）に示すように、上型１１１と下型１１２との間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置するとともに、下型１１２に設けられたポット部１１２ａに光反射樹脂層２０を形成する樹脂を充填する。
そして、図９（ｃ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を閉じて（型締め）、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図９（ｄ）及び図９（ｅ）に示すように、プランジャー１１３によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型１１０内へと充填（トランスファ）させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。
トランスファ成形は、図９（ａ）に示すように、上型１１１及び下型１１２等から構成される金型１１０を使用する。
まず、作業者は、上型１１１及び下型１１２を加熱した後、図９（ｂ）に示すように、上型１１１と下型１１２との間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置するとともに、下型１１２に設けられたポット部１１２ａに光反射樹脂層２０を形成する樹脂を充填する。
そして、図９（ｃ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を閉じて（型締め）、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図９（ｄ）及び図９（ｅ）に示すように、プランジャー１１３によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型１１０内へと充填（トランスファ）させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。
所定の時間の経過後、図９（ｆ）及び図９（ｇ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を開き、上型１１１に設けられたイジェクターピン１１１ａにより、上型１１１から光反射樹脂層２０が成形されたリードフレームの多面付け体ＭＳを取り外す。その後、図９（ｈ）に示すように、上型１１１の流路（ランナー）部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図９（ｉ）に示すように、光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。
（インジェクション成形）
インジェクション成形は、図１０（ａ）に示すように、上から順に、ノズルプレート１２１、スプループレート１２２、ランナープレート１２３（上型）、下型１２４等から構成される金型１２０を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート１２３及び下型１２４間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置して、金型１２０を閉じる（型締め）。
そして、図１０（ｂ）に示すように、ノズル１２５をノズルプレート１２１のノズル穴に配置して、光反射樹脂層２０を形成する樹脂を金型１２０内に射出する。ノズル１２５から射出された樹脂は、スプループレート１２２のスプルー１２２ａを通過し、ランナープレート１２３のランナー１２３ａ及びゲートスプルー１２３ｂを通過した上で、リードフレームの多面付け体ＭＳが配置された金型１２０内へと樹脂が充填される。
インジェクション成形は、図１０（ａ）に示すように、上から順に、ノズルプレート１２１、スプループレート１２２、ランナープレート１２３（上型）、下型１２４等から構成される金型１２０を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート１２３及び下型１２４間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置して、金型１２０を閉じる（型締め）。
そして、図１０（ｂ）に示すように、ノズル１２５をノズルプレート１２１のノズル穴に配置して、光反射樹脂層２０を形成する樹脂を金型１２０内に射出する。ノズル１２５から射出された樹脂は、スプループレート１２２のスプルー１２２ａを通過し、ランナープレート１２３のランナー１２３ａ及びゲートスプルー１２３ｂを通過した上で、リードフレームの多面付け体ＭＳが配置された金型１２０内へと樹脂が充填される。
樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図１０（ｃ）に示すように、ランナープレート１２３を下型１２４から開き、下型１２４に設けられたイジェクターピン１２４ａによって、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳを下型１２４から取り外す。そして、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。
なお、本実施形態のインジェクション成形の金型１２０は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳの各リードフレーム１０に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを得ることができる。
電子線硬化樹脂を用いる場合、成形加工後に電子線を照射させることとなるが、この電子線は、被照射物の比重が大きいと透過率が下がるため、樹脂に比べて金属を透過しにくい。このため、板厚方向に電子線を照射することで、電子線硬化した樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを得ることができる。
本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、孔部Ｈの内周側面に樹脂孔部ｈが形成されるので、搬送装置の搬送用ピン等が孔部Ｈの内周側面の金属面と摩擦接触し、金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、ＬＥＤ素子２を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまうのを抑制することができる。
電子線硬化樹脂を用いた場合、孔樹脂部２０ｄは電子線が金属部分を透過しない構造のため、孔部Ｈの深さ方向に対して、均一にかつ強固に硬化させることができる。これにより、搬送用ピンなどの金属と直接摩擦接触する孔樹脂部２０ｄが光半導体装置部分よりも強固に硬化されるため、樹脂の摩耗などによる異物発生や、孔樹脂部２０ｄの変形を効果的に防ぐことができる。
（２）樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの孔部Ｈの内周側面に形成され樹脂孔部ｈの内周側面が、孔部Ｈの内周側面に対して傾斜しているので、樹脂孔部ｈに挿入された搬送装置の搬送用ピン等の抜けを容易にすることができる。
また、透過光による樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントにおいて、センサの透過光が、枠体Ｆの表面側から樹脂孔部ｈ内に対して照射された場合に、樹脂孔部ｈの内周側面に反射してしまうのを抑制することができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメント精度を向上させることができる。
（３）樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの裏面に形成される枠体樹脂部２０ｃが、孔部Ｈの内周側面に形成される孔樹脂部２０ｄと結合しているので、孔樹脂部２０ｄが枠体Ｆから剥離してしまうのを抑制することができる。
また、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの裏面に光反射樹脂層２０が形成されていることによって、光反射樹脂層２０の硬化過程において、リフレクタ樹脂部２０ｂの存在により樹脂付きリードフレームに反りが生じてしまうのを抑制することができる。
（４）樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの裏面が、端子部１１、１２の裏面に対して窪む段部Ｄが形成され、その段部Ｄに枠体樹脂部２０ｃが形成されるので、樹脂付きリードフレームの多面付け体の裏面を平坦にすることができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、光半導体装置１の製造過程において、特殊な固定治具を必要とすることなく、搬送装置等に載置することができる。
（１）樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、孔部Ｈの内周側面に樹脂孔部ｈが形成されるので、搬送装置の搬送用ピン等が孔部Ｈの内周側面の金属面と摩擦接触し、金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、ＬＥＤ素子２を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまうのを抑制することができる。
電子線硬化樹脂を用いた場合、孔樹脂部２０ｄは電子線が金属部分を透過しない構造のため、孔部Ｈの深さ方向に対して、均一にかつ強固に硬化させることができる。これにより、搬送用ピンなどの金属と直接摩擦接触する孔樹脂部２０ｄが光半導体装置部分よりも強固に硬化されるため、樹脂の摩耗などによる異物発生や、孔樹脂部２０ｄの変形を効果的に防ぐことができる。
（２）樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの孔部Ｈの内周側面に形成され樹脂孔部ｈの内周側面が、孔部Ｈの内周側面に対して傾斜しているので、樹脂孔部ｈに挿入された搬送装置の搬送用ピン等の抜けを容易にすることができる。
また、透過光による樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントにおいて、センサの透過光が、枠体Ｆの表面側から樹脂孔部ｈ内に対して照射された場合に、樹脂孔部ｈの内周側面に反射してしまうのを抑制することができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメント精度を向上させることができる。
（３）樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの裏面に形成される枠体樹脂部２０ｃが、孔部Ｈの内周側面に形成される孔樹脂部２０ｄと結合しているので、孔樹脂部２０ｄが枠体Ｆから剥離してしまうのを抑制することができる。
また、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの裏面に光反射樹脂層２０が形成されていることによって、光反射樹脂層２０の硬化過程において、リフレクタ樹脂部２０ｂの存在により樹脂付きリードフレームに反りが生じてしまうのを抑制することができる。
（４）樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの裏面が、端子部１１、１２の裏面に対して窪む段部Ｄが形成され、その段部Ｄに枠体樹脂部２０ｃが形成されるので、樹脂付きリードフレームの多面付け体の裏面を平坦にすることができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、光半導体装置１の製造過程において、特殊な固定治具を必要とすることなく、搬送装置等に載置することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１１は、第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの全体図である。
図１２は、第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１２（ａ）、図１２（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１２（ｃ）、図１２（ｄ）、図１２（ｅ）は、それぞれ図１２（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図、ｅ−ｅ断面図を示す。
図１３は、第２実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。
図１３（ａ）、図１３（ｂ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図１３（ｃ）、図１３（ｄ）、図１３（ｅ）は、それぞれ図１３（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図、ｅ−ｅ断面図を示す。
図１４は、第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに形成された樹脂孔部ｈ及び孔部Ｈ２の詳細を説明する図である。図１４（ａ）は、図１３（ｄ）のＡ部詳細図であり、図１４（ｂ）は、図１３（ｅ）のＢ部詳細図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１１は、第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの全体図である。
図１２は、第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１２（ａ）、図１２（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１２（ｃ）、図１２（ｄ）、図１２（ｅ）は、それぞれ図１２（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図、ｅ−ｅ断面図を示す。
図１３は、第２実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。
図１３（ａ）、図１３（ｂ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図１３（ｃ）、図１３（ｄ）、図１３（ｅ）は、それぞれ図１３（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図、ｅ−ｅ断面図を示す。
図１４は、第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに形成された樹脂孔部ｈ及び孔部Ｈ２の詳細を説明する図である。図１４（ａ）は、図１３（ｄ）のＡ部詳細図であり、図１４（ｂ）は、図１３（ｅ）のＢ部詳細図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの裏面に形成される孔部の構成が、第１実施形態の孔部Ｈの構成と相違する。
枠体Ｆは、図１１に示すように、その表裏面に貫通する孔部Ｈ１及び孔部Ｈ２が複数形成されている。また、枠体Ｆは、図１２に示すように、その裏面に、孔部Ｈ２の外周縁を避けるようにして、外部端子面１１ｂ、１２ｂに対して窪むように段部Ｄが形成されている。
枠体Ｆの段部Ｄは、その窪んだ面が、連結部１３の裏面と同一平面を形成するように形成されている。
枠体Ｆは、図１１に示すように、その表裏面に貫通する孔部Ｈ１及び孔部Ｈ２が複数形成されている。また、枠体Ｆは、図１２に示すように、その裏面に、孔部Ｈ２の外周縁を避けるようにして、外部端子面１１ｂ、１２ｂに対して窪むように段部Ｄが形成されている。
枠体Ｆの段部Ｄは、その窪んだ面が、連結部１３の裏面と同一平面を形成するように形成されている。
孔部Ｈ１は、枠体Ｆの短辺に設けられた孔であり、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに樹脂孔部ｈを形成するために設けられる。
孔部Ｈ２は、枠体Ｆの長辺に設けられた孔であり、リードフレームの多面付け体ＭＳ（枠体Ｆ）を基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うために設けられる。
枠体樹脂部２２０ｃは、図１３に示すように、枠体Ｆの裏面に形成される樹脂であり、孔部Ｈ２の外周縁を除いた段部Ｄに形成されている。つまり、枠体樹脂部２２０ｃの端部と孔部Ｈ２とが離間している。そのため、枠体樹脂部２２０ｃは、孔部Ｈ２内には形成されず、孔部Ｈ２の内周側面には、枠体Ｆの金属面が表出することとなる。これにより、孔部Ｈ２は、リードフレームの多面付け体ＭＳを基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うことができる。孔部Ｈ２は、孔部Ｈ１（樹脂孔部ｈ）と同様に貫通しているので、透過光による高精度なアライメントに用いることができる。
孔部Ｈ２は、枠体Ｆの長辺に設けられた孔であり、リードフレームの多面付け体ＭＳ（枠体Ｆ）を基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うために設けられる。
枠体樹脂部２２０ｃは、図１３に示すように、枠体Ｆの裏面に形成される樹脂であり、孔部Ｈ２の外周縁を除いた段部Ｄに形成されている。つまり、枠体樹脂部２２０ｃの端部と孔部Ｈ２とが離間している。そのため、枠体樹脂部２２０ｃは、孔部Ｈ２内には形成されず、孔部Ｈ２の内周側面には、枠体Ｆの金属面が表出することとなる。これにより、孔部Ｈ２は、リードフレームの多面付け体ＭＳを基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うことができる。孔部Ｈ２は、孔部Ｈ１（樹脂孔部ｈ）と同様に貫通しているので、透過光による高精度なアライメントに用いることができる。
以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、上述の第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒと同様の効果を奏することができる。
また、樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆに孔部Ｈ２を有しているので、リードフレームの多面付け体ＭＳを基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うことができる。
また、樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆに孔部Ｈ２を有しているので、リードフレームの多面付け体ＭＳを基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うことができる。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図１５は、第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１５（ａ）、図１５（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１５（ｃ）、図１５（ｄ）、図１５（ｅ）は、それぞれ図１５（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図、ｅ−ｅ断面図を示す。
図１６は、第３実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。
図１６（ａ）、図１６（ｂ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図１６（ｃ）、図１６（ｄ）、図１６（ｅ）は、それぞれ図１６（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図、ｅ−ｅ断面図を示す。
図１７は、第３実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに形成された樹脂孔部ｈ及び孔部Ｈ２の詳細を説明する図である。図１７（ａ）は、図１６（ｄ）のＡ部詳細図であり、図１７（ｂ）は、図１６（ｅ）のＢ部詳細図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図１５は、第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１５（ａ）、図１５（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１５（ｃ）、図１５（ｄ）、図１５（ｅ）は、それぞれ図１５（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図、ｅ−ｅ断面図を示す。
図１６は、第３実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。
図１６（ａ）、図１６（ｂ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図１６（ｃ）、図１６（ｄ）、図１６（ｅ）は、それぞれ図１６（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図、ｅ−ｅ断面図を示す。
図１７は、第３実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに形成された樹脂孔部ｈ及び孔部Ｈ２の詳細を説明する図である。図１７（ａ）は、図１６（ｄ）のＡ部詳細図であり、図１７（ｂ）は、図１６（ｅ）のＢ部詳細図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第３実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、リードフレームの多面付け体ＭＳの構成が、第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒと相違する。
リードフレームの多面付け体ＭＳは、リードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものである。本実施形態では、縦横に複数個、連結部１３によって連結されたリードフレーム１０の集合体Ｇを、複数組（本実施形態では４組）、左右方向に配列させて枠体Ｆ内に形成したものである（図２参照）。
リードフレームの多面付け体ＭＳは、リードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものである。本実施形態では、縦横に複数個、連結部１３によって連結されたリードフレーム１０の集合体Ｇを、複数組（本実施形態では４組）、左右方向に配列させて枠体Ｆ内に形成したものである（図２参照）。
枠体Ｆは、図１５に示すように、リードフレーム１０の集合体Ｇ毎に、リードフレーム１０を固定する部材であり、その外形が矩形状に形成されている。また、枠体Ｆは、集合体Ｇ内に、複数のリードフレーム１０を連結する治具孔プレート１４を備えている。枠体Ｆは、リードフレームの多面付け体ＭＳの製品となる部分（端子部１１や端子部１２）以外の部分をいい、治具孔プレート１４も枠体Ｆの一部となる。
枠体Ｆは、その短手方向の辺（短辺）上に、その表裏面に貫通する孔部Ｈ２が複数形成されている。また、枠体Ｆは、その裏面に、孔部Ｈ２の外周縁を避けるようにして、外部端子面１１ｂ、１２ｂに対して窪むように段部Ｄが形成されている。
枠体Ｆの段部Ｄは、その窪んだ面が、連結部１３の裏面と同一平面を形成している。
枠体Ｆは、その短手方向の辺（短辺）上に、その表裏面に貫通する孔部Ｈ２が複数形成されている。また、枠体Ｆは、その裏面に、孔部Ｈ２の外周縁を避けるようにして、外部端子面１１ｂ、１２ｂに対して窪むように段部Ｄが形成されている。
枠体Ｆの段部Ｄは、その窪んだ面が、連結部１３の裏面と同一平面を形成している。
治具孔プレート１４は、複数のリードフレーム１０を、連結部１３を介して連結する枠体Ｆの一部である。治具孔プレート１４は、矩形状に形成され、その中央部に表裏面に貫通する孔部Ｈ１が形成されている。治具孔プレート１４は、その表面が、ＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと同一平面内に形成され、その裏面の全面が、連結部１３の裏面と同一平面内に形成されている。なお、治具孔プレート１４は、その裏面の一部が、連結部１３の裏面と同一平面内に形成されるようにしてもよいが、裏面の全面を同一平面内にした場合のほうが、リードフレームの多面付け体ＭＳに対する樹脂の回り込みがより良くなる。
治具孔プレート１４は、集合体Ｇの領域内に設けられることによって、特にリードフレームの多面付け体ＭＳの外形が大きく、位置決め箇所が多く必要な場合においても、リードフレーム１０の近傍の点を基点として、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを、精度よく搬送装置等に対して位置決めしたり、アライメントしたりすることができる。なお、治具孔プレート１４は、集合体Ｇの領域内に１つだけでなく、複数設けるようにしてもよい。
孔部Ｈ１は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに樹脂孔部ｈを形成するために設けられる。
孔部Ｈ２は、枠体Ｆの短辺に設けられた孔であり、リードフレームの多面付け体ＭＳ（枠体Ｆ）を基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うために設けられる。
孔部Ｈ１は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに樹脂孔部ｈを形成するために設けられる。
孔部Ｈ２は、枠体Ｆの短辺に設けられた孔であり、リードフレームの多面付け体ＭＳ（枠体Ｆ）を基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うために設けられる。
フレーム樹脂部３２０ａは、図１６に示すように、端子部１１、１２の外周側面（リードフレーム１０の外周及び空隙部Ｓ）だけでなく、各端子部に設けられた凹部Ｍや、連結部１３の裏面、治具孔プレート１４の裏面にも形成される。
枠体樹脂部３２０ｃは、枠体Ｆの裏面に形成される樹脂であり、孔部Ｈ２の外周縁を除いた段部Ｄに形成されている。つまり、図１７（ｂ）に示すように、枠体樹脂部３２０ｃの端部と孔部Ｈ２とが離間している。そのため、枠体樹脂部３２０ｃは、孔部Ｈ２内には形成されず、孔部Ｈ２の内周側面には、枠体Ｆの金属面が表出することとなる。これにより、孔部Ｈ２は、リードフレームの多面付け体ＭＳを基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うことができる。孔部Ｈ２は、孔部Ｈ１（樹脂孔部ｈ）と同様に貫通しているので、透過光による高精度なアライメントに用いることができる。
枠体樹脂部３２０ｃは、枠体Ｆの裏面に形成される樹脂であり、孔部Ｈ２の外周縁を除いた段部Ｄに形成されている。つまり、図１７（ｂ）に示すように、枠体樹脂部３２０ｃの端部と孔部Ｈ２とが離間している。そのため、枠体樹脂部３２０ｃは、孔部Ｈ２内には形成されず、孔部Ｈ２の内周側面には、枠体Ｆの金属面が表出することとなる。これにより、孔部Ｈ２は、リードフレームの多面付け体ＭＳを基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うことができる。孔部Ｈ２は、孔部Ｈ１（樹脂孔部ｈ）と同様に貫通しているので、透過光による高精度なアライメントに用いることができる。
孔樹脂部３２０ｄは、治具孔プレート１４に設けられた孔部Ｈ１の内周側面に形成されており、図１７（ａ）に示すように、孔部Ｈを塞ぐことなく、表裏面に貫通する樹脂孔部ｈを形成している。また、孔樹脂部３２０ｄは、フレーム樹脂部３２０ａと結合しており、これにより、孔樹脂部３２０ｄが、治具孔プレート１４の孔部Ｈ１から剥離してしまうのを抑制することができる。
樹脂孔部ｈは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ等を搬送するときに使用される搬送装置等の位置決めピン等が挿入されたり、光反射樹脂層２０を基準として、透過光による樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行ったりするのに使用される。樹脂孔部ｈは、その内周側面が、孔部Ｈ１の内周側面と平行になるように形成されている。
樹脂孔部ｈは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ等を搬送するときに使用される搬送装置等の位置決めピン等が挿入されたり、光反射樹脂層２０を基準として、透過光による樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行ったりするのに使用される。樹脂孔部ｈは、その内周側面が、孔部Ｈ１の内周側面と平行になるように形成されている。
以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、上述の第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒと同様の効果を奏することができる。
また、Ｒは、枠体Ｆの治具孔プレート１４に孔部Ｈ１が設けられ、その内周側面に樹脂孔部ｈが形成されているので、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの外形が大きく、位置決め箇所が多く必要な場合においても、リードフレーム１０の近傍の点を基点として、搬送装置等に対する位置決めや、アライメントを精度よく行うことができる。
更に、樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆに孔部Ｈ２を有しているので、リードフレームの多面付け体ＭＳを基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うことができる。
また、Ｒは、枠体Ｆの治具孔プレート１４に孔部Ｈ１が設けられ、その内周側面に樹脂孔部ｈが形成されているので、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの外形が大きく、位置決め箇所が多く必要な場合においても、リードフレーム１０の近傍の点を基点として、搬送装置等に対する位置決めや、アライメントを精度よく行うことができる。
更に、樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆに孔部Ｈ２を有しているので、リードフレームの多面付け体ＭＳを基準として樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントを行うことができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。
図１８は、変形形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
（変形形態）
（１）第１実施形態、第２実施形態において、樹脂孔部ｈは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの表面側の孔径が、裏面側の孔径よりも小さくなるように形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、樹脂孔部ｈは、表面側の孔径が裏面側の孔径よりも大きくなるように形成してもよい。なお、この場合、搬送用ピンの挿入は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの表面側から行い、透過光による位置決めのセンサ光の入射は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの裏面側から行う必要がある。
（変形形態）
（１）第１実施形態、第２実施形態において、樹脂孔部ｈは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの表面側の孔径が、裏面側の孔径よりも小さくなるように形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、樹脂孔部ｈは、表面側の孔径が裏面側の孔径よりも大きくなるように形成してもよい。なお、この場合、搬送用ピンの挿入は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの表面側から行い、透過光による位置決めのセンサ光の入射は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの裏面側から行う必要がある。
（２）第１実施形態において、枠体Ｆの裏面に段部Ｄを形成し、その段部Ｄに枠体樹脂部２０ｃを形成する例を示したが、これに限定されない。例えば、段部Ｄを設けずに、端子部と同等の厚みに形成された枠体Ｆの裏面に枠体樹脂部２０ｃを設けることも可能である。この場合、枠体樹脂部２０ｃの厚みを適宜変更することにより、リードフレーム１０の表面及び裏面に形成される樹脂の量を、第１実施形態の場合よりも均等になるように近づけることができ、反り抑制の効果を向上させることができる。
（３）各実施形態において、枠体樹脂部２０ｃは、枠体Ｆの裏面に全面若しくは略全面に形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、枠体樹脂部２０ｃは、孔樹脂部２０ｄを形成する必要がある孔部Ｈに対応した部分にのみ設けるようにしてもよい。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体の光反射樹脂層２０を形成する樹脂の量を削減することができる。
（４）各実施形態において、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体樹脂部２０ｃを備える例を示したが、これに限定されない。枠体樹脂部を設けずに、孔部Ｈの内周側面にのみ孔樹脂部が形成されるようにしてもよい。
（５）第１実施形態、第２実施形態において、樹脂孔部ｈは、その内周側面が、孔部Ｈの内周側面に対して傾斜する、いわゆるテーパーが形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、樹脂孔部ｈは、その内周側面が、孔部Ｈの内周側面と平行になるように形成してもよい。
また、第３実施形態の樹脂孔部ｈは、その内周側面が、孔部Ｈ１の内周側面に対して傾斜する、いわゆるテーパーが形成されるようにしてもよい。
更に、各実施形態において、樹脂孔部ｈは、円形状の孔である例を示したが、これに限定されるものでなく、楕円や、矩形状等の多角形状の孔であってもよい。
（５）第１実施形態、第２実施形態において、樹脂孔部ｈは、その内周側面が、孔部Ｈの内周側面に対して傾斜する、いわゆるテーパーが形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、樹脂孔部ｈは、その内周側面が、孔部Ｈの内周側面と平行になるように形成してもよい。
また、第３実施形態の樹脂孔部ｈは、その内周側面が、孔部Ｈ１の内周側面に対して傾斜する、いわゆるテーパーが形成されるようにしてもよい。
更に、各実施形態において、樹脂孔部ｈは、円形状の孔である例を示したが、これに限定されるものでなく、楕円や、矩形状等の多角形状の孔であってもよい。
（６）各実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、３以上の端子部を備えていてもよい。例えば、図１８に示すように、端子部を３つ設け、その１つ（２１１）にはＬＥＤ素子２を実装し、他の２つ（２１２）にはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。
（７）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子２が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、２つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
（８）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。
（８）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。
１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ フレーム樹脂部
２０ｂ リフレクタ樹脂部
２０ｃ 枠体樹脂部
２０ｄ 孔樹脂部
３０ 透明樹脂層
Ｄ 段部
Ｆ 枠体
Ｇ 集合体
Ｈ 孔部
ｈ 樹脂孔部
Ｍ 凹部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ フレーム樹脂部
２０ｂ リフレクタ樹脂部
２０ｃ 枠体樹脂部
２０ｄ 孔樹脂部
３０ 透明樹脂層
Ｄ 段部
Ｆ 枠体
Ｇ 集合体
Ｈ 孔部
ｈ 樹脂孔部
Ｍ 凹部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部
Claims (6)
- 互いに絶縁する複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つの表面に光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられるリードフレームが、孔部を有する枠体に多面付けされたリードフレームの多面付け体と、
前記リードフレームの外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部と、前記孔部の内周側面に形成され、樹脂孔部を形成する孔樹脂部とから構成される樹脂層と、
を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項１に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記樹脂孔部は、その内周側面が、前記孔部の内周側面に対して傾斜していること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項１又は請求項２に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記樹脂層は、前記枠体の裏面の少なくとも一部に形成される枠体樹脂部を備え、前記枠体樹脂部と前記孔樹脂部とが結合していること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項３に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記枠体は、その裏面の少なくとも一部が、前記端子部の裏面に対して窪んでおり、
前記枠体樹脂部は、前記枠体の窪んだ部分に形成されること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項４に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記孔部は、前記枠体に対して複数設けられ、
前記枠体は、前記孔部のうち少なくとも１つの外周縁を避けるようにして窪んでいること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体と、
前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013026579A JP6064649B2 (ja) | 2013-02-14 | 2013-02-14 | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013026579A JP6064649B2 (ja) | 2013-02-14 | 2013-02-14 | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014157855A true JP2014157855A (ja) | 2014-08-28 |
| JP6064649B2 JP6064649B2 (ja) | 2017-01-25 |
Family
ID=51578573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013026579A Expired - Fee Related JP6064649B2 (ja) | 2013-02-14 | 2013-02-14 | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6064649B2 (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152735A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
| JPH04271153A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
| JPH065645A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の樹脂成形方法 |
| JP2001338940A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ｉｃの樹脂モールド装置および樹脂モールド方法 |
| JP2007088160A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Sharp Corp | 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、及び電子機器 |
| JP2011108941A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームおよびその製造方法、ならびにそのリードフレームを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2011151102A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Apic Yamada Corp | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
-
2013
- 2013-02-14 JP JP2013026579A patent/JP6064649B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152735A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
| JPH04271153A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
| JPH065645A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の樹脂成形方法 |
| JP2001338940A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ｉｃの樹脂モールド装置および樹脂モールド方法 |
| JP2007088160A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Sharp Corp | 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、及び電子機器 |
| JP2011108941A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームおよびその製造方法、ならびにそのリードフレームを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2011151102A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Apic Yamada Corp | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6064649B2 (ja) | 2017-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6209826B2 (ja) | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP6115671B2 (ja) | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置 | |
| JP6197297B2 (ja) | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP6167556B2 (ja) | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP2014116579A (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP6171360B2 (ja) | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置 | |
| JP5884789B2 (ja) | リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP2014138088A (ja) | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP6064649B2 (ja) | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP2017027991A (ja) | 樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム用金型 | |
| JP6065599B2 (ja) | リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP2014060370A (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP2015038917A (ja) | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP6111683B2 (ja) | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP6264777B2 (ja) | 樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体の製造方法、光半導体装置の製造方法 | |
| JP2015032699A (ja) | リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置 | |
| JP6311250B2 (ja) | リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体 | |
| JP2014060371A (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP6201335B2 (ja) | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP6115058B2 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP6311240B2 (ja) | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体 | |
| JP6172253B2 (ja) | リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置 | |
| JP6375753B2 (ja) | リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体 | |
| JP6136345B2 (ja) | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP2016030338A (ja) | 樹脂付きリードフレームの多面付け体の製造方法、それに使用される射出成形用金型、リードフレームの多面付け体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151208 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160824 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160830 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160928 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161028 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161122 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161205 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6064649 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |