JPS5919334A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS5919334A JPS5919334A JP12860982A JP12860982A JPS5919334A JP S5919334 A JPS5919334 A JP S5919334A JP 12860982 A JP12860982 A JP 12860982A JP 12860982 A JP12860982 A JP 12860982A JP S5919334 A JPS5919334 A JP S5919334A
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C70/00—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts
- B29C70/68—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts by incorporating or moulding on preformed parts, e.g. inserts or layers, e.g. foam blocks
- B29C70/72—Encapsulating inserts having non-encapsulated projections, e.g. extremities or terminal portions of electrical components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
- B29L2031/3406—Components, e.g. resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、樹脂封止型半導体装置のモールド工程にお
ける半導体製造装置！！＝関する。
ける半導体製造装置！！＝関する。
従来、半導体取着部全体がモールド樹脂で外装され放熱
板【二数１けて使用するタイプの、例えば第１図に示す
ような樹脂封止型半導体装置ＩＩは次のよう（二構成さ
ルている。すなわち半導体ｇｉｉｆ本体部はフレーム１
２の取Ｒ都Ｉ３に半田１４等Ｃ二よりペレット素子１５
を固定するもので、このペレット索子１５の゛成極部と
外部リード部１６とをＩンデイングヮイヤ１１によって
接続するようにしている。そして、このペレット素子１
５を含む取看部１３をモールド樹脂１８（二よって被覆
して半導体１１ｉＩｔｌｌが構成される。
板【二数１けて使用するタイプの、例えば第１図に示す
ような樹脂封止型半導体装置ＩＩは次のよう（二構成さ
ルている。すなわち半導体ｇｉｉｆ本体部はフレーム１
２の取Ｒ都Ｉ３に半田１４等Ｃ二よりペレット素子１５
を固定するもので、このペレット索子１５の゛成極部と
外部リード部１６とをＩンデイングヮイヤ１１によって
接続するようにしている。そして、このペレット素子１
５を含む取看部１３をモールド樹脂１８（二よって被覆
して半導体１１ｉＩｔｌｌが構成される。
′！Ｊ２図は上記モールド樹脂１８を形成する手段を説
明するもので、この樹脂モールドのため（二金型１９が
使用される。この金型１９は下金型２０および上金型２
１からなり、下金型２゜には上記ベレット素子１５を含
むフレーム１２を収納する凹欠穴２２が形成され、この
凹欠穴２２内≦二フレ一ム１２部を設置する。この凹欠
穴２２はフレーム１２の収ｉ１１部ｉｘ＋二相当する底
面部２３を有し、また外部リード部１６に対１］°゛口 応してエアベント（空気逃≠＃）２４が形成されている
。セして凹欠穴２２とエアベント２４との境界部付近に
ｒ−）（注入口）２５を開口するようにしている。突起
）ａ２６はこの半導体装Ｒ１ｌの放熱板等への取り付け
Ｃ：用いるｌシト孔に対応する部分である。
明するもので、この樹脂モールドのため（二金型１９が
使用される。この金型１９は下金型２０および上金型２
１からなり、下金型２゜には上記ベレット素子１５を含
むフレーム１２を収納する凹欠穴２２が形成され、この
凹欠穴２２内≦二フレ一ム１２部を設置する。この凹欠
穴２２はフレーム１２の収ｉ１１部ｉｘ＋二相当する底
面部２３を有し、また外部リード部１６に対１］°゛口 応してエアベント（空気逃≠＃）２４が形成されている
。セして凹欠穴２２とエアベント２４との境界部付近に
ｒ−）（注入口）２５を開口するようにしている。突起
）ａ２６はこの半導体装Ｒ１ｌの放熱板等への取り付け
Ｃ：用いるｌシト孔に対応する部分である。
しかし、樹脂モールドされた半導体装置１１においては
、必然的Ｃ二その拘止モールド部の中央部がその周辺部
と比較して厚さが大きくなり、拘止硬化時ｆ二この樹脂
の厚い部分が他の薄い部分より大きく収縮し、下金型２
０の凹欠穴２２の底面部２４が平坦であっても樹脂成形
収縮後のモールド樹脂裏面は平坦な面Ｃ二ならない０例
えば第３図の（Ａ）に示すようＣ二、樹脂中央部ｄの部
分よりも周辺部す、ｃの部分が厚いため、樹脂成形収縮
後は同図の（Ｂ） （二示すようＣ二周辺部す、Ｃの樹
脂が大きく収縮し、半導体装置１１の裏面全体が突内状
となる。したがって、放熱板等を構成する収り付は基板
と便するそ−ルド樹ｊ１に裏面２５が放熱板と密１せず
、放熱特性が損われてしまう。
、必然的Ｃ二その拘止モールド部の中央部がその周辺部
と比較して厚さが大きくなり、拘止硬化時ｆ二この樹脂
の厚い部分が他の薄い部分より大きく収縮し、下金型２
０の凹欠穴２２の底面部２４が平坦であっても樹脂成形
収縮後のモールド樹脂裏面は平坦な面Ｃ二ならない０例
えば第３図の（Ａ）に示すようＣ二、樹脂中央部ｄの部
分よりも周辺部す、ｃの部分が厚いため、樹脂成形収縮
後は同図の（Ｂ） （二示すようＣ二周辺部す、Ｃの樹
脂が大きく収縮し、半導体装置１１の裏面全体が突内状
となる。したがって、放熱板等を構成する収り付は基板
と便するそ−ルド樹ｊ１に裏面２５が放熱板と密１せず
、放熱特性が損われてしまう。
また、エアベントが外部リード部１６の側面に設けられ
ているため、ここから樹脂が進展し、線構造の外部リー
ド部１６に対応して複雑なパリ取り工程を必要としてい
る。
ているため、ここから樹脂が進展し、線構造の外部リー
ド部１６に対応して複雑なパリ取り工程を必要としてい
る。
この発明は上記欠点な改善して、樹脂封止型半導体装置
のモールド樹脂裏面を平坦な面Ｃ二仕上げて放熱板との
密着度を高め放熱特性を向上させると共Ｃ二、樹脂成形
収縮後の−々す収り工程ある。
のモールド樹脂裏面を平坦な面Ｃ二仕上げて放熱板との
密着度を高め放熱特性を向上させると共Ｃ二、樹脂成形
収縮後の−々す収り工程ある。
即ちこの発明Ｃ二おける半導体製造装置はモールド金型
の下金型底面部Ｃ二対して、モールド樹脂の成形収縮率
を考慮してその周辺部にテーパ状切欠Ｓを形成し、この
切欠部Ｉ：よって生じる上金型と下金型との隙ｒＪＪフ
さらＩニエアーントと・ゴり して利用させるようＣ二するものである。
の下金型底面部Ｃ二対して、モールド樹脂の成形収縮率
を考慮してその周辺部にテーパ状切欠Ｓを形成し、この
切欠部Ｉ：よって生じる上金型と下金型との隙ｒＪＪフ
さらＩニエアーントと・ゴり して利用させるようＣ二するものである。
以下、図面（二ついてこの発明の一実施例を説 明
する。
する。
第４図は金ｍ Ｊ ｒ ｇＶ側断面して示したもので、
ペレット素子１５を取り付けたフレーム１２を樹脂モー
ルドするものである。この金型２７は下金型２８および
上金型２９からなり、下金型２８は上記フレーム１２を
収納配置する凹欠穴３０が形成されている。この凹欠穴
３Ｑの底面部３１はフレーム１２を収納した状態で樹脂
が薄くなる中央部畠の部分を平坦な面として、樹脂の厚
くなる周辺部す、ｃ（二凹欠穴３０の側面に同って勾配
をつけたテーパ状切欠部ｓｘ、ｓｓが形成され、樹脂が
周辺５：同かつて厚くなるようＣ二している。この切欠
部３２゜３３の深さり、＃Ｄ、はｓｉｔ脂の成形収縮率
を考慮して決定する。また、凹欠穴３０の中央ｆｌＪａ
Ｃ二は半導体装置を放熱板等への取り付けに用いるがシ
ト孔を形成するために、巴柱状の突起物３４が設置され
、フレーム１２の外部リード部１６側の側面部ｆ二は樹
脂を注入するためのｒ−）Ｊｊが形成されている。
ペレット素子１５を取り付けたフレーム１２を樹脂モー
ルドするものである。この金型２７は下金型２８および
上金型２９からなり、下金型２８は上記フレーム１２を
収納配置する凹欠穴３０が形成されている。この凹欠穴
３Ｑの底面部３１はフレーム１２を収納した状態で樹脂
が薄くなる中央部畠の部分を平坦な面として、樹脂の厚
くなる周辺部す、ｃ（二凹欠穴３０の側面に同って勾配
をつけたテーパ状切欠部ｓｘ、ｓｓが形成され、樹脂が
周辺５：同かつて厚くなるようＣ二している。この切欠
部３２゜３３の深さり、＃Ｄ、はｓｉｔ脂の成形収縮率
を考慮して決定する。また、凹欠穴３０の中央ｆｌＪａ
Ｃ二は半導体装置を放熱板等への取り付けに用いるがシ
ト孔を形成するために、巴柱状の突起物３４が設置され
、フレーム１２の外部リード部１６側の側面部ｆ二は樹
脂を注入するためのｒ−）Ｊｊが形成されている。
上記下金型２８に対する止金型２９は、第５図で示すよ
うＣ二上記ペレット素子ＩＳを含むフレーム１２の側面
をモールド成形するため１二側壁部３６が形成されてい
る。この側壁部３６の底面部３７は下金型２ｒの凹欠穴
３０中央部ａＣ二対して水平な面に形成され、下金型２
８と重ね合わせて凹欠穴ｓｏｂ面部３ノに＊＃させたと
き蓄二切欠部３２ 、ＪＪの部分に隙間ができるよう（
二している。そして、この切欠部３２゜３３による隙間
をエアベントとして利用し、外部リード８１６の側面を
上下金型２ｇ、；１９で完全に密閉し樹脂が進展しない
よ５＋ニする。
うＣ二上記ペレット素子ＩＳを含むフレーム１２の側面
をモールド成形するため１二側壁部３６が形成されてい
る。この側壁部３６の底面部３７は下金型２ｒの凹欠穴
３０中央部ａＣ二対して水平な面に形成され、下金型２
８と重ね合わせて凹欠穴ｓｏｂ面部３ノに＊＃させたと
き蓄二切欠部３２ 、ＪＪの部分に隙間ができるよう（
二している。そして、この切欠部３２゜３３による隙間
をエアベントとして利用し、外部リード８１６の側面を
上下金型２ｇ、；１９で完全に密閉し樹脂が進展しない
よ５＋ニする。
すなわち、ペレット素子１５を収り付けたフレーム１２
を下金型２８に収納配置し、上から止金型２９１重ね介
わせてｒ−）Ｊ５から轡脂を注入すると、金型２１内の
空気は樹脂注入Ｃ二よって切欠部ｓｘ、ｓｓのエアベン
トより追いやられ、樹脂は金型２７内いっばいＣ−充填
される。このときモールド樹脂裏面形状は周辺部が切欠
部３２．３３の分だけ突出しているが、樹脂が硬化する
と収縮して略平坦な面となる。
を下金型２８に収納配置し、上から止金型２９１重ね介
わせてｒ−）Ｊ５から轡脂を注入すると、金型２１内の
空気は樹脂注入Ｃ二よって切欠部ｓｘ、ｓｓのエアベン
トより追いやられ、樹脂は金型２７内いっばいＣ−充填
される。このときモールド樹脂裏面形状は周辺部が切欠
部３２．３３の分だけ突出しているが、樹脂が硬化する
と収縮して略平坦な面となる。
例えば、成形収縮率０．４％、線膨張率２．４×１ｏ
（１／ ℃） （＝α、 ） 、 ６．ＯＸ
１０−’（１／℃）（−α、）２曲げ弾性＄２１００歇
−２の樹脂を用いてモールド成形する場合、切欠部３２
、ＪＪの深さＤ １ ＃ Ｄ ｚ ｔ’ ２０〜５
０ ｐｍとすれば樹脂裏面をほぼ平坦な面とすることが
できる。
（１／ ℃） （＝α、 ） 、 ６．ＯＸ
１０−’（１／℃）（−α、）２曲げ弾性＄２１００歇
−２の樹脂を用いてモールド成形する場合、切欠部３２
、ＪＪの深さＤ １ ＃ Ｄ ｚ ｔ’ ２０〜５
０ ｐｍとすれば樹脂裏面をほぼ平坦な面とすることが
できる。
第６図の（Ａ）は下金型底面を平坦な面としたときの樹
脂裏面形状を、同図の（Ｂ）は切欠部３２゜３３を形成
したときの裏面形状な示す。
脂裏面形状を、同図の（Ｂ）は切欠部３２゜３３を形成
したときの裏面形状な示す。
すなわち、下金型に成形収縮率等を考慮して切欠部を形
成すれば、半導体装置のモールド樹脂裏面形状が平坦な
面となる。また、パリの生じる位置が切欠部Ｃ二よって
できたエアベントの場所なのでセパレーション時Ｃ二部
率Ｅ−取り除くことができる。
成すれば、半導体装置のモールド樹脂裏面形状が平坦な
面となる。また、パリの生じる位置が切欠部Ｃ二よって
できたエアベントの場所なのでセパレーション時Ｃ二部
率Ｅ−取り除くことができる。
以上のよう【二この発明によれば、下金型周辺に沿って
切欠部を形成したことｉ二よってモールド樹脂の裏面即
ち放熱板に固定する面が平坦な面となるので、半導体装
置と放熱板が完全３二審看して放熱特性を同上させるこ
とができる。例えば、従来最大許容コレクタ損失Ｐｃが
２５〜３０Ｗｉ度であったものが約４０Ｗまで改善でき
る。これにより、使用者側の放熱設計も容易なものとな
る。
切欠部を形成したことｉ二よってモールド樹脂の裏面即
ち放熱板に固定する面が平坦な面となるので、半導体装
置と放熱板が完全３二審看して放熱特性を同上させるこ
とができる。例えば、従来最大許容コレクタ損失Ｐｃが
２５〜３０Ｗｉ度であったものが約４０Ｗまで改善でき
る。これにより、使用者側の放熱設計も容易なものとな
る。
また、パリ発生位置がモールド樹脂の左右側面なのでセ
パレーション時に簡単Ｃ二数り除くことができ、パリ取
り工程を充分簡易化し、また省略することも可能となる
。
パレーション時に簡単Ｃ二数り除くことができ、パリ取
り工程を充分簡易化し、また省略することも可能となる
。
第１図は樹脂封止型半導体装置の構成を示す図で、（Ａ
）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）図のｂ−ｂｍ断面図、第２
図は従来の半導体製造装置の構成を説明する図、第３図
の（Ａ）（籾は従来の半導体製造装置を用いてモールド
形成された半導体装置の形状を説明する図、第４図はこ
の発明の一実施例に係る半導体製造装置の構成を説明す
る縦断面図、第５図の（Ａ）は同じく上金型側壁部で断
面して示した図、同図の（Ｂ）は（Ａ）図のｂ−ｂｍ断
面図、第６図の（Ａ）（Ｅ＊は従来例と上記製造装置で
製造された半導体装置の樹脂裏面形状を比較して示した
図である。 １１・・・樹脂封止型半導体＊［，１２・・・フレーム
、１１・・・半導体取看部、１４・・・半ＦｆＪ、ｘ５
・・・（レット素子、１６・・・外部リード部、１１・
・・がンデインダワイヤー、１８川モールド樹脂、１９
．１７川モールド金型、ｚｏ、ｘａ・・・下金型、１１
．ｊ１９・・・上金型、ＩＪＩ、１０°・°凹欠穴、ｘ
ｓ、ｓｓｏｏ・ｆｆ−）、２４．３１・・・凹欠穴底面
部、２８・・・半導体装Ｗｔ底面部、Ｉｌｉ、ＪＪ・・
・突起物、ＪＪ、ＪＪ・・・切欠部、１σ・・・上金型
側壁部、３７・・・側壁部底面部、１・・・モールド樹
脂酸面部、ｂ 、 ｃ 用モールド樹脂周辺部、Ｄｌ
＃Ｄ８・・・切欠部の深さ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦希１図 矛２図 （Ａ） （Ｂ）
）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）図のｂ−ｂｍ断面図、第２
図は従来の半導体製造装置の構成を説明する図、第３図
の（Ａ）（籾は従来の半導体製造装置を用いてモールド
形成された半導体装置の形状を説明する図、第４図はこ
の発明の一実施例に係る半導体製造装置の構成を説明す
る縦断面図、第５図の（Ａ）は同じく上金型側壁部で断
面して示した図、同図の（Ｂ）は（Ａ）図のｂ−ｂｍ断
面図、第６図の（Ａ）（Ｅ＊は従来例と上記製造装置で
製造された半導体装置の樹脂裏面形状を比較して示した
図である。 １１・・・樹脂封止型半導体＊［，１２・・・フレーム
、１１・・・半導体取看部、１４・・・半ＦｆＪ、ｘ５
・・・（レット素子、１６・・・外部リード部、１１・
・・がンデインダワイヤー、１８川モールド樹脂、１９
．１７川モールド金型、ｚｏ、ｘａ・・・下金型、１１
．ｊ１９・・・上金型、ＩＪＩ、１０°・°凹欠穴、ｘ
ｓ、ｓｓｏｏ・ｆｆ−）、２４．３１・・・凹欠穴底面
部、２８・・・半導体装Ｗｔ底面部、Ｉｌｉ、ＪＪ・・
・突起物、ＪＪ、ＪＪ・・・切欠部、１σ・・・上金型
側壁部、３７・・・側壁部底面部、１・・・モールド樹
脂酸面部、ｂ 、 ｃ 用モールド樹脂周辺部、Ｄｌ
＃Ｄ８・・・切欠部の深さ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦希１図 矛２図 （Ａ） （Ｂ）
Claims (1)
- ペレット素子を取り付けたフレームから外れる周辺部に
対応して切欠部を有する凹欠穴を形成した下金型と、上
記切欠部を除く側壁部を備えた上金型とからなる金型を
具備し、この金型内に上記７レームを設置して樹脂を注
入し、上記切欠部をエフベントとして用いるよう（二し
たことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12860982A JPS5919334A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12860982A JPS5919334A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919334A true JPS5919334A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14989012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12860982A Pending JPS5919334A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919334A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4637130A (en) * | 1981-03-05 | 1987-01-20 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor |
| JPH06244311A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-09-02 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2021037698A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | ハジメ産業株式会社 | 樹脂成形装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS587639U (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-18 | 住友ゴム工業株式会社 | タイヤ成形ドラム |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP12860982A patent/JPS5919334A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS587639U (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-18 | 住友ゴム工業株式会社 | タイヤ成形ドラム |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4637130A (en) * | 1981-03-05 | 1987-01-20 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor |
| JPH06244311A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-09-02 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2021037698A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | ハジメ産業株式会社 | 樹脂成形装置 |
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