JPH01123447A - 樹脂封止型電子部品の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型電子部品の製造方法

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JPH01123447A
JPH01123447A JP28030687A JP28030687A JPH01123447A JP H01123447 A JPH01123447 A JP H01123447A JP 28030687 A JP28030687 A JP 28030687A JP 28030687 A JP28030687 A JP 28030687A JP H01123447 A JPH01123447 A JP H01123447A
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Takaaki Yokoyama
隆昭 横山
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Sanken Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 席」1傾QJ−用勇」L 本発明は、樹脂封止型電子部品の製造方法、特に外部リ
ードの先端方向に向かって樹脂パリが広範囲に被着する
のを防止した樹脂封止型電子部品の製造方法に関する。
丈来叫投地 リードフレームに設けられた支持板の裏面側に薄い樹脂
層を形成して支持板全体を封止樹脂で被覆した構造の樹
脂封止型半導体装置が公知となっている。この半導体装
置の製造方法を第5図及び第6図に基づいて説明する。
第5図は、樹脂封止型パワートランジスタを作成するた
めのリードフレーム(正確にはリードフレームをベース
とする中間組立体)の11L血図を示し、第61!!I
はこのリードフレームを成形用型内に配置した状態を示
す断面図である。
リードフレーム1は、支持板2と、支持板2の一端に連
結された位に決めリード3と、複数の位置決めリード3
を連結する第一の連結細条4と。
支持&2の他端に配置された外部リード5と、外部リー
ド5を連結するタイバー6及び第二の連結細条7とを有
する。
リードフレーム1は、板状の鋼材を打ち抜き加工する一
連のプレス成形工程により形成される。
支持板2は他の部分より肉厚となっており放熱板を兼ね
ている。また、支持板2にはネジ挿入用貫通孔9が形成
される。実際のリードフレーム1は複数個の支持板2等
が並行に連結された多素子取りのリードフレームである
が、第5図ではそのl索子分のみを示す。
リードフレーム1には、まず、支持板2の一方の主面に
電子素子としての半導体チップ(シリコントランジスタ
チップ)8を半田により固着する。
次に、外部リード5と半導体チップ8とをリード細線1
0で接続する。次に、半導体チップ8を保n樹脂(図示
せず)で被覆する。その後、第6図に示す成形用型11
の上型12と下型13とによリ−ドフレーム1を挾持し
、周知のトランスファモールド法により第5図の破線で
示す樹脂封止体30を形成する。この時、支持板2は、
位置決めリード3と外部リード5とを一対の上型12と
下型13との間で挟持することにより、上型12と下型
13に対し1gt定の間隙を持って浮いた状態で支持さ
れる。ここで、支持板2と下型13との間の間隙は0.
51程度であり、支持板2と上型12との間の間隙に比
べて十分に小さい、この状態で、ランナ15及びゲート
16を通じて成形空所14内に溶融樹脂(封止用樹脂)
が圧入されかつ固化され、樹脂封止体30が形成される
。溶融樹脂の注入の際、前記成形金型による挟持のため
に支持板2の位置が溶融樹脂の圧力によって変動するこ
iはなく、支持板2の裏面側に薄い樹脂層を厚みの精度
良く形成できる。上型12と下型13から成る成形金型
11が予め溶融樹脂の硬化温度に維持されているため、
注入された溶融樹脂は短時間で固化し樹脂封止体30が
形成される。樹脂封止体30は、このように、半導体チ
ップ8とリード細ixoとを含む支持板2の全面と、位
置決めリード3及び外部リード5の端部とを被覆するよ
うに形成される。
一脩朋一濾朧r丸y−べ棗101−敗歳上述のトランス
ファモールドの際、外部リード5は、第6図に示す下型
13に形成された外部リード挿入用溝19に嵌合される
。また、外部り一部5の上面は上型12に抑圧されるか
ら、外部リード5は成形金型11に対し完全に密着した
状態となっている。しかし、外部リード5のHさ等に加
工上の誤差が生じたりすると、成形金型11に完全に密
着せずに間隙が生ずる。
ここで、溶融樹脂は、加圧されて成形空所14内に注入
される。従って、微少であっても外部リード5と成形金
型11との間に間隙か形成されると、成形空所14に圧
入された溶融樹脂の一部がその間隙に流れ込む0間隙に
流れ込んだ溶融樹脂は成形空所14内の樹脂と同様に短
時間で固化し、第7図に示すように、外部リード5の主
面5a上に広範囲に付着した樹脂バリ17となる。
樹脂封止型半導体装置の製造においては、樹脂封止体3
0の形成後に特性検査を行ってから製品出荷するのが一
般的である。この特性検査では、外部リード5の曲がり
を防ぐために外部リード5の一方の主面の樹脂封止体3
0の近傍部分(外部リード5の幅広部分)に測定端子を
当接させて通電して打うことがある。
このような場合、第7図のように外部リード5の導出方
向に広範囲(外部リード5の幅広部分の略全体)にわた
って樹脂バリ17が被着していると、樹脂バリ17が絶
縁物として測定端子の通電を阻止するため、特性検査を
良好に打えない。
特開昭m 1−28 SJ 6 a 7号公報には、上
記の問題を解決するために上型の外部リード挾持部分の
一部に部分的に突出する凸部を形成した成形金型を使用
して、樹脂の流出を防止する方法が開示されている。
しかし、上記の方法によると瞠存の金型をそのまま使用
することができない、また、成形金型が部分的に強く外
部リードに当接するため、成形金型の斤耗が著しく、高
価な金型の耐用期間が短いという欠点もあった。なお、
位置決めリード3に関しても同様に樹脂パリが発生する
が、位置決めリード3は第一の連結細条4とともに出荷
前に引張り破断されるので問題とはならない。
そこで、本発明は、上記の問題を解決しトランスファモ
ールド時に外部リードに沿って一定長さ以上に溶融樹脂
が成形空所から漏出するのを防止した樹脂封止型電子部
品の製造方法を提供することを目的とする。
皿史孟玉邂決するための手 本発明の樹脂封止型電子部品の製造方法は、樹脂封止体
より外部リードが導出された樹脂封止型電子部品の製造
方法において、前記樹脂封止体の形成される部分の近傍
に、前記外部リードの婦長方向に略全幅長にわたって形
成された少なくとも2本の溝部と、該溝部の間に相対的
に形成された凸部を有する前記外部リードを準備し、そ
の後、成形用型にて前記外部リードの溝部の形成された
領域を挾持し、前記凸部を前記成形用型に当接させ、か
つ前記溝部と前記成形ハ1型の間に空所を形成した状態
にて、前記成形用型内に形成された前記樹脂封止体に対
応する成形空所内に流動化した封止用樹脂を抑圧注入し
て固化させて前記樹脂封止体を形成する工程とから成る
作−m−」− 外部リードに形成された2本の溝部は、成形空所から流
出する封止用樹脂を捕集する溜部として作用し、2本の
溝部間に形成された凸部は封止用樹脂の漏出を阻止する
障壁として作用する。
去二」L−例一 以下1本発明の実施例を第1図〜第3図について説明す
る。これらの図面では第5図〜第7図に示す箇所と同一
の部分については同一符号を付し。
説明を省略する。
本発明の樹脂封止型電子部品の製造方法では。
組立体としてのリードフレーム31と成形用型11 (
成形金型)が4!i備される。外部リード5の少なくと
も一方の主面5aには、外部リード5の婦長方向に横切
る第一の溝部23及び第二の溝部24から成る少なくと
も2本のV中断面形状を有する凹凸挾持面22が形成さ
れる。また、第31111に示すように、凹凸挾持面2
2の第一の溝部23と第二の溝部24との間に相対的に
突出する凸部25が設けられる。
第一の溝部23及び第二の溝部24は、何れも外部リー
ド5の厚さ方向に形成されたV中断面の溝であり、リー
ドフレーム31を形成するための一連のプレス成形時に
コイニング加工により形成される。凸部25は第一の溝
部23と第二の溝部24と同時に形成される。凸部25
の先端部250は外部一方の生血の標準位置にあるリー
ド5の主面5a(上面)より若干上方に突出するように
形成される。第1図に示すように、第一の溝部23と第
二の溝部24は各外部リード5の婦長方向に延び、各外
部リード5の両縁部に達する。なお、樹脂封止体30の
内部に位置する複数の溝21は。
樹脂封止体30と外部リード5との密着性を向上するた
めに設けられたものである。
第2図は、従来使用された形成用型11に本実施例のリ
ードフレーム31をセットした状態を示す、外部リード
5は下型13に設けられた外部リード挿入用溝19内に
配置され、外部リード5の凹凸挾持面22は上型12と
下型13とにより挾持される。このと亡、第一の溝部2
3は成形空所14の壁面よりやや外部リード5の導出側
である。
凹凸挾持面22が形成されていない部分の外部リード5
の主面5aは上型12に密着している。また、凸部25
も主面5aと同様に上型12に密着している。本実施例
では、第一の溝部23及び第二の溝部24をコイニング
加工で形成するため。
プレス時に凸部25の先端部25aを外部リード5の主
面5aより若干高く肉盛り成形することが可能である。
従って、凸部25は微かに先端部分が押し潰されて上型
12に完全に密着する。なお、凸部25は先端部が細く
形成されており、かつ成形用型11より軟質の材質から
成る。したがって、凸部25が当接しても上型12に支
障を来すような損傷を与えることはない、また、第一の
溝部23及び第二の溝部24が形成された部分は上型1
2とvPj着しない0次に、成形用、型11に形成され
た成形室ljt l 4に溶融樹脂が圧入され、樹脂封
止体30が形成さ九る。ここで、外部リード5の主面5
Qに沿って成形空所14内から漏出する溶融樹脂は第一
の溝部23内に捕捉される。史に、凸部25の先端部2
5aは上型12と堅固に密着するため溶融槽+116は
第一の溝部23から外側に流出することがほとんどない
、仮りに、凸部25から溶融4!1脂が流出しても、第
二の溝部24に捕集される。実際に1本発明考が本発明
を実施した結果では、凸部25と上型12との密着面か
ら漏出して第一の溝部2,4に達する溶融樹脂の量はご
く微量であった。つまり第一の溝部23及び第二の溝部
24が形成された部分は外部リード5の主面5aと上型
12の間に流出する溶融樹脂の流出を阻止するダム部と
して作用し、凸部25は取部として作用する。
従って、第4図に示すように外部リード5の第二の溝部
24より導出外側の主面5aに樹脂パリ17が付着する
ことがない、二次により特性検査が良好に行える。また
、第二の溝部24より導出側では外部リード5の主面5
aに半田を良好に被覆することが可能となる。第一の溝
部23と第二の溝部24に樹脂が充填された場合、これ
らの部分には半田を被覆することができないが、第一の
溝部23及び第二の溝部24は樹脂封止体30の近傍で
あり、実装時に電極として使用しない部分である。した
がって、半田被覆を必要とせず、そのままでも支障はな
い。
なお、上記実施例では外部リード5の他方の主面側と側
面には樹脂パリが発生するが、第4図ではその図示を省
略する。なお、この部分に発生した樹脂パリは特性検査
の際には支障を来さない。
なお1本実施例では、特開昭61−289637号公報
の発明とは異なり、既存の成形用型を使用できると共に
、成形用型を長い耐用期間で使用することができる。
爽−形」 本発明の上記実施例は種々の変更が可能である。
実施例ではリードフレーム31の加工上、樹脂パリ17
の発生し易い外部リード5の一方の主面5a側に第一の
溝部23及び第二の溝部24を設けた例を示したが1.
外部リード5の両を面に溝部を設けてもよい、また、こ
れらの溝部はV中断面のほかU字等他の断面形状に形成
してもよい、史に、小ざな溝部を23本以上設けてもよ
い、凸部25の先端部26aが外部リード5の一方の主
面の標準位置と実質的に同一平面上にあってもよい。本
発明は1例えば、同軸型半尋体装′li1等の棒状リー
トタイプの電子部品にも応用できる。
麦−一一米 以上のように、本発明による樹脂封止型電子部品の製造
方法では、外部リードの少なくとも一方の主面において
は樹脂パリが外部リードの先端方向に向かって広範囲に
発生することがなく、樹脂パリの発生領域を樹11ti
封止体の近傍に留めることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の樹脂封止型電子部品の製造方法に使用
するリードフレームの平面図、第2図は第1図に示すリ
ードフレームを成形用型内に配置した状態を示す断面図
、第3図は成形型内に配置された凹凸挾持面の部分的拡
大断面図、第4図は本発明の樹脂封止型電子部品の製造
方法により製造した電子部品の部分的斜視図、第5図は
従来の樹脂封止型電子部品の製造方法に使用するリード
フレームの平面図、第6図は第5図に示すリードフレー
ムを成形用型内に配置した状態を示す断面図、第7図は
従来の樹脂封止型電子部品の製造方法により製造された
電子部品の部分的斜視図を示す。 20.支持板、 51.外部リード、 8.。 半導体チップ、 11.、成形用型、  14.。 成形空所、 190.外部リード挿入用溝、 229.
凹凸挾持面、 23.、第一の溝部、 240.第二の
溝部、 256.凸部、 30.。 樹脂封止体、 310.リードフレーム特許出願人 サ
ンケン電気株式会社 第1因 ム 第5区 ム

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)樹脂封止体より外部リードが導出された樹脂封止
    型電子部品の装造方法において、 前記樹脂封止体の形成される部分の近傍に、前記外部リ
    ードの幅長方向に略全幅長にわたって形成された少なく
    とも2本の溝部と、該溝部の間に相対的に形成された凸
    部を有する前記外部リードを準備し、その後、成形用型
    にて前記外部リードの溝部の形成された領域を挾持し、
    前記凸部を前記成形用型に当接させ、かつ前記溝部と前
    記成形用型の間に空所を形成した状態にて、前記成形用
    型内に形成された前記樹脂封止体に対応する成形空所内
    に流動化した封止用樹脂を抑圧注入して固化させて前記
    樹脂封止体を形成することを特徴とする樹脂封止型電子
    部品の製造方法。
  2. (2)前記凸部の頂部は前記外部リードの一方の主面の
    標準位置より微かに上方に突出している特許請求の範囲
    第(1)項記載の樹脂封止型電子部品の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002015209A2 (en) 2000-08-17 2002-02-21 Authentec Inc. Methods and apparatus for making integrated circuit package including opening exposing portion of the ic
WO2002015267A3 (en) * 2000-08-17 2003-08-07 Authentec Inc Integrated circuit package including opening exposing portion of an ic
KR100404251B1 (ko) * 2001-08-28 2003-11-03 주식회사 하이닉스반도체 파인 피치 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 및 그의 몰딩장치
JP2008205329A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5854659A (ja) * 1981-09-28 1983-03-31 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5854659A (ja) * 1981-09-28 1983-03-31 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002015209A2 (en) 2000-08-17 2002-02-21 Authentec Inc. Methods and apparatus for making integrated circuit package including opening exposing portion of the ic
WO2002015209A3 (en) * 2000-08-17 2003-07-24 Authentec Inc Methods and apparatus for making integrated circuit package including opening exposing portion of the ic
WO2002015267A3 (en) * 2000-08-17 2003-08-07 Authentec Inc Integrated circuit package including opening exposing portion of an ic
KR100404251B1 (ko) * 2001-08-28 2003-11-03 주식회사 하이닉스반도체 파인 피치 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 및 그의 몰딩장치
JP2008205329A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置

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