JPS5849630Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5849630Y2 JPS5849630Y2 JP1978052636U JP5263678U JPS5849630Y2 JP S5849630 Y2 JPS5849630 Y2 JP S5849630Y2 JP 1978052636 U JP1978052636 U JP 1978052636U JP 5263678 U JP5263678 U JP 5263678U JP S5849630 Y2 JPS5849630 Y2 JP S5849630Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- resin material
- mold
- semiconductor element
- helmet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本案は樹脂モールド形の半導体装置の改良に関するもの
である。
である。
一般に半導体装置は例えば第１図〜第３図に示すように
金属部材よりなる放熱板Ａにリード片ｂ１〜ｂ７よりな
るリードＢを、リード片ｂ１．ｂ７が放熱板Ａの突出部
Ｃによってかしめ固定されかつリード片ｂ２〜ｂ６が放
熱板Ａの上面に離隔位置するように配設すると共に、放
熱板Ａのほぼ中央部に固定された半導体素子りの電極と
リード片ｂ２〜ｂ６とを金属細線Ｅにて接続し、然る後
、放熱板Ａにおける半導体素子りの固定側を樹脂材Ｆに
てモールド被覆して構成されている。
金属部材よりなる放熱板Ａにリード片ｂ１〜ｂ７よりな
るリードＢを、リード片ｂ１．ｂ７が放熱板Ａの突出部
Ｃによってかしめ固定されかつリード片ｂ２〜ｂ６が放
熱板Ａの上面に離隔位置するように配設すると共に、放
熱板Ａのほぼ中央部に固定された半導体素子りの電極と
リード片ｂ２〜ｂ６とを金属細線Ｅにて接続し、然る後
、放熱板Ａにおける半導体素子りの固定側を樹脂材Ｆに
てモールド被覆して構成されている。
ところで、放熱板Ａにおける主要部分の樹脂材Ｆによる
モールド被覆は例えば第４図〜第５図に示すように、放
熱板Ａにおける半導体素子りの非固定側が上部金型Ｇ１
の上部内壁面に密着されるようにリードＢを上部金型Ｇ
１及び下部金型Ｇ２にて挾持し、この状態で上部金型Ｇ
１と下部金型Ｇ２とによって構成されるキャビティに樹
脂材Ｆを注入することによって行われている。
モールド被覆は例えば第４図〜第５図に示すように、放
熱板Ａにおける半導体素子りの非固定側が上部金型Ｇ１
の上部内壁面に密着されるようにリードＢを上部金型Ｇ
１及び下部金型Ｇ２にて挾持し、この状態で上部金型Ｇ
１と下部金型Ｇ２とによって構成されるキャビティに樹
脂材Ｆを注入することによって行われている。
しかし乍ら、この放熱板Ａは金属素材を半導体素子りの
非固定側より固定側に向けて所望形状に打抜き加工され
ている関係で、非固定側の陵線部には丸味を帯びた変形
部Ｈが形成されており、特にそれの板厚が厚くなるほど
大きくなる傾向にある。
非固定側より固定側に向けて所望形状に打抜き加工され
ている関係で、非固定側の陵線部には丸味を帯びた変形
部Ｈが形成されており、特にそれの板厚が厚くなるほど
大きくなる傾向にある。
従って、樹脂材Ｆのモールド被覆に先立って、放熱板Ａ
における半導体素子りの非固定側を上部金型Ｇ１の上部
内壁面に密着させても、その周縁部分は変形部Ｈのため
に密着させることができない。
における半導体素子りの非固定側を上部金型Ｇ１の上部
内壁面に密着させても、その周縁部分は変形部Ｈのため
に密着させることができない。
これがために、樹脂材Ｆのモールド被覆時に変形部Ｈと
上部金型Ｇ□の上部内壁面との間の空隙部に樹脂材Ｆが
流れ込む上、特にエポキシ樹脂のように流動性に優れた
ものにあっては変形部Ｈよりさらに内側の放熱板Ａと上
部金型Ｇ１の上部内壁面との接触面に、放熱板Ａの加工
時における変形などに起因して０．０２ｍｍ程度の隙間
が形成されていても、その隙間に樹脂材Ｆが流れ込んで
第６図に示すようにバリＫが形成される。
上部金型Ｇ□の上部内壁面との間の空隙部に樹脂材Ｆが
流れ込む上、特にエポキシ樹脂のように流動性に優れた
ものにあっては変形部Ｈよりさらに内側の放熱板Ａと上
部金型Ｇ１の上部内壁面との接触面に、放熱板Ａの加工
時における変形などに起因して０．０２ｍｍ程度の隙間
が形成されていても、その隙間に樹脂材Ｆが流れ込んで
第６図に示すようにバリＫが形成される。
このバリには放熱板Ａの変形量に応じて形成されるため
に、その形状は一定化せず、外観が著しく損なわれるの
みならず、放熱板Ａを放熱器に固定する場合、取付面が
密着しないために、放熱効果が著しく阻害される。
に、その形状は一定化せず、外観が著しく損なわれるの
みならず、放熱板Ａを放熱器に固定する場合、取付面が
密着しないために、放熱効果が著しく阻害される。
従って、従来においてはブラツシ法、サンドブラスト法
などを用いてバリＫを除去することが試みられているが
、除去の際に放熱板Ａの側面と樹脂材Ｆとの接触境界部
分に剥離や樹脂クラックが生じたりして耐湿性が損なわ
れ易いという欠点がある。
などを用いてバリＫを除去することが試みられているが
、除去の際に放熱板Ａの側面と樹脂材Ｆとの接触境界部
分に剥離や樹脂クラックが生じたりして耐湿性が損なわ
れ易いという欠点がある。
本案はこのような点に鑑み、簡単な構成にて放熱板の露
出面への樹脂材によるパリの発生を抑制しうる半導体装
置を提供するもので、以下実施例について説明する。
出面への樹脂材によるパリの発生を抑制しうる半導体装
置を提供するもので、以下実施例について説明する。
第７図〜第９図において、１は熱伝導性良好なる金属部
材よりなる放熱板であって、それの金属素材から打抜き
加工は例えば表面１ａから裏面１ｂに向けて行われてい
る。
材よりなる放熱板であって、それの金属素材から打抜き
加工は例えば表面１ａから裏面１ｂに向けて行われてい
る。
これがために、放熱板１の表面１ａ側における陵線部に
は若干丸味を帯びた変形部２が形成される。
は若干丸味を帯びた変形部２が形成される。
３は放熱板１の裏面１ｂにおける周縁部に形成された鳥
兜形層であって、例えばニッケル、錫、鉛、アルミニウ
ムなどのように柔かい金属部材をメッキ法、蒸着法、溶
射法などによって被着されている。
兜形層であって、例えばニッケル、錫、鉛、アルミニウ
ムなどのように柔かい金属部材をメッキ法、蒸着法、溶
射法などによって被着されている。
尚、この鳥兜形層３は樹脂材によるパリの発生し易い部
分にのみ形成することもできるが、その厚さは例えば０
．０２ｍｍ以下が望ましい。
分にのみ形成することもできるが、その厚さは例えば０
．０２ｍｍ以下が望ましい。
その上、鳥兜形層３は裏面１ｂの周縁部に凹段部ないし
溝部を形成し、その部分に裏面１ｂより若干突出するよ
うに形成することもできる。
溝部を形成し、その部分に裏面１ｂより若干突出するよ
うに形成することもできる。
４は複数のリード片４．〜４７にて構成されたリードで
あって、リード片４□、４□は放熱板１の表面１ａにお
ける両端部に突出部によってかしめ固定されており、リ
ード片４２〜４６は放熱板１の表面１ａに離隔位置する
ように配設されている。
あって、リード片４□、４□は放熱板１の表面１ａにお
ける両端部に突出部によってかしめ固定されており、リ
ード片４２〜４６は放熱板１の表面１ａに離隔位置する
ように配設されている。
５は放熱板１０表面１ａにおける中央部分に半田部材を
用いて固定された半導体素子であって、集積回路素子を
も含むものである。
用いて固定された半導体素子であって、集積回路素子を
も含むものである。
６は半導体素子５の電極とリード４におけるリード片４
□〜４６の一端とに接続された金属細線である。
□〜４６の一端とに接続された金属細線である。
７は放熱板１の表面１ａ側に、裏面１ｂ側が露呈するよ
うにモールド被覆された樹脂材である。
うにモールド被覆された樹脂材である。
次に半導体素子を含む主要部分の樹脂材によるモールド
被覆方法について第１０図〜第１１図を参照して説明す
る。
被覆方法について第１０図〜第１１図を参照して説明す
る。
尚、図において、８は上部金型であって、その下面には
凹部９が形成されている。
凹部９が形成されている。
そして凹部９の上部内壁面９ａの中央部分には放熱板１
の鳥兜形層３によって囲まれる裏面１ｂに対応する凹部
１０が形成されている。
の鳥兜形層３によって囲まれる裏面１ｂに対応する凹部
１０が形成されている。
１１は上部金型８の下方に対向して配設された下部金型
であって、その上面には凹部１２が形成されており、凹
部９とによってキャビティが構成される。
であって、その上面には凹部１２が形成されており、凹
部９とによってキャビティが構成される。
まず、第１０図に示すように、放熱板１の裏面１ｂにお
ける鳥兜形層３にのみ上部金型８の上部内壁面９ａが当
接されるように、リード４を上部金型８及び下部金型１
１によって挾持して半導体装置構成体をキャビティに収
納配置する。
ける鳥兜形層３にのみ上部金型８の上部内壁面９ａが当
接されるように、リード４を上部金型８及び下部金型１
１によって挾持して半導体装置構成体をキャビティに収
納配置する。
この状態において、放熱板１の鳥兜形層３は上部金型８
の上部内壁面９ａからの押圧力によって変形し、放熱板
１の裏面１ｂの上部内壁面９ａに対する密着性が向上す
る。
の上部内壁面９ａからの押圧力によって変形し、放熱板
１の裏面１ｂの上部内壁面９ａに対する密着性が向上す
る。
次に、第１１図に示すように、凹部９，１２によって構
成されたキャビティにゲート（図示せず）より溶融状態
の樹脂材７′を注入する。
成されたキャビティにゲート（図示せず）より溶融状態
の樹脂材７′を注入する。
すると、キャビティ内は下方より上方に向けて順次樹脂
材７′にて充実される。
材７′にて充実される。
そしてキャビティが樹脂材７′によって完全に充実され
ると、樹脂材７′は放熱板１の鳥兜形層３と上部金型８
の上部内壁面９ａとの接触部分がら流出しようとするが
、放熱板１と上部内壁面９ａとによって鳥兜形層３が押
圧変形され、両者間における加工精度などに起因する隙
間を閉塞する関係で、仮に樹脂材７′としてエポキシ樹
脂のように流動性に優れたものであっても殆んど漏出し
ない。
ると、樹脂材７′は放熱板１の鳥兜形層３と上部金型８
の上部内壁面９ａとの接触部分がら流出しようとするが
、放熱板１と上部内壁面９ａとによって鳥兜形層３が押
圧変形され、両者間における加工精度などに起因する隙
間を閉塞する関係で、仮に樹脂材７′としてエポキシ樹
脂のように流動性に優れたものであっても殆んど漏出し
ない。
そして、樹脂材７′の硬化後、上部金型８及び下部金型
１１からノックアウトピン（図示せず）を用いて取り出
すことによって第７図〜第９図に示す半導体装置が得ら
れる。
１１からノックアウトピン（図示せず）を用いて取り出
すことによって第７図〜第９図に示す半導体装置が得ら
れる。
このように放熱板１の裏面１ｂにおける周縁部には鳥兜
形層３が形成されているので、上部金型８及び下部金型
１１に放熱板１を含む半導体装置構成体をセットした場
合、鳥兜形層３が上部金型８の上部内壁面９ａによって
、放熱板１の裏面１ｂと上部内壁面９ａとの間の隙間を
閉塞するように押圧変形される関係で、放熱板１の加工
精度に余り影響されることなく、上部内壁面９ａに対す
る放熱板１の密着性を改善することができる。
形層３が形成されているので、上部金型８及び下部金型
１１に放熱板１を含む半導体装置構成体をセットした場
合、鳥兜形層３が上部金型８の上部内壁面９ａによって
、放熱板１の裏面１ｂと上部内壁面９ａとの間の隙間を
閉塞するように押圧変形される関係で、放熱板１の加工
精度に余り影響されることなく、上部内壁面９ａに対す
る放熱板１の密着性を改善することができる。
これがために、樹脂材７′の注入時に、その裏面１ｂ側
への漏出によるパリの発生を防止できる。
への漏出によるパリの発生を防止できる。
特に、放熱板１の加工変形はほぼ０．０２ｍｍ程度であ
るから、鳥兜形層３の厚みは０．０２ｍｍ程度に設定す
ればよいのであるが、それ以上に設定すれば密着性の確
実性が一層向上し、パリ発生を確実に防止できる上、従
来のようなサンドブラスト法などによるパリ除去操作が
不要となるために、樹脂クラックに起因する耐湿性の低
下をも軽減できる。
るから、鳥兜形層３の厚みは０．０２ｍｍ程度に設定す
ればよいのであるが、それ以上に設定すれば密着性の確
実性が一層向上し、パリ発生を確実に防止できる上、従
来のようなサンドブラスト法などによるパリ除去操作が
不要となるために、樹脂クラックに起因する耐湿性の低
下をも軽減できる。
尚、本案は何ら上記実施例にのみ制約されることなく、
例えば放熱板における鳥兜形層は金属部材の他、絶縁性
部材にて構成することもできるし、それの形成部酸も放
熱板の裏面における周縁部の他、全面とすることもでき
る。
例えば放熱板における鳥兜形層は金属部材の他、絶縁性
部材にて構成することもできるし、それの形成部酸も放
熱板の裏面における周縁部の他、全面とすることもでき
る。
又、放熱板の形状、リードと放熱板との取付構造、リー
ド数は適宜に変更しうる。
ド数は適宜に変更しうる。
以上のように本案によれば、放熱板の加工精度に余り影
響されることなく、不所望部分のパリの発生を効果的に
軽減でき、商品性の高い半導体装置を得ることができる
。
響されることなく、不所望部分のパリの発生を効果的に
軽減でき、商品性の高い半導体装置を得ることができる
。
第１図は従来例の要部破断平面図、第２図は第１図のＩ
−Ｉ断面図、第３図は第１図のＩＩ−ＩＩ断面図、第４
図は樹脂材によるモールド被覆方法を説明するための側
断面図、第５図は第４図のＸ部拡大図、第６図は第１図
の下面図、第７図は本案の一実施例を示す要部破断平面
図、第８図は第７図のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図、第９図は
第７図の下面図、第１０図〜第１１図は樹脂材によるモ
ールド被覆方法の説明図であって、第１０図は半導体装
置構成体の上部金型及び下部金型へのセット状態を示す
側断面図、第１１図は樹脂材の注入状態を示す側断面図
である。 図中、１は放熱板、１ａは表面、１ｂは裏面、３は鳥兜
形層、４はリード、５は半導体素子、６は金属細線、７
は樹脂材である。
−Ｉ断面図、第３図は第１図のＩＩ−ＩＩ断面図、第４
図は樹脂材によるモールド被覆方法を説明するための側
断面図、第５図は第４図のＸ部拡大図、第６図は第１図
の下面図、第７図は本案の一実施例を示す要部破断平面
図、第８図は第７図のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図、第９図は
第７図の下面図、第１０図〜第１１図は樹脂材によるモ
ールド被覆方法の説明図であって、第１０図は半導体装
置構成体の上部金型及び下部金型へのセット状態を示す
側断面図、第１１図は樹脂材の注入状態を示す側断面図
である。 図中、１は放熱板、１ａは表面、１ｂは裏面、３は鳥兜
形層、４はリード、５は半導体素子、６は金属細線、７
は樹脂材である。
Claims (1)
- 少くとも裏面における周縁部に易変形層が形成された放
熱板と、放熱板の表面に固定された半導体素子と、一端
が半導体素子の近くに位置するように配設されたリード
と、半導体素子の電極とリードの一端とに接続された金
属細線と、放熱板における表面側に、裏面側が露呈する
ように被覆された樹脂材とを具備したことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978052636U JPS5849630Y2 (ja) | 1978-04-18 | 1978-04-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978052636U JPS5849630Y2 (ja) | 1978-04-18 | 1978-04-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54153873U JPS54153873U (ja) | 1979-10-25 |
| JPS5849630Y2 true JPS5849630Y2 (ja) | 1983-11-12 |
Family
ID=28944195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978052636U Expired JPS5849630Y2 (ja) | 1978-04-18 | 1978-04-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5849630Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-04-18 JP JP1978052636U patent/JPS5849630Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54153873U (ja) | 1979-10-25 |
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