JPS5834927A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5834927A JPS5834927A JP13456581A JP13456581A JPS5834927A JP S5834927 A JPS5834927 A JP S5834927A JP 13456581 A JP13456581 A JP 13456581A JP 13456581 A JP13456581 A JP 13456581A JP S5834927 A JPS5834927 A JP S5834927A
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- mold
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に放熱板の樹
脂材より露呈する部分への樹脂パリの形成を防止するこ
とを目的とするものである。
脂材より露呈する部分への樹脂パリの形成を防止するこ
とを目的とするものである。
一般にこの種半導体装置は例えば第１図に示すように、
放熱板Ａに半導体素子Ｂを固定すると共に、半導体素子
Ｂの電極とり一ド０とを金属細線りにて接続し１然る後
、半導体素子Ｂを含む主要部分を樹脂材ＫＫてモールド
被覆して構成されている。
放熱板Ａに半導体素子Ｂを固定すると共に、半導体素子
Ｂの電極とり一ド０とを金属細線りにて接続し１然る後
、半導体素子Ｂを含む主要部分を樹脂材ＫＫてモールド
被覆して構成されている。
ところで、半導体素子Ｂを含す主要部分の樹脂材Ｆによ
るモールド被覆は上部金型、下部金型を含ｈモールド装
置に半導体装置構成体を、モールド予定部分が午ヤビテ
ィ内に位置するようにセットした上で、キャビティに樹
脂材を注入することによって行われている。
るモールド被覆は上部金型、下部金型を含ｈモールド装
置に半導体装置構成体を、モールド予定部分が午ヤビテ
ィ内に位置するようにセットした上で、キャビティに樹
脂材を注入することによって行われている。
しかし乍ら、放熱板Ａはモールド装置にセットしな状態
で、それの裏面が上部金型の内面に密治するように平坦
に構成されているのであるが、製造条件の変動などによ
り必ずしも平坦には形成されていない。このために、モ
ールド装置へのセット状態において、放熱板Ａの金型面
に対する密着性が不充分となって放熱板Ａの裏面には例
えば第２図に示すように薄膜状の樹脂バリＦが形成され
る。
で、それの裏面が上部金型の内面に密治するように平坦
に構成されているのであるが、製造条件の変動などによ
り必ずしも平坦には形成されていない。このために、モ
ールド装置へのセット状態において、放熱板Ａの金型面
に対する密着性が不充分となって放熱板Ａの裏面には例
えば第２図に示すように薄膜状の樹脂バリＦが形成され
る。
このバＩＪ ｐは放熱板Ａの変形状態に応じて形成され
るために、その形状は一定化せず、外観が著しく損なわ
れるのみならず、放熱板Ａを放熱器に固定した場合、取
付面が密着しないために、放熱効果も著しく阻害される
。
るために、その形状は一定化せず、外観が著しく損なわ
れるのみならず、放熱板Ａを放熱器に固定した場合、取
付面が密着しないために、放熱効果も著しく阻害される
。
従って、従来においてはブラツシ法、サンドブラスト法
などを用いてバリＦを除去することが試みらｎているが
、除去の際に、放熱板Ａと樹脂材Ｅとの境界部分にクラ
ックなどが生じたりして耐湿性が損なわｒ易いという問
題点がある。
などを用いてバリＦを除去することが試みらｎているが
、除去の際に、放熱板Ａと樹脂材Ｅとの境界部分にクラ
ックなどが生じたりして耐湿性が損なわｒ易いという問
題点がある。
本発明はこのような点に鑑み、放熱板の製造条件などに
余り左右されることなく、放熱板裏面への樹脂パリの発
生を簡単かつ効果的に防止できる半導体装置の製造方法
を提供するもので、以下その一製造方法について第３図
〜第８図を参照して説明する。
余り左右されることなく、放熱板裏面への樹脂パリの発
生を簡単かつ効果的に防止できる半導体装置の製造方法
を提供するもので、以下その一製造方法について第３図
〜第８図を参照して説明する。
まず、第３図〜第４図に示すように、放熱器などへの取
付部１と半導体素子の固定部２とを有し、それぞれが若
干屈曲状態に構成された放熱板３と、複数のリード片４
Ｉ〜４３をタイバー４ａ、４ｂにて−・体化してなるリ
ード４とをかしめなどにて一体化する。尚、同一板材よ
り打抜き加工してもよい。
付部１と半導体素子の固定部２とを有し、それぞれが若
干屈曲状態に構成された放熱板３と、複数のリード片４
Ｉ〜４３をタイバー４ａ、４ｂにて−・体化してなるリ
ード４とをかしめなどにて一体化する。尚、同一板材よ
り打抜き加工してもよい。
そして、放熱板３の固定部２における表面２ａに半導体
素子５を固定すると共に、それの電極とリード片４１４
３とを金属細線６にて接続することによって半導体装置
構成体を得る。次に、第５図に示すように、この半導体
装置構成体をモールド装置における下部金型７に、放熱
板３の取付部ｌが上面７ａに、半導体素子５がキャビテ
ィ８内に位置するように収納する。次に、第６図に示す
ように、下部金型７を上昇させて、放熱板３の取付部１
、リード４を下部金型７の上面？ａ、７ｂと上部金型９
の下面９ａ、９ｂにて挾持する。この際、放熱板３の取
付部１に対し１屈曲状態の固定部２は上部金型９の下面
９ａによって矯正され、その裏面２ｂは下面９ａに密着
される。この状態において、キャビティ８に溶融状態の
樹脂材１０／を注入する。そして、樹脂材１０′の硬化
後、モールド装置より取出し、タイバー４ａ、４ｂを切
除することによって第７ＩＡ〜第８図に示す半導体装置
が得ら【る。
素子５を固定すると共に、それの電極とリード片４１４
３とを金属細線６にて接続することによって半導体装置
構成体を得る。次に、第５図に示すように、この半導体
装置構成体をモールド装置における下部金型７に、放熱
板３の取付部ｌが上面７ａに、半導体素子５がキャビテ
ィ８内に位置するように収納する。次に、第６図に示す
ように、下部金型７を上昇させて、放熱板３の取付部１
、リード４を下部金型７の上面？ａ、７ｂと上部金型９
の下面９ａ、９ｂにて挾持する。この際、放熱板３の取
付部１に対し１屈曲状態の固定部２は上部金型９の下面
９ａによって矯正され、その裏面２ｂは下面９ａに密着
される。この状態において、キャビティ８に溶融状態の
樹脂材１０／を注入する。そして、樹脂材１０′の硬化
後、モールド装置より取出し、タイバー４ａ、４ｂを切
除することによって第７ＩＡ〜第８図に示す半導体装置
が得ら【る。
このように半導体装置構成体の主要部分を樹脂材１０に
てモールド被覆するに際し、予めｊ放熱板３ｖｃ形成さ
れた屈曲部分は固定部２の裏面２ｂがＬ部会型９の下面
９ａに密着するように矯正されるために、キャビティ８
に樹脂材１０’を注入しても固定部２の裏面２ｂと上部
金型９の下面９ａとの間に樹脂材１０′が漏出すること
はない。従つ′て、第８図に示すように、放熱板３の裏
面には樹脂パリは全く形成されず、放熱器への密着性を
改善できる。
てモールド被覆するに際し、予めｊ放熱板３ｖｃ形成さ
れた屈曲部分は固定部２の裏面２ｂがＬ部会型９の下面
９ａに密着するように矯正されるために、キャビティ８
に樹脂材１０’を注入しても固定部２の裏面２ｂと上部
金型９の下面９ａとの間に樹脂材１０′が漏出すること
はない。従つ′て、第８図に示すように、放熱板３の裏
面には樹脂パリは全く形成されず、放熱器への密着性を
改善できる。
特に、放熱板３の取付部ｌと固定部２との屈曲高さＨを
０．Ｏ１〜Ｏ，１ｍｓの範囲に設定すれば、放熱板３の
製造条件などに変動が生じてもモールド装置内において
屈曲部分を矯正して放熱板裏面を金型面に密着させるこ
とができる。このために、樹脂パリの発生防止は勿論の
こと、作業条件をラフに設定できることもあって、作業
能率をも改善できる。尚、屈曲高さＨが０．０１ ｎ未
満では樹脂パリの防止効果が損なわれるし、又、Ｏ’、
１ｍを越えると、放熱板の矯正量が大きいために半導体
素子にクラックが生じ易くなる。
０．Ｏ１〜Ｏ，１ｍｓの範囲に設定すれば、放熱板３の
製造条件などに変動が生じてもモールド装置内において
屈曲部分を矯正して放熱板裏面を金型面に密着させるこ
とができる。このために、樹脂パリの発生防止は勿論の
こと、作業条件をラフに設定できることもあって、作業
能率をも改善できる。尚、屈曲高さＨが０．０１ ｎ未
満では樹脂パリの防止効果が損なわれるし、又、Ｏ’、
１ｍを越えると、放熱板の矯正量が大きいために半導体
素子にクラックが生じ易くなる。
以上のように本発明によれば、放熱板の製造条件などに
余り左右されることなく、放熱板裏面への樹脂パリの発
生を簡単かつ効果的に防止できる。
余り左右されることなく、放熱板裏面への樹脂パリの発
生を簡単かつ効果的に防止できる。
第１図は従来の半導体装置の破断平面図、第２図は第１
図の下面図、第３図〜第８図は本発明方法の説明図であ
って、第３図は半導体装置構成体の平面図、第４図は第
３図の１−１断面図、第５図は半導体装置構成体の下部
金型への載置状態を示す側断面図、第６図は樹脂モール
ド状態を示す側断面図、第７図は完成状態を示す破断平
面図、第８図は第７図の下面図である。 第１ 図 第２ ＩＦ 第３１￥Ｉ ２α 弔 ４ 図 ２ Ｈｌ 矛 ５ 図 箔 ６ 霞 第 ７ １”８ ２へ 第 ８１７
図の下面図、第３図〜第８図は本発明方法の説明図であ
って、第３図は半導体装置構成体の平面図、第４図は第
３図の１−１断面図、第５図は半導体装置構成体の下部
金型への載置状態を示す側断面図、第６図は樹脂モール
ド状態を示す側断面図、第７図は完成状態を示す破断平
面図、第８図は第７図の下面図である。 第１ 図 第２ ＩＦ 第３１￥Ｉ ２α 弔 ４ 図 ２ Ｈｌ 矛 ５ 図 箔 ６ 霞 第 ７ １”８ ２へ 第 ８１７
Claims (1)
- 放熱板、半導体素子を含む半導体装置構成体の主要部分
を樹脂材にてモールド被覆するに際し、予め放熱板に形
成した屈曲部分をモールド装置にて、放熱板の裏面がモ
ールド装置の一方の金型面に密着するように矯正するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13456581A JPS5834927A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13456581A JPS5834927A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834927A true JPS5834927A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15131302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13456581A Pending JPS5834927A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834927A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6191937A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP13456581A patent/JPS5834927A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6191937A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
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