JPS6191937A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS6191937A JPS6191937A JP59213303A JP21330384A JPS6191937A JP S6191937 A JPS6191937 A JP S6191937A JP 59213303 A JP59213303 A JP 59213303A JP 21330384 A JP21330384 A JP 21330384A JP S6191937 A JPS6191937 A JP S6191937A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 10
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001092070 Eriobotrya Species 0.000 description 1
- 235000009008 Eriobotrya japonica Nutrition 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000190020 Zelkova serrata Species 0.000 description 1
- 235000015278 beef Nutrition 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H01L21/565—Moulds
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パワートランジスタ、電力用タイオード等の
樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
従来の一般的な電力用樹脂封止型半導体装置にお−・で
は、半纏俸チップが固着された支持板の裏面には成形樹
脂が形成されてぃな−・ａこのため、この半導体装ｔ’
ｉｒ外部放熱体に堆付けるに際しては、外部放熱体との
間にマイカ板等の絶縁シートを介在さぞなければならず
、取付作条が煩雑になった。この欅の欠点を解決するた
めに、支持板の１に面にも成形樹脂を形成する方法か提
案されている（％開昭５７−１４７２６０号公報）。こ
こに開示されて−・る方法によれば、金型によって外部
リードを保持するのみでな（、外部リードの反対興に導
出された細条も金型で支持する。この結果、金型の成形
空所内におけるチップ支持板の位置が安定し、チップ支
持板の裏面に封止樹脂層を形成することが出来る。
は、半纏俸チップが固着された支持板の裏面には成形樹
脂が形成されてぃな−・ａこのため、この半導体装ｔ’
ｉｒ外部放熱体に堆付けるに際しては、外部放熱体との
間にマイカ板等の絶縁シートを介在さぞなければならず
、取付作条が煩雑になった。この欅の欠点を解決するた
めに、支持板の１に面にも成形樹脂を形成する方法か提
案されている（％開昭５７−１４７２６０号公報）。こ
こに開示されて−・る方法によれば、金型によって外部
リードを保持するのみでな（、外部リードの反対興に導
出された細条も金型で支持する。この結果、金型の成形
空所内におけるチップ支持板の位置が安定し、チップ支
持板の裏面に封止樹脂層を形成することが出来る。
しかし、上記公報に開示されている方法でを工、支持の
ために導出した細条を、成形後に切断すると、第８図に
示す卯（、細条残部１１＋が成形樹脂体＋２１から突出
し、ここが成形樹脂体（２１内のチップ支持板と同゛砒
位になるので、絶縁不良、短絡事故が発生し易い。この
細条残部…の突出部をエツチングで除去する方法等も考
えら几るが、根本的な解決策とならない。
ために導出した細条を、成形後に切断すると、第８図に
示す卯（、細条残部１１＋が成形樹脂体＋２１から突出
し、ここが成形樹脂体（２１内のチップ支持板と同゛砒
位になるので、絶縁不良、短絡事故が発生し易い。この
細条残部…の突出部をエツチングで除去する方法等も考
えら几るが、根本的な解決策とならない。
そこで、本発明の目的は、支持板の裏面に薄り・成形樹
脂層を有し、惣絡事、故や絶縁不良が実質的九発生しな
−・樹脂封止型半導体装置馨容易、に製造する方法馨提
供することにある。
脂層を有し、惣絡事、故や絶縁不良が実質的九発生しな
−・樹脂封止型半導体装置馨容易、に製造する方法馨提
供することにある。
上記目的ン遂成するための本発明は、放熱機能および電
気伝２ｓ機能乞有するように形成された支持板と、削把
支持叡の一万の主面上九固漸された牛導体チツフ”と、
前記支持板の一端九連結された支持＆接続用外部リード
と、前記半専体チップ処内部リードを弁して又は弁さす
に接続された少なくとも１本のチップ接続用外部リード
とを少なくとも具備しているチップ・リード部材組立体
を構成し、この組立体にＳける前記支持板接続用及びチ
ップ接続用外部リードの導出５ｙａ−除一・た部分の全
部又はほぼ全Ｓを成形樹脂体で級模し、前記支持体の他
方の主面側にも薄−・成形樹脂層を設ける構造の樹脂封
止型半導体装置の製造方法にお−・て、支［ｊ接続用外
部リードの前記支持板の近傍部分に折り曲げ加工を施し
、前記皮付板接続用外部リードと前記支持板の前記−万
の主面との間の角度Ｙ：１８０度よりも小さくする工程
と、前記折り曲げ〃ロエを施した部分が成形用型の成形
空所内に位ｔｊるよ５に前記チップ・リード部材組立体
を配置し、Ｆ３σ記折り曲げ加工によって偏位して−・
る前記支持板の前記−万の生ｔｈｌを前記型の一部で押
圧し、且つ前記支持板接続用及びチップ接続用外部リー
ドン前記型で支持する工程と、前記成形空所内に？ｉ！
伏のｍ脂を圧入して成形樹脂体を形成する工程と、ン含
むこと乞％徴とする樹脂封止Ｑ半導体装置の製造方法に
係わるものである。
気伝２ｓ機能乞有するように形成された支持板と、削把
支持叡の一万の主面上九固漸された牛導体チツフ”と、
前記支持板の一端九連結された支持＆接続用外部リード
と、前記半専体チップ処内部リードを弁して又は弁さす
に接続された少なくとも１本のチップ接続用外部リード
とを少なくとも具備しているチップ・リード部材組立体
を構成し、この組立体にＳける前記支持板接続用及びチ
ップ接続用外部リードの導出５ｙａ−除一・た部分の全
部又はほぼ全Ｓを成形樹脂体で級模し、前記支持体の他
方の主面側にも薄−・成形樹脂層を設ける構造の樹脂封
止型半導体装置の製造方法にお−・て、支［ｊ接続用外
部リードの前記支持板の近傍部分に折り曲げ加工を施し
、前記皮付板接続用外部リードと前記支持板の前記−万
の主面との間の角度Ｙ：１８０度よりも小さくする工程
と、前記折り曲げ〃ロエを施した部分が成形用型の成形
空所内に位ｔｊるよ５に前記チップ・リード部材組立体
を配置し、Ｆ３σ記折り曲げ加工によって偏位して−・
る前記支持板の前記−万の生ｔｈｌを前記型の一部で押
圧し、且つ前記支持板接続用及びチップ接続用外部リー
ドン前記型で支持する工程と、前記成形空所内に？ｉ！
伏のｍ脂を圧入して成形樹脂体を形成する工程と、ン含
むこと乞％徴とする樹脂封止Ｑ半導体装置の製造方法に
係わるものである。
成形時に、支持＆Ｘ外部リード部分のみで支持せず、支
持板の一部の主面の位置ｔ’［によって制限するので、
支持板の安定的支持が達成される。
持板の一部の主面の位置ｔ’［によって制限するので、
支持板の安定的支持が達成される。
本発明では、単に支持板の一部の主１ｉｉａを型に尚接
させるのではなく、折り曲げ加工によって予め偏位され
て−・る支持板の位置を元に戻丁ように支持＆を型で押
圧する。こｎにより、支持板は型によって安定的に位置
決めされ、樹脂乞注入しても支持板の位置が実質的に変
化しな一部。
させるのではなく、折り曲げ加工によって予め偏位され
て−・る支持板の位置を元に戻丁ように支持＆を型で押
圧する。こｎにより、支持板は型によって安定的に位置
決めされ、樹脂乞注入しても支持板の位置が実質的に変
化しな一部。
次に、第１図〜第７図ン参照して本発明の実施＄１Ｊに
係わるａＩ脂封止型パワートランジスタ及びその製造方
法につ−・て説明する。
係わるａＩ脂封止型パワートランジスタ及びその製造方
法につ−・て説明する。
まず、第１図に示すリードフレーム（トランジスタ１個
分を示す、実際には多数個分か並列）乞用意する。図に
お一部て、ＵυはＮｉ扱覆Ｃｕ叡から成る放熱支持板、
ｕｔは支持＆Ｕυの一端に連結された支持仮接続用外部
リード、ｕ３１（１４１はチップのベースとエミッタに
接続されるチップ接続用外部′リードである。なお、谷
外部リードＤ （１３１圓は支持板Ｕυと同一材料で形
成されて−・る。１Ｉ５１はリード同志を連絡するタイ
バー、′ｕ旧旧ソリート４共通に接続する共池接続細条
、（１７）は散性孔を形成するために支持板ｕＩＪに設
けられて−・るＵ字状の凹部である。
分を示す、実際には多数個分か並列）乞用意する。図に
お一部て、ＵυはＮｉ扱覆Ｃｕ叡から成る放熱支持板、
ｕｔは支持＆Ｕυの一端に連結された支持仮接続用外部
リード、ｕ３１（１４１はチップのベースとエミッタに
接続されるチップ接続用外部′リードである。なお、谷
外部リードＤ （１３１圓は支持板Ｕυと同一材料で形
成されて−・る。１Ｉ５１はリード同志を連絡するタイ
バー、′ｕ旧旧ソリート４共通に接続する共池接続細条
、（１７）は散性孔を形成するために支持板ｕＩＪに設
けられて−・るＵ字状の凹部である。
次に、支持＆Ｕυのとに半田（図示せず］でシリコンパ
ワートランジスタ千ツブＱ１９のフレフタ竜極乞固着す
る。なお、チップ餞は、上面にペース電極とエミッタ電
極を有し、下面にはコレクタ電極を有する。
ワートランジスタ千ツブＱ１９のフレフタ竜極乞固着す
る。なお、チップ餞は、上面にペース電極とエミッタ電
極を有し、下面にはコレクタ電極を有する。
仄に、チップ賭のペース電極と外部リード（１３１の一
部、およびチップ（１８１のエミッタ電極と外ｆＡ Ｉ
Ｊ−ドＵ・υの間乞、それぞｔｌ、ＡＩ！Ｉｊ！から成
る内部リード（ｌｃＪ剛により接続する。更に、チップ
ｔｔｓ？ジャンクションコーティングレジンＱＤ （チ
ップ保護用の樹脂で、この例ではボナイミド変性シリコ
ン樹脂］で抜覆する。この段階では、外部リード（ｌａ
（１３１（１４１の成丁平ｒｉｏト支持ａＵＵの成丁
乎面は平行である。ただし。
部、およびチップ（１８１のエミッタ電極と外ｆＡ Ｉ
Ｊ−ドＵ・υの間乞、それぞｔｌ、ＡＩ！Ｉｊ！から成
る内部リード（ｌｃＪ剛により接続する。更に、チップ
ｔｔｓ？ジャンクションコーティングレジンＱＤ （チ
ップ保護用の樹脂で、この例ではボナイミド変性シリコ
ン樹脂］で抜覆する。この段階では、外部リード（ｌａ
（１３１（１４１の成丁平ｒｉｏト支持ａＵＵの成丁
乎面は平行である。ただし。
これは設計上のこと′″Ｃ：、Ｃ：、実際−ドフレーム
の移動やタイポンディング、ワイヤボンディング等の作
業によって支持＆ｕｌｌの位置Ｓよび外部リードに対す
る角度にはバラツキが児らｎる。
の移動やタイポンディング、ワイヤボンディング等の作
業によって支持＆ｕｌｌの位置Ｓよび外部リードに対す
る角度にはバラツキが児らｎる。
ｅＫに、外部リードｕｔの支持板近傍部分１１２ａＪを
わずかに塑性変形させる。即ち、この別では、支持＆（
ＩＩＪの一部の主面しＪ：面］に対する外部リードａ４
０角度が１８０度よりもわずかに小さくなるように部分
（１２ａＪ乞好ましくは２度〜２０度の範囲に折り曲げ
加工する。なお、リードフレーム形成時のバラツキで既
に必要な折り曲げ月腿（好筐しくは２０度以下〕が得ら
れて−・るものは再び折り白は加工することは不要であ
る。従って、リードフレームにおける飯叡の支持＆仏υ
の角度を揃えるように折り曲げ加エン施丁。また、リー
ドｕ４ （１３１（１４１に対する支持板Ｕυのに右方
向（面方向Ｊの位置すれかある場＠には、同時に踏圧す
る。第２図に示す支持板ｕｌＩとリードｕ４との角度関
係を得るための折り曲げは、樹脂そ−ルド工程の直前に
行うことか最も旭ましいが、これに限るものでな（、チ
ック゛（１８１の固オｊ前、又は内部リード（＋９１四
の接続前でもより・し、更にリードフレームの成形時に
同時に第２図の角匿ヲ得るようにしてもよい。
わずかに塑性変形させる。即ち、この別では、支持＆（
ＩＩＪの一部の主面しＪ：面］に対する外部リードａ４
０角度が１８０度よりもわずかに小さくなるように部分
（１２ａＪ乞好ましくは２度〜２０度の範囲に折り曲げ
加工する。なお、リードフレーム形成時のバラツキで既
に必要な折り曲げ月腿（好筐しくは２０度以下〕が得ら
れて−・るものは再び折り白は加工することは不要であ
る。従って、リードフレームにおける飯叡の支持＆仏υ
の角度を揃えるように折り曲げ加エン施丁。また、リー
ドｕ４ （１３１（１４１に対する支持板Ｕυのに右方
向（面方向Ｊの位置すれかある場＠には、同時に踏圧す
る。第２図に示す支持板ｕｌＩとリードｕ４との角度関
係を得るための折り曲げは、樹脂そ−ルド工程の直前に
行うことか最も旭ましいが、これに限るものでな（、チ
ック゛（１８１の固オｊ前、又は内部リード（＋９１四
の接続前でもより・し、更にリードフレームの成形時に
同時に第２図の角匿ヲ得るようにしてもよい。
次に、第１図及び第２図に示すチップ・リード部材組立
体を、第３図に示す上部金型のと下部金型のとによって
生じる成形用空７Ｅｊｒ１２４１内にチック”・リード
部材組立体を配置する。この時、折り曲げ加工部分（１
２ａＪか空所１２４＋に収容されるように配置し、且つ
金ｍ ｔｚ２１ｃａによって外部リードａａｕ；ｓｕａ
’ｉ片持ち来状に挾持する。また、上部金型１２３には
第１図、第３図及び第４因に示す如くビンの＠ン設けて
おさ、このビン（２）ＣａｉｌＫよって支持板ｕＤの光
陽部分を押圧する。ビンム四の長さは、第２図に示す折
り曲ｒｒを国元さゼるような長さに設足さｎて（・るの
で、支持＆ａυのチップ接着ｌ（上面）Ｌ刈するｌＡ都
リード（１４０川反かＦＪｌ ８０度に戻る。ビン（ハ
）□□□による支持＆Ｕυの押し下げは外２１ ＩＪ−
ドｕ２の弾注笈形をオＩＪ用してなされるので、支持板
ｕＩＪには第３図で時計１り方向の偏（９力が与えらｎ
、ビン（２５１（至）に対して支持＆ｕｌｌが強く当接
する。Ｑｎは上部金ｍｃｌ’Ｊの一部として形成さｔま
た円局伏ビンで、支持板の凹５ａＴＩを裏通して−・る
。（至）は上部金型のの一部として形成された仕切り状
の突出部である、（ハ）はゲー）１ｔ（ＪＪＩＩ！Ｅ人
口）である。
体を、第３図に示す上部金型のと下部金型のとによって
生じる成形用空７Ｅｊｒ１２４１内にチック”・リード
部材組立体を配置する。この時、折り曲げ加工部分（１
２ａＪか空所１２４＋に収容されるように配置し、且つ
金ｍ ｔｚ２１ｃａによって外部リードａａｕ；ｓｕａ
’ｉ片持ち来状に挾持する。また、上部金型１２３には
第１図、第３図及び第４因に示す如くビンの＠ン設けて
おさ、このビン（２）ＣａｉｌＫよって支持板ｕＤの光
陽部分を押圧する。ビンム四の長さは、第２図に示す折
り曲ｒｒを国元さゼるような長さに設足さｎて（・るの
で、支持＆ａυのチップ接着ｌ（上面）Ｌ刈するｌＡ都
リード（１４０川反かＦＪｌ ８０度に戻る。ビン（ハ
）□□□による支持＆Ｕυの押し下げは外２１ ＩＪ−
ドｕ２の弾注笈形をオＩＪ用してなされるので、支持板
ｕＩＪには第３図で時計１り方向の偏（９力が与えらｎ
、ビン（２５１（至）に対して支持＆ｕｌｌが強く当接
する。Ｑｎは上部金ｍｃｌ’Ｊの一部として形成さｔま
た円局伏ビンで、支持板の凹５ａＴＩを裏通して−・る
。（至）は上部金型のの一部として形成された仕切り状
の突出部である、（ハ）はゲー）１ｔ（ＪＪＩＩ！Ｅ人
口）である。
次に、公矧のトランス７アモールド法に基づ−・て、加
熱さｎて粘液状となった熱硬化性エポキシ樹脂をゲート
のを通じて空所Ｑ４内に圧入・光てんする。金ｍ１２２
１のは樹脂が熱硬化する温度Ｌ１５０〜２００℃）に加
熱さｎており、圧入・元てんされた樹脂は短時間（数分
以内）の内に熱硬化し。
熱さｎて粘液状となった熱硬化性エポキシ樹脂をゲート
のを通じて空所Ｑ４内に圧入・光てんする。金ｍ１２２
１のは樹脂が熱硬化する温度Ｌ１５０〜２００℃）に加
熱さｎており、圧入・元てんされた樹脂は短時間（数分
以内）の内に熱硬化し。
第５図及び第６図に示すように成形樹脂体（至）が・形
成さ九る。この１根にお１・て、仕切り伏の突出部１２
８１は、支持板Ｕυのテップｕ８１が固着された表向側
への樹脂の流入ン抑制し、１ｍｍ以下の薄−゛樹７１ｍ
ｈｌを形成する支持板Ｕυの表面側への樹脂の流れを
強化する。この結果、支持＆Ｕυの裏面側で起き易い樹
脂の不完全光てんを防止できる。更に好柾酋なことは、
この拉１月旨のｖｉｊれの市ＩＪ（ａｌによって、流動
する樹脂か支持板ｕ］ｌン円閣状ビンｂ（ハ）に押し付
けるように作用することである。このため、支持板ｕＩ
Ｉを金型ムの一部によってその裏面側から上方に押して
−・な−・にもかかわらず、樹脂のがＬ九の作用とリー
ドフレームを第２図に示す叩く折り曲ｒ′ｆたことによ
るバネ作用との両方の拗ぎにより、支持板ｕＩＩの位置
変動は実質的に阻止さｎる。 。
成さ九る。この１根にお１・て、仕切り伏の突出部１２
８１は、支持板Ｕυのテップｕ８１が固着された表向側
への樹脂の流入ン抑制し、１ｍｍ以下の薄−゛樹７１ｍ
ｈｌを形成する支持板Ｕυの表面側への樹脂の流れを
強化する。この結果、支持＆Ｕυの裏面側で起き易い樹
脂の不完全光てんを防止できる。更に好柾酋なことは、
この拉１月旨のｖｉｊれの市ＩＪ（ａｌによって、流動
する樹脂か支持板ｕ］ｌン円閣状ビンｂ（ハ）に押し付
けるように作用することである。このため、支持板ｕＩ
Ｉを金型ムの一部によってその裏面側から上方に押して
−・な−・にもかかわらず、樹脂のがＬ九の作用とリー
ドフレームを第２図に示す叩く折り曲ｒ′ｆたことによ
るバネ作用との両方の拗ぎにより、支持板ｕＩＩの位置
変動は実質的に阻止さｎる。 。
仄に、金ｍα２１（ハ）の少細めケ解いて、チップ・リ
ード部材組立体Ｙ金型Ωのから散り外し、成形樹脂体間
を先金に熱硬化させるために史に長時間の熱処理を行い
、Ｍ、後にタイバーα５１および共通接仕細条叫をブレ
ス切断で除去して、第７図のノくワートランジスタを′
７６成さぜる。θ１１１３２１は円間抹ビン暢）咋）に
対応して形成された凹部である。また、關（工円尚抹と
ンＵに対応して形成さ几たもので、このパワートランジ
スｐを外部放Ｗ？ｌ捧に取付けるとぎにネジ等を連子た
めの取付孔である６例は突出部ＣＬ！榎に対応して形成
された溝状の四部である。
ード部材組立体Ｙ金型Ωのから散り外し、成形樹脂体間
を先金に熱硬化させるために史に長時間の熱処理を行い
、Ｍ、後にタイバーα５１および共通接仕細条叫をブレ
ス切断で除去して、第７図のノくワートランジスタを′
７６成さぜる。θ１１１３２１は円間抹ビン暢）咋）に
対応して形成された凹部である。また、關（工円尚抹と
ンＵに対応して形成さ几たもので、このパワートランジ
スｐを外部放Ｗ？ｌ捧に取付けるとぎにネジ等を連子た
めの取付孔である６例は突出部ＣＬ！榎に対応して形成
された溝状の四部である。
このパワートランジスタでは、凹部ｃｉ＋ｃｓａの紙面
にお−・て支持＆（ｌｉｔが外部に蕗出している。しか
し、この露出部と成形樹脂体ωの底面に密層して配置さ
ｎる外部放熱体との８面距離（成形４１４廁体の表面に
（ｃｔつての距離Ｊは十分に大きく、ここでの絶線不良
は起こらな−・。むしろ、取付孔時に通されたネジ（外
部放熱体と電気的につなかって−・る）の頂部と上記支
持板露出部との沿面距離の万が間暮になるが、これも凹
部６υＣ３シの深さがかなりあること、：Ｆ＋５よび凹
ｈ ｃｔｕ 囚の位置が取付孔［有］からできるだけ離
されて−・ることにより、実用上音（問題のな一゛沿＠
距離が確保されている。知絡事故につ−・ては、上記路
出部が触ｌｒＬ姫−・θｒにあるので実用上心配はない
。従って１問題となり易−１支持板Ｕ」の裏面側か盆く
露出しないこのパワートランジスタでは、従来１ム」題
であった苅絡事故や絶線不良の問題は、実）′４３Ｊ：
は十分に解決さ２”して−゛る。
にお−・て支持＆（ｌｉｔが外部に蕗出している。しか
し、この露出部と成形樹脂体ωの底面に密層して配置さ
ｎる外部放熱体との８面距離（成形４１４廁体の表面に
（ｃｔつての距離Ｊは十分に大きく、ここでの絶線不良
は起こらな−・。むしろ、取付孔時に通されたネジ（外
部放熱体と電気的につなかって−・る）の頂部と上記支
持板露出部との沿面距離の万が間暮になるが、これも凹
部６υＣ３シの深さがかなりあること、：Ｆ＋５よび凹
ｈ ｃｔｕ 囚の位置が取付孔［有］からできるだけ離
されて−・ることにより、実用上音（問題のな一゛沿＠
距離が確保されている。知絡事故につ−・ては、上記路
出部が触ｌｒＬ姫−・θｒにあるので実用上心配はない
。従って１問題となり易−１支持板Ｕ」の裏面側か盆く
露出しないこのパワートランジスタでは、従来１ム」題
であった苅絡事故や絶線不良の問題は、実）′４３Ｊ：
は十分に解決さ２”して−゛る。
なお、実用上は七の８較がなくても、半導体装置のユー
ザーは、支持板ａυか完至に蕗出しな−゛裏品希座する
場合がある。そのときには、凹ｆｌｔ３１１Ｂ４に樹脂
を注入したり、凹部Ｃ（ＩＩ膿の上に絶縁フィルムをは
りつけてふたをしてもよ−１゜支持５ｕ１１の凹ｓ Ｃ
ａ１ｌ ｃｔ；ａの紙面となる部分に予めポリイミド系
樹脂層のような絶縁層ヶ形成しておき、この絶縁層の上
から円尚払ビン１２５１囚で支持板Ｕυを押子ようにし
て、支持板ｕ１１が元金に杷は物で被覆された牛４体装
置を得てもよ一゛。
ザーは、支持板ａυか完至に蕗出しな−゛裏品希座する
場合がある。そのときには、凹ｆｌｔ３１１Ｂ４に樹脂
を注入したり、凹部Ｃ（ＩＩ膿の上に絶縁フィルムをは
りつけてふたをしてもよ−１゜支持５ｕ１１の凹ｓ Ｃ
ａ１ｌ ｃｔ；ａの紙面となる部分に予めポリイミド系
樹脂層のような絶縁層ヶ形成しておき、この絶縁層の上
から円尚払ビン１２５１囚で支持板Ｕυを押子ようにし
て、支持板ｕ１１が元金に杷は物で被覆された牛４体装
置を得てもよ一゛。
本発明は上述の夾施ガに限建さｎるものではなく、丈に
変形可能なものである。例えば、外部リードｕ３１ ｕ
４１をチップ賭に直接に接続する場合にも適用可能であ
る。筐た。支持板Ｕυの下側に樹脂が良好に注入される
ように注入口の配置′４ｒ：変えてもよ−・。また、金
型を３分割以上に分けてもよ−・。また、ビン（ハ）□
□□の代りに上部金型ののＷ壁に突出部を設け、これで
支持板ｕｌｌ抑圧してもよ一゛。
変形可能なものである。例えば、外部リードｕ３１ ｕ
４１をチップ賭に直接に接続する場合にも適用可能であ
る。筐た。支持板Ｕυの下側に樹脂が良好に注入される
ように注入口の配置′４ｒ：変えてもよ−・。また、金
型を３分割以上に分けてもよ−・。また、ビン（ハ）□
□□の代りに上部金型ののＷ壁に突出部を設け、これで
支持板ｕｌｌ抑圧してもよ一゛。
上述から明らかな如（、本発明によれば、支持板のチッ
プ徽沼−面側か位置決めさｎ、且つ支持板は位置決めに
刈してバネ作用を有して接融するように１ｆるので、支
持板の他方の主面（装面Ｊ １Ｋｌｌに博い便廁層を比
セ的正確に形成することが出来る。
プ徽沼−面側か位置決めさｎ、且つ支持板は位置決めに
刈してバネ作用を有して接融するように１ｆるので、支
持板の他方の主面（装面Ｊ １Ｋｌｌに博い便廁層を比
セ的正確に形成することが出来る。
また、動線不良や′ｆ５１絡事故が実質的に発生しない
半畳体表１ａを提供することか出来る◎４、図面の１Ｍ
牢な一？、明 第１図は本発明の実緬例に係わる仙脂封止型牛尋俸装置
のチップ・リード部材組体を示す料伐図、第２図は第１
図の外部リード（１４に沿った部分の断面図、第３図は
第２図に示すチック・リード部材組体を金製に収容した
状態を示す＠囲図。
半畳体表１ａを提供することか出来る◎４、図面の１Ｍ
牢な一？、明 第１図は本発明の実緬例に係わる仙脂封止型牛尋俸装置
のチップ・リード部材組体を示す料伐図、第２図は第１
図の外部リード（１４に沿った部分の断面図、第３図は
第２図に示すチック・リード部材組体を金製に収容した
状態を示す＠囲図。
第４図は第３図と同一状態における外部リードｕ４１に
沿った部分の断面図、第５図及び第６図に第３図及び第
４図に対応する樹脂注入恢の状態ン示す断面図、第７図
は完成したトランジスタを示す斜視図、第８−は従来の
トランジスタケ示す糾視図である。
沿った部分の断面図、第５図及び第６図に第３図及び第
４図に対応する樹脂注入恢の状態ン示す断面図、第７図
は完成したトランジスタを示す斜視図、第８−は従来の
トランジスタケ示す糾視図である。
Ｕυ・・・支持板、旺ｔ・・・支持＆接続用外部リード
ｍ ｌｌｊ’圓・・・チップ接続用外部リード、賭・・
・チップ゛、 ＋１！Ｊ四・・・内部リード％１２２１
ｃ！３１・・・金型、Ｑ４・・・成形用空所、シ５１（
イ））・・・ビン、１３１Ｊ・・・樹脂体。
ｍ ｌｌｊ’圓・・・チップ接続用外部リード、賭・・
・チップ゛、 ＋１！Ｊ四・・・内部リード％１２２１
ｃ！３１・・・金型、Ｑ４・・・成形用空所、シ５１（
イ））・・・ビン、１３１Ｊ・・・樹脂体。
Claims (2)
- （１）放熱機能および電気伝導機能を有するように形成
された支持板と、前記支持板の一方の主面上に固着され
た半導体チップと、前記支持板の一端に連結された支持
板接続用外部リードと、前記半導体チップに内部リード
を介して又は介さずに接続された少なくとも１本のチッ
プ接続用外部リードとを少なくとも具備しているチップ
・リード部材組立体を構成し、この組立体における前記
支持板接続用及びチップ接続用外部リードの導出部を除
いた部分の全部又はほぼ全部を成形樹脂体で被覆し、前
記支持体の他方の主面側にも薄い成形樹脂層を設ける構
造の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 前記支持板接続用外部リードの前記支持板の近傍部分に
折り曲げ加工を施し、前記支持板接続用外部リードと前
記支持板の前記一方の主面との間の角度を１８０度より
も小さくする工程と、 前記折り曲げ加工を施した部分が成形用型の成形空所内
に位置するように前記チップ・リード部材組立体を配置
し、前記折り曲げ加工によつて偏位している前記支持板
の前記一方の主面を前記型の一部で押圧し、且つ前記支
持板接続用及びチップ接続用外部リードを前記型で支持
する工程と、前記成形空所内に液状の樹脂を注入して成
形樹脂体を形成する工程と、 を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - （２）前記成形樹脂体は、前記支持体の他方の主面側の
樹脂層が厚み１ｍｍ以下となるように形成されたもので
ある特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213303A JPS6191937A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213303A JPS6191937A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191937A true JPS6191937A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=16636892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59213303A Pending JPS6191937A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191937A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0307946A2 (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a resin insulated type semiconductor device |
| US4888307A (en) * | 1986-08-27 | 1989-12-19 | Sgs Microelettronica S.P.A. | Method for manufacturing plastic encapsulated semiconductor devices |
| WO2007115916A1 (de) * | 2006-04-10 | 2007-10-18 | Robert Bosch Gmbh | Sensorvorrichtung |
| JP2011054623A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834927A (ja) * | 1981-08-26 | 1983-03-01 | Nec Home Electronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP59213303A patent/JPS6191937A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834927A (ja) * | 1981-08-26 | 1983-03-01 | Nec Home Electronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4888307A (en) * | 1986-08-27 | 1989-12-19 | Sgs Microelettronica S.P.A. | Method for manufacturing plastic encapsulated semiconductor devices |
| EP0307946A2 (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a resin insulated type semiconductor device |
| WO2007115916A1 (de) * | 2006-04-10 | 2007-10-18 | Robert Bosch Gmbh | Sensorvorrichtung |
| JP2011054623A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置及びその製造方法 |
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