JP2742514B2 - 集積回路パッケージの成型方法 - Google Patents

集積回路パッケージの成型方法

Info

Publication number
JP2742514B2
JP2742514B2 JP6297411A JP29741194A JP2742514B2 JP 2742514 B2 JP2742514 B2 JP 2742514B2 JP 6297411 A JP6297411 A JP 6297411A JP 29741194 A JP29741194 A JP 29741194A JP 2742514 B2 JP2742514 B2 JP 2742514B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold die
lead
molding
lower mold
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP6297411A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07193178A (ja
Inventor
九 李
Original Assignee
亞南産業株式會社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1019930025829A external-priority patent/KR970000966B1/ko
Priority claimed from KR1019940022439A external-priority patent/KR0162887B1/ko
Priority claimed from KR1019940022625A external-priority patent/KR0142153B1/ko
Application filed by 亞南産業株式會社 filed Critical 亞南産業株式會社
Publication of JPH07193178A publication Critical patent/JPH07193178A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2742514B2 publication Critical patent/JP2742514B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49558—Insulating layers on lead frames, e.g. bridging members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダンバレスリードフレ
ームを使用した集積回路パッケージの成型方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路パッケージ、いわゆるＩ
Ｃパッケージとしては、使用コスト削減の目的でセラミ
ック製などの高価なＩＣパッケージに代えて、合成樹脂
製などの安価なＩＣパッケージが一般的に用いられてき
ている。すなわち、従来は高付加価値のＩＣパッケージ
の製造には高価なセラミックを用いなければならなかっ
たが、合成樹脂製のＩＣパッケージの品質の向上により
安価な樹脂を使用した高付加価値ＩＣパッケージの製造
が可能となってきている。
【０００３】そして、パッケージ上のユニットタイプの
製品であるパッケージ・アセンブリのトリミングにかか
るトリミング装置の経費、無駄な労力および時間がＩＣ
パッケージのコストを引き上げている。また、パッケー
ジ・アセンブリのトリミングのために製品の出荷が納期
に遅れることもあり、これによりＩＣパッケージの製造
販売に悪影響がでることもある。
【０００４】また、近い将来、ＩＣパッケージのリード
間の間隔は０．３５ミリから少なくとも０．１５ミリ程
度までに狭められる予定で、リードを連結しているダン
バをダンバレスリードフレームから切り離すのに用いら
れるパンチやトリム装置にかかる費用も大きな負担とな
ると思われる。
【０００５】その上パッケージングの際のダンバの切除
作業がリードにひびいてトリムおよび形成過程で発生す
る衝撃がリードの変形や破損を招くおそれがあり、この
ため製品の品質が劣下する場合もある。
【０００６】したがって、ダンバのないリードフレー
ム、いわゆるダンバレスリードフレームの周囲にモール
ドハウジングを形成して製造するＩＣパッケージが求め
られている。
【０００７】そして、通常のＩＣパッケージの製造は、
図２８に示すように、まず、パッケージの材料検査を行
なう。この材料検査に続いてダイ作成あるいはチップ作
成を行ない、次いで、ダイボンディングあるいはチップ
ボンディング、ワイヤボンディング、モールディング、
いわゆるパッケージング、トリミング、メッキ、マーキ
ング、成型の各工程の順に行なってパッケージを製造す
る。
【０００８】次に、上記工程のうちモールディングある
いはパッケージング工程およびトリミング工程について
説明する。
【０００９】まず、モールディングあるいはパッケージ
ング工程では、導線を介してダンバレスリードフレーム
に固定された半導体チップを、熱硬化性樹脂を使用して
定められた形状に形成されたダイ内部で成形してモール
ドハウジングを形成する。そして、ダンバレスリードフ
レームの周囲に形成されたモールドハウジングは内部回
路装置と半導体チップを外からの衝撃から保護すると同
時にパッケージの構造を形成する。このモールディング
工程中に一定の温度で一定時間熱硬化性樹脂を硬化させ
ることによりモールドハウジングに任意の剛性を与え
る。
【００１０】また、トリミング工程では、リード間を接
続して成型中の樹脂漏出を防ぐためのダンバを成型した
工程後に、ダンバレスリードフレームから切除して完成
した各パッケージをその用途に適合するようにする。
【００１１】すなわち、パッケージのモールディング
は、図３０ないし図３２に示すダンバレスリードフレー
ム１を、図２９に示すモールドダイ２を形成する図３３
に示す下側モールドダイ３上に載置し、次いで上側モー
ルドダイ４を下側モールドダイ３上にセットし、下側モ
ールドダイ３および上側モールドダイ４の間隙にパッケ
ージングとなるモールドハウジング６が形成され、図３
４に示すように、上側モールドダイ４でダンバレスリー
ドフレーム１のダンバ５を押圧する。この状態で、熱硬
化性樹脂を下側モールドダイ３および上側モールドダイ
４間の空隙内に注入して、ダンバレスリードフレーム１
の周囲にモールドハウジング６を形成する。このモール
ディング工程中は、ダンバレスリードフレーム１のリー
ド７を互いに連結するダンバ５により、樹脂がリード７
間の間隙を介して下側モールドダイ３および上側モール
ドダイ４から漏れ出ることが防止される。
【００１２】また、図３５ないし図３８に示すように、
上側モールドダイ４および下側モールドダイ３にはそれ
ぞれ平らな押圧面のあるダンバ押圧突出部８が設けられ
ており、図３７に示すダンバ押圧突出部８の右側はモー
ルドハウジング６が形成され、左側はモールドハウジン
グ６の外側になる。
【００１３】なお、図３３に示すように、半導体チップ
であるＩＣチップ９はワイヤにて接続されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダンバ
レスリードフレームを用いてパッケージを成型する際
に、ダンバレスリードフレームのリードが下側モールド
ダイおよび上側モールドダイで確実に押さえられていて
も、樹脂がリード間の間隙やダンバレスリードフレーム
の上下端面と下側モールドダイおよび上側モールドダイ
間の間隙から漏出する場合があり、その結果パッケージ
の成型条件が悪くなり製品の品質低下を招く。
【００１５】したがって、上述の従来の技術ではダンバ
レスリードフレームを用いてＩＣパッケージをモールデ
ィングによって製造することは非常に困難である問題を
有している。
【００１６】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、樹脂の漏出を防止してダンバレスリードフレームの
周囲にモールドハウジングを形成する集積回路パッケー
ジの成型方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の集積回路
パッケージの成型方法は、一定の間隔で配列された複数
の矩形開口部を有し、これら各矩形開口部に複数の樹脂
漏出防止部材を有する補助フレームを下側モールドダイ
に固定し、この補助フレームの樹脂漏出防止部材がダン
バレスリードフレームのリード間に位置するようにこの
補助フレーム上に前記ダンバレスフレームを配置し、上
側モールドダイおよび下側モールドダイ間の空隙に樹脂
を注入する前に、前記上側モールドダイによって前記ダ
ンバレスリードフレームを締め付けてパッケージをモー
ルディングするものである。
【００１８】請求項２記載の集積回路パッケージの成型
方法は、請求項１記載の集積回路パッケージの成型方法
において、下側モールドダイおよび上側モールドダイの
いずれか一方に固定ピンを設け、いずれか他方に前記固
定ピンに嵌合される固定孔を設け、前記固定ピンを前記
固定孔に嵌合して補助フレームを前記下側モールドダイ
に固定するものである。
【００１９】請求項３記載の集積回路パッケージの成型
方法は、ダンバレスリードフレームに半導体チップを載
置し、この半導体チップを接合し、樹脂を注入する集積
回路パッケージの成形方法において、外縁部に拡大面部
を有しこの拡大面部の縁部に切欠部が設けられたリード
を備えたダンバレスリードフレームのパッケージを形成
する内側に、前記リードに結束力を与えかつ樹脂漏出圧
を低減するテープを配置し、複数の突出部が形成された
下側モールドダイのこれら突出部を前記拡大面部間の間
隙に位置させてダンバレスリードフレームを配置し、下
側モールドダイに上側モールドダイを用いて樹脂をモー
ルドする際に突出部を拡大面部間の間隙に位置させて樹
脂漏出圧を低減するものである。
【００２０】請求項４記載の集積回路パッケージの成型
方法は、請求項３記載の集積回路パッケージの成型方法
において、切欠部は、鋸状であるものである。
【００２１】請求項５記載の集積回路パッケージの成型
方法は、請求項３記載の集積回路パッケージの成型方法
において、突出部は、高さがダンバレスリードフレーム
の各リードの厚みにほぼ等しく、隣接した突出部間に形
成される各凹部の幅はダンバレスリードフレームの各リ
ードの幅にほぼ等しいものである。
【００２２】請求項６記載の集積回路パッケージの成型
方法は、請求項３記載の集積回路パッケージの成型方法
において、ダンバレスリードフレームの拡大面部の外側
に位置するリードに２列の拡大面部を形成し、これら２
列の拡大面部間の間隙に突出部を配置させるものであ
る。
【００２３】請求項７記載の集積回路パッケージの成型
方法は、請求項６記載の集積回路パッケージの成型方法
において、突出部は、複数列に配列されるとともに、ダ
ンバレスリードフレームのパッケージの外側に位置する
リードに複数列に配列されて設けられた拡大面部にて形
成された空間内に配置されたものである。
【００２４】
【作用】請求項１記載の集積回路パッケージの成型方法
は、一定の間隔で配列された複数の矩形開口部に複数の
樹脂漏出防止部材を有する補助フレームを下側モールド
ダイに固定し、この補助フレーム上に樹脂漏出防止部材
がダンバレスリードフレームのリード間に位置するよう
にダンバレスリードフレームを配置し、上側モールドダ
イおよび下側モールドダイ間の空隙に樹脂を注入する前
に上側モールドダイによってダンバレスリードフレーム
を締め付けてパッケージをモールディングするため、補
助フレームに沿って樹脂が漏出することを防止し、上側
モールドダイおよび下側モールドダイ間からの樹脂の漏
出を防止する。
【００２５】請求項２記載の集積回路パッケージの成型
方法は、請求項１記載の集積回路パッケージの成型方法
において、下側モールドダイおよび上側モールドダイの
いずれか一方に固定ピンを設け、いずれか他方に固定ピ
ンに嵌合される固定孔を設け、固定ピンを固定孔に嵌合
して補助フレームを下側モールドダイに固定するため、
確実に位置決めして上側モールドダイおよび下側モール
ドダイを固定する。
【００２６】請求項３記載の集積回路パッケージの成型
方法は、ダンバレスリードフレームのパッケージを形成
する内側にテープを配置して、リードに結束力を与えか
つ樹脂漏出圧を低減するとともに、下側モールドダイに
上側モールドダイを用いて樹脂をモールドする際に突出
部をダンバレスリードフレームの拡大面部間の間隙に位
置させて樹脂漏出圧を低減し、上側モールドダイおよび
下側モールドダイ間に位置したダンバレスリードフレー
ムから樹脂が漏出することを防止する。
【００２７】請求項４記載の集積回路パッケージの成形
方法は、請求項３記載の集積回路パッケージの成型方法
において、切欠部は、鋸状であるので、鋸歯状の切欠部
で樹脂漏出圧が相殺され、樹脂が漏出することを防止す
る。
【００２８】請求項５記載の集積回路パッケージの成型
方法は、請求項３記載の集積回路パッケージの成型方法
において、突出部は、高さがダンバレスリードフレーム
の各リードの厚みにほぼ等しく、隣接した突出部間に形
成される各凹部の幅はダンバレスリードフレームの各リ
ードの幅にほぼ等しいため、各リード間から樹脂の漏出
することを防止する。
【００２９】請求項６記載の集積回路パッケージの成型
方法は、請求項３記載の集積回路パッケージの成型方法
において、ダンバレスリードフレームの拡大面部の外側
に位置するリードに２列の拡大面部を形成し、これら２
列の拡大面部間の間隙に突出部を配置させるため、モー
ルディングに影響を与えることなく、樹脂の漏出を防止
する。
【００３０】請求項７記載の集積回路パッケージの成型
方法は、請求項６記載の集積回路パッケージの成型方法
において、突出部は、複数列に配列されるとともに、ダ
ンバレスリードフレームのパッケージの外側に位置する
リードに複数列に配列されて設けられた拡大面部にて形
成された空間内に配置されたため、モールディングに影
響を与えることなく、樹脂の漏出を防止する。
【００３１】
【実施例】以下、本発明の集積回路パッケージの成型方
法の一実施例を図面を参照して説明する。なお、従来例
に対応する部分には、同一符号を付して説明する。
【００３２】まず、第１の実施例は、図１および図２に
示すように、下側モールドダイ３および上側モールドダ
イ４は対向して設けられ、これら下側モールドダイ３お
よび上側モールドダイ４には対向する面にリード押圧フ
レーム11およびリード押圧フレーム12が設けられ、下側
モールドダイ３のリード押圧フレーム11には図３に示す
ように樹脂漏出防止手段としての複数の矩形状の突出部
13a および矩形状の空隙13b からなる矩形状の突出部13
が凹凸状に一定の間隔で形成され、リード押圧フレーム
11の右側はモールドハウジング６が位置し、左側はモー
ルドハウジング６の外側となる。なお、下側モールドダ
イ３の代わりに上側モールドダイ４に矩形状の突出部13
を形成しても同様である。
【００３３】また、図４に示すように、樹脂漏出防止手
段となるテープ16をダンバレスリードフレーム１のリー
ド７の被押圧部、すなわち下側モールドダイ３のリード
押圧フレーム11に押圧される部分の内側近傍に配置す
る。そして、このテープ16はリード７に結束力を与える
とともにモールディング工程中の樹脂漏出圧を低減す
る。
【００３４】さらに、図５に示すように、リード７のダ
ンバレスリードフレーム１のパッケージが位置する部分
の外縁部に対応して樹脂漏出防止手段となる拡大面部17
の端部が位置するように拡大面部17が形成され、これら
各拡大面部17の縁部には、図６に示すように、鋸歯状の
切欠部18が設けられており、この拡大面部17の切欠部18
で樹脂漏出圧が相殺されることによりダンバレスリード
フレーム１を用いて集積回路パッケージである任意のＩ
Ｃパッケージを製造する。
【００３５】また、テープ16はダンバレスリードフレー
ム１に装着されてＩＣパッケージの外表面にかかる圧力
を最小限に低減する。そして、テープ16の圧力低減機能
のためには、公差寸法に支障をきたさない範囲でダンバ
レスリードフレーム１の外縁に可能な限り接近させてテ
ープ16を装着することが好ましい。
【００３６】さらに、図８に示すように、下側モールド
ダイ３のリード押圧フレーム11において突出部13a はそ
れぞれの高さが下側モールドダイ３および上側モールド
ダイ４間にセットされるダンバレスリードフレーム１の
リード７の厚みと等しくなるよう形成されている。ま
た、図７に示すように、各突出部13a の間隔すなわち突
出部13a 間の各空隙13b の幅は各リード７の幅に等し
く、各拡大面部17の下部の端面より上の部分がモールド
ハウジング６となり、端面より下の部分がモールドハウ
ジング６の外部が押圧される部分となる。
【００３７】そして、ＩＣパッケージの成型に際して
は、図４に示すように、半導体チップであるＩＣチップ
９を通常のダイボンディング工程によりマウントしたダ
ンバレスリードフレーム１を突出部13a を設けた下側モ
ールドダイ３に載置し、通常のワイヤボンディング工程
で導線をＩＣチップ９で接合し、その後ダンバレスリー
ドフレーム１がこれら下側モールドダイ３および上側モ
ールドダイ４間に確実に収容されるように、図９に示す
ように、上側モールドダイ４を下側モールドダイ３上に
セットする。この状態で、下側モールドダイ３および上
側モールドダイ４の端面によって形成される間隙に熱硬
化性樹脂を注入することによってダンバレスリードフレ
ーム１の周囲にモールドハウジングを形成する。
【００３８】また、上側モールドダイ４を下側モールド
ダイ３上にセットする際、下側モールドダイ３の突出部
13a はダンバレスリードフレーム１の各リード７間に挿
入される。そして、モールディング工程中に樹脂が下側
モールドダイ３および上側モールドダイ４外への漏出の
原因となる樹脂漏出圧は、テープ16、リード７の拡大面
部17およびこの拡大面部17に形成された切欠部18により
低減される。さらに、下側モールドダイ３の突出部13a
が拡大面部17を設けたリード７間に位置決めされている
ため、モールディング中に下側モールドダイ３および上
側モールドダイ４からの樹脂の漏出が確実に防止され、
ダンバレスリードフレーム１の周囲に望む形状でモール
ドハウジングを形成する。
【００３９】次に、第２の実施例について説明する。
【００４０】この第２の実施例は、図１０および図１１
に示すように、ストリップ型のダンバレスリードフレー
ム１はリード７間にダンバが設けられていない。そし
て、モールドハウジング６のこのダンバレスリードフレ
ーム１周囲への成形は、熱硬化性樹脂を図１２の成形ゲ
ート21を介して下側モールドダイ３および上側モールド
ダイ４間のモールディング用の空隙内へ注入し、ダンバ
レスリードフレーム１の周囲に所望の形状にモールドハ
ウジング６を形成する。
【００４１】この第２の実施例では、第１の実施例と異
なり、ダンバレスリードフレーム１のモールドハウジン
グ６の外側に位置する各外側リード22には、図１３に示
すように、拡大面部23が設けられ、外側リード22の拡大
面部23とモールドハウジング６内に位置する内側リード
24の拡大面部25とで樹脂漏出防止手段となる。すなわ
ち、下側モールドダイ３および上側モールドダイ４のい
ずれか一方に樹脂漏出防止手段としての突出部26が設け
られている。そして、モールディング工程においては、
下側モールドダイ３の突出部26は、図１３に示すダンバ
レスリードフレーム１の拡大面部23，25間の矩形の間隙
に位置し、熱硬化性樹脂が下側モールドダイ３および上
側モールドダイ４の空隙に注入されてダンバレスリード
フレーム１のパッケージ形成部にモールドハウジング６
が形成される。
【００４２】さらに、図１４に示すように、ダンバレス
リードフレーム１が下側モールドダイ３および上側モー
ルドダイ４間にセットされた状態で、これら下側モール
ドダイ３の一方の突出部26はリード７の外側リード22の
拡大面部23，25間の間隙に位置されている。このとき、
突出部26の互いに対向する両側に設けられた押圧平面部
27がリード７の上端面および下端面の被押圧部28を押圧
する。なお、図１４に示す左側は、モールドハウジング
６の位置する部分で、中央の部分はリード７の押圧部分
である。
【００４３】すなわち、リード７の被押圧部28は内側リ
ード24および外側リード22のあらかじめ定められた箇所
にあって、リード７のこの箇所が下側モールドダイ３の
突出部26の互いに対向する両側に設けられた押圧平面部
27に載置されて、図１５および図１６に示すように、上
側モールドダイ４に接触し、側部に間隙29が形成され
る。
【００４４】さらに、第３の実施例について説明する。
【００４５】この第３の実施例は、図１８に示すよう
に、ダンバレスリードフレーム１の各外側リード22には
下側モールドダイ３および上側モールドダイ４からの樹
脂の漏出を防ぐための拡大面部23，23が２つ設けられた
ものである。また、この第３の実施例のダンバレスリー
ドフレーム１の構成に対応して下側モールドダイ３の突
出部26，26も拡大面部23，23に対応して２列に配列され
ている。なお、拡大面部23および突出部26は、いずれも
２つに限らずそれぞれ対応した３つ以上設けてもよい。
【００４６】そして、第３の実施例のダンバレスリード
フレーム１と上側モールドダイ４および下側モールドダ
イ３を使用するモールディングにおいては、少なくとも
２列に配列された突出部26がそれぞれ対応するダンバレ
スリードフレーム１の内側リード24および外側リード22
の各拡大面部25，23とで形成する間隙29内に位置され、
樹脂漏出防止機能がさらに向上している。
【００４７】なお、モールディング工程中のダンバレス
リードフレーム１の被押圧部28を押圧する下側モールド
ダイ３の押圧平面部27は突出部26の互いに対向する両側
に設けてもよいし、突出部26の外側のみに設けてもよ
い。
【００４８】また、第２または第３の実施例のいずれか
によるダンバレスリードフレーム１と下側モールドダイ
３および上側モールドダイ４を用いてモールドハウジン
グ６をモールディングにより成形するには、上側モール
ドダイ４を下側モールドダイ３上にセットする前に、ダ
ンバレスリードフレーム１を下側モールドダイ３に載置
する。そして、上側モールドダイ４を下側モールドダイ
３上にセットする際は、下側モールドダイ３の突出部26
を内側リード24と外側リード22の拡大面部23との間隙29
内に配置し、下側モールドダイ３の押圧平面部27でダン
バレスリードフレーム１の被押圧部28を押圧する。
【００４９】この状態で、熱硬化性樹脂を一定の圧力下
で成形ゲート21から下側モールドダイ３および上側モー
ルドダイ４間の空隙内へ注入して、図１７に図示したモ
ールドハウジング６を形成する。
【００５０】この時、樹脂の圧力により樹脂は下側モー
ルドダイ３および上側モールドダイ４から漏出しようと
するが、ダンバレスのリード７間の間隙29を通過した後
の樹脂が各突出部26の前部に到達すると、樹脂は各突出
部26の側面に接触し、これにより樹脂漏出圧が低下して
樹脂の流動がまず抑制される。この突出部26による一次
抑制を受けなかった一部の樹脂が、リード７と下側モー
ルドダイ３および上側モールドダイ４との公差によりリ
ード７と突出部26間に当然発生する間隙29内に導入され
てこの間隙29内を流動する。
【００５１】しかしながら、樹脂が間隙29内を流動する
際に、樹脂の重量または分量を増加するため樹脂に混入
する充填物の大きな粒子の密度が増加するため間隙29内
を流れる樹脂に抵抗力が発生し、これにより樹脂の漏出
圧が再び低下して樹脂の流動が二次的に抑制される。ま
た、定められた時間内に硬化される樹脂は外側リード22
の拡大面部23に達する前に硬化されることが望ましい。
【００５２】この目的は幅狭の間隙29内を流動する樹脂
の流速を低下させ、モールドハウジング６のモールディ
ング工程中の下側モールドダイ３および上側モールドダ
イ４からの樹脂の漏出量を最小限に押さえることで達成
され、製品の品質も向上する。また、硬化時に硬化しな
い樹脂はそのまま間隙29内を流動して外側リード22の拡
大面部25と突出部26との間の間隙29に到達し、この間隙
29に達した樹脂は突出部26の側面に接触して３度目の流
動抑制を受け、これにより樹脂の漏出は完全に防止され
る。
【００５３】この第３の実施例において、ダンバレスリ
ードフレーム１の外側リード22にはそれぞれ樹脂の下側
モールドダイ３および上側モールドダイ４からの漏出を
防ぐための拡大面部23が少なくとも２つずつ設けられて
いる。また、このダンバレスリードフレーム１の構成に
従い下側モールドダイ３の突出部26も２列以上に配列さ
れ、ダンバレスリードフレーム１と下側モールドダイ３
および上側モールドダイ４を使用してモールドハウジン
グ６をモールディングする際は、少なくとも２列に配列
された突出部26がそれぞれ対応するダンバレスリードフ
レーム１の内側リード24および外側リード22の各拡大面
部23，25とで間隙29内に挿入される。これにより樹脂は
突出部26および外側リード22の拡大面部23によりその流
動が再三抑制されて、モールディング中の樹脂のモール
ドダイからの漏出が防止される。
【００５４】また、第４の実施例について説明する。
【００５５】この第４の実施例によれば、図１９に示す
ように、樹脂漏出防止手段として補助フレーム31が使用
され、この補助フレーム31によりモールドハウジング６
のモールディング中の樹脂の下側モールドダイ３および
上側モールドダイ４からの漏出を防止する。
【００５６】この補助フレーム31は、ダンバレスリード
フレーム１と同じ厚みの金属の薄板で形成されており、
モールドハウジング６のモールディング中の下側モール
ドダイ３および上側モールドダイ４の間の締付干渉を防
ぐように形成された矩形開口部32が複数配列されて設け
られている。また、この補助フレーム31は矩形開口部32
のところで切り欠かれて切欠部33が形成されており、矩
形開口部32はこの切欠部33を介して補助フレーム31の外
側に開放されている。そして、モールドハウジング６の
モールディング工程においては、図２７に示す成形ゲー
トランナを切欠部33内にあって下側モールドダイ３およ
び上側モールドダイ４間の空隙34内に樹脂を注入する。
【００５７】さらに、モールドハウジング６のモールデ
ィング中の下側モールドダイ３および上側モールドダイ
４間の締付干渉を防止するために、図２０に示すよう
に、複数のリードスリット35が矩形開口部32の周囲に形
成されている。また、各リードスリット35の幅はリード
７の幅（Ｗ）と公差（ａ）との和に等しく、ダンバレス
リードフレーム１の各リード７は対応する各リードスリ
ット35内に挿入される。
【００５８】そして、リードスリット35間には複数の樹
脂漏出防止部材36が形成され、これら樹脂漏出防止部材
36はモールディング中はダンバレスリードフレーム１の
リード７間に位置して樹脂の下側モールドダイ３および
上側モールドダイ４からの漏出を防止するダムの役割を
果たす。
【００５９】また、モールドハウジング６のモールディ
ングの間、各矩形開口部32の側方隅部に形成された図２
１に示す通気孔37が下側モールドダイ３および上側モー
ルドダイ４によって形成された空隙の内部の空気を空隙
外に通気する。
【００６０】そして、補助フレーム31を用いて行なうＩ
Ｃパッケージのモールディングにおいて、図２３に示す
ように補助フレーム31を下側モールドダイ３に載置固定
する。
【００６１】この補助フレーム31の下側モールドダイ３
上への固定は、補助フレーム31に固定孔40を穿設し、下
側モールドダイ３に図２３に示すようにこの固定孔40に
対応する固定ピン41を設け、これらの固定ピン41を固定
孔40に挿入装着することによって補助フレーム31を下側
モールドダイ３に固定する。
【００６２】この後、図２４に示すように、ダンバレス
リードフレーム１を補助フレーム31に載置する。
【００６３】そして、この補助フレーム31に載置された
ダンバレスリードフレーム１にモールディングが施され
て、図２５に示すように、モールドハウジング６が空隙
のａ部周囲に形成される。しかし、ダンバレスリードフ
レーム１のリード７および補助フレーム31の樹脂漏出防
止部材36が下側モールドダイ３および上側モールドダイ
４によってｂ部において圧縮されているため、空隙内の
樹脂が下側モールドダイ３および上側モールドダイ４か
ら漏出するのが防止されている。
【００６４】また、図２５に示すように、ダンバレスリ
ードフレーム１の各リード７が補助フレーム31と重なり
合っている部分ｄがあるが、下側モールドダイ３および
上側モールドダイ４には、それぞれ凹部42，43が設けら
れているため、ダンバレスリードフレーム１の各リード
７が補助フレーム31の金属部と重合している部分も下側
モールドダイ３および上側モールドダイ４のいずれにも
圧縮されない。したがって、ダンバレスリードフレーム
１が破損することもない。
【００６５】上記実施例によれば、ダンバレスリードフ
レーム１にリード７同士を連結するダンバが設けられて
いないダンバレスリードフレーム１上にＩＣチップ９を
マウントする前に樹脂漏出防止手段としてのテープ16が
リード７のモールドハウジング６が形成されるパッケー
ジ形成部に載置される。また、ダンバレスリードのモー
ルディングに使用される下側モールドダイ３および上側
モールドダイ４には別の突出部13a が設けられている。
【００６６】また、１対上の拡大面部23がダンバレスリ
ードフレーム１の各外側リード22に形成されており、下
側モールドダイ３および上側モールドダイ４とダンバレ
スリードフレーム１を用いて任意のＩＣパッケージをモ
ールディングにより成形する際は、下側モールドダイ３
の突出部26がダンバレスリードフレーム１の内側リード
24と外側リード22の拡大面部23との間の間隙29に挿入さ
れる。
【００６７】さらに、一定の間隔で配列した複数の矩形
開口部32を設けた補助フレーム31を下側モールドダイ３
に載置し、ダンバレスリードフレーム１を下側モールド
ダイ３上の補助フレーム31の上に配置した後に、モール
ディングを施す前に上側モールドダイ４にて締め付けす
る。したがって、ダンバレスリードフレーム１を用いて
容易にＩＣパッケージのモールディングができ、かつ、
従来のトリミング工程を省くことができる。また、ＩＣ
パッケージ製造工程では従来のトリミング工程が省略さ
れるため、ダンバレスリードフレーム１のリード７の破
損がなく、ＩＣパッケージの品質および精度が向上す
る。
【００６８】
【発明の効果】請求項１記載の集積回路パッケージの成
型方法によれば、一定の間隔で配列された複数の矩形開
口部に複数の樹脂漏出防止部材を有する補助フレームを
下側モールドダイに固定し、この補助フレーム上に樹脂
漏出防止部材がダンバレスリードフレームのリード間に
位置するようにダンバレスリードフレームを配置し、上
側モールドダイおよび下側モールドダイ間の空隙に樹脂
を注入する前に上側モールドダイによってダンバレスリ
ードフレームを締め付けてパッケージをモールディング
するため、補助フレームに沿って樹脂が漏出することを
防止し、上側モールドダイおよび下側モールドダイ間か
らの樹脂の漏出を防止できる。
【００６９】請求項２記載の集積回路パッケージの成型
方法によれば、請求項１記載の集積回路パッケージの成
型方法に加え、下側モールドダイおよび上側モールドダ
イのいずれか一方に固定ピンを設け、いずれか他方に固
定ピンに嵌合される固定孔を設け、固定ピンを固定孔に
嵌合して補助フレームを下側モールドダイに固定するた
め、確実に位置決めして上側モールドダイおよび下側モ
ールドダイを固定できる。
【００７０】請求項３記載の集積回路パッケージの成型
方法によれば、ダンバレスリードフレームのパッケージ
を形成する内側にテープを配置して、リードに結束力を
与えかつ樹脂漏出圧を低減するとともに、下側モールド
ダイに上側モールドダイを用いて樹脂をモールドする際
に突出部をダンバレスリードフレームの拡大面部間の間
隙に位置させて樹脂漏出圧を低減し、上側モールドダイ
および下側モールドダイ間に位置したダンバレスリード
フレームから樹脂が漏出することを防止できる。
【００７１】請求項４記載の集積回路パッケージの成形
方法によれば、請求項３記載の集積回路パッケージの成
型方法に加え、切欠部は、鋸状であるので、鋸歯状の切
欠部で樹脂漏出圧が相殺され、樹脂が漏出することを防
止できる。
【００７２】請求項５記載の集積回路パッケージの成型
方法によれば、請求項３記載の集積回路パッケージの成
型方法に加え、突出部は、高さがダンバレスリードフレ
ームの各リードの厚みにほぼ等しく、隣接した突出部間
に形成される各凹部の幅はダンバレスリードフレームの
各リードの幅にほぼ等しいため、各リード間から樹脂の
漏出することを防止できる。
【００７３】請求項６記載の集積回路パッケージの成型
方法によれば、請求項３記載の集積回路パッケージの成
型方法に加え、ダンバレスリードフレームの拡大面部の
外側に位置するリードに２列の拡大面部を形成し、これ
ら２列の拡大面部間の間隙に突出部を配置させるため、
モールディングに影響を与えることなく、樹脂の漏出を
防止できる。
【００７４】請求項７記載の集積回路パッケージの成型
方法によれば、請求項６記載の集積回路パッケージの成
型方法に加え、突出部は、複数列に配列されるととも
に、ダンバレスリードフレームのパッケージの外側に位
置するリードに複数列に配列されて設けられた拡大面部
にて形成された空間内に配置されたため、モールディン
グに影響を与えることなく、樹脂の漏出を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例のモールドダイを示す断
面図である。
【図２】同上モールドダイユニットを示す平面図であ
る。
【図３】図２のユニットのリード押圧部すなわち○で囲
って符号Ｂを付けた部分の拡大図である。
【図４】同上ダンバレスリードフレームのユニットの平
面図である。
【図５】図４に示すユニットダンバレスリードフレーム
のテープを装着した状態のリードを示す拡大図である。
【図６】図５に示すリードを拡大して示す拡大図であ
る。
【図７】同上ダンバレスリードフレームを示す部分平面
図である。
【図８】同上正面図である。
【図９】同上一部を示す側面図である。
【図１０】同上第２の実施例の帯状ダンバレスリードフ
レームを示す平面図である。
【図１１】同上図１０に示すダンバレスリードフレーム
のストリップユニットを拡大して示す平面図である。
【図１２】同上ダンバレスリードフレームとモールドダ
イとを使用して制作したＩＣパッケージを示す断面図で
ある。
【図１３】同上図１１のダンバレスリードフレームを拡
大して示す平面図である。
【図１４】同上ダンバレスリードフレームのリードをモ
ールドダイに載置した状態を示す平面図である。
【図１５】同上図１４のXV−XV断面を示す断面図であ
る。
【図１６】同上図１４のXVI −XVI 断面を示す断面図で
ある。
【図１７】同上モールディング工程を施されるダンバレ
スリードフレームのリードを示す平面図である。
【図１８】同上第３の実施例のダンバレスリードフレー
ムのリードとリードの拡大面部間の空間に配置されたモ
ールドダイの突出部を示す平面図である。
【図１９】同上第４の実施例のモールディング工程に使
用される補助フレームを示す平面図である。
【図２０】同上図１９の一部を拡大した平面図である。
【図２１】同上図１９の一部を拡大した平面図である。
【図２２】同上図１９の一部を拡大した平面図である。
【図２３】同上図１９の補助フレームを下側モールドダ
イに載置した状態を示す平面図である。
【図２４】同上図１９の一部を拡大して示す平面図であ
る。
【図２５】同上図２４のXXV −XXV 断面を示す断面図で
ある。
【図２６】同上補助フレームに使用されるモールドダイ
を示す平面図である。
【図２７】同上図２６のXXVI−XXVI断面を拡大して示す
断面図である。
【図２８】リード連結用ダンバを設けたダンバレスリー
ドフレームを用いて一般的なＩＣパッケージを製造する
工程を示す工程図である。
【図２９】一般的な帯状モールドダイを示す構造図であ
る。
【図３０】一般的な帯状ダンバレスリードフレームを示
す構造図である。
【図３１】同上図３０に示すダンバレスリードフレーム
の一部を拡大して示す拡大図である。
【図３２】同上図３０のＡ部の拡大図である。
【図３３】一般的な上側モールドダイと下側モールドダ
イとの間にダンバレスリードフレーム周囲にモールドハ
ウジングを形成した状態を示す断面図である。
【図３４】同上図６のモールドダイ間に配置されたダン
バレスリードフレームの一部を示す部分平面図である。
【図３５】一般的なモールドダイユニットの平面図であ
る。
【図３６】同上図８のユニットの断面図である。
【図３７】同上図８のユニットのリード押圧部すなわち
○で囲って符号Ｂを付けた部分の拡大斜視図である。
【符号の説明】
１ ダンバレスリードフレーム ３ 下側モールドダイ ４ 上側モールドダイ ７ リード 18 切欠部 29 間隙 32 矩形開口部 36 樹脂漏出防止部材 40 固定孔 41 固定ピン 42，43 凹部

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一定の間隔で配列された複数の矩形開口
    部を有し、これら各矩形開口部に複数の樹脂漏出防止部
    材を有する補助フレームを下側モールドダイに固定し、 この補助フレームの樹脂漏出防止部材がダンバレスリー
    ドフレームのリード間に位置するようにこの補助フレー
    ム上に前記ダンバレスフレームを配置し、 上側モールドダイおよび下側モールドダイ間の空隙に樹
    脂を注入する前に、前記上側モールドダイによって前記
    ダンバレスリードフレームを締め付けてパッケージをモ
    ールディングする ことを特徴とする集積回路パッケージ
    の成型方法。
  2. 【請求項２】 下側モールドダイおよび上側モールドダ
    イのいずれか一方に固定ピンを設け、いずれか他方に前
    記固定ピンに嵌合される固定孔を設け、 前記固定ピンを前記固定孔に嵌合して補助フレームを前
    記下側モールドダイに固定することを特徴とする請求項
    １記載の集積回路パッケージの成型方法。
  3. 【請求項３】 ダンバレスリードフレームに半導体チッ
    プを載置し、この半導体チップを接合し、樹脂を注入す
    る集積回路パッケージの成形方法において、 外縁部に拡大面部を有しこの拡大面部の縁部に切欠部が
    設けられたリードを備えたダンバレスリードフレームの
    パッケージを形成する内側に、前記リードに結束力を与
    えかつ樹脂漏出圧を低減するテープを配置し、 複数の突出部が形成された下側モールドダイのこれら突
    出部を前記拡大面部間の間隙に位置させてダンバレスリ
    ードフレームを配置し、 下側モールドダイに上側モールドダイを用いて樹脂をモ
    ールドする際に突出部を拡大面部間の間隙に位置させて
    樹脂漏出圧を低減する ことを特徴とする集積回路パッケ
    ージの成型方法。
  4. 【請求項４】 切欠部は、鋸状であることを特徴とする
    請求項３記載の集積回路パッケージの成型方法。
  5. 【請求項５】 突出部は、高さがダンバレスリードフレ
    ームの各リードの厚みにほぼ等しく、隣接した突出部間
    に形成される各凹部の幅はダンバレスリードフレームの
    各リードの幅にほぼ等しいことを特徴とする請求項３記
    載の集積回路パッケージの成型方法。
  6. 【請求項６】 ダンバレスリードフレームの拡大面部の
    外側に位置するリードに２列の拡大面部を形成し、これ
    ら２列の拡大面部間の間隙に突出部を配置させることを
    特徴とする請求項３記載の集積回路パッケージの成型方
    法。
  7. 【請求項７】 突出部は、複数列に配列されるととも
    に、ダンバレスリードフレームのパッケージの外側に位
    置するリードに複数列に配列されて設けられた拡大面部
    にて形成された空間内に配置されたことを特徴とする請
    求項６記載の集積回路パッケージの成型方法。
JP6297411A 1993-11-30 1994-11-30 集積回路パッケージの成型方法 Expired - Fee Related JP2742514B2 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930025829A KR970000966B1 (ko) 1993-11-30 1993-11-30 집적회로 패키지의 몰딩방법 및 그 장치
KR1019940022439A KR0162887B1 (ko) 1994-09-07 1994-09-07 반도체패키지의 몰딩방법 및 몰드금형장치
KR1993/P25829 1994-09-08
KR1994/P22625 1994-09-08
KR1994/P22439 1994-09-08
KR1019940022625A KR0142153B1 (ko) 1994-09-08 1994-09-08 반도체패키지의 몰드방법 및 몰드금형장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07193178A JPH07193178A (ja) 1995-07-28
JP2742514B2 true JP2742514B2 (ja) 1998-04-22

Family

ID=27349025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6297411A Expired - Fee Related JP2742514B2 (ja) 1993-11-30 1994-11-30 集積回路パッケージの成型方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5637273A (ja)
JP (1) JP2742514B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5945130A (en) * 1994-11-15 1999-08-31 Vlt Corporation Apparatus for circuit encapsulation
JP3364044B2 (ja) * 1995-02-07 2003-01-08 三菱電機株式会社 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
FR2741191B1 (fr) * 1995-11-14 1998-01-09 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication d'un micromodule, notamment pour cartes a puces
US6305921B1 (en) * 1999-07-12 2001-10-23 Accu-Mold Corp. Saw tooth mold
JP2001102486A (ja) * 1999-07-28 2001-04-13 Seiko Epson Corp 半導体装置用基板、半導体チップ搭載基板、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
EP1876643A1 (en) 2006-07-07 2008-01-09 STMicroelectronics S.r.l. Semiconductor-integrated electronic device having a plurality of leads
KR102003279B1 (ko) 2012-07-17 2019-07-25 삼성전자 주식회사 반도체 몰딩 하부 금형, 반도체 패키지 및 반도체 패키지 제조 방법
CN103050472B (zh) * 2012-12-28 2016-04-20 日月光封装测试(上海)有限公司 半导体封装用导线架条及其模具与封胶方法
KR101966851B1 (ko) 2017-03-06 2019-04-08 주식회사 엘지화학 장식 부재 및 이의 제조방법
JP7435417B2 (ja) * 2020-11-20 2024-02-21 三菱電機株式会社 半導体装置用インサートケースの製造方法及び半導体装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3539675A (en) * 1965-10-22 1970-11-10 Motorola Inc Method for encapsulating semiconductor devices
JPS5628787Y2 (ja) * 1977-09-26 1981-07-08
US4236689A (en) * 1979-06-11 1980-12-02 Lyall Electric, Inc. Connector mold with flexible wire guide
NL8203255A (nl) * 1982-08-19 1984-03-16 Arbo Handel Ontwikkeling Matrijs voor het met kunststof omhullen van delen van elementen.
US4490902A (en) * 1982-09-03 1985-01-01 General Motors Corporation Lead frame for molded integrated circuit package
JPS60242017A (ja) * 1984-05-17 1985-12-02 Fuji Plant Kogyo Kk パリ発生のない樹脂モ−ルド方法
JPS6151933A (ja) * 1984-08-22 1986-03-14 Hitachi Ltd 半導体装置の製法
JPS62128721A (ja) * 1985-11-29 1987-06-11 Rohm Co Ltd 樹脂成形方法
JP2624991B2 (ja) * 1988-03-24 1997-06-25 三菱電機株式会社 リードフレーム
JPH0364035A (ja) * 1989-08-02 1991-03-19 Hitachi Ltd 半導体装置製造装置
US5185653A (en) * 1990-11-08 1993-02-09 National Semiconductor Corporation O-ring package
US5270262A (en) * 1991-02-28 1993-12-14 National Semiconductor Corporation O-ring package
US5118271A (en) * 1991-02-22 1992-06-02 Motorola, Inc. Apparatus for encapsulating a semiconductor device
US5214846A (en) * 1991-04-24 1993-06-01 Sony Corporation Packaging of semiconductor chips

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07193178A (ja) 1995-07-28
US5637273A (en) 1997-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5091341A (en) Method of sealing semiconductor device with resin by pressing a lead frame to a heat sink using an upper mold pressure member
EP1276150B1 (en) Resin-encapsulated electronic device
KR100198685B1 (ko) 반도체 장치 제조방법 및 그 몰드 어셈블리
US20080290484A1 (en) Leadframe Strip and Mold Apparatus for an Electronic Component and Method of Encapsulating an Electronic Component
US20070000599A1 (en) Assembly method for semiconductor die and lead frame
US5427938A (en) Method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device
US5641987A (en) Heat spreader suitable for use in semiconductor packages having different pad sizes
JP2742514B2 (ja) 集積回路パッケージの成型方法
US5637914A (en) Lead frame and semiconductor device encapsulated by resin
US5214846A (en) Packaging of semiconductor chips
EP0454440B1 (en) Method of encapsulating a semiconductor device
WO1996013054A2 (en) Integrated circuit package and method of making the same
JP2525555Y2 (ja) 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム組立体
US5942178A (en) Integrated circuit chip mold seal
JP2898694B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR970000966B1 (ko) 집적회로 패키지의 몰딩방법 및 그 장치
JPH1044180A (ja) トランスファ樹脂封止方法及びそれに用いる樹脂封止 金型装置
JPS6246060B2 (ja)
KR100244721B1 (ko) 반도체패키지
KR0152577B1 (ko) 각형 위치 정렬 핀을 이용한 외부리드의 언더 컷 방지 방법
JP2925375B2 (ja) 電子部品におけるモールド部の成形方法
JPH0546044U (ja) 半導体装置用リードフレーム
KR100374135B1 (ko) 반도체 패키지 제조용 리드프레임 및 이것의 제조방법
JPH0722561A (ja) 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JPH0745663A (ja) 放熱体付半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees