KR0162887B1 - 반도체패키지의 몰딩방법 및 몰드금형장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 댐바없는 리드프레임을 사용한 반도체패키지의 몰딩방법 및 그 장치에 대한 것으로, 하부몰드금형(20)위에 사각공간부(31)가 일정간격 직렬 형성된 보조리드프레임(30)을 고정 설치하고, 동 보조리드프레임(30)위에 댐바없는 리드프레임(LF)을 안치시킨 후 상부몰드금형(10)으로 클램핑시켜 몰딩공정을 수행토록 함으로써 보조리드프레임(30)에 형성된 수지유출방지부재(34)에 의하여 캐비티(40)내 수지의 유출을 완전 차단토록 하여 기존의 댐바커팅공정을 생략할 수 있도록 함으로써 반도체패키지의 제조단가를 절감하고, 나아가 고품질의 반도체 어셈블리 제품을 생산토록 한 것이다.

Description

반도체패키지의 몰딩방법 및 몰드금형장치

제1도는 본 발명에 사용되는 보조 리드프레임 개략 형상도.

제2도는 제1도의 A부분 상세도.

제3도는 제1도의 B부분 상세도.

제4도는 제1도의 C부분 상세도.

제5도는 제1도의 보조 리드프레임을 하부몰드금형에 올렸을때의 평면도.

제6도는 제5도의 D부분 상세도.

제7도는 제6도의 A-A선 단면 부분확대도.

제8도는 본 발명의 사용되는 하부몰드금형의 평면도.

제9도는 제8도의 B-B선 단면확대도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

LF : 리드프레임 10 : 상부몰드금형

20 : 하부몰드금형 11,21 : 요홈부

30 : 보조리드프레임 31 : 사각공간부

32 : 빈공간 33 : 리드홈

34 : 수지유출방지부재 35 : 에어벤팅부

a : 통공

본 발명은 반도체패키지의 몰딩(Molding)방법 및 몰드금형장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체패키지를 몰딩함에 있어서는 통상 댐바(Dambar)가 있는 리드프레임을 사용함으로써 몰딩시 수지재가 몰드금형 외부로 유출되는 것을 방지 할 수 있었다. 따라서 이때에는 몰딩후 반드시 리드를 연결하고 있는 댐바를 제거하는 댐바 절단공정을 필수적으로 진행해야 했다.

한편, 최근에는 반도체패키지가 점점 고기능 및 고밀도화됨에 따라 리드와 리드간의 폭(피치)이 점점 미세하게 되어, 결국 리드프레임의 댐바를 절단하는 공정이 점점 어려워지게 되었다. 또한 이 공정으로 인한 타공정(예를들어, 솔더도금 및 포밍공정)의 품질저하가 예상됨으로 최근에는 댐바없는 리드프레임(이하 댐바리스(Dambarless) 리드프레임이라 함)을 사용하는 반도체패키지의 몰딩방법이 연구되기 시작했다.

그러나 상기와 같은 댐바리스 리드프레임에 있어서 가장 크게 문제가 되는 것은 몰딩 공정에서 발생한다. 즉, 상기 댐바리스 리드프레임에는 수지유출을 방지하는 댐바가 없음으로써 수지재가 리드와 리드 사이의 틈새를 그대로 통과하여 몰드금형의 외부로 유출되는 문제점이 있는 것이다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 댐바리스 리드프레임의 몰딩시에 수시재 유출을 방지할 수 있는 몰딩방법 및 몰드금형장치를 제공하는데 있다.

이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명은 제1도에 도시된 바와 같이 보조리드프레임을 사용하여 반도체패키지의 몰딩공정을 수행함으로써 몰딩시 상기 보조리드프레임에 의해 수지가 몰드금형 밖으로 유출되는 것을 완전히 예방할 수 있도록 한 것이다.

상기 보조리드프레임(30)은 리드프레임(LF)과 같은 두께를 갖는 금속박판으로서 그 보조리드프레임(30)에는 몰딩시 상부몰드금형(10)과 하부몰드금형(20) 클램핑 간섭을 피하기 위해 일정간격 직렬 형성된 사각공간부(31)의 일측에 빈공간(32)이 형성되어 있으며, 이 빈공간(32)에는 몰딩시 몰드게이트런너(GATE RUNNER)가 위치하는 부분으로서 몰딩용 수지가 몰드금형의 캐비티(40)내로 흘러들게 하는 역할을 한다.

또한, 상기 보조리드프레임(30)의 사각공간부(31) 주변부에는 상.하몰드금형(10)(20)의 클램핑시 간섭을 받지 않도록 리드프레임(LF)의 리드폭(W) + 공차(α)에 해당하는 리드홈(33)이 구비되어 있고, 이 리드홈(33)으로 리드프레임(LF)의 리드가 들어가게 된다. 또한 상기 리드홈(33)의 사이사이에는 수지유출방지부재(34)가 형성되어 있어 몰딩시 리드프레임(LF)의 리드와 리드사이에 위치하여 캐비티(40)내 수지가 금형밖으로 유출되지 못하도록 막아주는 댐 역할을 하게 된다.

또한, 보조리드프레임(30)에 형성된 사각공간부(31)의 일측 모퉁이에는 에어 벤팅부(35)가 마련되어 몰딩시 금형의 캐비티(40)내의 공기가 이곳을 통해 외부로 쉽게 빠져나가도록 되어 있다.

이러한 구성의 보조리드프레임(30)을 이용한 몰딩방법을 설명하면, 제5도에 도시된 바와 같이 먼저 하부몰드금형(20)위에 보조리드프레임(30)을 고정시킨다. 여기서 고정방법은 보조리드프레임(30)에 통공(a)을 천공하고 하부몰드금형(20)에 고정핀(도시되지 않음)을 형성시켜 상기 고정핀이 통공(a)에 삽입 결합되는 수단에 의해 보조리드프레임(30)이 고정되는 것이다.

다음 상기 보조리드프레임(30)위에 댐바리스 리드프레임(LF)을 올려 놓는다. 이와 같은 형상은 제6도에 도시된 바와 같이 리드프레임(L/F)의 각 리드가 보조리드프레임(30)의 수지유출방지부재(34) 사이 즉, 각각의 리드홈(32)에 끼워진 형상을 한다.

한편, 이들이 몰딩될때 상부몰드금형(10)과 하부몰드금형(20)의 클램핑 상태는 제7도에 도시된바와 같이 캐비티(40)에 몰딩수지가 a부분까지 주입되고 b부분에서는 상하부몰드금형(10)(20)이 리드프레임(LF)의 각 리드와 보조리드프레임(30)의 수지유출방지부재(34)를 눌러주게 됨으로써 캐비티(40)내의 수지가 금형밖으로 유출되지 않는다. 그리고 제7도에서 c,d,e부분에서 리드프레임(LF)의 리드가 보조리드프레임(30)의 메탈부분과 겹치는 부분(d부분)이 있지만 이는 상.하부몰드금형상에 요홈부(11)(21)를 두어 클램핑시 리드프레임의 리드와 보조리드프레임의 메탈부분이 겹쳐지는 부위가 눌려지지 않도록 하여 리드프레임의 손상이 예방된다.

이와같이 본 발명에서는 댐바리스 리드프레임을 사용하여 반도체패키지를 몰딩하되 보조리드프레임(30)위에 리드프레임(LF)을 안치시켜 보조리드프레임(30)에 형성된 수지유출방지부재(34)가 캐비티(40) 내측으로부터의 수지가 몰드금형외부로 유출되는 것을 완벽히 차단하게 됨으로써 기존의 댐바커팅공정을 제거할 수 있고, 반도체패키지의 제조단가를 절감하며, 나아가 고품질의 반도체 어셈블리 제품을 제공하게 되는 것이다.

Claims (4)

1. 반도체칩이 탑재된 댐바리스 리드프레임을 수지재로 몰딩하는 반도체패키지의 몰딩 방법에 있어서, 금속박판에 사각공간부가 일정간격으로 형성되어 있고, 상기 각각의 사각공간부 모서리에는 외측을 향해 개방된 빈공간이 형성되어 있으며, 상기 사각공간부의 둘레에는 리드홈과 수지유출방지부재가 형성되어 있는 보조리드프레임을 구비하여 이를 하부몰드금형에 고정시키는 단계와; 상기 보조리드프레임의 상부에 다수의 리드로 이루어진 댐바리스 리드프레임을 결합시키는 단계와; 상기 하부몰드금형을 상부몰드금형으로 클램핑한 상태에서 수지재를 주입하여 몰딩하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체패키지의 몰딩방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 하부몰드금형에는 고정핀을 돌출되게 설치하고, 상기 보조리드프레임에는 통공을 형성하여, 상기 고정핀과 통공의 결합에 의해 하부몰드금형에 보조리드프레임이 결합되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체패키지의 몰딩방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 보조리드프레임의 수지유출방지부재는 댐바리스 리드프레임의 리드와 리드 사이에 개재(介在)되어 몰딩시 캐비티내의 수지재가 금형 외부로 유출되지 않토록 한 것을 특징으로 하는 반도체패키지의 몰딩방법.
4. 상.하부몰드금형의 클램핑시 댐바리스 리드프레임의 리드와 보조리드프레임의 메탈부분에 의해 겹쳐지는 부분이 상.하몰드금형에 의해 눌려지지 않도록 상.하부몰드금형의 캐비티 바깥둘레면에 요홈부가 더 형성된 것을 특징으로 하는 반도체패키지의 몰드금형장치.