KR100350045B1 - 반도체패키지의패키지트랜스퍼성형장치금형 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 패키지의 패키지 트랜스퍼 성형장치 금형에 관한 것으로써, 반도체 패키지를 컴파운드재로 패키지 몰딩하는 성형금형의 바텀몰드에 구비한 체이스(Chase)의 컴파운드 죤(Compound Jone)에 컴파운드 후래쉬 억제수단을 형성하여 리드프레임의 댐바(Dambar)와 패키지 몰딩영역 사이에 두께가 얇은 후래쉬(Flash)를 형성시켜 댐바 컷팅시 후래쉬 제거를 용이하게 하고, 체이스의 양측 상부에 리드프레임 자재의 밀림방지수단을 구비하여 바텀몰드에 안치한 리드프레임 자재의 위치 변경을 방지하며, 에어벤트(Air Vnt)영역에 후래쉬 유출방지수단을 형성하여 리드프레임 자재의 사이드레일에 컴파운드 후래쉬의 발생을 방지할 수 있게 한 것으로 패키지 성형 완료된 자재의 데미지를 방지하고, 후래쉬 제거에 따른 충격 및 파손을 방지하여 반도체 패캐지의 품질 신뢰도를 높일 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 반도체 패키지의 트랜스퍼 성형장치 금형 관한 것으로서, 특히 반도체 패키지를 컴파운드재로 패키지 몰딩하는 성형 금형의 바텀몰드에 구비한 체이스(Chasc)의 컴파운드 죤(Compound Jone)을 컴파운드 후래쉬 억제수단을 형성하여 리드프레임의 댐바(Dambar)와 패키지몰 딩영역 사이에 두께가 얇은 후래쉬(Flash)를 형성시켜 댐바 컷팅시 후래쉬 제거를 용이하게 하고, 체이스의 양측 상부에 리드프레임 자재의 밀림방지 수단을 구비하여 바텀몰드에 안치한 리드프레임 자재의 위치 변경을 방지하며, 에어벤트(Air vent)영역에 후래쉬 유출방지수단을 형성하여 리드프레임 자재의 사이드레일에 컴파운드 후래쉬의 발생을 방지할 수 있도록 한반도체패키지의 패키지 트랜스퍼 성형장치 금형에 관한 것이다.
일반적으로 반도체패키지용 트랜스퍼 성형장치는 와이어 본딩(Wire Bonding)이 완료된 자재를 공기중에 노출시키게 되면 외적인 힘과 부식 및 열 등으로 인하여 쉽게 손상을 받게 되므로 전기적인 특성을 보호하고 기계적인 안정성을 도모하기 위해 컴파운드재의 합성수지를 이용하여 와이어 본딩된 자재를 밀봉시킬 수 있는 것이다.
상기한 트랜스퍼 성형장치는 일정한 모양을 만들 수 있는 탑(Top), 바텀(Bottom)몰드와 트랜스퍼 램(Transfer Ram)과 프레스를 작동시키는 오퍼레이팅 스위치(Operating Switch)들로 구성되었고 상기한 바팅몰드에는 반도체 패키지의 패키지를 형성시키기 위한 틀인 캐비티(Cavity)가 형성된 체이스(Chase)에 포트에서 공급된 컴파운드재를 캐비티내로 공급시키기 위한 포트부와 각 캐비티로 컴파운드가 흘러가는 역할을 하는 런너(Runner)와 런너게이트(Runner Gate)로 이루어져 있다.
따라서, 오토몰드(Auto Mold) 트랜스퍼 성형장치는 바텀몰드의 체이스에 와이어 본딩된 자재를 안치시킨 후 언로더(Un Loader)에서 공급된 컴파운드재 펠렛(Pellet)이 램포트에서 용융되어 런너를 통해 각 캐비티로 컴파운드재를 공급시키면 와이어 본딩된 자재가 패키지 성형이 완료될 수 있게 한 것이다.
이러한 종래의 트랜스퍼 성형장치의 바텀몰드(BM)는 도면 제10도에서 보는 바와 같이 체이스(CH)의 캐비티(CA) 외측부에 리드프레임 자재(CF)의 댐바(D)와 패키지 몰딩영역 사이에 컴파운드 죤을 평면상으로 형성하였다.
따라서, 상기 종래의 바텀몰드(BM)의 체이스(CH)에 리드프레임 자재(LF)을 안치시키면 도면 제11도와 같이 캐비티(CA)내로 충진되는 컴파운드재가 충진 압력에 의해 리드프레임 자재(LF)의 댐바(DB)와 패키지 몰딩영역 사이에 유입되어 리드(L)의 두께(t)와 동일하게 컴파운드 후래쉬(F)가 발생된다.
따라서 패키지 성형 완료된 자재를 댐바커팅 공정에서 리드와 리드 사이에 형성된 댐바(DB)와 컴파운드 후래쉬(F)를 컷팅 제거하였으나, 후래쉬(F)의 두께(t1)가 크므로 인해 쉽게 제거되지 못하였고 컷팅제어시 가압되는 충격력이 반도체 패키지에 가해져 전기적 기능부품이 파손되고, 패키지(P)에 파손이 발생되며, 데미지 불량에 의한 반도체 패키지의 품질 신뢰도를 저하시켰다.
또한 패키지 몰딩시 바팀몰드(BM) 상부에 안치된 리드프레임 자재(LF)가 위치 셋팅이 되지 못하여 컴파운드재의 충진압력과 탑몰드(TM)의 접합시 리드프레임 자재(LF)가 이송됨에 따라 패키지(P) 성형불량과 작업성을 방지하였고, 패키지 몰딩시 압력에 의해 충진되는 컴파운드재가 에어벤트를 통해 리드프레임 자재(LF)의 패키지 성형부인 모서리부측의 사이드레일(SR)에 후래쉬가 발생되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로써, 반도체 패키지를 컴파운드재로 패키지 몰딩하는 성형 금형의 바텀몰드에 구비한 체이스(Chase)의 컴파운드 죤(Compound)에 컴파운드 후래쉬 억제수단을 형성하여 리드프레임의 댐바(Dambar)와 패키지 몰딩영역 사이에 두께가 얇은 후래쉬(Flash)를형성시켜 댐바 컷팅시 후래쉬 제거를 용이하게 하고, 체이스의 양측 상부에 리드프레임 자재의 밀림방지 수단을 구비하여 바텀몰드에 안치한 리드프레임 자재의 위치 변경을 방지하며, 에어벤트(Air vent) 영역에 후래쉬 유출방지수단을 형성하여 리드프레임 자재의 사이드레일에 컴파운드 후래쉬의 발생을 방지할 수 있게 하여 컴파운드 후래쉬의 발생을 방지하고 패키지 성형하는 리드프레임 자재를 정확히 위치 고정하며, 사이드레일에 후래쉬 발생을 방지한 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 실현하기 위한 기술적 구성은 와이어 본딩 완료된 리드프레임 자재를 트랜스퍼 성형장치의 바텀몰드에 안치시킨 상태에서 컴파운드재로 패키지 몰딩하는 것에 있어서,
상기 리드프레임 자재의 댐바와 패키지 몰딩영역이 위치하는 바텀몰드의 체이스에 형성된 캐비티의 양측 상부에 컴파운드 후래쉬 억제수단을 형성한 것으로 컴파운드 죤에서 후래쉬의 발생을 억제시킨 것이다.
상기한 바텀몰드에 설치한 체이스의 양측 상부에는 밀림방지수단을 형성하여 패키지 성형되는 리드프레임 자재를 바텀몰드에 안치시킨 상태에서 정위치시킬 수 있게 한다.
또한 상기 트랜스퍼 성형장치의 바텀몰드에 구비된 체이스에 에어벤트가 형성되어 패키지 성형시 캐비티내의 공기를 배출시키는 것에 있어서, 바텀몰드의 체이스에 형성된 에어벤트 영역에 댐을 형성하여 컴파운드재의 유출을 차단시키므로서 사이드레일에 후래쉬의 발생을 방지한 것이다.
이하 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과같다.
제1도는 본 발명의 트랜스퍼 성형장치의 탑몰드(TM)와 바텀몰드(BM)의 분리사시도로서, 바텀몰드(BM)의 다이 상부에 다수개의 캐비티(CA)를 형성한 체이스(CH)를 설치한다.
제2도는 본 발명이 바텀몰드(BM)에 설치한 체이스(CH)에 컴파운드 후래쉬 억제수단(1)을 형성한 상태의 일부 사시도로서, 와이어 본딩 완료된 리드프레임 자재(CF)를 트랜스퍼 성형장치의 바텀몰드(BM)에 안치시킨 상태에서 컴파운드재로 패키지(P) 몰딩하는 것에 있어서,
상기 리드프레임 자재(CF)의 댐바(DB)와 패키지 몰딩영역이 위치하는 바텀몰드(BM)의 체이스(CH)에 형성된 캐비티(CA)의 양측 상부에 컴파운드 후래쉬 억제수단(1)을 형성한 것이다.
상기한 컴파운드 후래쉬 억제수단(1)은 상측으로 돌기(2)를 형성한 것이다.
상기한 돌기(2)는 리드프레임 자재(LF)의 리드(L)와 리드(L)사이에 위치하도록 형성한 것이다.
상기한 돌기(2)는 리드프레임 자재(LF)의 리드(L) 두께(t)보다 약간 작은 높이(H)로 돌출시킨 것이다.
이러한 컴파운드 후래쉬 억제수단(1)은 도면 제4도에서 보는 바와 같이 바텀몰드(BM)의 체이스(CH) 상부에 리드프레임 자재(LF)를 안치시키면 댐바(DB)의 내측 부분이 캐비티(CA)의 양측 상부 컴파운드 죤의 돌기(2)와 접촉된 상태로 위치한다.
이 상태에서 탑몰드(TM)를 바텀몰드(BM)와 접촉시킨 후 컴파운드재를캐비티(CA)내로 충진시키면 컴파운드재는 리드프레임 자재(LF)의 탑재판 부위의 양측을 패키지(P) 성형하는 동시에 댐바(DB)와 패키지 영역 사이의 컴파운드 후래쉬 억제수단(1)으로 도면 제6도 및 제7도에서와 같이 일부가 유입 충진한다.
이때 충진된 컴파운드재는 컴파운드 후래쉬 억제수단(1)인 돌기(2)에 의해 리드(L)의 두께(t)보다 작은 두께(t2)로 성형한다.
따라서, 패키지(P)의 성형이 완료된 자재를 댐바(DB) 컷팅공정에서 댐바(DB) 컷팅을 시행할 때 두께(t2)를 얇게 형성한 후래쉬(F)을 용이하게 제거할 수 있게 한 것이다.
이러한 트랜스퍼 성형장치의 바텀몰드(BM)에는 도면 제2도 및 제8도에서 보는 바와같이 와이어 본딩 완료된 리드프레임 자재(LF)를 트랜스퍼 성형장치의 바텀몰드(BM)에 안치시킨 상태에서 컴파운드재로 패키지(P) 몰딩하는 것에 있어서,
상기 바텀몰드(BM)에 설치한 체이스(CH)의 양측 상부에 밀림방지수단(3)을 형성하여 바텀몰드(BM)에 안치한 리드프레임 자재(LF)를 정위치시킬 수 있게 한 것이다.
상기한 밀림방지수단(3)은 바텀몰드(BM) 상부에 안치한 리드프레임 자재(LF)의 리드(L)와 리드(L) 사이에 돌기를 돌출 형성하여 패키지(P) 성형시 리드(L)와 리드(L) 사이에 개재하고 있는 밀림방지수단(3)의 돌기가 리드프레임 자재(F)를 정위치로 고정시키도록 하여 패키지(P) 성형작업을 용이하게 할 수 있게 한다.
또한 상기 트랜스퍼 성형장치에는 도면 제2도 및 제9도에서 보는 바와 같이트랜스퍼 성형장치의 바텀몰드(BM)에 구비된 체이스(CH)에 에어벤트(AV)가 형성되어 패키지 성형시 캐비티내의 공기를 배출시키는 것에 있어서,
상기 바텀몰드(BM)의 체이스(CH)에 형성된 에어벤트영역에 후래쉬 유출방지수단(4)을 형성하여 컴파운드재의 유출 차단하므로서, 리드프레임 자재(LF)에 성형 완료된 패키지(P)의 각 모서리부측에 위치한 사이드레일(SR)에 후래쉬(F)의 발생을 방지한다.
상기한 후래쉬 유출방지수단(4)은 체이스(CH)의 상부면에서 상측으로 돌출부를 갖는 댐을 형성한다.
이와 같은 후래쉬 유출방지수단은 도면 제9도에서 보는 바와 같이 바텀몰드(BM)에 안치한 리드프레임 자재(LF)가 패키지 성형시 충진압력에 의해 캐비티(CA)의 내부에 잔류한 에어가 에어벤트로 누출될 때 댐에 의해 리드프레임 자재(LF)의 사이드레일(SR)측으로 누출되는 컴파운드재를 차단시키도록 하여 후래쉬의 발생을 방지하고, 동시에 바텀몰드(BT)의 체이스(CH)에 형성한 에어벤트의 모서리 영역으로 누출되는 컴파운드재의 충진압력에 의한 마찰력에 의해 체이스(CH)가 마모되는 것 올 방지할 수 있는 것이다.
이상에서와 같이 본 발명은 반도체 패키지를 컴파운드재로 패키지 몰딩하는 성형 금형의 바텀몰드에 구비한 체이스(Chase)의 컴파운드 죤(Compound)을 컴파운드 후래쉬 억제수단을 형성하여 리드프레임의 댐바(Dambar)와 패키지 몰딩영역 사이에 두께가 얇은 후래쉬(Flash)를 형성시켜 댐바컷팅시 후래쉬 제거를 용이하게 하고, 체이스의 양측 상부에 리드프레임 자재의 밀림방지 수단을 구비하여 바텀몰드에 안치한 리드프레임 자재의 위치 변경을 방지하며, 에어밴트(Air Vent)영역에 후래쉬 유출 방지수단을 형성하여 리드 프레임 자재의 사이드레일에 컴파운드 후래쉬의 발생을 방지할 수 있게 한 것으로 패키지 성형 완료된 자재의 데미지를 방지하고, 후래쉬 제거에 따른 충격 및 파손을 방지하며, 패키지 성형시 리드프레임 자재의 유동을 방지하여 패키지 성형 작업성을 향상시키고, 바텀몰드의 체이스에 형성한 에어벤트의 모서리 영역으로 후래쉬의 누출을 방지하여 체이스의 마모 및 파손을 방지하며, 리드프레임 자재의 패키지 모서리부측 사이드레일에 형성되는 후래쉬을 방지할 수 있게 한 효과가 있다.
제1도는 본 발명의 금형의 분리 사시도,
제2도는 본 발명의 바텀금형의 체이스 사시도.
제3도는 본 발명의 체이스가 바텀금형에 설치된 상태의 평면도.
제4도는 본 발명의 바텀금형 체이스에 리드프레임 자재가 안치된 상태의 구조도.
제5도는 본 발명의 반도체 패키지의 컴파운드 성형된 상태의 평면 구조도.
제6도는 제5도의 A부 확대도.
제7도는 제6도의 B-B선 단면도.
제8도는 본 발명의 바텀몰드 체이스에 형성된 밀림방지 수단에 리드프레임 자재가 안치된 상태의 평면도.
제9도는 본 발명의 바텀몰드 체이스에 형성된 에어벤트에 컴파운드 후래쉬의 유출방지 수단을 형성하여 리드프레임 자재를 안치한 상태의 평면도.
제10도는 종래의 바텀금형의 체이스 구조도.
제11도는 종래의 리드프레임 자재의 패키지 몰딩 영역에 후래쉬가 발생된 상태의 단면구조도.
제12도는 종래의 바텀금형으로 컴파운드 성형된 상태의 반도체 패키지 구조도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 ; 후래쉬 억제수단 2 ; 돌기
3 ; 밀림방지수단 4 ; 후래쉬 방지수단
TM ; 탑몰드 BM ; 바텀몰드
CH ; 체이스 CA ; 캐비티
LF ; 리드프레임 L ; 리드
D ; 댐바 P ; 패키지
SR ; 사이드레일 AV ; 에어벤트
Claims (4)
- 와이어 본딩이 완료된 리드프레임 자재(CF)를 트랜스퍼 성형 장치의 바텀몰드(BM)에 안치시킨 상태에서 컴파운재로 패키지(P) 몰딩하는 것에 있어서,상기 리드프레임 자재(CF)의 댐바(DB)와 패키지 몰딩 영역이 위치하는 바텀몰드(BM)의 체이스(CH)에 형성된 캐비티(CH)의 양측 상부에 컴파운드 후래쉬 억제 수단(1)을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 패키지 트랜스퍼 성형장치 금형 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 컴파운드 후래쉬 억제수단(1)은 상측으로 돌기(2)를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 패키지 트랜스퍼 성형장치 금형 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 컴파운드 후래쉬 억제수단(1)은 리드프레임 자재(LF)의 리드(L)와 리드(L) 사이에 위치하도록 다수의 돌기(2)로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 패키지 트랜스퍼 성형장치 금형 구조.
- 제3항에 있어서, 상기 돌기(2)는 리드프레임 자재(LF)의 리드(L) 두께(t)보다 약간 작은 높이(H)로 돌출시킨 것을 특징으로 하는 반도체패키지의 패키지 트랜스퍼 성형장치 금형 구조.
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1995
- 1995-12-29 KR KR1019950067200A patent/KR100350045B1/ko not_active IP Right Cessation
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Payment date: 20060814 Year of fee payment: 5 |
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |