JPS60242017A - パリ発生のない樹脂モ−ルド方法 - Google Patents

パリ発生のない樹脂モ−ルド方法

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JPS60242017A
JPS60242017A JP10012684A JP10012684A JPS60242017A JP S60242017 A JPS60242017 A JP S60242017A JP 10012684 A JP10012684 A JP 10012684A JP 10012684 A JP10012684 A JP 10012684A JP S60242017 A JPS60242017 A JP S60242017A
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JP
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lead frame
resin
molding
mold
paris
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Tetsuya Hojo
徹也 北城
Motoi Kamiyama
上山 基
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Fuji Plant Kogyo Kk
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Fuji Plant Kogyo Kk
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  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ 発明の目的 a 産業上の利用分野 本発明はICパッケージその他の半導体バックージ製造
工程において、リードフレームにボンティングした半導
体チップを気密封止するだめの樹脂モールドを、パリ(
flash)の発生なく行なおうとするものである。
b 従来技術 半導体チップにモールティングするのは、素子に傷が付
いたりゴミが付着するのを防止し、また電気的・化学的
・金属的・その他の外的影響力・ら守り、安定した性能
を半永久的に維持するためのものである。そのモールド
手段としては、金属やセラミック製もあるが、一般的K
V′iエポキシ系の熱硬化性樹脂が用いられている。そ
れld IJ−ドフレームに半導体チップをポンディン
グにより組込んでおき、それをモールド金型内に入れて
、液状にした樹脂を注入し固化させるのが主流である。
このようなモールド工程時に、モールド不要のアクタ−
リード部分へも樹脂が流れ出したり、飛散して/クリが
生じ、極めて強固に付着する。このアクターリ−F部分
へのパリの付着は、次工程の半田(錫)による外装処理
を不完全にし、通電性を損なうので、半導体としての性
能を失なう結果を招く。
このパリの発生の原因の1つは、モールド金型とアクタ
−リード面との接合部に僅かながら間隙があり、そこか
ら樹脂が侵入するものである。
しかし金型の精度を増して間隙を無くすと、金型は損耗
して寿命が短かくなる。またもう]つの原因は、各アク
タ−リードの間に板厚の深さの空所があるからで、金型
をリード面に密着させても、その各空所へ樹脂が流れ込
むことは避は得ない。
仮に、金型をリードフレームのパターンに合わせて、空
所に係合する凸部をもつものに形成したとしても、モー
ルド工程時の加熱により金属膨張し、間隙が生じてやは
り樹脂の侵入がある。
このように、パリは半導体にとって有害なものでありな
がら、モールド工程での発生は不可避なものと考えられ
、従来は付着したパリを如何にして効率よく除去するか
が技術課題となり、種々なものが提案・実施されている
。即ち、強vVc浸漬させる化学的方法、苛性ソーダ液
中で電解剥離する電気的方法、高圧エアーまたは粒体を
吹付ける機械的方法等が代表的なものである。
しかしこれらの除去方法は、フレームやモールド部分を
損傷させることがあったり、手数のかかる割にはパリの
除去が不充分であったり、ランニングコストが高くつく
等の問題点があった。しかも今後半導体が一層複雑化・
微細化してリードフレームのパターンも細密化すると、
一旦付着したパリの除去は従来以上に難しくなることは
明らかである。
C発明が解決しようとする問題点 本発明は、上記の如くモールド工程でのパリが半導体の
品質に悪影響を及ぼすものであること、その除去手段の
殆んどが不完全で非効率なものであること、しかも半導
体が今後更に複雑・微細化するに伴ないその除去が一層
困難になること、等の問題点を解決しようとするもので
ある。即ち本発明の目的は、従来一般に不可避的と考え
られていたパリの発生を、できるだけシンプルな手段で
皆無にしようとすることにある。そして半導体バラゲー
ジ製造工程からパリ除去工程を無くし、全工程の完全自
動化を容易にするとともに、生産性の一層の向上を図ろ
うとするものである。
口 発明の構成 a 問題点を解決するだめの手段 この発明の要旨は、第2図・第3図または第7図で示す
如く半導体チップ(2)をボンディングされたリードフ
レームt+1の上・下面と上・下金型(3)(4)間に
、各々モールド必要箇所に対応する開口部(7) +8
1をもつ弾性材製のシール板+51 +61が介装され
た状態下で、モールド用樹脂(9)を注入させてモール
ディングするものである。
上記構成において、弾性材製シール板+6+ +61と
しては、上・下金型t31t4iをセット時に名アクク
ーリード(10)その他のモールド不要箇所をシールす
るように、リード(10)の間隙(11)に充分に食い
込む弾性を有するものとする。1だモールディング時の
180°C程度の熱に耐える耐熱性と、モールディング
後にフレーム(1)や金型t31t41から分離し易い
とともに、そこに付着した樹脂片も剥離1ッ易いNl型
性を有し、かつ繰返し使用可能なものとする。それには
シリコン樹脂による軟質のフィルムが望ましいO 壕だ弾性材製シール板+51 +61の開口部+711
81は、リードフレーム(1)の半導体チップ(2)を
中心さしたモールド必要箇所に対応して、大きさ・形状
・位置等を精度よく形成しておく。(121はガイドピ
ン用孔、03)V′iツイヤボンティング用ワシワイヤ
る。
なおこの弾性材製シール板+51 +6)の介装手段は
、後記実施例の如くリードフレーム+1)の」二・下面
の所定位IKg、貼着して金型内にセントするか、ある
いは両金型+31+4+内面の所定位置に固着しておけ
ばよい。
5作 用 本発明の実施は第2図・第3図1たは第7図で示す如く
、弾性材製シール板+51 +61をリードフレームi
11 (!:上・下金型131)間に各々介装させる。
そして」二・下金型t3i[4]を加圧することにより
、第4図の如くリードフレーム(1)のモールド不蜜箇
所であるアクタ−リード(lO)等は、弾性あるシール
板(5)(6)が上・下向面から密着する。同時に、各
リート間;+1)Hシール板+5+ +61が上・下方
向から食い込んで、各リード(10)等は囲続され完全
な密封状態となる。
仁の状態下でモールド用樹脂(9)を金% !3) +
41内に注入すると、第5図の如く樹脂(9)は半導体
チップ(2)を中心さしたリードフレーム(1)のモー
ルド必要箇所にのみ充填され、その他の部分には流れ込
んだり飛散しない。即ち、アククーリード(101等の
モールド不要箇所はシール板fil +61で密封状態
となっているので、樹脂(9)がそこへ流れ込むことは
防止されている。そこで樹脂(9)を硬化させた後に、
該リードフレーム(1)を取出せば、第6図の如く必要
箇所だけが樹脂モールドされ、他のモールド不要なアク
クーリード(10)等への樹脂の付着、つ−まりパリの
付着が全く無いものを得られる。
なお、シール板[5+ +61は離型性がよいので、リ
ードフレーム(1)からの収外しは容易に行えるし、1
だ弾性があるのでシール時に付いた凹凸は解消し、繰返
して使用するこさができる。
C実施例 第2図・第3図のものは、シール板+51 +61をリ
ードフレーム(1)の上・下面の所定位置に各々仮貼骨
しており、この状態で上・下金型t3++i)間に入れ
て加圧させればよい(第4図・第5図参照)。この場合
は、各リードフレームillに各々シール板(5)(6
)を仮貼付し、モールティング後に取外すこ吉になるが
、リードフレーム(+)のパターンが変った場合はそれ
に対応したシール板[5+ +61を仮貼付すればよく
、即応性がある。
第7図に示すものは、シール板(5)(6)を上・下金
型13)+41の所定位置に各々固着したものであり、
これを半導体チップ(2)付のリードフレーム+1)に
上下から圧接させればよい(第4図・第5図参照)。
この場合は、リードフレーム(1)のパターン;6; 
同一であればそのまま繰返してモールティングできる。
上記において、シール板+51 +6)の弾性のため、
モールド必要箇所の形状・大きさ等の精度を損なうこと
のないように、成型機のプレス圧・ストローク等を調節
しておけばよい。更に念のため、モールド必要詮所の側
部とシール板+51 +61の側部との間に、薄い金属
板製の仕切り板HH)を介在させてもよい。
ハ 効 果 a シンプルな手段で、リードフレームへのパリの付着
を無くすことができる。即ち、従来はモールド工程での
パリの発生は不可避的なものと考えられ、付着したパリ
を如何にして効率よく完全に除去するかに苦心していた
。そして提案された種々な手段も、フレームやモールド
部分を損傷させたり、手数のかかる割にはパリの除去が
不充分であったり、ランニングコストが高くつく等の問
題点があり、充分なものではなかった。
しかし本発明は弾性材製シール板を、リードフレームの
上・下面と上・下金型との間に介装きせてモールディン
グするものである。それゆえ、モールド不要のアクタ−
リード等は上・下からのシール板で確実に密封されるか
ら、そこへの樹脂の侵入はなくパリの発生を完全に防止
できる。
b パリ除去手段が不要となり、半導体パッケージ製造
工程の完全自動化を容易して、生産性の向上を図れる。
即ち、従来はパリ除去手段は不可避のものであり、それ
に伴なう大かがすな手段や検査等の手数を要した。しか
し本発明は、シンプルな手段でありながらパリ発生を皆
無にでき、パリ除去工程は不要となるので、モールド工
程の後は直ちに半田(錫)による外装処理工程に移す仁
とができる。それゆえ、半導体パッケージ製造工程中で
非効率で手数のかかったパリ除去工程を無くすことによ
り、全工程の完全自助化が容易となると吉もに、より一
層の生産性の向上を図れるものである。しかも、今後半
導体が一層複雑化・a細化してリードフレームのパター
ンが細密化しても、パリ除去の困難さを問題にする必要
もない。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の実施例を示すもので、第1図は半導体チッ
プをモールディングしたリードフレームの一部の斜視図
、第2図は第1図のリードフレームにシール板を仮貼付
した斜視図、第3図は第2図のill −ill拡大断
面図、第4図は金型加工時の拡大断面図、第5図は樹脂
注入時の拡大断面図、第6図はモールド完了後の拡大断
面図、第7図は金型にシール板を固着する別実施例の拡
大断面図である。 図面符号1+)・・・リードフレーム、(2)・・・半
導体チップ、(3)・・・上金型、(4)・下金型、(
6)・・・シール板、(6)・・・シー ルffi、+
71・・・開口部、(8)・・・開口部、(9)・・・
モールド樹脂1、 出願人 富士プラント工業株式会社 代理人 京 口 清′、、 、 +′:、H・−二′ノ 第1図 第7図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■半導体チップ(2)がポンティングされたリードフレ
    ームtl)を上・下の金型f3+ +41に入れ、樹脂
    (9)を注入してモールティングする樹脂モールド方法
    において、リードフレーム(1)上面と上金型(3)間
    、およびリードフレームf+)下面と下金型(4)間と
    に、モールド必要箇所に対応する開口部f7) +81
    をもつ弾性材製シール板+6) (6+を各々介装させ
    、その状態下で樹脂(9)を注入し硬化させてモールテ
    ィングすることを特徴とする、パリ発生のない樹脂モー
    ルド方法。 ■弾性材製シール板[51t6]を、予じめリードフレ
    ーム(1)の上・下面に仮貼着して介装させ、その状態
    下でモールティングするようにした、特許請求の範囲第
    1項に記載のパリ発生のない樹脂モールド方法。 ■弾性材製シール板+5) 16)を、予゛じめ上・下
    金型(3)i4)K固着して介装させ、その状態下でモ
    ールディングするようにした、特許請求の範囲第1項に
    記載のパリ発生のない樹脂モールド方法。 ■弾性材製シール板(5)(6)の側部とモールド必要
    箇所の側部との間に、薄い仕切り板!+4+ を国を介
    装させ、その状態下でモールティングするようにした、
    特許請求の範囲第1項に記載のパリ発生のない樹脂モー
    ルド方法。 ■弾性材製シール板15+ +61としてシリコン樹脂
    製フィルムを用い、その状態下でモールディングするよ
    うにした、特許請求の範囲第1項に記載のパリ発生のな
    い樹脂モールド方法。
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