JP2002110890A - 半導体装置の製造方法及びそれに用いるリードフレーム積層物 - Google Patents

半導体装置の製造方法及びそれに用いるリードフレーム積層物

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 粘着テープにより封止工程での樹脂漏れを好
適に防止しながら、しかも薄型化したリードフレームの
そりによる問題が生じにくい半導体装置の製造方法、及
びそれに用いるリードフレーム積層物を提供する。 【解決手段】 リードフレーム１０に予め粘着テープ２
０を貼り合わせたリードフレーム積層物を用いて、半導
体チップ１５の搭載・結線と封止樹脂１７による封止と
を少なくとも行う半導体装置の製造方法であって、粘着
テープロールからの巻戻し力が４Ｎ／１９ｍｍ幅以下の
粘着テープ２０を、その粘着テープロールからの巻戻し
ながら厚さ０. ２ｍｍ以下のリードフレーム１０に貼り
合わせる工程、又は剥離力が４Ｎ／１９ｍｍ幅以下の剥
離ライナーを巻き合わせた粘着テープロールから、その
剥離ライナーを剥離しつつ、粘着テープ２０を巻戻しな
がら、厚さ０. ２ｍｍ以下のリードフレーム１０に貼り
合わせる工程を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームに
予め粘着テープを貼り合わせたリードフレーム積層物を
用いて、半導体チップの搭載・結線と封止樹脂による封
止とを少なくとも行う半導体装置の製造方法、及びそれ
に用いるリードフレーム積層物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩの実装技術において、ＣＳ
Ｐ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／ＳｃａｌｅＰａｃｋａｇｅ）
技術が注目されている。この技術のうち、ＱＦＮ（Ｑｕ
ａｄＦｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇ
ｅ）に代表されるリード端子がパッケージ内部に取り込
まれた形態のパッケージについては、小型化と高集積の
面で特に注目されるパッケージ形態のひとつである。こ
のようなＱＦＮの製造方法のなかでも、近年では複数の
ＱＦＮ用チップをリードフレームのパッケージパターン
領域上に整然と配列し、金型の１つのキャビティ内で、
封止樹脂にて一括封止したのち、切断によって個別のＱ
ＦＮ構造物に切り分けることにより、リードフレーム面
積あたりの生産性を飛躍的に向上させる製造方法が、特
に注目されている。
【０００３】このような、複数の半導体チップを一括封
止するＱＦＮの製造方法においては、樹脂封止時のモー
ルド金型によってクランプされる領域はパッケージパタ
ーン領域より更に外側に広がった樹脂封止領域の外側だ
けである。従って、パッケージパターン領域、特にその
中央部においては、アウターリード面をモールド金型に
十分な圧力で押さえることができず、封止樹脂がアウタ
ーリード側に漏れ出すことを抑えることが非常に難し
く、ＱＦＮの端子等が樹脂で被覆されるという問題が生
じ易い。例えば、特開平８−１５６１０号公報等のよう
な、樹脂封止時に金型との接触面に離型フィルムを介在
させる方法でも、中央部で十分な密着性を得にくいた
め、樹脂漏れを十分防ぐことができない。
【０００４】このため、上記の如きＱＦＮの製造方法に
対しては、リードフレームのアウターリード側に粘着テ
ープを貼り付け、この粘着テープの自着力（マスキン
グ）を利用したシール効果により、樹脂封止時のアウタ
ーリード側への樹脂漏れを防ぐ製造方法が特に効果的と
考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
半導体装置の薄型化により、リードフレームも薄くなる
傾向があり、このため粘着テープの貼着によってリード
フレームにそりが発生しやすくなることが判明した。そ
の結果、各製造工程で位置ズレが発生したり、固定治具
に搬入できないなどの問題が生じ、歩留まりが悪化す
る、又は半導体装置を製造できないなどの問題が懸念さ
れる。
【０００６】そこで、本発明の目的は、粘着テープによ
り封止工程での樹脂漏れを好適に防止しながら、しかも
薄型化したリードフレームのそりによる問題が生じにく
い半導体装置の製造方法、及びそれに用いるリードフレ
ーム積層物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく、リードフレーム積層物のそりの原因やそ
の対策等について鋭意研究したところ、そりの原因が貼
り合わせ時の張力によるものであり、リードフレームへ
の貼り合わせ工程や粘着テープを物性を制御して、リー
ドフレーム積層物に生じる応力を少なくすることで、そ
りを殆ど無くすことができることを見出し、本発明を完
成するに至った。
【０００８】即ち、本発明の半導体装置の製造方法は、
リードフレームに予め粘着テープを貼り合わせたリード
フレーム積層物を用いて、半導体チップの搭載・結線と
封止樹脂による封止とを少なくとも行う半導体装置の製
造方法であって、粘着テープロールからの巻戻し力が４
Ｎ／１９ｍｍ幅以下の粘着テープを、その粘着テープロ
ールからの巻戻しながら厚さ０. ２ｍｍ以下のリードフ
レームに貼り合わせる工程を含むことを特徴とする。
【０００９】また、本発明の別の製造方法は、リードフ
レームに予め粘着テープを貼り合わせたリードフレーム
積層物を用いて、半導体チップの搭載・結線と封止樹脂
による封止とを少なくとも行う半導体装置の製造方法で
あって、剥離力が４Ｎ／１９ｍｍ幅以下の剥離ライナー
を巻き合わせた粘着テープロールから、その剥離ライナ
ーを剥離しつつ、粘着テープを巻戻しながら、厚さ０.
２ｍｍ以下のリードフレームに貼り合わせる工程を含む
ことを特徴とする。
【００１０】一方、本発明のリードフレーム積層物は、
開口に端子部を複数配列した厚さ０. ２ｍｍ以下のリー
ドフレームと、その開口と端子部を少なくとも覆う領域
に貼り合わされた粘着テープとを備えるリードフレーム
積層物であって、前記粘着テープは粘着テープロールか
らの巻戻し力が４Ｎ／１９ｍｍ幅以下であることを特徴
とする。
【００１１】上記において、前記粘着テープの基材層は
背面が剥離処理されていないことが好ましい。
【００１２】また、前記リードフレームの開口率が６０
％以下であることが好ましい。
【００１３】［作用効果］本発明の半導体装置の製造方
法によると、粘着テープロールからの巻戻し力が４Ｎ／
１９ｍｍ幅以下の粘着テープをリードフレームに貼り合
わせるため、貼り合わせ時の張力が小さくなり、張力が
緩和される際にリードフレーム積層物にそりが生じにく
くなる。
【００１４】また、本発明の別の製造方法によると、剥
離力が４Ｎ／１９ｍｍ幅以下の剥離ライナーを巻き合わ
せた粘着テープロールから粘着テープを巻戻すため、剥
離ライナーの剥離を可能にするための張力（即ち巻戻し
のための張力）が小さくでき、張力が緩和される際にリ
ードフレーム積層物にそりが生じにくくなる。
【００１５】一方、本発明のリードフレーム積層物によ
ると、粘着テープロールからの粘着テープの巻戻し力が
４Ｎ／１９ｍｍ幅以下であるため、貼り合わせ時の張力
が小さくなり、張力が緩和された後のそりが小さいもの
となる。また、粘着テープが貼り合わされているため、
封止工程での樹脂漏れを好適に防止しながら、しかも封
止後に剥離することができる。
【００１６】前記粘着テープの基材層の背面が剥離処理
されていない場合、剥離処理した背面の加熱によるガス
の発生や、有機物の製造型への汚染を生じにくくするこ
とができる。
【００１７】前記リードフレームの開口率が６０％以下
である場合、リードフレームの剛性が高まるため、粘着
テープの張力に起因する歪（そり）をより確実に防止で
きるようになる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の半
導体装置の製造方法の一例の工程図である。
【００１９】本発明の半導体装置の製造方法は、リード
フレームに予め粘着テープを貼り合わせたリードフレー
ム積層物を用いて、半導体チップの搭載・結線と封止樹
脂による封止とを少なくとも行うものである。本実施形
態では、図１（ａ）〜（ｅ）に示すように、半導体チッ
プ１５の搭載工程と、ボンディングワイヤ１６による結
線工程と、封止樹脂１７による封止工程と、封止された
構造物２１を切断する切断工程とを含むＱＦＮの一括封
止による製造方法の例を示す。
【００２０】搭載工程は、図１（ａ）〜（ｂ）に示すよ
うに、アウターパッド側（図の下側）に粘着テープ２０
を貼り合わせた金属製のリードフレーム１０のダイパッ
ド１１ｃ上に半導体チップ１５をボンディングする工程
である。
【００２１】リードフレーム１０とは、例えば銅などの
金属を素材としてＱＦＮの端子パターンが刻まれたもの
であり、その電気接点部分には、銀，ニッケル，パラジ
ウム，金などのなどの素材で被覆（めっき）されている
場合もある。
【００２２】リードフレーム１０は、後の切断工程にて
切り分けやすいよう、個々のＱＦＮの配置パターンが整
然と並べられているものが好ましい。例えば図２に示す
ように、リードフレーム１０上に縦横のマトリックス状
に配列された形状などは、マトリックスＱＦＮあるいは
ＭＡＰ−ＱＦＮなどと呼ばれ、もっとも好ましいリード
フレーム形状のひとつである。
【００２３】図２（ａ）〜（ｂ）に示すように、リード
フレーム１０のパッケージパターン領域１１には、隣接
した複数の開口１１ａに端子部１１ｂを複数配列した、
ＱＦＮの基板デザインが整然と配列されている。一般的
なＱＦＮの場合、各々の基板デザイン（図２（ａ）の格
子で区分された領域）は、開口１１ａの周囲に配列れさ
た、アウターリード面を下側に有する端子部１１ｂと、
開口１１ａの中央に配置されるダイパッド１１ｃと、ダ
イパッド１１ｃを開口１１ａの４角に支持させるダイバ
ー１１ｄとで構成される。
【００２４】粘着テープ２０は、開口１１ａと端子部１
１ｂとを含むパッケージパターン領域１１より外側に少
なくとも貼着され、樹脂封止される樹脂封止領域の外側
の全周を含む領域に貼着するのが好ましい。リードフレ
ーム１０は、通常、樹脂封止時の位置決めを行うため
の、ガイドピン用孔１３を端辺近傍に有しており、それ
を塞がない領域に貼着するのが好ましい。また、樹脂封
止領域はリードフレーム１０の長手方向に複数配置され
るため、それらの複数領域を渡るように連続して粘着テ
ープ２０を貼着するのが好ましい。
【００２５】上記のようなリードフレーム１０上に、半
導体チップ１５、すなわち半導体集積回路部分であるシ
リコンウエハ・チップが搭載される。リードフレーム１
０上にはこの半導体チップ１５を固定するためダイパッ
ド１１ｃと呼ばれる固定エリアが設けられており、この
ダイパッド１１ｃヘのボンディング（固定）の方法は導
電性ペースト１９を使用したり、接着テープ、接着剤な
ど各種の方法が用いられる。導電性ペーストや熱硬化性
の接着剤等を用いてダイボンドする場合、一般的に１５
０〜２００℃程度の温度で３０分〜９０分程度加熱キュ
アする。
【００２６】結線工程は、図１（ｃ）に示すように、リ
ードフレーム１０の端子部１１ｂ（インナーリード）の
先端と半導体チップ１５上の電極パッド１５ａとをボン
ディングワイヤ１６で電気的に接続する工程である。ボ
ンディングワイヤ１６としては、例えば金線あるいはア
ルミ線などが用いられる。一般的には１６０〜２３０℃
に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印
加加圧による圧着エネルギーの併用により結線される。
その際、リードフレーム１０に貼着した粘着テープ２０
面を真空吸引することで、ヒートブロックに確実に固定
することができる。
【００２７】封止工程は、図１（ｄ）に示すように、封
止樹脂１７により半導体チップ側を片面封止する工程で
ある。封止工程は、リードフレーム１０に搭載された半
導体チップ１５やボンディングワイヤ１６を保護するた
めに行われ、とくにエポキシ系の樹脂をはじめとした封
止樹脂１７を用いて金型中で成型されるのが代表的であ
る。その際、図３に示すように、複数のキャビティを有
する上金型１８ａと下金型１８ｂからなる金型１８を用
いて、複数の封止樹脂１７にて同時に封止工程が行われ
るのが一般的である。具体的には、例えば樹脂封止時の
加熱温度は１７０〜１８０℃であり、この温度で数分間
キュアされた後、更に、ポストモールドキュアが数時間
行われる。なお、粘着テープ２０はポストモールドキュ
アの前に剥離するのが好ましい。
【００２８】切断工程は、図１（ｅ）に示すように、封
止された構造物２１を個別の半導体装置２１ａに切断す
る工程である。一般的にはダイサーなどの回転切断刃を
用いて封止樹脂１７の切断部１７ａをカットする切断工
程が挙げられる。
【００２９】前述の工程のうち、結線工程では、リード
フレーム１０を位置決めするために、図４に示すような
ホルダーにリードフレーム１０を差込み、固定するのが
一般的である。ホルダーは、断面コの字型の２本のガイ
ド部材３０を備え、これがリードフレーム１０の幅方向
の両端辺をガイドする。更に結線工程を終了したリード
フレーム１０は、新しいリードフレーム１０により押し
出す形でホルダー外へ排出される。このためガイド部材
のギャップ（上下間隔）Ｇは、リードフレーム１０の厚
み以上２倍以下となり、０．２ｍｍ厚のリードフレーム
では、ギャップＧは０．４ｍｍ以下となる。このため
０．２ｍｍ以上の反りをリードフレームが持つ場合、ホ
ルダー内に差し込むのが困難となる。更に結線工程で使
用されるボンディングワイヤは２５〜３０μｍφの物が
多く使用され、位置の精度は非常に重要である。
【００３０】また、その他の工程でも、位置決めにずれ
が生じたり、その対策として反りを押さえつけるような
治具を使用すると、リードフレーム１０に応力がかか
り、好ましくない。従って、反りの少ないリードフレー
ム積層物を得ることは、半導体装置の良品率や信頼性の
向上に寄与することが明らかである。
【００３１】そこで、本発明ではリードフレーム積層物
のそりを防止すべく、上述のような製造工程に用いられ
る粘着テープ２０が、粘着テープロールからの巻戻し力
が４Ｎ／１９ｍｍ幅以下であることを特徴とし、好まし
くは２Ｎ／１９ｍｍ幅以下、０．１Ｎ／１９ｍｍ幅以上
である。ここで、巻戻し力はＪＩＳ Ｚ ０２３７に準
じる（但し、テープを下方に引っ張るなどテープ自重が
影響しない測定方法で行う）。また後述の剥離力は、粘
着テープから剥離ライナーを３００ｍｍ／分で１８０°
に引き剥がす時の力を指す。
【００３２】つまり、粘着テープロールからの巻戻し力
が４Ｎ／１９ｍｍ幅以下の粘着テープを、その粘着テー
プロールからの巻戻しながら厚さ０. ２ｍｍ以下のリー
ドフレームに貼り合わせる工程によって、貼り合わせ時
の張力を減少させている。
【００３３】粘着テープの巻戻し力が４Ｎ／１９ｍｍ幅
を超える場合、貼り合わせ時の張力を減少させるには、
機械的に張力を無効にするロールでニップするなどの方
法があるが、この場合についても、ニップロールからの
引き剥がし粘着力が貼りあわせ張力に影響する。易剥離
性を有するシリコーンゴムで巻かれているニップロール
を使用しても、耐熱性の粘着剤としてシリコーン系粘着
剤を用いるとロールから引き剥がし力が４Ｎ／１９ｍｍ
幅以上になり、ロールでニップしない場合と同様に反り
が発生する。
【００３４】巻戻し力を低くする方法としては、他に粘
着テープの背面に離型処理をする方法あるが、本発明で
は、粘着テープの基材層背面が剥離処理されていないこ
とが好ましい。半導体製造工程の温度は１７５〜２３０
℃と高温であり、リードフレーム積層物の最外層が背面
離型処理となり、ガスの発生や、有機物の製造型への汚
染が発生しやすいためである。
【００３５】また、別の方法として、剥離力が４Ｎ／１
９ｍｍ幅以下の剥離ライナーを巻き合わせた粘着テープ
ロールから、その剥離ライナーを剥離しつつ、粘着テー
プ２０を巻戻しながら、厚さ０. ２ｍｍ以下のリードフ
レームに貼り合わせる工程によっても、貼り合わせ時の
張力を減少させることができる。この場合、剥離ライナ
ーの巻取り等が必要になるが、剥離ライナーには耐熱性
が必要なく、適当な剥離ライナーを選択することで上記
剥離力を達成できるため、粘着テープの基材層や粘着剤
層の材料や物性についての制約を小さくすることができ
る。
【００３６】粘着テープ２０とリードフレーム１０との
貼り合わせは、ニップ圧で両者を貼着させるニップロー
ル等を備える各種ラミネータ等を用いることができる。
【００３７】一方、粘着テープは、封止工程後の任意の
段階ではがされることになるが、あまりに強粘着力をも
った粘着テープであっては引き剥がしが困難となるだけ
でなく、場合によっては引き剥がしのための応力によっ
て、モールドした樹脂の剥離や破損を招く恐れもある。
したがって、封止樹脂の漏れを抑える粘着力以上に強粘
着であることはむしろ好ましくない。
【００３８】上記のような各物性を有する粘着剤として
は、耐熱性も考慮して、シリコーン系粘着剤が好まし
い。
【００３９】貼り合わせに用いられるリードフレームの
開口率は６０％以下が好ましく、３０％以下がより好ま
しい。６０％を超えるとリードフレームの剛性が低下
し、歪の防止が困難となる傾向がある。ここで、開口率
とは、テープの貼りあわせることができないリードフレ
ーム部位の全体に占める割合であり、簡易にはパターン
の無いリードフレームの重量比で求めることができる。
【００４０】粘着テープ２０の基材としては、アルミな
どの金属箔もあげられるが、線熱膨張係数が金属に近い
ポリイミド材料は耐熱性、加工性、ハンドリング性も高
く、もっとも好ましい素材のひとつである。基材として
ポリイミド材料を使用し、粘着剤としてシリコーン系粘
着剤を使用する場合、基材背面を剥離処理しなくても、
上記の巻戻し力が得られ易く、また粘着剤層を形成する
際の下塗りや表面凹凸処理（例えばスパッタ処理）によ
って、基材と粘着剤との貼着力が高まるため、低い巻戻
し力と、基材との適度な貼着力とを両立させることがで
きる。
【００４１】粘着テープ２０の基材層の厚みは、特に限
定されないが、余り厚いとテープのカールが残り、積層
物のそりの原因となるので、７５μｍ以下が好ましい。
また、粘着テープ２０を構成する粘着剤層の厚みは、３
〜３０μｍが好ましい。
【００４２】［他の実施形態］以下、本発明の他の実施
の形態について説明する。
【００４３】（１）前述の実施形態では、ＱＦＮの一括
封止による製造方法の例を示したが、本発明の製造方法
は、ＱＦＮを個別に封止する方法であってもよい。その
場合、個々の半導体チップが各々のキャビティ内に配置
されて、封止樹脂による封止工程が行われる。
【００４４】（２）前述の実施形態では、半導体チップ
の搭載・結線を、ダイパッド上へのボンディングと、ワ
イヤボンディングとにより行う例を示したが、パッケー
ジの種類に応じて搭載工程や結線工程を変えることがで
き、搭載と結線を同時に行うものでもよい。
【００４５】
【実施例】以下、本発明の構成と効果を具体的に示す実
施例等について説明する。
【００４６】実施例１ ２５μｍ厚さのポリイミドフィルム（カプトン１００
Ｈ、東レデュポン製）上にシリコーン系粘着剤（ＳＤ−
４５８７Ｌ）を塗布し、５μｍ厚みの粘着剤層を形成し
た。このテープをポリエチレン芯（外経）９０ｍｍに１
０ｍ巻き付け、毎分５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で巻戻しな
がら、図２に示す形状の０．２ｍｍ厚で開口率２３％の
Ｃｕリードフレームに簡易ラミネーター（ＨＡＬＤＡＲ
ＬＡＭＩＮＡＴＯＲ ＭＲＫ−６５０Ｙ ＭＣＫ製）
に掛け貼り合わせた。この積層物のそりを表１に示す。
そりの測定は、平面上に、貼りあわせ積層物をリードフ
レームを静置し、長手方向の両端の浮き高さを測定し、
その平均値をそりの値とした。
【００４７】次いで、リードフレームのダイパッド上に
半導体チップをボンディングした後、ガイド部のギャッ
プ０. ４ｍｍのホルダーに搬送し、ワイヤボンディング
を行った。その際の位置ズレ性については、リードフレ
ーム同士の重なりやホルダーに入らないという事が無い
か観察した。
【００４８】その後、エポキシ系封止樹脂（ＨＣ−３０
０日東電工製）により、モールドマシン（ＴＯＷＡ製Ｍ
ｏｄｅｌ−Ｙ−Ｓｅｒｉｓｅ）を用いて、１７５℃でプ
レヒート４０秒、インジェクション時間１１．５秒、キ
ュア時間１２０秒にて樹脂封止した。樹脂封止後、リー
ドフレームと粘着テープ間に樹脂漏れが発生しているか
どうか目視で観察した。
【００４９】実施例２ 実施例１において、粘着テープをＰＥＴ（ルミラーＳ１
０／東レ製）に貼りあわて剥離ライナー付きのタックシ
ートにしてポリエチレン芯に巻付け、剥離ライナーを巻
き取りながら、リードフレームに貼り合せた以外は実施
例１と同様にして樹脂封止までの一連の工程を行った。
【００５０】比較例１ 粘着テープとして、Ｎｏ．３６０ＵＬ（ポリイミド２５
μｍ基材、シリコーン粘着剤３０μｍ、日東電工製）を
使用した以外は、実施例１と同様にして樹脂封止までの
一連の工程を行った。
【００５１】比較例２ 比較例１において、粘着テープの貼りあわせ前にニップ
ロールを使用した以外は比較例１と同様にして樹脂封止
までの一連の工程を行った。
【００５２】比較例３ ＰＴＦＥフィルム（ＭＰＳ−３１日東電工製、粘着剤層
なし）を実施例１と同様にリードフレームに張り合わせ
たが、接着しなかった 参考例１ リードフレームとして、開口率８０％のリードフレーム
を用いた以外は、実施例１と同様にして樹脂封止までの
一連の工程を行った。
【００５３】
【表１】 表１から、樹脂漏れが無く、そり量が小さいため搬送時
の位置ズレ性の良好なのは、実施例だけなのがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工
程図
【図２】本発明におけるリードフレームの一例を示す図
であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は要部拡大図、（ｃ）
は樹脂封止後の状態を示す底面図
【図３】本発明における樹脂封止工程の一例を示す縦断
面図
【図４】本発明で用いるホルダーの一例を示す斜視図
【符号の説明】
１０ リードフレーム １１ａ 開口 １１ｂ 端子部 １５ 半導体チップ １７ 封止樹脂 ２０ 粘着テープ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高野 均 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 中塚 康雄 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 丸岡 伸明 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 種ケ嶋 貞利 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 Ｆターム(参考） 5F061 AA01 BA01 CA21 EA03 5F067 AA09 AA11 AB03 AB04 CC03 CC08 DA05 DA07 DE01

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレームに予め粘着テープを貼り
    合わせたリードフレーム積層物を用いて、半導体チップ
    の搭載・結線と封止樹脂による封止とを少なくとも行う
    半導体装置の製造方法であって、粘着テープロールから
    の巻戻し力が４Ｎ／１９ｍｍ幅以下の粘着テープを、そ
    の粘着テープロールからの巻戻しながら厚さ０. ２ｍｍ
    以下のリードフレームに貼り合わせる工程を含む半導体
    装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 リードフレームに予め粘着テープを貼り
    合わせたリードフレーム積層物を用いて、半導体チップ
    の搭載・結線と封止樹脂による封止とを少なくとも行う
    半導体装置の製造方法であって、剥離力が４Ｎ／１９ｍ
    ｍ幅以下の剥離ライナーを巻き合わせた粘着テープロー
    ルから、その剥離ライナーを剥離しつつ、粘着テープを
    巻戻しながら、厚さ０. ２ｍｍ以下のリードフレームに
    貼り合わせる工程を含む半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 開口に端子部を複数配列した厚さ０. ２
    ｍｍ以下のリードフレームと、その開口と端子部を少な
    くとも覆う領域に貼り合わされた粘着テープとを備える
    リードフレーム積層物であって、前記粘着テープは粘着
    テープロールからの巻戻し力が４Ｎ／１９ｍｍ幅以下で
    あるリードフレーム積層物。
  4. 【請求項４】 前記粘着テープの基材層は背面が剥離処
    理されていない請求項３記載のリードフレーム積層物。
  5. 【請求項５】 前記リードフレームの開口率が６０％以
    下である請求項３又は４に記載のリードフレーム積層
    物。
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