JP5366781B2 - 樹脂封止用耐熱性粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止用耐熱性粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5366781B2
JP5366781B2 JP2009282991A JP2009282991A JP5366781B2 JP 5366781 B2 JP5366781 B2 JP 5366781B2 JP 2009282991 A JP2009282991 A JP 2009282991A JP 2009282991 A JP2009282991 A JP 2009282991A JP 5366781 B2 JP5366781 B2 JP 5366781B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
adhesive tape
pressure
sensitive adhesive
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009282991A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011124495A (ja
Inventor
和樹 副島
広行 近藤
晋史 星野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2009282991A priority Critical patent/JP5366781B2/ja
Publication of JP2011124495A publication Critical patent/JP2011124495A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5366781B2 publication Critical patent/JP5366781B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85207—Thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Description

本発明は、樹脂封止用耐熱性粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
近年、ＬＳＩの実装技術において、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）技術が注目されている。この技術のうち、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）に代表されるような、リード端子がパッケージ内部に取り込まれた形態のパッケージが、小型化及び高集積化の面で特に注目されている。
このＱＦＮでは、リードフレーム面積あたりの生産性を飛躍的に向上させることができる製造方法が、特に注目されている。その方法として、複数のＱＦＮ用チップをリードフレームのダイパッド上に整列させ、金型のキャビティ内で封止樹脂にて一括封止し、その後、切断によって個別のＱＦＮ構造物に分割することを含む製造方法が挙げられる。
このような一括封止するＱＦＮの製造方法では、樹脂封止時のモールド金型によってクランプされるリードフレームの領域は、パッケージパターン領域を完全に被覆する樹脂封止領域の外側の一部のみである。従って、パッケージパターン領域、特にその中央部では、リードフレーム裏面をモールド金型に十分な圧力で押さえつけることができず、封止樹脂がリードフレーム裏面側に漏れ出し、ＱＦＮの端子等が樹脂で被覆されるという問題が生じ易い。
このため、リードフレームの裏面側に粘着テープを貼り付け、この粘着テープの自着力（マスキング）を利用したシール効果により、樹脂封止時のリードフレーム裏面側への樹脂漏れを防ぐ製造方法が有効である。つまり、リードフレームへの半導体チップの搭載後又はワイヤボンディング後に耐熱性粘着テープをリードフレーム裏面に貼り合せることは、ハンドリングの面で実質的に困難であることから、まず、耐熱性粘着テープをリードフレームの裏面側に貼り合わせ、その後、半導体チップの搭載及びワイヤボンディングを経て、封止樹脂による封止を行い、耐熱性粘着テープを剥離することが望ましい。
従って、耐熱性粘着テープとしては、封止樹脂漏出防止のみならず、半導体チップの搭載工程に耐える高度な耐熱性、ワイヤボンディング工程における繊細な操作性に支障をきたさない等のすべての工程に対して満足する特性が要求される。
このことは、樹脂漏れ防止可能な粘着性を備えながら、一般の耐熱性粘着テープのように粘着剤の弾性が高いことに起因してワイヤボンディングに支障をきたすことがないという、一連の製造工程において、相反する必要条件を同時に満たすことを意味する。
このような方法として、厚み１０μｍ以下の粘着剤層を有する耐熱性粘着テープを用いて、樹脂漏れを防止しつつワイヤボンディングなどの一連工程を実施する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
近年、ワイヤボンディング工程におけるリードフレーム及び半導体チップ表面における有機汚染物を除去するために、これらの表面をプラズマで処理することが一般的に行われている。
一方、プラズマ処理は、耐熱性粘着テープの劣化を招き、樹脂封止に対して糊残りをもたらすことがある。
そのため、上述した一連の半導体装置の製造工程において必要とされる耐熱性粘着テープの特性に加え、プラズマ処理によって劣化しない耐熱性粘着テープが求められている。
耐熱性粘着テープに耐プラズマ性を付与するためには、例えば、粘着剤の架橋を増大させて強固なマトリクスを形成させることが考えられ、具体的には、従来から使用されている粘着剤において、分子内架橋又は分子間架橋を増大させる方法がある。
分子内架橋としては、粘着剤成分を構成するポリマーにおけるグリシジル基とカルボキシル基とを分子内で反応させる方法（例えば、特許文献２）が挙げられ、分子外架橋としては、粘着剤成分を構成するポリマー中のカルボキシル基とエポキシ系架橋剤とを反応させる方法が挙げられる。
しかし、分子内架橋では、熱によりポリマー中のグリシジル基とカルボキシル基とが反応し、ポリマー重合中にゲル化が開始し、その反応性の制御が非常に困難である。また、グリシジル基とカルボキシル基との反応は常温でも進行するため、調製したポリマーのポットライフが非常に短くなり、基材層への塗工が困難となり、粘着テープの生産性が顕著に低下するという問題がある。
一方、分子外架橋では、架橋率を増大させるために、カルボキシル基に対してエポキシ系架橋剤を多量に添加すると、粘着剤のポットライフが急激に短くなり、やはり粘着テープの生産性に問題が生じる。
特開２００２−１８４８０１号公報 特開２００３−２３８９１０号公報
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、半導体装置の製造工程においてプラズマ処理を含む工程が行われる場合においても、耐プラズマ性が良好であり、貼り付けた粘着テープを劣化させず、糊残りを生じさせない樹脂封止用耐熱性粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを一目的とする。
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造における樹脂封止用耐熱性粘着テープは、
基材層と該基材層上に積層された粘着剤層とを備えた粘着テープであって、
前記基材層は、３００℃以下の温度でガラス転移温度が認められず、該基材層を１８０℃で３時間加熱したときの熱収縮率が０．４０％以下であり、
前記粘着剤層は、（メタ）アクリル酸と該（メタ）アクリル酸以外のモノマー成分とに由来する構造単位を含むポリマー及び分子外架橋用エポキシ系架橋剤を含む粘着剤によって形成されており、前記（メタ）アクリル酸は、前記モノマー成分１００重量部に対して５重量部以上含有され、前記分子外架橋用エポキシ系架橋剤は、前記（メタ）アクリル酸に対して０．６当量以上に対応する重量部数で含有され、かつプラズマ照射後の粘着剤の破断伸びが２００％以下である粘着剤を用いて形成されてなることを特徴とする。
このような樹脂封止型半導体装置の製造における樹脂封止用耐熱性粘着テープでは、前記基材層は、３００℃以下の温度でガラス転移温度が認められず、該基材層を１８０℃で３時間加熱したときの熱収縮率が０．４０％以下であることが好ましい。
また、前記粘着剤層は、プラズマ照射後の粘着剤の破断伸びが２００％以下である粘着剤を用いて形成されてなることが好ましい。
さらに、前記粘着剤層は、パルスＮＭＲ測定による緩和時間が４００μ秒以下である粘着剤を用いて形成されてなることが好ましい。
また、前記粘着テープのプラズマ照射前の粘着テープ重量（Ａ）に対する、プラズマ照射後の粘着テープの重量（Ｂ）の変化率（Ｂ／Ａ）が３０％以下であることが好ましい。
前記粘着剤層が、前記基材層の片面上にのみ積層されていることが好ましい。
リードフレーム表面に搭載された半導体チップを樹脂封止する際に前記リードフレームの少なくとも一面に貼着され、封止後に剥離するために用いられることが好ましい。
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、
リードフレームの少なくとも一面に、上述した粘着テープを貼着し、
前記リードフレーム上に半導体チップを搭載し、
該半導体チップ側を封止樹脂により封止し、
封止後に前記粘着テープを剥離する工程を含み、
さらに、前記粘着テープの貼着から剥離の間に、プラズマ処理を行う工程を含むことを特徴とする。
このような樹脂封止型半導体装置の製造方法では、プラズマ処理を、リードフレーム上に半導体チップを搭載した後、該半導体チップ側から前記リードフレームに向かって、不活性ガス雰囲気下、１００〜５００Ｗの出力、１〜５分間、プラズマを照射することにより行うことが好ましい。
さらに、リードフレーム上への半導体チップの搭載後、該半導体チップの封止樹脂の前に、半導体チップ表面に形成された電極パッドとリードフレームとを結線する工程を含み、前記プラズマ処理を、結線工程前に行うことが好ましい。
本発明の樹脂封止用耐熱性粘着テープによれば、半導体装置の製造工程においてプラズマ処理を含む場合においても、耐プラズマ性が良好であり、貼り付けた粘着テープが劣化せず、糊残りの発生を有効に防止することができる。
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、上述した粘着テープを利用することにより、糊残りを発生させずに、良好な歩留まりで樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図である。 本発明の半導体装置の製造方法に用いるリードフレームの一例を示す平面図（ａ）及び要部拡大図（ｂ）である。
本発明の樹脂封止用耐熱性粘着テープ（以下、単に「粘着テープ」と記載することがある）は、少なくとも、基材層と、その上に積層された粘着剤層とを備える。この樹脂封止用耐熱性粘着テープは、半導体製造プロセスにおける樹脂封止の際に好適に使用される。
（基材層）
基材層としては、特に限定されるものではなく、当該分野で使用される粘着テープの基材として用いられる材料からなるものであればどのようなものでも用いることができる。
特に、基材層は、通常の半導体製造プロセスで使用される加熱、例えば、樹脂封止時の加熱に対して耐性を有するものが適している。具体的には、１７０℃以上、２００℃以上、２５０℃以上、３００℃以上の耐熱性を有しているものが挙げられる。封止樹脂は、一般的に１７５℃前後の温度が付与されることから、このような温度条件下での著しい基材層の収縮又は基材そのものの破壊等が生じないものが好ましい。
別の観点から、基材層は、３００℃以下にガラス転移温度（Ｔｇ）が認められないものが好ましい。このような基材層を用いることにより、半導体装置の製造工程において、粘着テープが基材層のＴｇを超えて加熱された場合でも、粘着テープの変形、リードフレームの反り等を防止することができる。これによって、樹脂封止時のマスキングという機能を確実に果たして、ワイヤボンディングの成功率を向上させることができる。
ここで、Ｔｇは、ＡＳＴＭ Ｄ６９６に準拠して、熱機械分析装置（例えば、エスアイエステクノロジー社製、ＴＭＡ／ＳＳ６００）により求められる値である。つまり、基材層のサンプル（例えば、厚さ１ｍｍ×幅４ｍｍ）を、荷重１９．６ｍＮ、室温から１０℃／分の速度で昇温させ、熱分析装置にて厚さ方向の熱膨張量を測定し、熱膨張量と温度との関係をグラフ化し、ガラス転移温度と予想される点前後の曲線に接線を引き、これらの接線の交点から求められた値である。従って、３００℃以下にガラス転移温度を有さないとは、ガラス転移温度と予想される温度が認識できず、接線の交点がほぼ認められないことを意味する。
基材層は、１８０℃で３時間加熱したときの熱収縮率が、基材層の収縮に伴うリードフレームの反りを防止する観点から、０．４０％以下であることが好ましい。
ここで、熱収縮率とは、５ｃｍ角の基材層を１８０℃で３時間加熱したときの、加熱前寸法（５ｃｍ）１００％に対する寸法変化の割合（％）を示す。この熱収縮率は、市販の投影機（ミツトヨ製投影機、ＰＪ−Ｈ３０００Ｆ）によって測定することができる。
基材層は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ)、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、アラミド、ポリイミド等の樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、アルミ等の金属箔等によって形成することができる。特に、線熱膨張係数が１.０×１０-5〜３.０×１０-5／Ｋ程度のポリイミド材料は、加工性、ハンドリング性が高く、耐熱性及び強度も優れていることから、もっとも好ましい材料のひとつである。
本発明の粘着テープを貼り付けるリードフレームは、後述するように、金属素材であることから、線熱膨張係数として１．８〜１．９×１０-5／Ｋ程度であることが一般的である。したがって、粘着テープの線熱膨張係数がリードフレームのそれとあまりに大きく違っていると、両者が貼り合わせられた状態で加熱されたとき、両者の熱膨張の差異からひずみを生じ、その結果、粘着テープにしわ、剥がれをもたらす。そのため、粘着テープを構成する基材層の線熱膨張係数は、リードフレーム素材に近い１.０×１０-5〜３.０×１０-5／Ｋ程度であるものが適しており、１．５×１０-5〜２．５×１０-5／Ｋ以下であることが好ましい。
ここで、線熱膨張係数は、ＡＳＴＭ Ｄ６９６に準拠して、ＴＭＡ（サーモ・メカニカル・アナリシス）により測定される値である。
基材層の厚さは、粘着テープの取扱性（例えば、テープの折れ又は裂けが生じ難いこと）の観点からは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上であり、一方、粘着テープの剥離性の観点からは、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは７５μｍ以下である。
（粘着剤層）
粘着剤層は、耐熱性を有するものであれば、当該分野で通常用いられている粘着剤によって形成することができる。この粘着剤は、感圧型、感熱型、感光型のいずれの型でもよいが、エネルギー線の照射によって硬化するタイプの粘着剤であることが適している。これにより、使用後、被加工物からの剥離を容易に行うことができる。なお、粘着剤層は、基材層の両側に形成されていてもよいが、片側のみに形成されていることが適している。
発明者らは、粘着テープの物性、材料、厚み等について鋭意検討を行ったところ、粘着剤を構成するポリマーの架橋程度を高めることが、特に、プラズマに対する耐性を向上させるために有効であることを見出した。
このような観点から、粘着剤層を構成する粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤及びエポキシ系架橋剤を含有しているものが適している。
特に、粘着剤として、（メタ）アクリル酸と、（メタ）アクリル酸以外のモノマー成分とに由来する構造単位を含むポリマー及びエポキシ系架橋剤を含むことが好ましい。
なお、本明細書において、（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸とは、アクリレート／アクリル酸及び／又はメタクリレート／メタクリル酸を意味する。
（メタ）アクリル酸以外のモノマー成分としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。なかでも、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、メチル及び／又はエチル（メタ）アクリレート及び２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートの組み合わせ等が好ましい。
（メタ）アクリル酸は、（メタ）アクリル酸以外のモノマー成分１００重量部に対して５重量部以上含有されることが好ましく、６重量部以上、７重量部以上、８重量部以上含有されていることがより好ましい。
なお、粘着剤層には、アクリル系粘着剤の他、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤及びエポキシ系粘着剤等の各種粘着剤が組み合わせられていてもよい。ただし、アクリル系粘着剤以外の粘着剤を含有する場合にも、粘着剤中に含有する（メタ）アクリル酸由来の構造単位が、それ以外のポリマー成分の重量（つまり、モノマー成分重量に相当）に対して、上述した範囲に収まることが適している。
エポキシ系架橋剤としては、当該分野で公知のもののいずれを用いてもよい。
架橋剤としては、エポキシ系架橋剤の他、例えば、イソシアネート系架橋剤、アジリジン系化合物、キレート系架橋剤等が組み合わせて用いられていてもよい。
架橋剤の含有量は、耐プラズマ性を確保するという観点から、高い水準の架橋程度を実現し得る範囲とすることが適している。具体的には、粘着剤を構成する（メタ）アクリル酸に対して０．４当量に対応する重量部数以上であることが挙げられる。なかでも、０．５当量又は０．６当量に対応する重量部数以上であることが好ましい。この範囲とすることにより、粘着剤の架橋点を増加させつつ、かつ高架橋にすることにより、プラズマ照射後の粘着剤の劣化を防止して、被着物から粘着テープの剥離した場合の糊残りを低減させることができる。
粘着剤層を構成する粘着剤のゲル分率は、本発明の粘着テープ剥離時の糊残りを防止する観点からは、６０％以上、６５％以上、７０％以上が好ましい。特に、ゲル分率をこの範囲とすることにより、粘着テープ（粘着剤層）へのプラズマ照射によっても有効に糊残りを防止することができる。粘着剤のゲル分率は、例えば、エポキシ系架橋剤の量の増減、（メタ）アクリル酸の量の増減等、架橋度を調整すること等によって、調整することができる。
ここで、ゲル分率とは、粘着剤中の溶媒不溶成分の割合を意味し、下記の方法で測定および算出することができる。
粘着剤を剥離シート等の面上に塗工し、乾燥および硬化させて得られた粘着剤フィルムの約０．１ｇを、テトラフルオロエチレンシートに包んだ後、過剰量の溶媒（トルエン)中に室温で１週間浸漬し、粘着剤層の浸漬前後の重量を測定し、その比（浸漬後の重量／浸漬前の重量）×１００をゲル分率とする。
粘着剤層を構成する粘着剤は、プラズマ照射後において、破断伸びが２００％以下であることが好ましい。
破断伸びは、長さ５０ｍｍに切断した粘着剤を、気泡が入らないように棒状に丸め、チャック間距離１０ｍｍに設定したテンシロン（ＯＲＩＥＮＴＥＣ製 ＵＮＩＶＥＲＳＡＬ ＴＥＳＴＩＮＧ ＭＡＣＨＩＮＥ ＲＴＣ−１１５０Ａ）を用いて、引張速度：３００ｍｍ/ｍｉｎで１８０°方向に引張試験を行った際の粘着剤の伸び率を用いて表すことができる。通常、架橋密度が増加すると粘着剤としては伸び難くなる傾向があり、上述した範囲とすることにより、粘着剤物性として粘着剤の伸びやすさ、つまり、架橋の密度を適した程度に調整することができる。
ここで、プラズマ照射とは、例えば、粘着テープの粘着剤層全面に、不活性ガス雰囲気下（例えば、アルゴン）、つまり、不活性ガスの流量が１０〜１００ｓｃｃｍ（例えば、４０ｓｃｃｍ）、出力が１００〜５００Ｗ（例えば、３００Ｗ）、照射時間が１〜５分間（例えば、３分間）でプラズマを照射することを意味する。
また、粘着剤層を構成する粘着剤は、Ｓｏｌｉｄ Ｅｃｈｏ法のパルスＮＭＲ測定による緩和時間が４００μ秒以下であることが適しており、３８０μ秒以下、３５０μ秒以下、３００μ秒以下であることが好ましい。この緩和時間は架橋度を示す指標となるものであり、緩和時間が短いほど架橋度が高いことを意味する。
Ｓｏｌｉｄ Ｅｃｈｏ法のパルスＮＭＲは、１０ｍｍφの試験管に粘着剤を詰め込み、ＪＥＯＬ（日本電子データム株式会社）製 ＪＮＭ−ＭＵ２５を用いて、例えば、共鳴周波数：２５ＭＨｚ、共鳴磁場：０．５８７２Ｔ、繰り返し時間：１ｓ、パルス幅：２．２μｓ、対象核：１Ｈとし、３５℃雰囲気下においてシングルモードで測定した値として、測定することができる。
粘着剤層には、さらに、可塑剤、顔料、染料、老化防止剤、帯電防止剤、弾性率等の粘着剤層の物性改善のために加えられる充填剤等、当該分野で通常使用される各種添加剤を添加してもよい。
一般に、粘着テープは、後述するように、リードフレームの端子部先端と半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する結線工程の前にリードフレームに貼付されるが、その際に粘着剤層が柔らかいと十分なワイヤボンディング性が得られない。したがって、粘着剤層の２００℃での貯蔵弾性率は、十分なワイヤボンディング性の観点から、５．０×１０４Ｐａ以上であることが適している。一方、適当な粘着力を得る観点から、貯蔵弾性率は、１．０×１０７Ｐａ以下であることが適している。
ここで、貯蔵弾性率とは、試料層を１．５ｍｍ〜２ｍｍの厚みで作製した後、これを直径７．９ｍｍのポンチで打ち抜いて得た試料を、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ 社製の粘弾性スペクトロメーター（ＡＲＥＳ）を用いて、チャック圧１００ｇ重、周波数１Ｈｚに設定して測定することによって求めた値である。
粘着剤層の厚みは、リードフレームとの十分な粘着力の観点からは、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは４μｍ以上である。一方、十分なワイヤボンディング性の観点からは、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下である。
（粘着テープの製造）
粘着剤層は、接着剤成分を調製し、これを基材層に塗布／乾燥することにより形成することができる。
粘着剤成分の調製は、粘着剤自体の架橋度、特に分子外架橋度を高めながら、ポットライフの制御、つまり（メタ）アクリル酸とエポキシ系架橋剤との反応性を制御することが好ましい。そのために、（メタ）アクリル酸とエポキシ系架橋剤との反応の際に、希釈溶剤として、極性溶剤を用いることが適している。ここで、極性溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、水、蟻酸、酢酸、アセトン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等が例示される。なかでも、メチルエチケトンが好ましい。
接着剤成分の塗布方法としては、バーコーター塗工、エアナイフ塗工、グラビア塗工、グラビアリバース塗工、リバースロール塗工、リップ塗工、ダイ塗工、ディップ塗工、オフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷など種々の方法を採用することができる。また、別途、剥離ライナーに粘着剤層を形成した後、それを基材フィルムに貼り合せる方法等を採用してもよい。
粘着テープの基材層の厚さ（Ｅ）と粘着剤層の厚さ（Ｆ）との比（Ｆ／Ｅ）は、剥離時に糊残りを抑制する観点から、３以下であることが好ましい。
（粘着テープ）
本発明の粘着テープは、樹脂封止型半導体装置の製造において、リードフレームへ貼り付けられ、プラズマに曝されるため、リードフレームへの適当な粘着性、プラズマへの適当な耐性が必要とされる。
発明者らは、また、プラズマに対する耐性を向上させるという観点から、プラズマ照射に対する粘着テープの重量減少を抑制することが有効であることを見出している。
つまり、粘着テープのプラズマ照射（接触）前の粘着テープ重量（Ａ）に対する、プラズマ照射後の粘着テープ重量（Ｂ）の変化率（Ｂ／Ａ）が３０％程度以下であることが適しており、２５％程度以下であることが好ましい。
このように重量変化率を低減させることによって、粘着剤層における粘着剤の低分子量化が抑制される。従って、粘着機能を損なうことなく、ワイヤボンディング工程後の樹脂封止面に対して糊残りを有効に防止することができ、結果として耐プラズマ性を付与することができる。これによって、ワイヤボンディングの成功率を維持又は向上させることができる。
なお、粘着テープのプラズマ照射前後の重量変化は、プラズマ照射の程度等によって変動し得る。そのために、重量変化率（Ｂ／Ａ）が３０％程度以下という値は、上述したように、粘着テープの粘着剤層に、不活性ガス雰囲気下（例えば、アルゴン）、つまり、不活性ガスの流量が１０〜１００ｓｃｃｍ（例えば、４０ｓｃｃｍ）、出力が１００〜５００Ｗ（例えば、３００Ｗ）、照射時間が１〜５分間（例えば、３分間）でプラズマ照射行った場合の単位面積当たりの値を示す。
また、重量変化率（Ｂ／Ａ）を３０％程度以下にするために、上述した粘着剤層を構成する（メタ）アクリル酸の量及び／又はエポキシ系架橋剤の量（ゲル分率）を調整することが適している。
本発明の粘着テープは、プラズマへの接触にかかわらず、粘着テープのリードフレームへの剥離角度１８０°での粘着力は、リードフレームへの十分な（例えば、工程中のテープ剥離が発生しないような）粘着力の観点からは、０．０１Ｎ／１９ｍｍ幅以上が適しており、好ましくは、０．０５Ｎ／１９ｍｍ幅以上、より好ましくは０．１０Ｎ／１９ｍｍ幅以上、さらに好ましくは０．１５Ｎ／１９ｍｍ幅以上である。一方、テープ貼付の失敗時のテープ剥離における糊残りおよびダイパッド部等の変形を防止する観点からは、１０．０Ｎ／１９ｍｍ幅以下が適しており、好ましくは６．０Ｎ／１９ｍｍ幅以下、より好ましくは５．０Ｎ／１９ｍｍ幅以下である。
粘着テープの封止樹脂への剥離角度１８０°での粘着力は、１０．０Ｎ／１９ｍｍ幅程度以下が適しており、好ましくは６．０Ｎ／１９ｍｍ幅程度以下である。
ここで、この粘着力は、測定温度が２５±２℃、剥離角度が１８０°、剥離速度が３００ｍｍ／分（ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠）の条件下に、リードフレームからの剥離によって測定した場合の値である。このような測定は、市販の測定装置（島津製作所製、オートグラフＡＧ-Ｘ等）によって行うことができる。
一方、粘着テープは、まず、リードフレームに貼着され、任意の段階でリードフレームから剥離されるが、あまりに強粘着力を有する場合は、引き剥がしが困難となるだけでなく、場合によっては引き剥がしのための応力によって、モールドした樹脂の剥離、破損を招く。従って、封止樹脂のはみ出しを抑える粘着力以上に強粘着であることはむしろ好ましくない。例えば、半導体装置の製造工程において、ＪＩＳ Ｃ２１０７に準拠した２５℃における粘着力が５〜１００００Ｎ／ｍ程度であることが適している。さらに、２００℃にて１時間加熱した後のリードフレームへの粘着力が、０．０５Ｎ／１９ｍｍ幅程度以上であることが適しており、０．１Ｎ／１９ｍｍ幅程度が好ましい。また、６Ｎ／１９ｍｍ幅程度以下であることが適しており、４Ｎ／１９ｍｍ幅程度以下であることが好ましい。特に、０．０５〜６．０Ｎ／１９ｍｍ幅程度、０．１〜４．０Ｎ／１９ｍｍ幅程度であることが好ましい。
本発明の粘着テープは、さらに、剥離シートを備えていることが好ましい。剥離シートは、粘着剤層を保護するために粘着剤層に接触して形成されているシートである。この粘着テープは、粘着剤層に含まれる粘着剤の種類等に応じて、特定の値の剥離強度を有していることが好ましい。剥離強度は、粘着テープを剥離する際の角度によって適宜調整することができる。例えば、以下に示す剥離角度での剥離強度の少なくとも１つを満たすものが好ましい。ここでの剥離強度は、測定温度が２３±２℃、剥離角度が９０〜１８０°、剥離速度が３００ｍｍ／分（ＴＭＡ０００１法 に準拠）の条件下に、本発明の粘着テープからの剥離によって測定した場合の値である。
剥離角度９０°±１５°での剥離強度は、１．５Ｎ/５０ｍｍ幅以下、１．０Ｎ/５０ｍｍ幅以下、０．５Ｎ/５０ｍｍ幅以下程度が適している。
剥離角度１２０°±１５°での剥離強度は、１．２Ｎ/５０ｍｍ幅以下、１．０Ｎ/５０ｍｍ幅以下、０．８Ｎ/５０ｍｍ幅以下程度が適している。
剥離角度１５０°±１５°での剥離強度は、１．０Ｎ/５０ｍｍ幅以下、０．８Ｎ/５０ｍｍ幅以下、０．６Ｎ/５０ｍｍ幅以下程度が適している。
剥離角度１８０°±１５°での剥離強度は、１．０Ｎ/５０ｍｍ幅以下、０．８Ｎ/５０ｍｍ幅以下、０．６Ｎ/５０ｍｍ幅以下程度が適している。
剥離強度をこのような範囲とすることにより、一般に利用されるテープ貼り付け装置等を用いた場合でも、剥離シートの剥離のための過度の剥離強度を必要とせず、粘着テープのしわ、貼り付け位置のずれを発生させず、粘着テープへ残留応力を負荷することを防止することができる。これによって、リードフレームの反り、封止樹脂の樹脂漏れ等の発生を抑制することができる。
剥離シートは、当該分野で一般的に用いられている材料、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン；低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン；ポリウレタン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、フッ素樹脂、セルロース系樹脂及びこれらの架橋体などのポリマー等を用いて、単層又は多層構造で形成された剥離基材を含む。
また、剥離シートは、剥離基材の少なくとも粘着剤層と接触する面に、粘着剤層と実質的に接着しないように、離型処理が施されているものが適している。離型処理は、当該分野で公知の方法及び材料を用いて行うことができる。例えば、シリコーン樹脂による処理、フッ素樹脂による離型処理等が挙げられる。具体的には、セラピール・シリーズ（東レフィルム加工株式会社）の軽剥離グレード及び中剥離グレード等が例示される。
（樹脂封止型半導体装置の製造方法）
本発明の粘着テープは、半導体装置の製造に、特に、樹脂封止する際に使用される粘着テープである。つまり、リードフレーム表面に搭載された半導体チップを樹脂封止する際にリードフレームの少なくとも一面、例えば、裏面（半導体チップが搭載された面と反対側の面、以下同じ）に貼着され、封止後に剥離するために用いられる。
リードフレームの少なくとも一面、例えば、裏面に本発明の粘着テープを貼り合わせ、このダイパッド表面に半導体チップを搭載し、半導体チップ側を封止樹脂により封止し、封止後に粘着テープを剥離する工程を含み、さらに、粘着テープの貼りあわせから剥離の間に、プラズマ処理を行う工程を含み、任意に、例えば、ダイパッドに半導体チップを搭載した後の結線工程及び樹脂封止後の封止樹脂の切断工程を含む半導体装置の製造方法において使用するためのものである。なお、粘着テープは、リードフレームにおいて、樹脂で封止される領域以外の表裏面のいずれの領域に貼着されていてもよい。
具体的には、まず、図１（ａ）に示すように、本発明の粘着テープ２０を、リードフレーム１１の一面、つまり、裏面に貼り付ける。
リードフレーム１１は、通常、Ｃｕ系素材（Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐなど）、Ｆｅ系素材(Ｆｅ−Ｎｉなど)等の金属板によって形成されている。また、ＱＦＮの端子パターンが刻まれていてもよい。特に、リードフレーム内の電気接点部分（後述する半導体チップとの接続部分）に、銀、ニッケル、パラジウム、金等で被覆（めっき）されているものが好ましい。リードフレーム１１の厚みは、通常、１００〜３００μｍ程度が挙げられる。
リードフレーム１１は、後の切断工程にて切り分けやすいよう、所定の配置パターン（例えば、個々のＱＦＮの配置パターン）が複数並べられているものが好ましい。具体的には、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、リードフレーム１１上に、マトリックス状にパッケージパターン領域１０が配列されたものが、マトリックスＱＦＮ、ＭＡＰ−ＱＦＮ等と呼ばれ、もっとも好ましいもののひとつである。
リードフレーム１１は、通常、ダイパッド１１ｃ及びリード端子１１ｂを備える。これらは分離して備えられていてもよいが、図２（ｂ）に示すように、隣接した複数の開口１１ａによって規定された複数リード端子１１ｂと、開口１１ａの中央に配列されたダイパッド１１ｃと、任意に、ダイパッド１１ｃを開口１１ａの４角に支持するダイバー１１ｄとによって、一体的に備えられているものが好ましい。なお、ダイパッド１１ｃ及びリード端子１１ｂ等は、放熱等の別の機能が意図されたものとして形成されていてもよい。
粘着テープ２０のリードフレーム１１への貼り付けは、少なくとも、リードフレーム１１におけるパッケージパターン領域１０に、リードフレーム１１のパッケージパターン領域１０より外側の領域、つまり、樹脂封止される樹脂封止領域の外側の全周を含む領域に又はパッケージパターン領域１０及びパッケージパターン領域１０の外側の全周を含む領域に行われることが適している。
なお、樹脂封止領域の外側の全周を含む領域に本発明の粘着テープを貼着する場合は、リードフレームの裏面のみならず、表面にも貼着してもよい。パッケージパターン領域１０及びパッケージパターン領域１０の外側の全周を含む領域に貼着する場合は、リードフレームの裏面にのみ貼着することが好ましい。
なお、リードフレーム１１は、通常、樹脂封止時の位置決めを行うためのガイドピン用孔（例えば、図２（ａ）の１３）を端辺近傍に有しているため、それを塞がない領域に粘着テープを貼着するのが好ましい。また、パッケージパターン領域１０はリードフレーム１１の長手方向に複数配置されるため、それらの複数領域に渡るように連続して粘着テープ２０を貼着するのが好ましい。
次いで、図１（ｂ）に示すように、リードフレーム１１表面（粘着テープ２０が貼り付けられていない面）に、半導体チップ１５を搭載する。
通常、上述したように、リードフレーム１１は、半導体チップ１５を固定するためダイパッド１１ｃと呼ばれる固定エリアが設けられていることから、半導体チップ１５は、ダイパッド１１ｃ上に搭載される。
ダイパッド１１ｃヘの半導体チップ１５の搭載は、例えば、導電性ペースト１９、接着テープ、接着剤（例えば、熱硬化性接着剤）等を用いる各種の方法が利用される。導電性ペースト、接着剤等を用いて搭載する場合、通常、１５０〜２００℃程度の温度で３０分〜９０分程度、加熱硬化される。
ここで、後述するワイヤボンドの成功率を向上させる等のために、プラズマ処理を行う。プラズマ処理は、リードフレーム及びワイヤボンディング用の電極パッドを備える半導体チップ上（電極パッド上）の有機不純物を除去するために行われる。従って、プラズマは、図１（ｂ）における半導体チップ１５の上側から、半導体チップ１５及びリードフレーム１１表面へ照射する。これによって、リードフレーム及び半導体チップ上の有機不純物を除去することができる。この際、プラズマは、リードフレーム１１の開口１１ａから露出している粘着テープ２０の粘着剤層に対しても直接照射される。これによって、粘着テープの重量変化及び／又は粘着力変化がもたらされる。
プラズマ照射では、通常、不活性ガス雰囲気下（例えば、アルゴン等）、つまり、これら不活性ガスの流量を１０〜１００ｓｃｃｍ（例えば、４０ｓｃｃｍ）、出力を１００〜５００Ｗ、照射時間を１〜５分間で行う。
続いて、任意に、図１（ｃ）に示すように、半導体チップ１５表面の電極パッド（図示せず）と、リードフレーム１１とをワイヤボンド（結線）する。
ワイヤボンドは、ボンディングワイヤ１６、例えば、金線又はアルミ線などによって行われる。通常、１５０〜２５０℃に加熱した状態で、超音波による振動エネルギーと加圧による圧着エネルギーとの併用により行われる。この際、リードフレームに貼着した粘着テープ面を真空引きすることによって、ヒートブロックに確実に固定することができる。
なお、半導体チップ１５として、フェイスダウン実装を行う場合には、適宜リフロー工程を行うことができる。
次に、リードフレーム１１を上下金型（図示せず）に挟み、封止樹脂１７（例えば、エポキシ樹脂等）を射出して、半導体チップ１５を封止する。この場合の封止は、片面封止及び両面封止のいずれでもよい。両面封止の場合には、上述したように、リードフレームにおける樹脂封止領域の外側の全周を含む領域に、リードフレームの表面及び／又は裏面に粘着テープを貼着することが適している。パッケージパターン領域１０及びパッケージパターン領域１０の外側の全周を含む領域の片面に粘着テープを貼着した場合には、片面封止を行うことが好ましい。このような封止を行う場合、特に本発明の粘着テープを好適に用いることができ、好ましい。
半導体チップの封止は、リードフレーム１１に搭載された半導体チップ１５及びボンディングワイヤ１６を保護するために行われる。例えば、エポキシ系樹脂等を用いて、金型中で成型されるのが代表的な方法である。この場合、複数のキャビティを有する上金型と下金型とからなる金型を用いて、複数の半導体チップを同時に封止することが好ましい。通常、樹脂封止時の加熱温度は１７０〜１８０℃程度であり、この温度で数分間キュアした後、さらに、ポストモールドキュアを数時間行う。
その後、図１（ｄ）に示すように、封止樹脂１７を含むリードフレーム１１を金型から取り出す。
図１（ｅ）に示すように、リードフレーム１１裏面に貼り付けられた粘着テープを剥離する。
封止後の粘着テープ２０の剥離は、上述したポストモールドキュアの前に行うことが好ましい。
その後、図１（ｆ）に示すように、封止樹脂１７を含むリードフレーム１１を、半導体チップ１５ごとに分割し、半導体装置２１を得ることができる。
半導体チップ１５ごとの分割は、ダイサー等の回転切断刃等を用いて行うことができる。
なお、本発明の粘着テープは、半導体チップの樹脂封止の際に、リードフレームの一面、好ましくは裏面に貼着されていればよく、上述した図１（ａ）〜図１（ｃ）の工程について、半導体チップを搭載した後粘着テープを貼り付けてもよく、半導体チップをワイヤボンドした後粘着テープを貼り付けてもよい。なかでも、上述した図１（ａ）〜図１（ｃ）の順序で行うことが好ましい。また、半導体チップの構造によっては、ワイヤボンドを行わなくてもよい。
以下に本発明の樹脂封止用耐熱性粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法について、詳細に説明する。
なお、以下の実施例においては、特に断らない限り、部及び％等は質量基準である。
実施例１
（粘着剤の調製）
ブチルアクリレート１００部に対して、アクリル酸７部を共重合させて、アクリル系共重合体を得た。メチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶剤中で、このアクリル系共重合体１００部に対して、エポキシ系架橋剤（三菱ガス化学社製、Ｔｅｔｒａｄ−Ｃ）を５部添加して、粘着剤組成物を得た。
この際の粘着剤の架橋度合いをSolid Echo法のパルスＮＭＲにて測定した。その結果、緩和時間（短いほど架橋度が高い）は１２３μ秒であった。
さらにプラズマ照射後の粘着剤の破断伸びは１６４％であった。
（粘着テープの製造）
基材層として、２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン製：カプトン１００Ｈ、熱線膨張係数２．７×１０−５／Ｋ、Ｔｇ ４０２℃）を準備した。
この基材層に、上述した粘着剤組成物を塗布して乾燥し、厚さ約１０μｍの粘着剤層を有する粘着テープを製造した。この際のプラズマ照射前後の粘着テープ重量変化率は６％であった。
比較例１
（粘着剤の調製）
ブチルアクリレート１００部に対して、アクリル酸１部を共重合させて、アクリル系共重合体を得た。このアクリル系共重合体１００部に対して、エポキシ系架橋剤（三菱ガス化学社製、Ｔｅｔｒａｄ−Ｃ）を４部添加して、粘着剤組成物を得た。
この際の粘着剤のパルスＮＭＲ緩和時間は５６８μ秒であった。さらにプラズマ照射後の粘着剤の破断伸びは２７１％であった。
（粘着テープの製造）
上記粘着剤組成物を用いた以外、実施例１と同様にして粘着テープを製造した。この際のプラズマ照射前後の粘着テープ重量変化率は４７％であった。
比較例２
（粘着剤の調製）
ブチルアクリレート１００部に対して、アクリル酸７部を共重合させて、アクリル系共重合体を得た。このアクリル系共重合体１００部に対して、エポキシ系架橋剤（三菱ガス化学社製、Ｔｅｔｒａｄ−Ｃ）を０．５部添加して、粘着剤組成物を得た。
この際の粘着剤のパルスＮＭＲ緩和時間は４９２μ秒であった。さらにプラズマ照射後の粘着剤の破断伸びは２５９％であった。
（粘着テープの製造）
上記粘着剤組成物を用いた以外、実施例１と同様にして粘着テープを製造した。この際のプラズマ照射前後の粘着テープ重量変化率は４０％であった。
比較例３
２５μｍ厚のポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン製テオネックスQ81、熱線膨張係数１．０×１０−５／Ｋ、Ｔｇ：１５６℃）を基材層として用いた以外、実施例１と同様にして粘着テープを製造した。
この際の粘着剤のパルスＮＭＲ緩和時間、プラズマ照射後の破断伸び及びプラズマ照射前後の粘着テープ重量変化率は実施例１とほぼ同値であった。
（ワイヤボンディング性評価）
実施例及び比較例で製造した粘着テープを、端子部に銀めっきが施された一辺１６ＰｉｎタイプのＱＦＮが４個×４個に配列された銅製のリードフレームの裏面のアウターパット側に、テープラミネート装置ＰＬ−５５ＴＲＭ（日東電工製）を用いて、常温にて貼り合わせた。このリードフレームのダイパッドに、半導体チップを、エポキシフェノール系の銀ペーストを用いて接着し、１８０℃にて１時間ほど硬化して固定した。
その後、アルゴンガスの流量を４０ｓｃｃｍ、出力を３００Ｗ、照射時間を３分間で、半導体チップ側から、リードフレームにプラズマ照射を行った。この際、プラズマは、粘着テープに対しては、リードフレームの開口から露出した粘着剤層に照射される。
次に、リードフレームを、粘着テープ側から真空吸引する形で２００℃に加熱したヒートブロックに固定し、さらにリードフレームの周辺部分をウインドクランパーにて押さえて固定した。
これらを、１１５ＫＨｚワイヤボンダー（新川製：ＵＴＣ−３００Ｂ１）を用いてφ２５μｍの金線（田中貴金属製ＧＭＧ−２５）にて下記の条件でワイヤボンディングした。
ファーストボンディング加圧：１００ｇ
ファーストボンディング印加時間：１０ｍｓｅｃ
セカンドボンディング加圧：１５０ｇ
セカンドボンディング印加時間：１５ｍｓｅｃ
このようにして結線作製したワイヤのプル強度を、プルテスター（レスカ製、Bonding tester PTR-30）を用いて測定した。測定値が４ｇｆ以上、かつ破壊モードが界面破壊でない場合を合格とした。
（Solid Echo法のパルスＮＭＲ測定）
１０ｍｍφの試験管に粘着剤を詰め込み、ＪＥＯＬ（日本電子データム株式会社）製 ＪＮＭ−ＭＵ２５を用いて、共鳴周波数：２５ＭＨｚ、共鳴磁場：０．５８７２Ｔ、繰り返し時間：１ｓ、パルス幅：２．２μｓ、対象核：１Ｈとし、３５℃雰囲気下においてシングルモードで測定した。
（粘着剤の破断伸びの測定）
長さ５０ｍｍに切断した粘着剤を気泡が入らないように棒状に丸め、チャック間距離１０ｍｍに設定したテンシロン（ＯＲＩＥＮＴＥＣ製 ＵＮＩＶＥＲＳＡＬ ＴＥＳＴＩＮＧ ＭＡＣＨＩＮＥ ＲＴＣ−１１５０Ａ）を用いて、引張速度：３００ｍｍ/ｍｉｎで１８０°方向に引張試験を行った際の粘着剤の伸び率を測定した。
（粘着テープ重量変化率の測定）
得られた粘着テープの粘着剤層（１００ｍｍ×１００ｍｍ）に、アルゴンガスの流量を４０ｓｃｃｍ、出力を３００Ｗ、照射時間を３分間で、プラズマ照射を行った。プラズマ照射前後の重量を測定し、変化率を算出した。
（加熱収縮率の測定）
実施例及び比較例で用いた基材層の５ｃｍ角のサンプルを１８０℃で３時間加熱し、その際の寸法を、加熱前寸法（５ｃｍ）１００％に対する、寸法変化の割合（％）として算出した。なお、加熱収縮率は、ミツトヨ製投影機（ＰＪ−Ｈ３０００Ｆ）によって測定した。
（糊残り性評価）
ワイヤボンディング性評価で得られた結線作製したチップを含むリードフレームを、エポキシ系封止樹脂（日東電工製ＨＣ−３００）により、モールドマシン（ＴＯＷＡ製Ｍｏｄｅｌ−Ｙ−ｓｅｒｉｓｅ）を用いて、１７５℃で、プレヒート４０秒、インジェクション時間１１．５秒、キュア時間１２０秒にてモールドし、リードフレーム裏面に貼り付けられた粘着テープを剥離した。
糊残りは、このような工程を経た、粘着テープを剥離した封止樹脂面を目視にて確認した。
上述した測定及び評価についての結果を以下に示す。
Figure 0005366781
 実施例１では、いずれの特性も満足するものであり、プラズマ照射を行っても、樹脂封止後に粘着テープを剥離したところ、封止樹脂上の糊残りは確認されなかった。
一方、比較例１では、ポリマー中のアクリル酸の量が少ないために樹脂封止後に粘着テープを剥離したところ、封止樹脂上の糊残りが確認された。
比較例２では、粘着剤に添加したエポキシ系架橋剤の量が少ないために樹脂封止後に粘着テープを剥離したところ、封止樹脂上の糊残りが確認された。
比較例３では、ワイヤボンディング中に、基材層が収縮したため、十分なワイヤボンディングが行えず、糊残りの評価も行うことができなかった。
本発明の粘着テープは、半導体装置の製造方法において広範に用いることができる。
１０ パッケージパターン領域
１１ リードフレーム
１１ａ 開口
１１ｂ リード端子
１１ｃ ダイパッド
１５ 半導体チップ
１６ ボンディングワイヤ
１７ 封止樹脂
２０ 粘着テープ
２１ 半導体装置

Claims (8)

  1. 基材層と該基材層上に積層された粘着剤層とを備えた粘着テープであって、
    前記基材層は、３００℃以下の温度でガラス転移温度が認められず、該基材層を１８０℃で３時間加熱したときの熱収縮率が０．４０％以下であり、
    前記粘着剤層は、（メタ）アクリル酸と該（メタ）アクリル酸以外のモノマー成分とに由来する構造単位を含むポリマー及び分子外架橋用エポキシ系架橋剤を含む粘着剤によって形成されており、前記（メタ）アクリル酸は、前記モノマー成分１００重量部に対して５重量部以上含有され、前記分子外架橋用エポキシ系架橋剤は、前記（メタ）アクリル酸に対して０．６当量以上に対応する重量部数で含有され、かつプラズマ照射後の粘着剤の破断伸びが２００％以下である粘着剤を用いて形成されてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造における樹脂封止用耐熱性粘着テープ。
  2. 前記粘着剤層は、パルスＮＭＲ測定による緩和時間が４００μ秒以下である粘着剤を用いて形成されてなる請求項１に記載の樹脂封止用耐熱性粘着テープ。
  3. 前記粘着テープのプラズマ照射前の粘着テープ重量（Ａ）に対する、プラズマ照射後の粘着テープの重量（Ｂ）の変化率（Ｂ／Ａ）が３０％以下である請求項１又は２に記載の樹脂封止用耐熱性粘着テープ。
  4. 前記粘着剤層が、前記基材層の片面上にのみ積層されている請求項１〜３のいずれか１つに記載の樹脂封止用耐熱性粘着テープ。
  5. リードフレーム表面に搭載された半導体チップを樹脂封止する際に前記リードフレームの少なくとも一面に貼着され、封止後に剥離するために用いられる請求項１〜４のいずれか１つに記載の樹脂封止用耐熱性粘着テープ。
  6. リードフレームの少なくとも一面に、請求項１〜５のいずれか１つに記載の粘着テープを貼着し、
    前記リードフレーム上に半導体チップを搭載し、
    該半導体チップ側を封止樹脂により封止し、
    封止後に前記粘着テープを剥離する工程を含み、
    さらに、前記粘着テープの貼着から剥離の間に、プラズマ処理を行う工程を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  7. プラズマ処理を、リードフレーム上に半導体チップを搭載した後、該半導体チップ側から前記リードフレームに向かって、不活性ガス雰囲気下、１００〜５００Ｗの出力、１〜５分間、プラズマを照射することにより行う請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  8. さらに、リードフレーム上への半導体チップの搭載後、該半導体チップの封止樹脂の前に、半導体チップ表面に形成された電極パッドとリードフレームとを結線する工程を含み、
    前記プラズマ処理を、結線工程前に行う請求項６又は７に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
JP2009282991A 2009-12-14 2009-12-14 樹脂封止用耐熱性粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 Active JP5366781B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009282991A JP5366781B2 (ja) 2009-12-14 2009-12-14 樹脂封止用耐熱性粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009282991A JP5366781B2 (ja) 2009-12-14 2009-12-14 樹脂封止用耐熱性粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011124495A JP2011124495A (ja) 2011-06-23
JP5366781B2 true JP5366781B2 (ja) 2013-12-11

Family

ID=44288067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009282991A Active JP5366781B2 (ja) 2009-12-14 2009-12-14 樹脂封止用耐熱性粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5366781B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6034662B2 (ja) * 2012-10-31 2016-11-30 東レ・デュポン株式会社 ポリイミドフィルム
JP6514561B2 (ja) * 2015-04-27 2019-05-15 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法および接着剤組成物の製造方法
CN108243616B (zh) * 2016-03-04 2022-10-28 琳得科株式会社 半导体加工用片
JP7042211B2 (ja) * 2016-03-04 2022-03-25 リンテック株式会社 半導体加工用シート
JP2020074308A (ja) * 2019-12-27 2020-05-14 リンテック株式会社 電池用粘着シートおよびリチウムイオン電池
CN116368199A (zh) * 2020-12-07 2023-06-30 日东电工株式会社 粘合片

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3934041B2 (ja) * 2002-12-02 2007-06-20 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法及びこれに用いる耐熱性粘着テープ
JP4610168B2 (ja) * 2003-08-06 2011-01-12 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 耐熱マスキングテープ
JP4566568B2 (ja) * 2004-01-23 2010-10-20 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法及びこれに用いる耐熱性粘着テープ
JP2008144047A (ja) * 2006-12-11 2008-06-26 Three M Innovative Properties Co 耐熱性マスキングテープ及びその使用方法
JP2008277802A (ja) * 2007-04-04 2008-11-13 Hitachi Chem Co Ltd 半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルム付きリードフレーム及びこれらを用いた半導体装置
JP2009044010A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011124495A (ja) 2011-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5551568B2 (ja) 樹脂封止用粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3849978B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びこれに用いる耐熱性粘着テープ
JP5366781B2 (ja) 樹脂封止用耐熱性粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP5612403B2 (ja) 樹脂封止用粘着テープ及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
KR20050076771A (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 이에 이용되는 내열성 점착테이프
JP4343943B2 (ja) 半導体装置製造用の耐熱性粘着テープ
WO2018207408A1 (ja) 半導体封止成形用仮保護フィルム
JP5548077B2 (ja) 樹脂封止用粘着テープ及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP5077980B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005183734A (ja) 半導体装置製造用接着フィルム
JP2006318999A (ja) 半導体装置製造用接着フィルム
JP4357754B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3934041B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びこれに用いる耐熱性粘着テープ
JP2012046763A (ja) 耐熱性粘着テープ
US20130237017A1 (en) Pressure-sensitive adhesive tape for resin encapsulation and method for producing resin encapsulation type semiconductor device
JP5160575B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びこれに用いる耐熱性粘着テープ
EP2636712A1 (en) Pressure-sensitive adhesive tape for resin encapsulation and method for producing resin encapsulation type semiconductor device
JP2012182392A (ja) 半導体装置の製造方法
JP4412597B2 (ja) 半導体装置の製造方法、それに用いる耐熱性粘着テープ及び耐熱性粘着剤組成物
KR101923736B1 (ko) 수지 봉지용 점착 테이프 및 수지 봉지형 반도체 장치의 제조방법
JP4507380B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びそれに用いるリードフレーム積層物
JP2009044010A (ja) 半導体装置の製造方法
TWI759029B (zh) 黏著帶
JP5275159B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2021161274A (ja) 粘着テープ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111205

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120920

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121009

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121206

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130305

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130424

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130903

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130910

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5366781

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250