WO2018207408A1 - 半導体封止成形用仮保護フィルム - Google Patents

半導体封止成形用仮保護フィルム Download PDF

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友宏 名児耶
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    • H01L2224/83455—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/8346—Iron [Fe] as principal constituent
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    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • the present invention relates to a temporary protective film for semiconductor encapsulation molding.
  • the present invention also relates to a lead frame with a temporary protective film, a sealed molded body with a temporary protective film, and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • a semiconductor adhesive film is attached to the back surface of the lead frame as a temporary protective film to protect the back surface of the lead frame, and after the semiconductor element mounted on the front surface side of the lead frame is sealed and molded, A method of peeling off the protective film is known (for example, Patent Document 1).
  • the temporary protective film used for the semiconductor sealing molding can be attached to the lead frame at a low temperature such as a normal temperature condition and can be easily peeled off after sealing.
  • the semiconductor adhesive film of Patent Document 1 requires high-temperature and high-pressure conditions (for example, 200 to 250 ° C., 3 to 8 MPa) to be attached to the back surface of the lead frame, and normal temperature conditions (temperature is intentionally set). It is difficult to apply the film under conditions that are not applied to the film (for example, 24 ° C.). Moreover, it is preferable to heat-process the adhesive film for semiconductors of patent document 1 for peeling after sealing.
  • an object of the present invention is to provide a temporary protective film for semiconductor encapsulation molding that can be easily affixed to a lead frame at room temperature and can be easily peeled off while suppressing adhesive residue from the lead frame and the encapsulation layer. There is to do.
  • One aspect of the present invention is a temporary protective film for semiconductor encapsulation molding, comprising a support film and an adhesive layer provided on the support film and containing acrylic rubber, wherein the temporary protective film has a temperature of 200 ° C. It relates to a temporary protective film for semiconductor encapsulating molding, wherein the solid shear modulus is 5.0 MPa or more.
  • the adhesive layer may further contain a peelability-imparting agent.
  • the content of the peelability-imparting agent may be 10 parts by mass or more and less than 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic rubber.
  • the thickness of the adhesive layer may be 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the support film may be a polyimide film.
  • the acrylic rubber includes butyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, acrylonitrile, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid. It may be a copolymer containing at least one monomer unit selected from the group consisting of glycidyl.
  • the weight average molecular weight of the acrylic rubber may be 450,000 or more and 900,000 or less.
  • the adhesive layer may have a pressure sensitive adhesive property at 24 ° C.
  • the 5% weight reduction temperature of the temporary protective film may be 350 ° C. or higher.
  • the temporary protective film for semiconductor encapsulation molding is a temporary protective film for semiconductor encapsulation molding, further comprising a cover film provided on a surface of the adhesive layer opposite to the surface provided with the support film. May be.
  • Another aspect of the present invention includes a lead frame having a die pad and an inner lead, and the temporary protective film for semiconductor sealing molding, wherein the temporary protective film is such that its adhesive layer is in contact with one side of the lead frame.
  • the present invention relates to a lead frame with a temporary protective film attached to the frame.
  • Another aspect of the present invention is a lead frame having a die pad and an inner lead, a semiconductor element mounted on the die pad, a wire connecting the semiconductor element and the inner lead, and a seal sealing the semiconductor element and the wire.
  • a temporary protective film, and the temporary protective film is attached to a surface of the lead frame opposite to the surface on which the semiconductor element is mounted.
  • the present invention relates to a sealing molded body with a temporary protective film.
  • Another aspect of the present invention is a step of attaching the temporary protective film for semiconductor sealing molding to one side of a lead frame having a die pad and an inner lead so that the adhesive layer is in contact with the lead frame, and temporary protection of the die pad.
  • the invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of obtaining a sealed molded body having a semiconductor element and a sealing layer; and a step of peeling a temporary protective film from the sealed molded body in this order.
  • the method of manufacturing the semiconductor device can be encapsulated before or after peeling the temporary protective film from the encapsulated molded body.
  • the method may further include a step of dividing the body to obtain a semiconductor device having one die pad and a semiconductor element.
  • a temporary protective film for semiconductor sealing molding that can be attached to a lead frame at room temperature and can be easily peeled off while suppressing adhesive residue when peeling from the lead frame and sealing material after sealing molding. Can be provided.
  • (meth) acrylic acid means “acrylic acid” and “methacrylic acid”.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a temporary protective film according to an embodiment.
  • a temporary protective film 10 shown in FIG. 1 includes a support film 1 and an adhesive layer 2 provided on one side of the support film 1. An adhesive layer may be formed on both surfaces of the support film 1.
  • FIG. 2 is also a cross-sectional view showing a temporary protective film according to an embodiment.
  • the temporary protective film 10 ′ of FIG. 2 is substantially provided on the support film 1, the adhesive layer 2 provided on one main surface of the support film 1, and the other main surface of the support film 1. And a resin layer (non-adhesive layer 3) having no adhesiveness.
  • These temporary protective films are used in the sealing molding process for forming a sealing layer for sealing the semiconductor element mounted on the lead frame.
  • the lead frame can be used as a temporary protective film for semiconductor sealing molding for temporarily protecting the lead frame during sealing molding.
  • the adhesive layer contains acrylic rubber.
  • Acrylic rubber is generally a copolymer containing (meth) acrylic acid ester as a monomer unit.
  • the acrylic rubber is, for example, a copolymer obtained by a polymerization reaction of a monomer mixture containing (meth) acrylic acid ester and another monomer such as (meth) acrylic acid, an aromatic vinyl compound, and a vinyl cyanide compound. It is a polymer.
  • Examples of the (meth) acrylic acid ester constituting the acrylic rubber include butyl (meth) acrylate (for example, n-butyl (meth) acrylate), ethyl (meth) acrylate, and methyl (meth) acrylate. Can be mentioned.
  • the (meth) acrylic acid ester may be a compound having a reactive functional group such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate.
  • the acrylic rubber is mainly composed of at least one (meth) acrylate selected from the group consisting of butyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate and methyl (meth) acrylate as a monomer unit.
  • the “main component” refers to a monomer unit occupying 50% by mass or more with respect to the total mass of the copolymer.
  • acrylic rubber examples include (meth) acrylic acid and acrylonitrile.
  • the acrylic rubber contains at least one selected from the group consisting of (meth) acrylic acid and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate as a monomer unit
  • the acrylic rubber has a carboxy group and / or a hydroxy group. You may have. This carboxy group and / or hydroxy group can be used for the reaction with the below-described peelability-imparting agent.
  • the glass transition temperature (Tg) of the acrylic rubber may be ⁇ 50 to 40 ° C., ⁇ 40 ° C. to 30 ° C., or ⁇ 30 ° C. to 20 ° C. from the viewpoint of maintaining the adhesiveness of the adhesive layer at room temperature. .
  • the glass transition temperature of the acrylic rubber is ⁇ 50 ° C. or higher, the wettability is reduced by the heat treatment, so that a decrease in peelability tends to be relatively suppressed.
  • the glass transition temperature of the acrylic rubber is 20 ° C. or less, there is a tendency that a reduction in sticking property at room temperature is relatively suppressed.
  • the glass transition temperature of acrylic rubber is not particularly limited, but generally means a value measured by differential scanning calorimetry, differential calorimetry, dynamic viscoelasticity measurement, or thermomechanical analysis.
  • the acrylic rubber is a copolymer having as a main component at least one monomer unit selected from the group consisting of butyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate and methyl (meth) acrylate, and
  • the glass transition temperature of the acrylic rubber may be ⁇ 30 ° C. to 20 ° C. In this case, the wettability to the adherend is improved, and the adhesiveness and the peelability can be compatible at a particularly high level.
  • the weight average molecular weight of the acrylic rubber may be 400,000 or more, 450,000 or more, or 700,000 or more from the viewpoint of low outgassing property and cohesive force maintenance.
  • the weight average molecular weight of the acrylic rubber is not particularly limited, but may be 900,000 or less.
  • the weight average molecular weight of the acrylic rubber here means a value (converted value by standard polystyrene) measured by gel permeation chromatography.
  • acrylic rubber a commercially available product may be used.
  • examples of commercially available acrylic rubber include HTR-280 DR (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, weight average molecular weight 800,000 to 900,000), WS-023 EK30 (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, weight average molecular weight 450,000- 500,000). These acrylic rubbers may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the acrylic rubber in the adhesive layer may be 50% by mass or more, 60% by mass or more, 70% by mass or more, or 80% by mass or more, and 100% by mass or less, based on the mass of the adhesive layer. May be.
  • the adhesive layer containing acrylic rubber can have a good sticking property at room temperature.
  • the adhesive layer can have pressure sensitive adhesion at 24 ° C. without intentionally applying temperature.
  • Pressure-sensitive adhesiveness at 24 ° C.” means that the temperature is not intentionally applied.
  • an adhesive layer (40 mm ⁇ 160 mm size) and a lead frame (50 mm ⁇ 157 mm size) with a load of 20 N ) Is pressure-bonded to the lead frame of the adhesive layer is 5 N / m or more.
  • the said adhesive force can be measured according to the method as described in the below-mentioned Example.
  • the solid protective modulus at 200 ° C. of the temporary protective film (hereinafter also simply referred to as “solid shear modulus”) is 5.0 MPa or more.
  • the solid shear modulus at 200 ° C. of the temporary protective film may be 6 MPa or more, 8 MPa or more, or 10 MPa or more, or 25 MPa or less, or 20 MPa or less.
  • the adhesive residue on the lead frame and the sealing layer after the sealing molding is further suppressed.
  • the solid shear modulus is set by placing a test piece of a temporary protective film having a size of 5 mm ⁇ 8 mm on a solid shear measurement jig, and using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (for example, Rhegel-E4000 manufactured by UBM Co., Ltd.). By using, it means a value measured under conditions of a sine wave, 30 to 250 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a frequency of 400 Hz.
  • a laminate comprising a support film and an adhesive layer is used as the test piece.
  • the wire bonding step is performed under conditions using ultrasonic waves and pressing pressure while heating at 200 to 270 ° C. for 3 to 60 minutes, for example.
  • the adhesive layer becomes soft, there may be a problem that the wires cannot be placed accurately.
  • outgas generated by thermal decomposition of the adhesive layer contaminates the semiconductor element and the inner lead surface.
  • the solid shear modulus tends to increase as the adhesive layer thickness (film thickness) decreases.
  • the thickness of the adhesive layer containing acrylic rubber in the range of 1 to 5 ⁇ m
  • the solid shear modulus at 200 ° C. of the temporary protective film can be easily set to 5.0 MPa or more.
  • the thickness of the adhesive layer may be 5 ⁇ m or less, or 3 ⁇ m or less from the viewpoint of suppressing or preventing defects during wire bonding (for example, unbonded wires, wire breakage, and insufficient wire bonding strength). From the same viewpoint, the thickness (film thickness) of the adhesive layer may be 1 ⁇ m or more, and may be 2 ⁇ m or more.
  • the adhesive layer may further contain a peelability-imparting agent.
  • the peelability-imparting agent is a component that lowers the adhesive force of the adhesive layer after sealing molding to the lead frame and / or the sealing layer as compared with the case where the adhesive layer does not contain it.
  • An aliphatic compound can be used as the peelability-imparting agent.
  • An aliphatic compound is a compound having a linear, branched, or alicyclic hydrocarbon group.
  • the aliphatic compound may have at least one functional group selected from the group consisting of an epoxy group and a hydroxy group, and may have an epoxy group.
  • the release agent may be an aliphatic epoxy resin.
  • the aliphatic compound may be water-soluble.
  • the peelability-imparting agent has a hydrocarbon group containing a main chain having 2 or more carbon atoms, which may have a side chain (branching), and an epoxy group bonded to the terminal of the main chain.
  • An aliphatic epoxy resin may be included.
  • the peelability-imparting agent is at least one aliphatic compound (or aliphatic epoxy resin) selected from the group consisting of (poly) ethylene glycol diglycidyl ether, sorbitol polyglycidyl ether, and glycerol polyglycidyl ether. May be included. These aliphatic compounds may be used alone or in combination of two or more, but may be used in combination of two or more from the viewpoint of further suppressing adhesive residue.
  • the acrylic rubber contains at least one selected from the group consisting of (meth) acrylic acid and 2-hydroxyethyl acrylate as a monomer unit, and an aliphatic compound having an epoxy group as a release agent Further, the releasability from the lead frame and the sealing layer becomes even better, and the cleaning process when the adhesive layer remains on the lead frame and the sealing layer becomes more efficient. This is due to the reaction between the epoxy group of the peelability-imparting agent and the hydroxy group and / or carboxy group of the side chain of the acrylic rubber. Presumably, this is due to the increase in cleaning properties triggered by the agent.
  • the content of the peelability-imparting agent may be 6 parts by mass or more, or 10 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the acrylic rubber, and is less than 60 parts by mass, 50 parts by mass or less, or 30 parts by mass or less. There may be.
  • the content of the peelability-imparting agent is less than 60 parts by mass, a decrease in adhesion between the adhesive layer and the support film is suppressed, and the adhesive layer tends to be difficult to peel.
  • the content of the releasability imparting agent is 6 parts by mass or more, it tends to be easier to ensure sufficient releasability and cleanability.
  • the adhesive layer may further contain other components as necessary.
  • other components include amino alkyd resins and fatty acids.
  • the adhesive strength of the adhesive layer to the lead frame and the sealing layer may be 450 N / m or less after sealing molding, or 300 N / m or less.
  • the adhesive force to the lead frame and the sealing layer after the sealing molding can be measured according to the method described in Examples described later.
  • the 5% weight reduction temperature of the temporary protective film may be 350 ° C. or higher. As a result, the amount of outgas is reduced and the wire bondability is further improved.
  • the 5% weight reduction temperature of the temporary protective film may be 500 ° C. or lower, and may be 450 ° C. or lower.
  • the 5% weight loss temperature can be measured using a differential thermal balance (for example, SSC model 5200 manufactured by Seiko Instruments Inc.) under conditions of a heating rate of 10 ° C./min and in an air atmosphere.
  • the support film is not particularly limited, but may be a heat resistant resin film.
  • a heat resistant resin film is used as the support film, the support film is not softened even under high temperature conditions (for example, 200 ° C. or higher), and the workability is further improved.
  • the glass transition temperature (Tg) of the support film may be 200 ° C. or higher, or 250 ° C. or higher from the viewpoint of improving heat resistance.
  • the heat-resistant resin constituting the support film includes aromatic polyimide, aromatic polyamide, aromatic polyamideimide, aromatic polysulfone, aromatic polyethersulfone, polyphenylene sulfide, aromatic polyetherketone, polyarylate, aromatic polyether Examples include ether ketone, polyethylene naphthalate, and polyethylene terephthalate.
  • the support film may be a polyimide film because it has heat resistance and can further improve the adhesion to the adhesive layer.
  • the polyimide film may be subjected to high adhesion treatment such as plasma treatment, corona treatment, and primer treatment.
  • high adhesion treatment such as plasma treatment, corona treatment, and primer treatment.
  • the thickness (film thickness) of the support film is not particularly limited, but is 100 ⁇ m or less, 50 ⁇ m or less, or from the viewpoint of reducing residual stress related to warping of the lead frame after the temporary protective film is attached to the lead frame, or It may be 25 ⁇ m or less.
  • the thickness of the support film may be 5 ⁇ m or more, or 10 ⁇ m or more.
  • the support film may have a thickness of 5 ⁇ m to 50 ⁇ m, and the adhesive layer may have a thickness of 1 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • the temporary protective film for semiconductor encapsulation molding may include a cover film provided on the surface of the adhesive layer opposite to the surface on which the support film is provided. That is, the temporary protective film for semiconductor encapsulation molding may be in the form of a temporary protective film for semiconductor encapsulation molding with a cover film.
  • a polyethylene terephthalate film may be sufficient and the polyethylene terephthalate film which provided the peeling layer may be sufficient.
  • the thickness of the cover film may be 10 ⁇ m to 100 ⁇ m, or 20 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the non-adhesive layer 3 included in the temporary protective film 10 ′ according to the embodiment of FIG. 2 is a resin layer that does not substantially have adhesiveness (or pressure-sensitive adhesiveness) to the lead frame at 0 to 270 ° C.
  • a resin layer having a high glass transition temperature can function as a non-adhesive layer.
  • the non-adhesive layer may be, for example, a resin layer containing polyamideimide.
  • the thickness of the non-adhesive layer is not particularly limited, but may be 1 to 10 ⁇ m, for example.
  • the temporary protective film which concerns on one Embodiment can be manufactured by the following method, for example. First, acrylic rubber, a solvent such as cyclohexanone and methyl ethyl ketone, and other components such as a peelability-imparting agent as necessary are mixed to prepare a varnish. After apply
  • the method for applying the varnish to one side of the support film is not particularly limited, and for example, roll coating, reverse roll coating, gravure coating, bar coating, comma coating, die coating, and vacuum die coating can be used.
  • a semiconductor device can be manufactured by the method including the sealing molding process of the semiconductor element using the temporary protective film which concerns on one Embodiment.
  • the manufactured semiconductor device has, for example, a lead frame and a semiconductor element mounted on the lead frame, and a sealing layer that seals the semiconductor element on the semiconductor element side of the lead frame, and the back surface of the lead frame is for external connection. It may be a Non Lead Type Package exposed to Specific examples thereof include QFN (QuadFlat Non-Leaded Package) and SON (Small Outline Non-Leaded Package).
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment.
  • 4 is a cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device obtained by the manufacturing method of FIG.
  • each process is demonstrated with reference to each drawing as needed.
  • the temporary protective film 10 is pasted on one side (back side) of the lead frame 11 having the die pad 11a and the inner lead 11b so that the adhesive layer is in contact with the lead frame.
  • a step of peeling the layers is performed by the semiconductor element 14 on the surface of the die pad 11a opposite to the temporary protective film 10.
  • the temporary protective film 10 can be attached to the lead frame 11 at room temperature (eg, 5 to 35 ° C.).
  • the method of attaching is not particularly limited, but for example, a roll laminating method may be used.
  • a lead frame with a temporary protective film includes a lead frame 11 having a die pad 11 a and an inner lead 11 b and a temporary protective film 10, and the temporary protective film 10 has an adhesive layer 2 of the lead frame 11. It is affixed to the lead frame 11 so as to contact one side.
  • the material of the lead frame 11 is not particularly limited, but may be, for example, an iron alloy such as 42 alloy, copper, or a copper alloy.
  • the surface of the lead frame may be coated with palladium, gold, silver, or the like.
  • the surface of the lead frame may be physically roughened. Chemical treatment such as epoxy bleed out (EBO) prevention treatment for preventing bleed out of the silver paste may be performed on the surface of the lead frame.
  • EBO epoxy bleed out
  • the semiconductor element 14 is usually mounted (adhered) to the die pad 11a via an adhesive (for example, silver paste).
  • the adhesive may be cured by heat treatment (for example, 140 to 200 ° C., 30 minutes to 2 hours).
  • the wire 12 is not particularly limited, but may be, for example, a gold wire, a copper wire, or a palladium-coated copper wire.
  • the semiconductor element and the inner lead may be bonded to the wire 12 using ultrasonic waves and pressing pressure after heating at 200 to 270 ° C. for 3 to 60 minutes.
  • the lead frame 11 may be subjected to plasma treatment before the sealing molding step for obtaining the sealing molded body 20 (forming the sealing layer 13).
  • the plasma treatment include a method in which a gas such as argon, nitrogen, oxygen, or the like is injected at a predetermined gas flow rate under reduced pressure conditions (eg, 9.33 Pa or less), and plasma irradiation is performed.
  • the plasma irradiation output in the plasma treatment may be, for example, 10 to 500 W.
  • the plasma treatment time may be, for example, 5 to 50 seconds.
  • the gas flow rate in the plasma treatment may be 5 to 50 sccm.
  • the sealing layer 13 is formed using a sealing material.
  • a sealed molded body 20 having a plurality of semiconductor elements 14 and a sealing layer 13 that collectively seals them is obtained.
  • the sealing material is suppressed from going around to the back side of the lead frame 11.
  • a sealing molded body with a temporary protective film connects a lead frame 11 having a die pad 11a and an inner lead 11b, a semiconductor element 14 mounted on the die pad 11a, and the semiconductor element 14 and the inner lead 11b.
  • a wire 12, a semiconductor element 14, a sealing layer 13 that seals the wire 12, and a temporary protective film 10 are provided, and the temporary protective film 10 has an adhesive layer 2 of the semiconductor element 14 of the lead frame 11. It is affixed to the surface opposite to the mounted surface.
  • the temperature (sealing temperature) during the formation of the sealing layer may be 140 to 200 ° C. or 160 to 180 ° C.
  • the pressure during the formation of the sealing layer (sealing pressure) may be 6-15 MPa or 7-10 MPa.
  • the heating time (sealing time) in the sealing molding may be 1 to 5 minutes or 2 to 3 minutes.
  • the formed sealing layer 13 may be heat-cured as necessary.
  • the heating temperature (sealing curing temperature) for curing the sealing layer may be 150 to 200 ° C. or 160 to 180 ° C.
  • the heating time (sealing curing time) for curing the sealing layer may be 4 to 7 hours or 5 to 6 hours.
  • the material of the sealing material is not particularly limited, and examples thereof include epoxy resins such as cresol novolac epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, biphenyl diepoxy resin, and naphthol novolac epoxy resin.
  • epoxy resins such as cresol novolac epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, biphenyl diepoxy resin, and naphthol novolac epoxy resin.
  • a filler, a flame retardant substance such as a bromo compound, and an additive such as a wax component may be added.
  • the temporary protective film 10 is peeled from the lead frame 11 and the sealing layer 13 of the obtained sealing molded body 20.
  • the temporary protective film 10 may be peeled off at any time before or after the sealing layer is cured.
  • the temperature at which the temporary protective film is peeled is not particularly limited, but may be room temperature (eg, 5 to 35 ° C.). This temperature may be equal to or higher than the glass transition temperature of the adhesive layer. In this case, the peelability of the temporary protective film from the lead frame and the sealing material becomes even better.
  • the Tg of the acrylic rubber in the adhesive layer is, for example, 5 ° C. or lower, or 0 ° C. or lower, the Tg of the adhesive layer becomes equal to or lower than normal temperature, and good peelability at normal temperature is easily obtained.
  • the manufacturing method of the semiconductor device may further include a step of removing the adhesive layer (glue residue) remaining on the lead frame 11 and the sealing layer 13 after the peeling step, if necessary.
  • the remaining adhesive layer can be removed using a solvent.
  • the solvent for example, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, and water can be used.
  • a solvent may be used individually by 1 type and may be used in mixture of 2 or more types.
  • a surfactant may be added to the solvent.
  • the solvent may be a solution adjusted to be alkaline (alkaline solution). The pH of the alkaline solution may be 10 or higher, or 12 or higher.
  • mechanical brushing may be performed as necessary. Further, the burr and oxide film of the sealing layer may be removed.
  • the sealing molded body 20 can be divided as necessary to obtain a plurality of semiconductor devices 100 of FIG. 4 each having one semiconductor element. it can.
  • the manufacturing method according to the embodiment includes the temporary protective film 10 from the sealed molded body 20.
  • the process may further include a step of obtaining the semiconductor device 100 having one die pad 11a and the semiconductor element 14 by dividing the sealing molded body 20 before or after peeling.
  • a semiconductor device manufactured using a temporary protective film according to an embodiment is excellent in terms of high density, small area, thinning, and the like, for example, electronic devices such as a mobile phone, a smartphone, a personal computer, and a tablet. Can be suitably used.
  • Acrylic rubber / acrylic rubber Ai (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name: WS-023 EK30, weight average molecular weight: 500,000)
  • Acrylic rubber Aii (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name: HTR-280 DR, weight average molecular weight: 900,000)
  • Peelability imparting agent Bi (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name: EX-614B, sorbitol polyglycidyl ether, epoxy equivalent: 174) Peelability imparting agent Bii (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name: EX-810, ethylene glycol diglycidyl ether, epoxy equivalent: 113)
  • the test piece obtained by cutting the temporary protective film into a size of 5 mm ⁇ 8 mm is set on a solid shear measuring jig, and a dynamic viscoelasticity measuring device (Rheogel-E4000, manufactured by UBM Co., Ltd.) is used.
  • the solid shear modulus was measured under the conditions of a sine wave, 30 to 250 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a frequency of 400 Hz.
  • the input thickness was fixed at 0.1 mm, and the strain control was 1.95 ⁇ m and 1.95%. From the measurement results, the solid shear modulus at 200 ° C. was read.
  • Example 14 A temporary protective film of Example 14 was obtained in the same manner as Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was 1 ⁇ m.
  • the temporary protective film had a solid shear modulus at 200 ° C. of 8.2 MPa.
  • Example 15 A temporary protective film of Example 15 was obtained in the same manner as Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was 5 ⁇ m.
  • the temporary protective film had a solid shear modulus at 200 ° C. of 5.7 MPa.
  • Comparative Example 1 A temporary protective film of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was 6 ⁇ m.
  • the temporary protective film had a solid shear modulus at 200 ° C. of 4.0 MPa.
  • Comparative Example 2 A temporary protective film of Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was 8 ⁇ m.
  • the temporary protective film had a solid shear modulus at 200 ° C. of 3.1 MPa.
  • Comparative Example 3 A temporary protective film of Comparative Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was 10 ⁇ m.
  • the temporary protective film had a solid shear modulus at 200 ° C. of 1.8 MPa.
  • Comparative Example 4 Varnish O was applied onto a support film (manufactured by Toray DuPont Co., Ltd., trade name: Kapton 100EN, film thickness: 25 ⁇ m). The coating film was dried by heating at 90 ° C. for 2 minutes and 150 ° C. for 2 minutes to form an adhesive layer having a thickness of 5 ⁇ m on the support film, whereby a temporary protective film of Comparative Example 4 was obtained.
  • the temporary protective film had a solid shear modulus at 200 ° C. of 3.2 MPa.
  • this solution was cooled to 0 ° C., and 149.5 g (0.71 mol) of trimellitic anhydride chloride was added at this temperature. After the trimellitic anhydride chloride was dissolved, 100 g of triethylamine was added. After stirring at room temperature for 2 hours, the temperature was raised to 180 ° C. and the imidization was completed by a reaction for 5 hours. The reaction solution was poured into methanol to isolate the polymer. This was dried, dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone, and poured into methanol to again isolate the polymer. The isolated polymer was dried under reduced pressure to obtain a purified polyetheramideimide powder.
  • Varnish P was coated on a support film (polyimide film, Ube Industries, Ltd., trade name: UPILEX25SGA, film thickness: 25 ⁇ m), dried by heating at 100 ° C., 10 minutes, 300 ° C., and 10 minutes to obtain a film thickness. Formed an adhesive layer of 8 ⁇ m.
  • the varnish Q was apply
  • the temporary protective film had a solid shear modulus of 21.0 MPa.
  • each temporary protective film was peeled off at a speed of 50 mm / min in the direction of 180 ° with a force gauge, and the maximum value of the load at that time was recorded as the adhesive force.
  • the pressure applied to the tape was 6 MPa, and the pressure was applied for 10 seconds.
  • the adhesive layer was affixed to the lead frame by the same method (the same applies to the following adhesive force measurement).
  • each temporary protective film was peeled off at a speed of 50 mm / min in the direction of 180 ° with a force gauge, and the maximum value of the load at that time was recorded as the adhesive force. Thereby, the peelability of each temporary protective film from the lead frame after the heat treatment under conditions corresponding to sealing molding was evaluated.
  • a CDA194 frame (Cu, manufactured by Shinko Electric Industries Co., Ltd.) was prepared.
  • the temporary protective films of the examples and comparative examples are in the direction in which the adhesive layer (40 mm x 160 mm size) is in contact with the lead frame, at room temperature (24 ° C) And pasted under the condition of a load of 20N.
  • the lead frame and the temporary protective film were heated in an oven in an air atmosphere while changing the conditions in the order of 180 ° C. for 60 minutes and 200 ° C. for 60 minutes.
  • a sealing layer was formed by a trade name: GE-7470LA, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
  • each temporary protective film is peeled off at a speed of 50 mm / min in the direction of 180 ° with a force gauge, and the maximum load when the adhesive layer is peeled off from the sealing layer is determined with respect to the sealing layer after sealing molding. Recorded as adhesion. Thereby, the peelability from the sealing layer after sealing molding of each temporary protective film was evaluated.
  • the lead frame and the temporary protective film were heated in an oven in an air atmosphere while changing the conditions in the order of 180 ° C. for 60 minutes and 200 ° C. for 60 minutes.
  • Plasma treatment was performed on the surface of the lead frame opposite to the temporary protective film in an argon gas atmosphere (flow rate: 20 sccm) under conditions of 150 W and 15 seconds.
  • a molding machine manufactured by Apic Yamada Co., Ltd.
  • sealing molding is performed under the conditions of 175 ° C., 6.8 MPa, and 2 minutes, and the sealing material is formed on the surface of the lead frame opposite to the temporary protective film.
  • a sealing layer was formed by (trade name: GE-7470LA, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.).
  • each temporary protective film was peeled off at a speed of 50 mm / min in the 180 ° direction with a force gauge, and the maximum load when the adhesive layer is peeled off from the lead frame or the sealing layer is Was recorded as the adhesive strength to the lead frame or the sealing layer. Thereby, the peelability after sealing layer hardening of each temporary protective film was evaluated.
  • Adhesive residue The temporary protective films of Examples and Comparative Examples are placed on a CDA194 frame (lead frame, manufactured by Shinko Electric Industries Co., Ltd.) at a normal temperature (24 ° C.) and a load of 20 N with the adhesive layer in contact with the lead frame. Pasted with conditions.
  • the lead frame and the temporary protective film were heated in an oven in an air atmosphere while changing the conditions in the order of 180 ° C. for 60 minutes and 200 ° C. for 60 minutes.
  • Plasma treatment was performed on the surface of the lead frame opposite to the temporary protective film under an argon gas atmosphere (flow rate: 20 sccm) at 150 W for 15 seconds.
  • sealing molding is performed under the conditions of 175 ° C., 6.8 MPa, 2 minutes, and the sealing material (product) on the surface of the lead frame opposite to the temporary protective film Name: GE-7470LA, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) to form a sealing layer. Thereafter, each temporary protective film was peeled off at a speed of 50 mm / min in the direction of 180 °, and the state of the adhesive layer on the sealing layer and the lead frame after peeling was confirmed. Based on the area ratio of the portion where the adhesive residue was present with respect to the total area of the sealing layer and the lead frame surface, the adhesive residue was evaluated in six stages according to the following criteria. 5: 60 to 100% (the remaining adhesive layer is generally relatively thick) 4: 60-100% (remaining adhesive layer is generally relatively thin) 3: 30% or more and less than 60% 2: 10% or more and less than 30% 1: Over 1% and less than 10% 0: 0%
  • the above evaluation results are shown in Tables 3 and 4.
  • the temporary protective film of each example can be attached to the lead frame at room temperature, and can be easily peeled off from the lead frame and the sealing layer while suppressing adhesive residue after the sealing molding.
  • SYMBOLS 1 Support film, 2 ... Adhesive layer, 3 ... Non-adhesion layer, 10, 10 '... Temporary protective film, 11 ... Lead frame, 11a ... Die pad, 11b ... Inner lead, 12 ... Wire, 13 ... Sealing layer, 14 ... Semiconductor element, 20 ... Sealed molded body, 100 ... Semiconductor device.

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Abstract

支持フィルム１と、支持フィルム１上に設けられ、アクリルゴムを含有する接着層２と、を備える半導体封止成形用仮保護フィルム１０が開示される。半導体封止成形用仮保護フィルム１０の２００℃における固体せん断弾性率が、５．０ＭＰａ以上であってもよい。

Description

半導体封止成形用仮保護フィルム
　本発明は、半導体封止成形用仮保護フィルムに関する。本発明は、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護フィルム付き封止成形体及び半導体装置の製造方法にも関する。
　従来、ダイパッド上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子を接着し、これとリードフレームをワイヤで接合した後に、外部接続用のアウターリードを残して全体を封止する構造の半導体パッケージが用いられてきた。しかし、近年の半導体パッケージの高密度化、小面積化、薄型化等の要求の高まりに伴い、様々な構造の半導体パッケージが提案されている。このような半導体パッケージとして、パッケージの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面がむき出したリードフレームを外部接続用に用いる構造の半導体パッケージが開発されている（例えば、ＱＦＮ（ＱｕａｄＦｌａｔ Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ）パッケージ）。この構造の半導体パッケージでは、リードフレームが封止樹脂から突出していないため、小面積化及び薄型化が図れる。しかし、封止成形時にリードフレーム裏面に封止樹脂がまわり込む等の不具合が起きる場合がある。
　このような不具合を防ぐ方法として、リードフレーム裏面に半導体用接着フィルムを仮保護フィルムとして貼り付けてリードフレーム裏面を保護し、リードフレーム表面側に搭載された半導体素子を封止成形した後に、仮保護フィルムを引き剥がす方法が知られている（例えば、特許文献１）。
国際公開第２００１／０３５４６０号
　半導体封止成形に用いられる仮保護フィルムは、リードフレームに対して常温条件のような低温で貼り付けが可能で、かつ、封止後に簡易に剥離することが望ましい。しかし、例えば、特許文献１の半導体用接着フィルムは、リードフレームの裏面に貼り付けるために高温・高圧条件（例えば、２００～２５０℃、３～８ＭＰａ）を必要とし、常温条件（温度を意図的にかけない条件、例えば、２４℃）下での貼り付けは困難である。
　また、特許文献１の半導体用接着フィルムは、封止後の剥離のために加熱処理を行うことが好ましい。一方、常温での貼り付け性が比較的良好なフィルムの場合、封止後のリードフレーム及び封止材からの剥離の際、リードフレーム側に糊残りが発生する場合がある等、封止成形後の剥離性の点で改善の余地があった。
　そこで、本発明の目的は、リードフレームに常温で貼り付けできるとともに、封止成形後にリードフレーム及び封止層から糊残りを抑制しながら容易に剥離できる、半導体封止成形用仮保護フィルムを提供することにある。
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、特定の接着層を用いることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
　本発明の一側面は、支持フィルムと、上記支持フィルム上に設けられ、アクリルゴムを含有する接着層と、を備える、半導体封止成形用仮保護フィルムであって、上記仮保護フィルムの２００℃における固体せん断弾性率が、５．０ＭＰａ以上である、半導体封止成形用仮保護フィルムに関する。
　上記接着層は、剥離性付与剤を更に含有してもよい。上記剥離性付与剤の含有量は、上記アクリルゴム１００質量部に対して１０質量部以上６０質量部未満であってもよい。
　上記接着層の厚さが、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
　上記支持フィルムは、ポリイミドフィルムであってもよい。
　上記アクリルゴムは、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸、アクリロニトリル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、及び（メタ）アクリル酸グリシジルからなる群より選択される少なくとも１種の単量体単位を含む共重合体であってもよい。上記アクリルゴムの重量平均分子量は、４５００００以上９０００００以下であってもよい。
　上記接着層は、２４℃において感圧接着性を有していてよい。上記仮保護フィルムの５％重量減少温度は、３５０℃以上であってもよい。
　上記半導体封止成形用仮保護フィルムは、上記接着層の上記支持フィルムが設けられた面とは反対側の面上に設けられたカバーフィルムを更に備える、半導体封止成形用仮保護フィルムであってもよい。
　また本発明の一側面は、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームと、上記半導体封止成形用仮保護フィルムと、を備え、仮保護フィルムが、その接着層がリードフレームの片面に接するようにリードフレームに貼り付けられている、仮保護フィルム付きリードフレームに関する。
　また本発明の一側面は、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームと、ダイパッドに搭載された半導体素子と、半導体素子とインナーリードとを接続するワイヤと、半導体素子及びワイヤを封止している封止層と、上記半導体封止成形用仮保護フィルムと、を備え、仮保護フィルムが、その接着層がリードフレームの半導体素子が搭載されている面とは反対側の面に貼り付けられている、仮保護フィルム付き封止成形体に関する。
　また本発明の一側面は、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームの片面に、上記半導体封止成形用仮保護フィルムを、その接着層がリードフレームに接する向きで貼り付ける工程と、ダイパッドの仮保護フィルムとは反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子とインナーリードとを接続するワイヤを設ける工程と、半導体素子及びワイヤを封止する封止層を形成して、リードフレーム、半導体素子及び封止層を有する封止成形体を得る工程と、封止成形体から仮保護フィルムを剥離する工程と、をこの順に備える、半導体装置を製造する方法に関する。
　リードフレームが複数のダイパッドを有し、複数のダイパッドの各々に半導体素子が搭載される場合、上記半導体装置を製造する方法は、仮保護フィルムを封止成形体から剥離する前又は後に封止成形体を分割して、１個のダイパッド及び半導体素子を有する半導体装置を得る工程を更に備えていてよい。
　本発明によれば、リードフレームに常温で貼り付けできるとともに、封止成形後のリードフレーム及び封止材から剥離する際に糊残りを抑制しながら容易に剥離できる半導体封止成形用仮保護フィルムを提供することができる。
仮保護フィルムの一実施形態を示す断面図である。 仮保護フィルムの一実施形態を示す断面図である。 半導体装置の製造方法の一実施形態を説明する断面図である。 半導体装置の一実施形態を示す断面図である。
　以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本明細書に記載される数値範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。実施例に記載される数値も、数値範囲の上限値又は下限値として用いることができる。
　本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」を意味する。
＜仮保護フィルム＞
　図１は、一実施形態に係る仮保護フィルムを示す断面図である。図１に示す仮保護フィルム１０は、支持フィルム１と、支持フィルム１の片面上に設けられた接着層２と、から構成される。支持フィルム１の両面上に接着層が形成されていてもよい。図２も、一実施形態に係る仮保護フィルムを示す断面図である。図２の仮保護フィルム１０’は、支持フィルム１と、支持フィルム１の一方の主面上に設けられた接着層２と、支持フィルム１の他方の主面上に設けられた、実質的に接着性を有しない樹脂層（非接着層３）とを有する。これらの仮保護フィルムは、リードフレームに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の工程において、リードフレームの裏面（半導体素子が搭載される面とは反対側の面）に貼り付けることで、リードフレームを封止成形の間、仮保護するための半導体封止成形用仮保護フィルムとして用いることができる。
＜接着層＞
　接着層は、アクリルゴムを含有する。アクリルゴムは、一般に、（メタ）アクリル酸エステルを単量体単位として含む共重合体である。アクリルゴムは、例えば、（メタ）アクリル酸エステルと、（メタ）アクリル酸、芳香族ビニル化合物、シアン化ビニル化合物等の他の単量体とを含む単量体混合物の重合反応により得られる共重合体である。
　アクリルゴムを構成する（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸ブチル（例えば、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル）、（メタ）アクリル酸エチル、及び（メタ）アクリル酸メチルが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルは、例えば、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、及び（メタ）アクリル酸グリシジルのような、反応性の官能基を有する化合物であってもよい。ただし、アクリルゴムは、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸エチル及び（メタ）アクリル酸メチルからなる群から選択される少なくとも１種の（メタ）アクリル酸エステルを単量体単位の主成分として含む共重合体であってよい。この場合、アクリルゴムの側鎖に官能基が少ないため、熱処理による被着体表面との反応が抑制され、被着体からの接着層の剥離性がより良好なものとなる。また、直鎖の炭化水素基を有する単量体を単量体単位として含むアクリルゴムを用いると、接着層の被着体への濡れ広がり性が良好となる傾向がある。ここで、「主成分」とは、共重合体の全体質量に対して５０質量％以上を占める単量体単位をいう。
　アクリルゴムを構成する他の単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸、及びアクリロニトリルが挙げられる。
　アクリルゴムが、（メタ）アクリル酸及び（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチルからなる群より選択される少なくとも１種を単量体単位として含む場合、アクリルゴムは、カルボキシ基及び／又はヒドロキシ基を有してもよい。このカルボキシ基及び／又はヒドロキシ基を、後述の剥離性付与剤との反応に利用することができる。
　アクリルゴムのガラス転移温度（Ｔｇ）は、接着層の常温での貼り付け性を維持する観点から、－５０～４０℃、－４０℃～３０℃、又は－３０℃～２０℃であってよい。アクリルゴムのガラス転移温度が－５０℃以上である場合、熱処理により濡れ性が小さくなるため剥離性の低下が相対的に抑制される傾向がある。アクリルゴムのガラス転移温度が２０℃以下である場合は常温での貼り付け性の低減が相対的に抑制される傾向がある。ここで、アクリルゴムのガラス転移温度は、特に限定されないが、一般に示差走査熱量測定、示差熱測定、動的粘弾性測定、又は熱機械分析により測定される値を意味する。
　アクリルゴムが（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸エチル及び（メタ）アクリル酸メチルからなる群から選択される少なくとも１種の単量体単位を主成分とする共重合体であり、かつ、アクリルゴムのガラス転移温度が－３０℃～２０℃であってもよい。この場合、被着体への濡れ広がり性が良好になるとともに、接着性及び剥離性を特に高いレベルで両立することができる。
　アクリルゴムの重量平均分子量は、低アウトガス性及び凝集力保持の観点から、４０００００以上、４５００００以上、又は７０００００以上であってよい。アクリルゴムの重量平均分子量は、特に制限されないが、９０００００以下であってもよい。ここでのアクリルゴムの重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィーにより測定される値（標準ポリスチレンによる換算値）を意味する。
　アクリルゴムは、市販品として入手したものを用いてもよい。アクリルゴムの市販品としては、例えば、ＨＴＲ－２８０　ＤＲ（ナガセケムテックス株式会社製、重量平均分子量８０万～９０万）、ＷＳ－０２３　ＥＫ３０（ナガセケムテックス株式会社製、重量平均分子量４５万～５０万）が挙げられる。これらのアクリルゴムは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　接着層におけるアクリルゴムの含有量は、接着層の質量を基準として、５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、又は８０質量％以上であってもよく、１００質量％以下であってもよい。
　アクリルゴムを含有する接着層は、常温での良好な貼り付け性を有することができる。言い換えると、接着層は、温度を意図的にかけず、例えば、２４℃において感圧接着性を有することができる。「２４℃において感圧接着性を有する」とは、温度を意図的にかけず、例えば、温度２４℃の条件下、２０Ｎの荷重で接着層（４０ｍｍ×１６０ｍｍサイズ）とリードフレーム（５０ｍｍ×１５７ｍｍサイズ）とを圧着した場合に、接着層のリードフレームに対する接着力が５Ｎ／ｍ以上であることを意味する。なお、当該接着力は、後述の実施例に記載の方法に準じて測定することができる。
　仮保護フィルムの２００℃における固体せん断弾性率（以下、単に「固体せん断弾性率」ともいう。）は、５．０ＭＰａ以上である。仮保護フィルムの２００℃における固体せん断弾性率は、６ＭＰａ以上、８ＭＰａ以上、又は１０ＭＰａ以上であってもよく、２５ＭＰａ以下、又は２０ＭＰａ以下であってもよい。仮保護フィルムの固体せん断弾性率がこれらの範囲内であることにより、封止成形後のリードフレーム及び封止層に対する糊残りがより一層抑制される。
　ここでの固体せん断弾性率は、５ｍｍ×８ｍｍサイズを有する仮保護フィルムの試験片を固体せん断測定ジグにセットし、動的粘弾性測定装置（例えば、株式会社ユービーエム製、Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００）を用いて、正弦波、３０～２５０℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数４００Ｈｚの条件で測定される値を意味する。試験片として、支持フィルム及び接着層からなる積層体が用いられる。
　ここで、半導体装置の製造において、ワイヤボンド工程は、例えば、２００～２７０℃で３～６０分加熱しながら超音波と押し付け圧力とを利用する条件で行われる。このような条件のワイヤボンド工程において、接着層が軟らかくなるために、ワイヤが正確に配置できないという不具合が生じる場合がある。また、接着層の熱分解により生じるアウトガスが半導体素子及びインナーリード面を汚染するという不具合が生じることもある。仮保護フィルムの固体せん断弾性率が上述の範囲内である場合、ワイヤボンド工程におけるこれらの不具合もより一層抑制される。
　接着層の厚さ（膜厚）が薄いほど、固体せん断弾性率が高くなる傾向がある。例えば、アクリルゴムを含有する接着層に関して、厚さを１～５μｍの範囲で調節することによって、仮保護フィルムの２００℃における固体せん断弾性率を容易に５．０ＭＰａ以上とすることができる。
　接着層の厚さは、ワイヤボンディング時の不具合（例えば、ワイヤの未接着、ワイヤ切れ、ワイヤの接着強度不足）を抑制又は防止する観点から、５μｍ以下、又は３μｍ以下であってよい。同様の観点から、接着層の厚さ（膜厚）は、１μｍ以上であってよく、２μｍ以上であってもよい。
　接着層は、剥離性付与剤を更に含有してもよい。剥離性付与剤とは、封止成形後の接着層のリードフレーム及び／又は封止層に対する接着力を、接着層がそれを含有しない場合と比較して低下させる成分である。
　剥離性付与剤としては、脂肪族化合物を用いることができる。脂肪族化合物とは、直鎖状、分岐状、又は脂環式の炭化水素基を有する化合物である。脂肪族化合物は、エポキシ基及びヒドロキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の官能基を有していてもよく、エポキシ基を有していてもよい。言い変えると、剥離性付与剤は、脂肪族エポキシ樹脂であってもよい。また、脂肪族化合物は、水溶性であってもよい。以上の観点から、剥離性付与剤は、側鎖（枝分かれ）を有していてもよい炭素数２以上の主鎖を含む炭化水素基と、主鎖の末端に結合したエポキシ基と、を有する脂肪族エポキシ樹脂を含んでいてもよい。具体的には、剥離性付与剤は、（ポリ）エチレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル及びグリセロールポリグリシジルエーテルからなる群より選択される少なくとも１種の脂肪族化合物（又は脂肪族エポキシ樹脂）を含んでいてもよい。これらの脂肪族化合物は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよいが、糊残りをより抑制する観点からは、２種以上を併用してよい。
　アクリルゴムが単量体単位として（メタ）アクリル酸及びアクリル酸２－ヒドロキシエチルからなる群より選択される少なくとも１種を含み、かつ剥離性付与剤としてエポキシ基を有する脂肪族化合物を用いた場合、リードフレーム及び封止層からの剥離性がより一層良好なものになるとともに、接着層がリードフレーム及び封止層上に残留した場合の洗浄処理がより一層効率的になる。これは、剥離性付与剤のエポキシ基と、アクリルゴムの側鎖のヒドロキシ基及び／又はカルボキシ基との反応により、アクリルゴムに比べ元々は低分子量体であり、かつ溶解性のある剥離性付与剤をきっかけにして洗浄性が増すことによるものと推測される。
　剥離性付与剤の含有量は、アクリルゴム１００質量部に対して、６質量部以上、又は１０質量部以上であってもよく、６０質量部未満、５０質量部以下、又は３０質量部以下であってもよい。剥離性付与剤の含有量が６０質量部未満である場合、接着層と、支持フィルムとの密着性の低下が抑制され、接着層が剥離しにくくなる傾向がある。剥離性付与剤の含有量が、６質量部以上である場合、十分な剥離性及び洗浄性の確保がより容易になる傾向がある。
　接着層は、必要に応じて、他の成分を更に含有してもよい。他の成分としては、例えば、アミノアルキド樹脂、脂肪酸が挙げられる。
　接着層のリードフレーム及び封止層に対する接着力は、封止成形後に４５０Ｎ／ｍ以下であってもよく、３００Ｎ／ｍ以下であってもよい。封止成形後のリードフレーム及び封止層に対する接着力は、後述の実施例の記載の方法に準じて測定することができる。
　仮保護フィルムの５％重量減少温度は３５０℃以上であってもよい。これにより、アウトガス量が減少し、ワイヤボンド性がより一層良好なものとなる。仮保護フィルムの５％重量減少温度は５００℃以下であってよく、４５０℃以下であってもよい。５％重量減少温度は、示差熱天秤（例えば、セイコーインスツル株式会社製、ＳＳＣ５２００型）を用いて、昇温速度１０℃／分、空気雰囲気下の条件で測定することができる。
＜支持フィルム＞
　支持フィルムは、特に制限されないが、耐熱性樹脂フィルムであってもよい。支持フィルムとして耐熱性樹脂フィルムを用いる場合、高温条件（例えば、２００℃以上）であっても、支持フィルムが軟化せず、作業性がより一層優れたものとなる。具体的には、支持フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）が、耐熱性向上の観点から、２００℃以上、又は２５０℃以上であってもよい。
　支持フィルムを構成する耐熱性樹脂としては、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート等が挙げられる。
　支持フィルムは、耐熱性を有し、かつ接着層に対する密着性をより向上することができる点から、ポリイミドフィルムであってもよい。支持フィルムとしてポリイミドフィルムを用いる場合、ポリイミドフィルムは、プラズマ処理、コロナ処理、プライマー処理等の高密着処理されていてもよい。支持フィルムの接着層に対する密着性が低い場合、リードフレーム及び封止層から仮保護フィルムを引き剥がした際、接着層と支持フィルムとの界面で剥離が生じて、リードフレーム及び封止層側に接着層が残留しやすい。よって、支持フィルムは、接着層に対する密着性が十分に高いことが好ましい。
　支持フィルムの厚さ（膜厚）は、特に制限されないが、仮保護フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反り等に関わる残存応力を低減する観点から、１００μｍ以下、５０μｍ以下、又は２５μｍ以下であってもよい。支持フィルムの厚さは、５μｍ以上、又は１０μｍ以上であってもよい。
　一実施形態に係る仮保護フィルムにおいて、支持フィルムの厚さは、５μｍ以上５０μｍ以下であり、接着層の厚さが、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
＜カバーフィルム＞
　上記半導体封止成形用仮保護フィルムは、上記接着層の上記支持フィルムが設けられた面とは反対側の面上に設けられたカバーフィルムを備えていてよい。つまり、上記半導体封止成形用仮保護フィルムは、カバーフィルム付き半導体封止成形用仮保護フィルムの形態であってもよい。上記カバーフィルムは、特に制限はないが、ポリエチレンテレタレートフィルムであってもよく、剥離層を設けたポリエチレンテレフタレートフィルムであってもよい。
　上記カバーフィルムの厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下、又は２０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
　図２の実施形態に係る仮保護フィルム１０’が有する非接着層３は、リードフレームに対する接着性（又は感圧接着性）を０～２７０℃において実質的に有しない樹脂層である。例えば、高いガラス転移温度を有する樹脂層が、非接着層として機能することができる。具体的には、非接着層は、例えば、ポリアミドイミドを含む樹脂層であってもよい。非接着層の厚さは、特に制限されないが、例えば、１～１０μｍであってもよい。
＜仮保護フィルムの製造方法＞
　一実施形態に係る仮保護フィルムは、例えば、以下の方法により製造することができる。まず、アクリルゴムと、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン等の溶剤と、必要に応じて剥離性付与剤等の他の成分と、を混合し、ワニスを作製する。作製したワニスを支持フィルムの片面に塗布した後、加熱処理により塗膜から溶剤を除去して、支持フィルム上に接着層を形成する。これにより、二層構造の仮保護フィルムを得ることができる。
　ワニスを支持フィルムの片面に塗布する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート、ダイコート、減圧ダイコートを用いることができる。
＜半導体装置の製造方法＞
　一実施形態に係る仮保護フィルムを用いた半導体素子の封止成形工程を含む方法によって、半導体装置を製造することができる。製造される半導体装置は、例えば、リードフレーム及びこれに搭載された半導体素子と、リードフレームの半導体素子側で半導体素子を封止する封止層とを有し、リードフレームの裏面が外部接続用に露出している、Ｎｏｎ　Ｌｅａｄ　Ｔｙｐｅ　Ｐａｃｋａｇｅであってもよい。その具体例としては、ＱＦＮ（ＱｕａｄＦｌａｔ　Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ　Ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。
　図３は、一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図４は、図３の製造方法によって得られる半導体装置の一実施形態を示す断面図である。以下、必要に応じて各図面を参照して、各工程を説明する。
　図３の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ダイパッド１１ａ及びインナーリード１１ｂを有するリードフレーム１１の片面（裏面）に仮保護フィルム１０を、その接着層がリードフレームに接する向きで貼り付ける工程と、ダイパッド１１ａの仮保護フィルム１０とは反対側の面上に半導体素子１４を搭載（接着）する工程と、半導体素子１４とインナーリード１１ｂとを接続するワイヤ１２を設ける工程と、半導体素子１４及びワイヤ１２を封止する封止層１３を形成して、リードフレーム１１、半導体素子１４及び封止層１３を有する封止成形体２０を得る工程と、封止成形体２０から仮保護フィルム１０を剥離する工程と、をこの順に備える。
　リードフレーム１１への仮保護フィルム１０の貼り付けは、常温（例えば、５～３５℃）で行うことができる。貼り付けの方法は、特に制限されないが、例えば、ロールラミネート法であってもよい。
　一実施形態に係る仮保護フィルム付きリードフレームは、ダイパッド１１ａ及びインナーリード１１ｂを有するリードフレーム１１と、仮保護フィルム１０と、を備え、仮保護フィルム１０が、その接着層２がリードフレーム１１の片面に接するようにリードフレーム１１に貼り付けられている。
　リードフレーム１１の材質は、特に制限されないが、例えば、４２アロイ等の鉄系合金、銅、又は銅系合金であってもよい。銅及び銅系合金のリードフレームを用いる場合、リードフレームの表面に、パラジウム、金、銀等の被覆処理を施してもよい。封止材との密着力を向上させるため、リードフレーム表面を、物理的に粗化処理してもよい。銀ペーストのブリードアウトを防止するエポキシブリードアウト（ＥＢＯ）防止処理等の化学的処理をリードフレーム表面に施してもよい。
　半導体素子１４は、通常、接着剤（例えば、銀ペースト）を介してダイパッド１１ａに搭載（接着）される。加熱処理（例えば、１４０～２００℃、３０分～２時間）によって、接着剤を硬化させてもよい。
　ワイヤ１２は、特に制限されないが、例えば、金線、銅線、又はパラジウム被覆銅線であってもよい。例えば、２００～２７０℃で３～６０分加熱して超音波と押し付け圧力を利用して、半導体素子及びインナーリードをワイヤ１２と接合してもよい。
　ワイヤ１２によるワイヤボンディングの後、封止成形体２０を得る（封止層１３を形成する）封止成形の工程の前に、リードフレーム１１にプラズマ処理を施してもよい。プラズマ処理により、封止層とリードフレームとの密着性をより高め、半導体装置の信頼性をより向上させることができる。プラズマ処理としては、例えば、減圧条件（例えば、９．３３Ｐａ以下）で、アルゴン、窒素、酸素等のガスを所定のガス流量で注入して、プラズマ照射する方法が挙げられる。プラズマ処理におけるプラズマの照射出力は、例えば、１０～５００Ｗであってもよい。また、プラズマ処理の時間は、例えば、５～５０秒間であってもよい。プラズマ処理におけるガス流量は、５～５０ｓｃｃｍであってもよい。
　封止成形の工程では、封止材を用いて封止層１３が形成される。封止成形によって、複数の半導体素子１４及びそれらを一括して封止する封止層１３を有する封止成形体２０が得られる。封止成形の間、仮保護フィルム１０が設けられていることにより、封止材がリードフレーム１１の裏面側に回り込むことが抑制される。
　一実施形態に係る仮保護フィルム付き封止成形体は、ダイパッド１１ａ及びインナーリード１１ｂを有するリードフレーム１１と、ダイパッド１１ａに搭載された半導体素子１４と、半導体素子１４とインナーリード１１ｂとを接続するワイヤ１２と、半導体素子１４及びワイヤ１２を封止している封止層１３と、仮保護フィルム１０と、を備え、仮保護フィルム１０が、その接着層２がリードフレーム１１の半導体素子１４が搭載されている面とは反対側の面に貼り付けられている。
　封止層を形成する間の温度（封止温度）は、１４０～２００℃であってもよく、１６０～１８０℃であってもよい。封止層を形成する間の圧力（封止圧力）は、６～１５ＭＰａであってもよく、７～１０ＭＰａであってもよい。封止成形における加熱時間（封止時間）は、１～５分であってもよく、２～３分であってもよい。
　形成された封止層１３を必要に応じて加熱硬化させてもよい。封止層の硬化のための加熱温度（封止硬化温度）は、１５０～２００℃であってもよく、１６０～１８０℃であってもよい。封止層の硬化のための加熱時間（封止硬化時間）は、４～７時間であってもよく、５～６時間であってもよい。
　封止材の材質は特に制限されないが、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が挙げられる。封止材には、例えば、フィラー、ブロム化合物等の難燃性物質、ワックス成分等の添加材が添加されていてもよい。
　封止層１３の形成（封止成形）の後、得られた封止成形体２０のリードフレーム１１及び封止層１３から、仮保護フィルム１０が剥離される。封止層を硬化する場合、仮保護フィルム１０を、封止層の硬化の前又は後のいずれの時点で剥離してもよい。
　仮保護フィルムを剥離する際の温度は、特に制限されないが、常温（例えば、５～３５℃）であってもよい。この温度は、接着層のガラス転移温度以上であってもよい。この場合、仮保護フィルムの、リードフレーム及び封止材に対する剥離性がより一層良好なものとなる。接着層中のアクリルゴムのＴｇが例えば、５℃以下、又は０℃以下であると、接着層のＴｇが常温と同等以下になって、常温での良好な剥離性が得られ易い。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、剥離工程後にリードフレーム１１及び封止層１３上に残留した接着層（糊残り）を除去する工程を更に含んでいてもよい。この場合、例えば、溶剤を用いて残留した接着層を除去することができる。溶剤としては、例えば、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、水を用いることができる。溶剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。溶剤に界面活性剤が添加されていてもよい。溶剤が水を含有する場合、溶剤は、アルカリ性に調整された溶液（アルカリ性溶液）であってよい。アルカリ性溶液のｐＨは、１０以上、又は１２以上であってよい。溶剤による除去とともに、必要に応じて、機械的ブラッシングを行ってもよい。また、封止層のバリ及び酸化膜を除去してもよい。
　リードフレームがダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンを含む場合、必要に応じて、封止成形体２０を分割して、それぞれ１個の半導体素子を有する図４の半導体装置１００を複数得ることができる。
　すなわち、リードフレーム１１が複数のダイパッド１１ａを有し、複数のダイパッド１１ａの各々に半導体素子１４が搭載される場合、一実施形態に係る製造方法は、仮保護フィルム１０を封止成形体２０から剥離する前又は後に封止成形体２０を分割して、１個のダイパッド１１ａ及び半導体素子１４を有する半導体装置１００を得る工程を更に備えていてよい。
　一実施形態に係る仮保護フィルムを用いて製造される半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化等の点で優れており、例えば、携帯電話、スマートフォン、パソコン、タブレット等の電子機器に好適に利用することができる。
　以下に、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
＜実施例１～１５及び比較例１～４の仮保護フィルムの製造＞
（塗工用ワニスの作製）
　表１又は表２に示す組成（単位：質量部）を有する樹脂組成物に、溶剤としてシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、不揮発分１２質量％のワニスＡ～Ｏを得た。表に示すアクリルゴム及び剥離性付与剤の詳細は以下のとおりである。
アクリルゴム
・アクリルゴムＡｉ（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＷＳ－０２３　ＥＫ３０、重量平均分子量：５０万）
・アクリルゴムＡｉｉ（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＨＴＲ－２８０　ＤＲ、重量平均分子量：９０万）
・剥離性付与剤Ｂｉ（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＥＸ－６１４Ｂ、ソルビトールポリグリシジルエーテル、エポキシ当量：１７４）
・剥離性付与剤Ｂｉｉ（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＥＸ－８１０、エチレングリコールジグリシジルエーテル、エポキシ当量：１１３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
（仮保護フィルムの作製）
実施例１～１３
　得られたワニスＡ～Ｍをそれぞれ支持フィルム（ポリイミドフィルム、宇部興産株式会社製、商品名：ＵＰＩＬＥＸ２５ＳＧＡ、膜厚：２５μｍ）上に塗布した。塗膜を９０℃で２分間、及び１５０℃で２分間加熱することによって乾燥し、支持フィルム上に厚さ２μｍの接着層を形成し、実施例１～１３の仮保護フィルムを得た。実施例１～１３の各仮保護フィルムにおいて、２００℃における固体せん断弾性率を下記の方法で測定した。結果を表３に示した。
固体せん断弾性率の測定方法
　仮保護フィルムを５ｍｍ×８ｍｍサイズに切って得た試験片を固体せん断測定ジグにセットし、動的粘弾性測定装置（株式会社ユービーエム製、Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００）を用いて、正弦波、３０～２５０℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数４００Ｈｚの条件で固体せん断弾性率を測定した。なお、入力厚みは０．１ｍｍで固定し、歪み制御１．９５μｍ、１．９５％とした。測定結果から、２００℃における固体せん断弾性率を読み取った。
実施例１４
　接着層の厚さを１μｍとすること以外は実施例１と同様にして、実施例１４の仮保護フィルムを得た。仮保護フィルムの２００℃における固体せん断弾性率は８．２ＭＰａであった。
実施例１５
　接着層の厚さを５μｍとすること以外は実施例１と同様にして、実施例１５の仮保護フィルムを得た。仮保護フィルムの２００℃における固体せん断弾性率は５．７ＭＰａであった。
比較例１
　接着層の厚さを６μｍとすること以外は実施例１と同様にして、比較例１の仮保護フィルムを得た。仮保護フィルムの２００℃における固体せん断弾性率は４．０ＭＰａであった。
比較例２
　接着層の厚さを８μｍとすること以外は実施例１と同様にして、比較例２の仮保護フィルムを得た。仮保護フィルムの２００℃における固体せん断弾性率は３．１ＭＰａであった。
比較例３
　接着層の厚さを１０μｍとすること以外は実施例１と同様にして、比較例３の仮保護フィルムを得た。仮保護フィルムの２００℃における固体せん断弾性率は１．８ＭＰａであった。
比較例４
　ワニスＯを支持フィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトン１００ＥＮ、膜厚：２５μｍ）上に塗布した。塗膜を９０℃で２分間、及び１５０℃で２分間加熱することによって乾燥し、支持フィルム上に厚さ５μｍの接着層を形成し、比較例４の仮保護フィルムを得た。仮保護フィルムの２００℃における固体せん断弾性率は３．２ＭＰａであった。
＜比較例５の仮保護フィルムの製造＞
（塗工用ワニスの作製）
　温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２７０．９ｇ（０．６６モル）、１，３－ビス（３－アミノプロピル）－テトラメチルジシロキサン８．７ｇ（０．０３５ モル）を入れ、これらをＮ－メチル－２－ピロリドン１９５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１４９．５ｇ（０．７１モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解した後、トリエチルアミン１００ｇを添加した。室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間の反応によりイミド化を完結させた。反応液をメタノール中に投入して重合体を単離した。これを乾燥した後、Ｎ－メチル－２－ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。単離した重合体を減圧乾燥して精製された粉末状のポリエーテルアミドイミドを得た。このポリエーテルアミドイミド１２０ｇとシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）３．６ｇをＮ－メチル－２－ピロリドン３６０ｇに溶解し、接着層形成用のワニスＰを得た。
　温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１７２．４ｇ（０．４２モル）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジイソプロピルアニリン）１５３．７ｇ（０．４２モル）を入れ、これらをＮ－メチル－２－ピロリドン１５５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃ に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１７４．７ｇ（０．８３モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解した後、トリエチルアミン１３０ｇを添加した。室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間の反応によりイミド化を完結させた。反応液をメタノール中に投入して重合体を単離した。これを乾燥した後、Ｎ－メチル－２－ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。単離した重合体を減圧乾燥して精製された粉末状のポリエーテルアミドイミドを得た。このポリエーテルアミドイミド１２０ｇとシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）６ｇをＮ－メチル－２－ピロリドン３６０ｇに溶解し、非接着層形成用のワニスＱを得た。
（仮保護フィルムの作製）
　ワニスＰを支持フィルム（ポリイミドフィルム、宇部興産株式会社製、商品名：ＵＰＩＬＥＸ２５ＳＧＡ、膜厚：２５μｍ）上に塗布し、１００℃、１０分間及び３００℃、１０分間の加熱により乾燥して、膜厚が８μｍの接着層を形成した。次に接着剤ワニスを塗布した支持フィルムの裏面にワニスＱを塗布し、１００℃、１０分間及び３００℃、１０分間の加熱により乾燥して、膜厚が６μｍの非接着層を形成した。これにより、接着層及び非接着層を有する比較例５の仮保護フィルムを得た。仮保護フィルムの固体せん断弾性率は２１．０ＭＰａであった。
＜評価＞
（接着層の接着力）
（１）常温貼り付け後（常温での貼り付け性）
　リードフレームとして、ＣＤＡ１９４フレーム（Ｃｕ、新光電気工業株式会社製）、及びＣＤＡ１９４パラジウムメッキフレーム（ＰＰＦ、新光電気工業株式会社製）を準備した。これらリードフレーム（５０ｍｍ×１５７ｍｍサイズ）に、ハンドローラーを用いて、実施例及び比較例の各仮保護フィルムを、接着層（４０ｍｍ×１６０ｍｍサイズ）がリードフレームに接する向きで、常温（２４℃）、荷重２０Ｎの条件で貼り付けた。その後、フォースゲージにて１８０°方向に５０ｍｍ／分の速度で各仮保護フィルムを引き剥がし、そのときの荷重の最大値を接着力として記録した。これにより、各仮保護フィルムの常温での貼り付け性（感圧接着性）を評価した。
　ただし、比較例５の仮保護フィルムの場合、接着層の常温での貼り付け性が弱かったため、２３０℃に加熱されたプレス機を用いて、テープにかかる圧力を６ＭＰａとし、１０秒間加圧することで接着層をリードフレームに貼り付けた（以下の接着力測定でも同様）。
（２）加熱処理後（加熱処理後の剥離性評価）
　リードフレームとして、ＣＤＡ１９４フレーム（Ｃｕ、新光電気工業株式会社製）、及びＣＤＡ１９４パラジウムメッキフレーム（ＰＰＦ、新光電気工業株式会社製）を準備した。これらリードフレーム（５０ｍｍ×１５７ｍｍサイズ）に、ハンドローラーを用いて、実施例及び比較例の各仮保護フィルムを、接着層（４０ｍｍ×１６０ｍｍサイズ）がリードフレームに接する向きで、常温（２４℃）、荷重２０Ｎの条件で貼り付けた。その後、リードフレーム及び仮保護フィルムを、空気雰囲気下、オーブン内で、１８０℃で６０分間、２００℃で６０分間、１７５℃で２分間の順で条件を変更しながら加熱した。その後、フォースゲージにて１８０°方向に５０ｍｍ／分の速度で各仮保護フィルムを引き剥がし、そのときの荷重の最大値を接着力として記録した。これにより、各仮保護フィルムの、封止成形に相当する条件における加熱処理後のリードフレームからの剥離性を評価した。
（３）封止成形後（封止成形後の剥離性評価）
　リードフレームとして、ＣＤＡ１９４フレーム（Ｃｕ、新光電気工業株式会社製）を準備した。上記リードフレーム（５０ｍｍ×１５７ｍｍサイズ）に、ハンドローラーを用いて、実施例及び比較例の各仮保護フィルムを、接着層（４０ｍｍ×１６０ｍｍサイズ）がリードフレームに接する向きで、常温（２４℃）、荷重２０Ｎの条件で貼り付けた。その後、リードフレーム及び仮保護フィルムを、空気雰囲気下、オーブン内で、１８０℃で６０分間、２００℃で６０分間の順で条件を変えながら加熱した。
次いで、リードフレームの仮保護フィルムとは反対側の面上にプラズマ処理をアルゴンガス雰囲気下（流量：２０ｓｃｃｍ）、１５０Ｗ、１５秒の条件で行った。その後、モールド成形機（アピックヤマダ株式会社製）を用いて１７５℃、６．８ＭＰａ、２分間の条件で封止成形を行い、リードフレームの仮保護フィルムとは反対側の面上に封止材（商品名：ＧＥ－７４７０Ｌ－Ａ、日立化成株式会社製）により封止層を形成した。
その後フォースゲージにて１８０°方向に５０ｍｍ／分の速度で各仮保護フィルムを引き剥がし、接着層が封止層から引き剥がされるときの荷重の最大値を、封止成形後の封止層に対する接着力として記録した。これにより、各仮保護フィルムの封止成形後の封止層からの剥離性を評価した。
（４）封止層硬化後（封止層硬化後の剥離性評価）
　リードフレームとして、ＣＤＡ１９４フレーム（Ｃｕ、新光電気工業株式会社製）、及びＣＤＡ１９４パラジウムメッキフレーム（ＰＰＦ、新光電気工業株式会社製）を準備した。これらリードフレーム（５０ｍｍ×１５７ｍｍサイズ）に、ハンドローラーを用いて、実施例及び比較例の各仮保護フィルムを、接着層（４０ｍｍ×１６０ｍｍサイズ）がリードフレームに接する向きで、常温（２４℃）、荷重２０Ｎの条件で貼り付けた。その後、リードフレーム及び仮保護フィルムを空気雰囲気下、オーブン内で、１８０℃で６０分間、２００℃で６０分間の順で条件を変えながら加熱した。リードフレームの仮保護フィルムとは反対側の面上に、プラズマ処理をアルゴンガス雰囲気下（流量：２０ｓｃｃｍ）、１５０Ｗ、１５秒の条件で行った。次いで、モールド成形機（アピックヤマダ株式会社製）を用いて、１７５℃、６．８ＭＰａ、２分間の条件で封止成形を行い、リードフレームの仮保護フィルムとは反対側の面上に封止材（商品名：ＧＥ－７４７０Ｌ－Ａ、日立化成株式会社製）により封止層を形成した。さらに、オーブン中、空気雰囲気下で１８０℃、５時間の加熱により、封止層を硬化させた。加熱後、フォースゲージにて１８０°方向に５０ｍｍ／分の速度で各仮保護フィルムを引き剥がし、接着層がリードフレーム又は封止層から引き剥がされるときの荷重の最大値を、封止成形後のリードフレーム又は封止層に対する接着力としてそれぞれ記録した。これにより、各仮保護フィルムの封止層硬化後の剥離性を評価した。
（５）糊残り
　ＣＤＡ１９４フレーム（リードフレーム、新光電気工業株式会社製）に、実施例及び比較例の仮保護フィルムを、接着層がリードフレームに接する向きで、常温（２４℃）、荷重２０Ｎの条件で貼りつけた。リードフレーム及び仮保護フィルムを、空気雰囲気下、オーブン内で、１８０℃で６０分間、２００℃で６０分の順で条件を変更しながら加熱した。リードフレームの仮保護フィルムとは反対側の面上にプラズマ処理をアルゴンガス雰囲気下（流量：２０ｓｃｃｍ）、１５０Ｗ、１５秒の条件で行った。
モールド成形機（アピックヤマダ株式会社製）を用いて、１７５℃、６．８ＭＰａ、２分間の条件で封止成形を行い、リードフレームの仮保護フィルムとは反対側の面上に封止材（商品名：ＧＥ－７４７０Ｌ－Ａ、日立化成株式会社製）により封止層を形成した。
その後１８０°方向に５０ｍｍ／分の速度で各仮保護フィルムを引き剥がし、引き剥がした後の封止層及びリードフレーム上の糊残りの状態を確認した。封止層及びリードフレームの表面を合わせた全体の面積に対する、糊残りがあった部分の面積割合に基づいて、以下の基準で６段階で糊残りを評価した。
　５：６０～１００％（残っている接着層が全般に比較的厚い）
　４：６０～１００％（残っている接着層が全般に比較的薄い）
　３：３０％以上６０％未満
　２：１０％以上３０％未満
　１：０％超１０％未満
　０：０％
（６）５％重量減少温度
　実施例及び比較例の各仮保護フィルムの５％重量減少温度を、示差熱天秤（セイコーインスツル株式会社製、ＳＳＣ５２００型）を用いて、空気雰囲気下、昇温速度１０℃／分の条件で測定した。
　以上の評価結果を表３及び表４に示す。各実施例の仮保護フィルムは、リードフレームに常温で貼り付けが可能であり、かつ、封止成形後、糊残りを抑制しながらリードフレーム及び封止層から容易に剥離することができた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　１…支持フィルム、２…接着層、３…非接着層、１０,１０’…仮保護フィルム、１１…リードフレーム、１１ａ…ダイパッド、１１ｂ…インナーリード、１２…ワイヤ、１３…封止層、１４…半導体素子、２０…封止成形体、１００…半導体装置。

Claims (14)

  1. 　支持フィルムと、前記支持フィルム上に設けられ、アクリルゴムを含有する接着層と、を備える、半導体封止成形用仮保護フィルムであって、
    　前記仮保護フィルムの２００℃における固体せん断弾性率が、５．０ＭＰａ以上である、半導体封止成形用仮保護フィルム。
  2. 　前記接着層が、剥離性付与剤を更に含有する、請求項１に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  3. 　前記剥離性付与剤の含有量が、前記アクリルゴム１００質量部に対して６質量部以上６０質量部未満である、請求項２に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  4. 　前記接着層の厚さが、１μｍ以上５μｍ以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  5. 　前記支持フィルムが、ポリイミドフィルムである、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  6. 　前記アクリルゴムが、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸、アクリロニトリル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル及び（メタ）アクリル酸グリシジルからなる群より選択される少なくとも１種の単量体単位を含む共重合体である、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  7. 　前記アクリルゴムの重量平均分子量が、４５００００以上９０００００以下である、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  8. 　前記接着層が、２４℃において感圧接着性を有する、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  9. 　前記仮保護フィルムの５％重量減少温度が、３５０℃以上である、請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  10. 　前記接着層の前記支持フィルムが設けられた面とは反対側の面上に設けられたカバーフィルムを更に備える、請求項１～９のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  11. 　ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームと、
    　請求項１～１０のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルムと、
    を備え、
    　前記仮保護フィルムが、その接着層が前記リードフレームの片面に接するように前記リードフレームに貼り付けられている、仮保護フィルム付きリードフレーム。
  12. 　ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームと、
    　前記ダイパッドに搭載された半導体素子と、
    　前記半導体素子と前記インナーリードとを接続するワイヤと、
    　前記半導体素子及び前記ワイヤを封止している封止層と、
    　請求項１～１０のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルムと、
    を備え、
    　前記仮保護フィルムが、その接着層が前記リードフレームの前記半導体素子が搭載されている面とは反対側の面に貼り付けられている、仮保護フィルム付き封止成形体。
  13. 　ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームの片面に、請求項１～１０のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルムを、その接着層が前記リードフレームに接する向きで貼り付ける工程と、
    　前記ダイパッドの前記仮保護フィルムとは反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、
    　前記半導体素子と前記インナーリードとを接続するワイヤを設ける工程と、
    　前記半導体素子及び前記ワイヤを封止する封止層を形成して、前記リードフレーム、前記半導体素子及び前記封止層を有する封止成形体を得る工程と、
    　前記封止成形体から前記仮保護フィルムを剥離する工程と、
    をこの順に備える、半導体装置を製造する方法。
  14. 　前記リードフレームが複数の前記ダイパッドを有し、前記複数のダイパッドの各々に前記半導体素子が搭載され、
    　当該方法が、前記仮保護フィルムを前記封止成形体から剥離する前又は後に前記封止成形体を分割して、１個の前記ダイパッド及び前記半導体素子を有する半導体装置を得る工程を更に備える、請求項１３に記載の方法。
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