WO2021206069A1 - 半導体封止成形用仮保護フィルム及びその製造方法、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護された封止成形体、並びに、半導体パッケージを製造する方法 - Google Patents

半導体封止成形用仮保護フィルム及びその製造方法、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護された封止成形体、並びに、半導体パッケージを製造する方法 Download PDF

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lead frame
temporary protective
adhesive layer
sealing
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孝博 黒田
直己 友利
友宏 名児耶
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昭和電工マテリアルズ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a temporary protective film for semiconductor encapsulation molding and a method for manufacturing the same, a lead frame with a temporary protective film, a temporarily protected encapsulation molded product, and a method for manufacturing a semiconductor package.
  • Patent Documents 1 and 2 a structure in which a sealing layer is formed only on the semiconductor element side of the lead frame and the back surface of the lead frame is exposed may be adopted (Patent Documents 1 and 2).
  • the back surface of the lead frame may be temporarily protected by attaching a temporary protective film. The temporary protective film is peeled off from the lead frame after the sealing layer is formed.
  • the assembly process for manufacturing a semiconductor package may require heating at a high temperature of up to about 400 ° C for reflow connection or the like.
  • a high temperature of up to about 400 ° C for reflow connection or the like.
  • the temporary protective film attached to the lead frame receives a heat history at such a high temperature, the temporary protective film and the lead frame and the sealing layer are firmly adhered to each other, and the temporary protective film is peeled off from the lead frame. In some cases, it was not possible to remove the lead frame cleanly without leaving a residue.
  • the present disclosure is a temporary protective film for semiconductor encapsulation molding that can be attached to a lead frame with an appropriate adhesive force and can be easily peeled off after receiving a heat history of a high temperature of about 400 ° C. Regarding.
  • One aspect of the present disclosure provides a temporary protective film including a support film and an adhesive layer provided on one or both sides of the support film.
  • This temporary protective film is used to temporarily protect the surface of the lead frame opposite to the semiconductor element during sealing molding to form a sealing layer for sealing the semiconductor element mounted on the die pad of the lead frame. Used for.
  • one aspect of the present disclosure is that during the sealing molding of the temporary protective film to form a sealing layer that seals the semiconductor element mounted on the die pad of the lead frame, the semiconductor element of the lead frame An application is provided to provide temporary protection for the opposite surface.
  • the adhesive layer is a sticker made of the copper plate and the temporary protective film for semiconductor encapsulation by attaching the temporary protective film for semiconductor encapsulation molding to the surface of the copper plate in a direction in which the adhesive layer is in contact with the copper plate.
  • the ratio of oxygen atoms on the surface of the copper plate after heating the patch at 180 ° C. for 1 hour is X1, and then the patch is further heated at 400 ° C. for 2 minutes for heat treatment.
  • X2 is smaller than X1.
  • the protective film for semiconductor encapsulation molding is attached to the surface of the copper plate in a direction in which the adhesive layer is in contact with the copper plate, and then a sticker made of the copper plate and the temporary protective film for semiconductor encapsulation molding is attached to 180.
  • the proportion of oxygen atoms on the surface of the copper plate after heating at 180 ° C. for 1 hour is 2 minutes at 400 ° C.
  • the proportion of oxygen atoms on the surface of the copper plate after heating is small.
  • Another aspect of the present disclosure provides a method of manufacturing a temporary protective film comprising a support film and an adhesive layer provided on one or both sides of the support film.
  • the manufactured temporary protective film temporarily protects the surface of the lead frame opposite to the semiconductor element during sealing molding to form a sealing layer for sealing the semiconductor element mounted on the die pad of the lead frame.
  • It is a protective film for semiconductor encapsulation molding used for this purpose.
  • an adhesive layer consisting of 100 parts by mass of a thermoplastic resin and 5 to 20 parts by mass of a low molecular weight additive is attached to the surface of a copper plate to form a sticker made of the copper plate and the adhesive layer, and the sticker is formed.
  • the method comprises attaching an adhesive layer consisting of 100 parts by mass of a thermoplastic resin and 5 to 20 parts by mass of a low molecular weight additive to the surface of a copper plate, and applying a sticker obtained by attaching the adhesive layer to the surface of a copper plate at 180 ° C.
  • the surface of the copper plate after heating at 400 ° C. for 2 minutes is larger than the proportion of oxygen atoms on the surface of the copper plate after heating at 180 ° C. for 1 hour.
  • Yet another aspect of the present disclosure is to provide a lead frame with a temporary protective film, comprising a lead frame having a die pad and the temporary protective film for semiconductor encapsulation molding.
  • the temporary protective film is attached to one surface of the lead frame so that the adhesive layer of the temporary protective film is in contact with the lead frame.
  • Yet another aspect of the present disclosure is a lead frame having a die pad, a semiconductor element mounted on the die pad on one surface side of the lead frame, and a sealing layer that seals the semiconductor element.
  • a temporarily protected encapsulation molded product comprising the above-mentioned temporary protection film for semiconductor encapsulation molding.
  • the temporary protective film is attached to the surface of the lead frame opposite to the semiconductor element so that the adhesive layer of the temporary protective film is in contact with the lead frame.
  • Yet another aspect of the present disclosure is a step of attaching the temporary protective film for semiconductor encapsulation molding to one surface of a lead frame having a die pad in a direction in which the adhesive layer is in contact with the lead frame, and the die pad.
  • the step of mounting the semiconductor element on the surface opposite to the temporary protective film, and the sealing layer for sealing the semiconductor element are formed to have the lead frame, the semiconductor element, and the sealing layer.
  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor package, comprising a step of obtaining a temporarily protected sealed molded product and a step of peeling the temporary protective film from the sealed molded product in this order.
  • a semiconductor encapsulation that can be attached to a lead frame with an appropriate adhesive force and can be easily peeled off after receiving a heat history of a high temperature of about 400 ° C.
  • a temporary protective film for molding is provided.
  • the present invention is not limited to some embodiments exemplified below.
  • the upper and lower limits of the numerical range described in the present specification can be arbitrarily combined.
  • the numerical values described in the examples can also be used as the upper limit value or the lower limit value of the numerical range.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a temporary protective film according to an embodiment.
  • the temporary protective film 10 shown in FIG. 1 is composed of a support film 1 and an adhesive layer 2 provided on one side of the support film 1. Adhesive layers may be formed on both sides of the support film 1.
  • FIG. 2 is also a cross-sectional view showing a temporary protective film according to an embodiment.
  • the temporary protective film 10'in FIG. 2 has a support film 1, an adhesive layer 2 provided on one main surface of the support film 1, and a non-adhesive layer 3 provided on the other main surface of the support film 1. And have.
  • These temporary protective films are used on the back surface of the lead frame (the side opposite to the surface on which the semiconductor element is mounted) in the sealing molding process of forming a sealing layer for sealing the semiconductor element mounted on the die pad of the lead frame.
  • the adhesive layer 2 contains a thermoplastic resin and a low molecular weight additive.
  • Thermoplastic resins include aromatic polyetherimides, aromatic polyetherimides, aromatic polyetheramides, aromatic polyamides, aromatic polyesters, aromatic polyimides, aromatic polyamideimides, aromatic polyethers, and aromatic polyesters. It may contain at least one selected from the group consisting of imides. From the viewpoint of heat resistance and adhesiveness, the thermoplastic resin may be at least one selected from the group consisting of aromatic polyetherimide, aromatic polyetherimide and aromatic polyetheramide, and may be aromatic. It may be a polyetheramide imide.
  • Aromatic polyetheramidoimide is a polycondensate formed from an acid component containing an aromatic tricarboxylic acid or a reactive derivative thereof and an amine component containing an aromatic diamine, and is an aromatic tricarboxylic acid or an aromatic diamine. It can be a polycondensate containing at least one of the aromatic groups and a compound having an oxy group (—O—) that binds the aromatic groups to each other.
  • the aromatic polyetherimide is a polycondensate formed from an acid component containing an aromatic tetracarboxylic acid or a reactive derivative thereof and an amine component containing an aromatic diamine, and is an aromatic tetracarboxylic acid or an aromatic diamine.
  • At least one of them can be a polycondensate containing a plurality of aromatic groups and a compound having an oxy that binds the aromatic groups to each other.
  • the aromatic polyether amide is a polycondensate formed from an acid component containing an aromatic dicarboxylic acid or a reactive derivative thereof and an amine component containing an aromatic diamine, and is one of the aromatic dicarboxylic acids or aromatic diamines. It can be a polycondensate containing at least one aromatic group and a compound having an oxy that binds the aromatic groups to each other.
  • the reactive derivative of the carboxylic acid may be, for example, an acid anhydride or an acid chloride.
  • aromatic polyetheramidoimide and the aromatic polyamideimide may contain a structural unit derived from trimellitic acid or a reactive derivative thereof.
  • Aromatic polyimides and aromatic polyetherimides may contain building blocks derived from pyromellitic acids, polynuclear aromatic tetracarboxylic acids, or reactive derivatives thereof. Examples of polynuclear aromatic tetracarboxylic acids include bisphenol A bistrimeritate, and oxydiphthalic acid.
  • Aromatic polyamides may contain constituent units derived from terephthalic acid, isophthalic acid, or reactive derivatives thereof.
  • Aromatic polyetheramidoimides, aromatic polyetherimides and aromatic polyetheramides are, for example, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (4-aminophenoxy). Oxy selected from phenyl] sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy)] hexafluoropropane. It may contain a structural unit derived from an aromatic diamine having a group.
  • Aromatic polyetheramidoimides, aromatic polyetherimides and aromatic polyetheramides are aromatic diamines having no oxy group (eg (eg, 4,4'-methylenebis (2-isopropylaniline)), siloxane diamines (eg, siloxanediamine). Derived from 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane) and other diamines selected from ⁇ , ⁇ -diaminoalkanes (eg 1,12-diaminododecane, 1,6-diaminohexane) It may further include a structural unit.
  • the ratio of the constituent units derived from the aromatic diamine having an oxy group is 40, based on the total amount of the constituent units derived from the diamine component. It may be -100 mol% or 50-97 mol%.
  • the ratio of the constituent units derived from the aromatic diamine having an oxy group is 60 to 60, based on the total amount of the constituent units derived from the diamine component.
  • the proportion of constituent units derived from siloxane diamine is 1-10 mol%, or 3-7 mol%, and the proportion of constituent units derived from ⁇ , ⁇ -diaminoalkane is It may be 10 to 30 mol% or 15 to 25 mol%.
  • the ratio of the constituent units derived from the aromatic diamine having an oxy group is 90 to 90, based on the total amount of the constituent units derived from the diamine component.
  • the proportion of the constituent units derived from the siloxane diamine may be 1 to 10 mol%, or 3 to 7 mol%.
  • the ratio of the constituent units derived from the aromatic diamine having an oxy group is 40 to 40, based on the total amount of the constituent units derived from the diamine component. It may be 70 mol%, or 45-60 mol%, and the proportion of the structural unit derived from the aromatic diamine having no oxy group may be 30-60 mol%, or 40-55 mol%.
  • the low molecular weight additive is a compound having a molecular weight of less than 1000, and is based on a change in the amount of oxygen on the surface of the copper plate when the paste obtained by attaching the adhesive layer to the surface of the copper plate is subjected to a predetermined heat treatment.
  • the ratio of oxygen atoms X1 on the surface of the copper plate after heating at 180 ° C. for 1 hour is larger than the ratio of oxygen atoms X1 on the surface of the copper plate after heating at 180 ° C. for 1 hour.
  • a low molecular weight additive having a small proportion X2 of oxygen atoms in the above is selected.
  • the surface in contact with the adhesive layer of the copper plate is oxidized by heating at 180 ° C. for 1 hour to form a surface containing a large amount of oxygen atoms derived from copper oxide.
  • the proportion of oxygen atoms on the surface of the copper plate decreases after heating at 400 ° C. for 2 minutes.
  • the peelability from the lead frame after the heat treatment is improved.
  • the decrease in the proportion of oxygen atoms suggests that at least part of the copper oxide is reduced by the reducing gas generated by the decomposition of the low molecular weight additives.
  • the reducing gas may be hydrogen, carbon monoxide, or a hydrocarbon gas such as methane, propane, and butane.
  • the temperature at which the reducing gas is generated may be 200 ° C. or higher, 250 ° C. or higher, 300 ° C. or higher, or 350 ° C. or higher, and 550 ° C. or higher. Hereinafter, it may be 500 ° C. or lower, 450 ° C. or lower, or 400 ° C. or lower.
  • the surface of the copper plate used for measuring X1 and X2 may or may not be subjected to plasma irradiation treatment.
  • the proportion of oxygen atoms on the surface of the copper plate can be measured, for example, by energy dispersive X-ray analysis (EDS) or X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) on the surface exposed by peeling the adhesive layer.
  • EDS energy dispersive X-ray analysis
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • the proportion of oxygen atoms measured by the EDS method is 1.2 atomic% or less, 1.1 atomic% or less at the time after the heat treatment of heating at 180 ° C. for 1 hour and 400 ° C. for 2 minutes.
  • the proportion of oxygen atoms measured by the EDS method is 0.5 atomic% or less, 0.4 atomic% or less, 0.3 atomic% or less, 0.2 atomic% or less, or 0. It may be 1 atomic% or less.
  • the proportion of oxygen atoms measured by the EDS method is 0.5-5.0 atomic%, 0.5-4 at the time point after heating at 180 ° C. for 1 hour and before heating at 400 ° C. for 2 minutes. It may be .5 atomic%, 0.5-4.0 atomic%, 0.5-3.5 atomic%, 0.5-3.0 atomic%, or 0.5-1.0 atomic%. ..
  • the low molecular weight additive may be an epoxy compound having one or more epoxy groups (or glycidyl ether groups), polyethylene glycol monoalkyl ether, polyethyleglycol dialkyl ether, or a combination thereof.
  • epoxy compounds include sorbitol polyglycidyl ether and polyethylene glycol diglycidyl ether.
  • Sorbitol polyglycidyl ether is a compound having a residue of sorbitol and two or more glycidyl ether groups bonded thereto, and may be a mixture of two or more components having different numbers of glycidyl ether groups.
  • the epoxy equivalent of sorbitol polyglycidyl ether is, for example, 150-200 g / eq. It may be.
  • Polyethylene glycol monoalkyl ether and polyethylene glycol dialkyl ether are ether compounds formed from one molecule of polyethylene glycol and one or two molecules of alkyl alcohol.
  • the alkyl alcohol may have 6 to 24 carbon atoms.
  • the alkyl alcohol may be a secondary alcohol.
  • Examples of polyethylene glycol monoalkyl ethers and polyethylene glycol dialkyl ethers include polyoxyethylene (9) secondary alkyl (11-15 carbon atoms) ethers.
  • the content of the low molecular weight additive is 5 to 30 parts by mass and 5 to 25 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin from the viewpoint of peelability from the lead frame after receiving a thermal history at 400 ° C. It may be 5 to 20 parts by mass, 5 to 15 parts by mass, or 7 to 15 parts by mass. From the same viewpoint, the content of sorbitol polyglycidyl ether may be 5 to 20 parts by mass or 5 to 12 parts by mass with respect to the content of 100 parts by mass of the thermoplastic resin.
  • the adhesive layer may further contain one or more coupling agents.
  • the coupling agent may be a silane coupling agent.
  • the silane coupling agent has the following formula (I): It may be a compound represented by.
  • R 1 , R 2 and R 3 independently represent an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and X is Indicates a group containing a reactive functional group.
  • Examples of the alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms as R 1 , R 2 or R 3 include a methoxy group, an ethoxy group, and a propoxy group.
  • Examples of alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms as R 1 , R 2 or R 3 include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, and Hexyl groups can be mentioned.
  • Examples of the aryl group having 6 to 12 carbon atoms as R 1 , R 2 or R 3 include a phenyl group, a tolyl group, a xsilyl group, and a naphthyl group.
  • the reactive functional group of X may be, for example, an amino group, an isocyanate group, an amide group, or an epoxy group.
  • X is the following formula (IIa), (IIb), (IIc), (IId), or (IIe): It may be a group represented by.
  • R 4, R 5 and R 6 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group or a hydrogen atom having 6 to 12 carbon atoms. * Indicates the binding site with a carbon atom.
  • R 4 , R 5 and R 6 are alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms selected from methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group and hexyl group.
  • it may be an aryl group having 6 to 12 carbon atoms selected from a phenyl group, a tolyl group, a xsilyl group, and a naphthyl group.
  • Examples of the silane coupling agent in which X is a group represented by the formula (IIa) are 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, and 3-aminopropyl.
  • Methyldiethoxysilane 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltriethoxysilane, 3-phenylaminopropylmethyldimethoxysilane, 3-phenylaminopropylmethyldiethoxysilane, 3-methylaminopropyltrimethoxysilane , 3-Methylaminopropyltriethoxysilane, 3-ethylaminopropyltrimethoxysilane, and 3-ethylaminopropyltriethoxysilane.
  • Examples of the silane coupling agent in which X is a group represented by the formula (IIb) are 3- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane and 3- (2-aminoethyl) -3-.
  • silane coupling agents in which X is a group represented by the formula (IIc) include 3-isocyanatopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropylmethyldimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, and Examples thereof include 3-isocyanatopropylmethyldiethoxysilane.
  • silane coupling agents in which X is a group represented by the formula (IId) are 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropylmethyldimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, and 3-ureidopropyl.
  • Examples of the silane coupling agent in which X is a group represented by the formula (IIe) are 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, and 3-glycidoxypropyltriethoxy. Examples include silane and 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane.
  • the content of the coupling agent may be 1 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the thermoplastic resin.
  • the content of the silane coupling agent is 1% by mass or more, the peelability from the lead frame after the heat treatment tends to be further improved.
  • the content of the coupling agent is 40% by mass or less, gelation of the varnish for forming the adhesive layer 2 and decrease in viscosity are unlikely to occur, and a temporary protective film can be produced more easily.
  • the content of the coupling agent is 1 to 35 parts by mass, 2 to 35 parts by mass, 3 to 30 parts by mass, and more than 5 parts by mass, 35 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin content.
  • it may be more than 5 parts by mass and 30% by mass or less, or more than 5 parts by mass and 20 parts by mass or less.
  • the adhesive layer 2 may further contain a filler.
  • fillers include ceramic powder, glass powder, silver powder, copper powder, resin particles, and rubber particles.
  • the content of the filler may be 0 to 30 parts by mass, 1 to 30 parts by mass, or 5 to 15 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the thermoplastic resin.
  • the total content of the thermoplastic resin, the low molecular weight additive, and the coupling agent in the adhesive layer 2 or the total content of the thermoplastic resin, the low molecular weight additive, the coupling agent, and the filler is the adhesive layer 2. It may be 90 to 100% by mass based on the mass of.
  • the thickness of the adhesive layer 2 is 20 ⁇ m or less, 18 ⁇ m or less, 16 ⁇ m or less, 14 ⁇ m or less, 12 ⁇ m or less, 10 ⁇ m or less, 9 ⁇ m or less, or 8 ⁇ m or less from the viewpoint that the curl of the temporary protective film is more easily suppressed. good.
  • the thickness of the adhesive layer 2 may be 1 ⁇ m or more, 2 ⁇ m or more, 3 ⁇ m or more, 4 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, 6 ⁇ m or more, 7 ⁇ m or more, or 8 ⁇ m or more.
  • the support film 1 includes, for example, aromatic polyimide, aromatic polyamide, aromatic polyamideimide, aromatic polysulfone, aromatic polyethersulfone, polyphenylene sulfide, aromatic polyetherketone, polyarylate, aromatic polyetheretherketone and polyethylene. It may be a film of at least one polymer selected from the group consisting of naphthalate.
  • the support film 1 may be a film-like copper, aluminum, stainless steel or nickel. When the support film 1 is a polymer film, its surface is surface-treated by methods such as alkali treatment, chemical treatment such as silane coupling treatment, physical treatment such as sand mat treatment, plasma treatment, and corona treatment. You may.
  • the thickness of the support film 1 may be, for example, 5 to 100 ⁇ m or 5 to 50 ⁇ m or less.
  • the ratio T 2 / T 1 of the thickness T 2 of the adhesive layer to the thickness T 1 of the support film may be 0.5 or less, 0.3 or less, or 0.2 or less.
  • the non-adhesive layer 3 is a resin layer that does not substantially have adhesiveness (or pressure-sensitive adhesiveness) to the lead frame at 0 to 270 ° C.
  • the non-adhesive layer may be a resin layer that is hard to soften at a high temperature.
  • a resin layer having a high glass transition temperature can function as a non-adhesive layer.
  • the resin layer as the non-adhesive layer 3 contains a thermoplastic resin, a thermosetting resin (cured product), or a resin that is a combination thereof.
  • the thermoplastic resin may have an amide group, an ester group, an imide group, an oxy group or a sulfonyl group.
  • the thermosetting resin may be, for example, an epoxy resin, a phenol resin, or a bismaleimide resin. When the thermoplastic resin and the thermosetting resin are combined, the amount of the thermosetting resin may be 5 to 100 parts by mass or 20 to 70 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin.
  • the non-adhesive layer 3 may contain a filler (for example, ceramic powder, glass powder, silver powder, copper powder, resin particles, rubber particles), a coupling agent, or the like.
  • the content of the filler in the non-adhesive layer 3 may be 1 to 30 parts by mass or 5 to 15 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin content.
  • the content of the coupling agent may be 1 to 20 parts by mass or 2 to 15 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin content.
  • the peel strength of the non-adhesive layer 3 with respect to the brass mold at 90 degrees may be less than 5 N / m or 1 N / m or less at 25 ° C. This peel strength is measured after the non-adhesive layer 3 is pressure-bonded to a brass mold at a temperature of 250 ° C. and a pressure of 8 MPa for 10 seconds.
  • the thickness of the non-adhesive layer 3 may be, for example, 10 ⁇ m or less, 9 ⁇ m or less, 8 ⁇ m or less, or 7 ⁇ m or less.
  • the thickness of the non-adhesive layer may be, for example, 1 ⁇ m or more, 2 ⁇ m or more, 3 ⁇ m or more, 4 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, or 6 ⁇ m or more.
  • the thickness of the non-adhesive layer is not particularly limited, but may be, for example, 1 to 10 ⁇ m or 1 to 8 ⁇ m.
  • the temporary protective film can be produced, for example, by a method including a step of applying a varnish containing a thermoplastic resin, an epoxy compound and a solvent to a support film and removing the solvent from the coating film to form an adhesive layer.
  • the non-adhesive layer can be formed in the same manner.
  • a semiconductor package can be manufactured by using the temporary protective film according to the above-exemplified embodiment.
  • the semiconductor package to be manufactured has, for example, a lead frame, a semiconductor element mounted on the lead frame, and a sealing layer for sealing the semiconductor element on the semiconductor element side of the lead frame, and the back surface of the lead frame is for external connection. It may be a Non Lead Type Package exposed to. Specific examples thereof include QFN (QuadFlat Non-led Package) and SON (Small Outline Non-read Package).
  • FIG. 3 and 4 are cross-sectional views showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor package.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor package obtained by the manufacturing methods of FIGS. 3 and 4.
  • each process will be described with reference to each drawing as necessary.
  • the method shown in FIGS. 3 and 4 is a step of attaching the temporary protective film 10 to the back surface, which is one surface of the lead frame 11 having the die pad 11a and the inner lead 11b, with the adhesive layer in contact with the lead frame 11.
  • the step of mounting the semiconductor element 14 on the surface of the die pad 11a opposite to the temporary protective film 10, the step of providing the wire 12 connecting the semiconductor element 14 and the inner lead 11b, and the semiconductor element 14 and the wire 12 A step of forming a sealing layer 13 for sealing a seal to obtain a temporarily protected sealing molded body 20 having a lead frame 11, a semiconductor element 14, and a sealing layer 13, and temporary protection from the sealing molded body 20.
  • a step of peeling the film 10 and a step of peeling the film 10 are provided in this order.
  • the temporarily protected sealing molded body is composed of the sealing molded body 20 and the temporary protective film 10.
  • the step of attaching the temporary protective film 10 to the lead frame 11 may include heating and pressurizing the temporary protective film 10 arranged on the lead frame 11.
  • the heating temperature may be 150 ° C. or higher, 180 ° C. or higher, 200 ° C. or higher, or 400 ° C. or lower.
  • the pressure may be 0.5 to 30 MPa, 1 to 20 MPa, or 3 to 15 MPa.
  • the heating and pressurizing time may be 0.1 to 60 seconds, 1 to 30 seconds, or 3 to 20 seconds.
  • the lead frame 11 may be formed of, for example, an iron-based alloy such as 42 alloy, copper, or a copper-based alloy.
  • the lead frame 11 may have a molded body formed of copper or a copper-based alloy, and a coating layer of palladium, gold, silver, or the like that coats the surface thereof.
  • the semiconductor element 14 is usually adhered to the die pad 11a via an adhesive (for example, silver paste). After adhering the semiconductor element 14 to the die pad 11a, reflow connection (CuClip connection or the like) may be performed under the conditions of a maximum temperature of 250 to 440 ° C. or 250 to 400 ° C. and 1 to 30 minutes.
  • an adhesive for example, silver paste.
  • the wire 12 is not particularly limited, but may be, for example, a gold wire, a copper wire, or a palladium-coated copper wire.
  • the semiconductor element 14 and the inner lead 11b may be joined to the wire 12 by heating at 200 to 260 ° C. or 350 to 260 ° C. for 3 to 60 minutes using ultrasonic waves and pressing pressure.
  • the sealing layer 13 is formed by sealing molding using a sealing material.
  • a sealing molded body 20 having a plurality of semiconductor elements 14 and a sealing layer 13 that collectively seals them may be obtained. Since the temporary protective film 10 is provided during the sealing molding, it is possible to prevent the sealing material from wrapping around to the back surface side of the lead frame 11.
  • the temperature during the formation of the sealing layer 13 (the temperature of the sealing material) may be 140 to 200 ° C. or 160 to 180 ° C.
  • the pressure during the formation of the sealing layer may be 6 to 15 MPa or 7 to 10 MPa.
  • the sealing molding time may be 1 to 5 minutes or 2 to 3 minutes.
  • the formed sealing layer 13 may be heat-cured if necessary.
  • the heating temperature for curing the sealing layer 13 may be 150 to 200 ° C. or 160 to 180 ° C.
  • the heating time for curing the sealing layer 13 may be 4 to 7 hours, or 5 to 6 hours.
  • a sealing material for example, an epoxy resin such as cresol novolac epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, biphenyl diepoxy resin, or naphthol novolac epoxy resin may be contained.
  • the sealing material may contain a filler, a flame-retardant substance such as a brom compound, a wax component, and the like.
  • the temporary protective film 10 is peeled off from the lead frame 11 and the sealing layer 13 of the obtained sealing molded body 20.
  • the temporary protective film 10 may be peeled off at any time before or after the curing of the sealing layer 13.
  • the temperature at which the temporary protective film 10 is peeled from the sealed molded product 20 may be 0 to 250 ° C., 100 to 200 ° C., or 150 to 250 ° C.
  • the solvent may be, for example, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylacetamide, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, or dimethylformamide.
  • the sealing molded body 20 may be divided to obtain a plurality of semiconductor packages 100 of FIG. 5 each having one semiconductor element, if necessary. can. That is, when the lead frame 11 has a plurality of die pads 11a and the semiconductor element 14 is mounted on each of the plurality of die pads 11a, the manufacturing method according to one embodiment seals the temporary protective film 10 (or 10'). A step of dividing the sealing molded body 20 after peeling from the stop-molded body 20 to obtain a semiconductor package 100 having one die pad 11a and a semiconductor element 14 may be further provided.
  • a semiconductor package may be manufactured by winding a long temporary protective film around a winding core and unwinding the temporary protective film from the obtained reel body.
  • the reel body in this case has a winding core and a temporary protective film wound around the winding core according to the above-described embodiment.
  • FIG. 6 is a perspective view showing an embodiment of the reel body.
  • the reel body 30 shown in FIG. 6 includes a winding core 31, a temporary protective film 10 wound around the winding core 31, and a side plate 32.
  • the width of the winding core 31 and the temporary protective film 10 (the length in the direction orthogonal to the winding direction) may be 0.001 cm or more, 0.005 cm or more, or 0.008 cm or more, and is 0.03 cm or less. It's okay.
  • the width of the winding core 31 and the temporary protective film 10 (the length in the direction orthogonal to the winding direction) is, for example, 0.001 cm or more and 0.03 cm or less, 0.005 cm 0.03 cm or less, or 0.008 cm or more and 0.03 cm. It may be:
  • the temporary protective film according to the above-described embodiment may be provided as a packaging body in which the reel body is housed in a packaging bag.
  • FIG. 7 shows an embodiment of the package.
  • the packaging body 50 includes a reel body 30 and a packaging bag 40 containing the reel body 30.
  • the reel bodies 30 are usually individually housed in a packaging bag, but a plurality of (for example, 2 to 3) reel bodies 30 may be housed in one packaging bag 40.
  • the packaging bag 40 may be formed of a resin film, or may be formed of a composite film which is a resin film having an aluminum layer. Specific examples of the packaging bag 40 include an aluminum-coated plastic bag and the like. Examples of the material of the resin film include plastics such as polyethylene, polyester, vinyl chloride, and polyethylene terephthalate.
  • the reel body 30 may be housed in a packaging bag in a vacuum-packed state, for example.
  • the package 50 is not limited to the vacuum-packed one.
  • the packaging bag 40 may contain a desiccant together with the reel body 30.
  • the desiccant include silica gel.
  • the packaging body 50 may further have a cushioning material for wrapping the packaging bag 40 containing the reel body 30.
  • the package 50 may be provided as a package housed in a package box.
  • FIG. 8 shows an embodiment of the package.
  • the package 70 includes a package 50 and a packaging box 60 containing the package 50.
  • the packing box 60 contains one or more packaging bodies 50.
  • the packing box 60 for example, corrugated cardboard can be used.
  • the semiconductor device manufactured by using the temporary protective film according to one embodiment is excellent in terms of high density, small area, thinning, and the like.
  • electronic devices such as mobile phones, smartphones, personal computers, and tablets. Can be suitably used for.
  • a polyimide film having a chemically treated surface (thickness: 25 ⁇ m, manufactured by Ube Industries, Ltd., trade name: Upirex SGA) was used.
  • the coating film on the support film is dried by heating at 100 ° C. for 10 minutes and at 200 ° C. for 10 minutes to form an adhesive layer having a thickness of 2 ⁇ m, and the temporary protection of Example 1 having the support film and the adhesive layer is formed. I got a film.
  • Example 2 A varnish for forming an adhesive layer and a temporary protective film were obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of sorbitol polyglycidyl ether was changed to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of aromatic polyether amidoimide. ..
  • Example 3 Instead of sorbitol polyglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether (manufactured by Kyoei Chemical Co., Ltd., trade name: Epolite 400E, epoxy equivalent: 264 to 290 g / eq.) Is used, and the amount is 100 mass of aromatic polyetheramidoimide.
  • a varnish for forming an adhesive layer and a temporary protective film were obtained in the same manner as in Example 1 except that the portion was 10 parts by mass.
  • Comparative Example 1 A varnish for forming an adhesive layer and a temporary protective film were obtained in the same manner as in Example 1 except that sorbitol polyglycidyl ether was not used.
  • the temporary protective film was peeled off from each of the patches.
  • the exposed copper plate surface was elementally analyzed by energy dispersive X-ray analysis (EDS) to determine the proportion of oxygen atoms (atomic%). The results are shown in Table 1.
  • the copper plate A and the temporary protective film attached thereto were subjected to heat treatment at 180 ° C. for 1 hour, and subsequently at 400 ° C. for 2 minutes.
  • the 90-degree peel strength between the adhesive layer and the copper plate A at 200 ° C. was measured under the condition of peeling speed: 300 mm / min.
  • Table 2 shows the evaluation results of peel strength after pasting and after heat treatment.
  • the temporary protective film of Example 1 exhibited an appropriate peel strength after application and a sufficiently reduced peel strength after heat treatment.
  • Example 5 The same as in Example 4 except that the amount of polyoxyethylene (9) secondary alkyl (11 to 15 carbon atoms) ether was changed to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of aromatic polyetheramideimide. A varnish for forming an adhesive layer and a temporary protective film were obtained.

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Abstract

支持フィルムと、接着層とを備える半導体封止成形用仮保護フィルム。接着層が、熱可塑性樹脂、及び分子量１０００未満の低分子添加剤を含む。接着層が、当該半導体封止成形用仮保護フィルムを、銅板の表面に、接着層が銅板に接する向きで貼り付けて銅板及び当該半導体封止成形用仮保護フィルムからなる貼付体を形成し、続いて前記貼付体を１８０℃で１時間加熱した後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合がＸ１であり、その後、前記貼付体を４００℃で２分更に加熱する熱処理に供した後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合がＸ２であるときに、Ｘ２がＸ１よりも小さくなるように構成されている。

Description

半導体封止成形用仮保護フィルム及びその製造方法、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護された封止成形体、並びに、半導体パッケージを製造する方法
　本発明は、半導体封止成形用仮保護フィルム及びその製造方法、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護された封止成形体、並びに、半導体パッケージを製造する方法に関する。
　半導体パッケージにおいて、リードフレームの半導体素子側のみに封止層が形成され、リードフレームの裏面が露出している構造が採用されることがある（特許文献１及び２）。この構造を有する半導体パッケージの製造において、封止成形時にリードフレーム裏面に封止樹脂が廻り込むことを防ぐために、リードフレームの裏面を、仮保護フィルムを貼り付けることにより仮保護することがある。仮保護フィルムは、封止層が形成された後でリードフレームから剥離される。
特開平５－１２９４７３号公報 特開平１０－１２７７３号公報
　半導体パッケージを製造するためのアセンブリプロセスは、リフロー接続等のために４００℃程度にまで達する高温での加熱が必要とされることがある。しかし、リードフレームに貼り付けられた仮保護フィルムがそのような高温での熱履歴を受けると、仮保護フィルムとリードフレーム及び封止層とが強固に接着し、仮保護フィルムをリードフレームから剥離することができない場合、又は残渣を残すことなく綺麗にリードフレームから剥離することが困難な場合があった。
　本開示は、リードフレームに適度な接着力で貼り付けることが可能で、且つ、４００℃程度の高温の熱履歴を受けた後に容易に剥離することが可能な、半導体封止成形用仮保護フィルムに関する。
　本開示の一側面は、支持フィルムと、前記支持フィルムの片面又は両面上に設けられた接着層と、を備える仮保護フィルムを提供する。この仮保護フィルムは、リードフレームのダイパッドに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の間、前記リードフレームの前記半導体素子とは反対側の面を仮保護するために用いられる。言い換えると、本開示の一側面は、仮保護フィルムの、リードフレームのダイパッドに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の間、前記リードフレームの前記半導体素子とは反対側の面を仮保護するため応用を提供する。前記接着層は、当該半導体封止成形用仮保護フィルムを、銅板の表面に、前記接着層が前記銅板に接する向きで貼り付けて前記銅板及び当該半導体封止成形用仮保護フィルムからなる貼付体を形成し、続いて前記貼付体を１８０℃で１時間加熱した後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合がＸ１であり、その後、前記貼付体を４００℃で２分更に加熱する熱処理に供した後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合がＸ２であるときに、Ｘ１よりもＸ２が小さくなるように構成されている。言い換えると、当該半導体封止成形用保護フィルムを、銅板の表面に、前記接着層が銅板に接する向きで貼り付け、続いて前記銅板及び当該半導体封止成形用仮保護フィルムからなる貼付体を１８０℃で１時間、及び４００℃で２分の順で加熱する熱処理に供したときに、１８０℃で１時間の加熱後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合よりも、４００℃で２分の加熱後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合が小さい。
　本開示の別の一側面は、支持フィルムと、前記支持フィルムの片面又は両面上に設けられた接着層と、を備える仮保護フィルムを製造する方法を提供する。製造される仮保護フィルムは、リードフレームのダイパッドに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の間、前記リードフレームの前記半導体素子とは反対側の面を仮保護するために用いられる、半導体封止成形用保護フィルムである。当該方法は、熱可塑性樹脂１００質量部及び低分子添加剤５～２０質量部からなる接着層を銅板の表面に貼り付けて前記銅板及び前記接着層からなる貼付体を形成し、前記貼付体を１８０℃で１時間加熱した後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合がＸ１であり、その後、前記貼付体を４００℃で２分更に加熱する熱処理に供した後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合がＸ２であるときに、Ｘ１よりもＸ２が小さくなるように低分子添加剤を選択することと、前記熱可塑性樹脂、及び選択された前記低分子添加剤を含む接着層を前記支持フィルムの片面又は両面上に形成することと、を含む。言い換えると、当該方法は、熱可塑性樹脂１００質量部及び低分子添加剤５～２０質量部からなる接着層を銅板の表面に貼り付けて得られる貼付体を１８０℃で１時間、及び４００℃で２分の順で加熱する熱処理に供したときに、１８０℃で１時間の加熱後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合よりも、４００℃で２分の加熱後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合が小さい、低分子添加剤を選択することと、前記熱可塑性樹脂、及び選択された前記低分子添加剤を含む接着層を前記支持フィルムの片面又は両面上に形成することと、を含む。
　本開示の更に別の一側面は、ダイパッドを有するリードフレームと、上記半導体封止成形用仮保護フィルムと、を備える、仮保護フィルム付きリードフレームを提供する。前記仮保護フィルムが、前記リードフレームの一方の面に、前記仮保護フィルムの接着層が前記リードフレームと接する向きで貼り付けられている。
　本開示の更に別の一側面は、ダイパッドを有するリードフレームと、前記リードフレームの一方の面側において前記ダイパッドに搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止している封止層と、上記半導体封止成形用仮保護フィルムと、を備える、仮保護された封止成形体を提供する。前記仮保護フィルムが、前記リードフレームの前記半導体素子とは反対側の面に、前記仮保護フィルムの接着層が前記リードフレームと接する向きで貼り付けられている。
　本開示の更に別の一側面は、ダイパッドを有するリードフレームの一方の面に、上記半導体封止成形用仮保護フィルムを、その接着層が前記リードフレームに接する向きで貼り付ける工程と、前記ダイパッドの前記仮保護フィルムとは反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子を封止する封止層を形成して、前記リードフレーム、前記半導体素子及び前記封止層を有する、仮保護された封止成形体を得る工程と、前記封止成形体から前記仮保護フィルムを剥離する工程と、をこの順に備える、半導体パッケージを製造する方法に関する。
　本開示の一側面によれば、リードフレームに適度な接着力で貼り付けることが可能で、且つ、４００℃程度の高温の熱履歴を受けた後に容易に剥離することが可能な、半導体封止成形用仮保護フィルムが提供される。
仮保護フィルムの一実施形態を示す断面図である。 仮保護フィルムの一実施形態を示す断面図である。 半導体装置の製造方法の一実施形態を説明する断面図である。 半導体装置の製造方法の一実施形態を説明する断面図である。 半導体装置の一実施形態を示す断面図である。 リール体の一実施形態を示す斜視図である。 包装体の一実施形態を示す正面図である。 梱包物の一実施形態を示す正面図である。
　本発明は以下に例示されるいくつかの実施形態に限定されるものではない。本明細書に記載される数値範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。実施例に記載される数値も、数値範囲の上限値又は下限値として用いることができる。
仮保護フィルム
　図１は、一実施形態に係る仮保護フィルムを示す断面図である。図１に示す仮保護フィルム１０は、支持フィルム１と、支持フィルム１の片面上に設けられた接着層２と、から構成される。支持フィルム１の両面上に接着層が形成されていてもよい。図２も、一実施形態に係る仮保護フィルムを示す断面図である。図２の仮保護フィルム１０’は、支持フィルム１と、支持フィルム１の一方の主面上に設けられた接着層２と、支持フィルム１の他方の主面上に設けられた非接着層３とを有する。これらの仮保護フィルムは、リードフレームのダイパッドに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の工程において、リードフレームの裏面（半導体素子が搭載される面とは反対側の面）に貼り付けることで、封止成形の間、リードフレームを仮保護するための半導体封止成形用仮保護フィルムとして用いることができる。
　接着層２は、熱可塑性樹脂、及び低分子添加剤を含有する。
　熱可塑性樹脂は、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテル、及び芳香族ポリエステルイミドからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。耐熱性及び接着性の点から、熱可塑性樹脂は、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミドからなる群より選択される少なくとも１種であってもよく、芳香族ポリエーテルアミドイミドであってもよい。
　芳香族ポリエーテルアミドイミドは、芳香族トリカルボン酸又はその反応性誘導体を含む酸成分と、芳香族ジアミンを含むアミン成分とから形成された重縮合体であって、芳香族トリカルボン酸又は芳香族ジアミンのうち少なくとも一方が複数の芳香族基及び芳香族基同士を結合するオキシ基（－Ｏ－）を有する化合物を含む、重縮合体であることができる。芳香族ポリエーテルイミドは、芳香族テトラカルボン酸又はその反応性誘導体を含む酸成分と芳香族ジアミンを含むアミン成分とから形成された重縮合体であって、芳香族テトラカルボン酸又は芳香族ジアミンのうち少なくとも一方が複数の芳香族基及び芳香族基同士を結合するオキシを有する化合物を含む、重縮合体であることができる。芳香族ポリエーテルアミドは、芳香族ジカルボン酸又はその反応性誘導体を含む酸成分と芳香族ジアミンを含むアミン成分とから形成された重縮合体であって、芳香族ジカルボン酸又は芳香族ジアミンのうち少なくとも一方が複数の芳香族基及び芳香族基同士を結合するオキシを有する化合物を含む、重縮合体であることができる。カルボン酸の反応性誘導体は、例えば、酸無水物、又は酸塩化物であってもよい。
　芳香族ポリエーテルアミドイミド及び芳香族ポリアミドイミドは、トリメリット酸又はその反応性誘導体に由来する構成単位を含んでいてもよい。芳香族ポリイミド及び芳香族ポリエーテルイミドは、ピロメリット酸、多核芳香族テトラカルボン酸、又はこれらの反応性誘導体に由来する構成単位を含んでいてもよい。多核芳香族テトラカルボン酸の例は、ビスフェノールＡビストリメリテート、及びオキシジフタル酸を含む。芳香族ポリアミドは、テレフタル酸、イソフタル酸、又はこれらの反応性誘導体に由来する構成単位を含んでいてもよい。
　芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミドは、例えば、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、及び２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）］ヘキサフルオロプロパンから選ばれる、オキシ基を有する芳香族ジアミンに由来する構成単位を含んでいてもよい。芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミドは、オキシ基を有しない芳香族ジアミン（例えば（例えば４，４’－メチレンビス（２－イソプロピルアニリン））、シロキサンジアミン（例えば１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン）、及び、α，ω－ジアミノアルカン（例えば１，１２－ジアミノドデカン、１，６－ジアミノヘキサン）から選ばれるその他のジアミンに由来する構成単位を更に含んでいてもよい。
　芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミドにおいて、オキシ基を有する芳香族ジアミンに由来する構成単位の割合が、ジアミン成分に由来する構成単位の全量を基準として、４０～１００モル％、又は５０～９７モル％であってもよい。芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド及び芳香族ポリエーテルアミドにおいて、ジアミン成分に由来する構成単位の全量を基準として、オキシ基を有する芳香族ジアミンに由来する構成単位の割合が６０～８９モル％、又は６８～８２モル％で、シロキサンジアミンに由来する構成単位の割合が１～１０モル％、又は３～７モル％で、α，ω－ジアミノアルカンに由来する構成単位の割合が１０～３０モル％、又は１５～２５モル％であってもよい。芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド及び芳香族ポリエーテルアミドにおいて、ジアミン成分に由来する構成単位の全量を基準として、オキシ基を有する芳香族ジアミンに由来する構成単位の割合が９０～９９モル％、又は９３～９７モル％で、シロキサンジアミンに由来する構成単位の割合が１～１０モル％、又は３～７モル％であってもよい。芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド及び芳香族ポリエーテルアミドにおいて、ジアミン成分に由来する構成単位の全量を基準として、オキシ基を有する芳香族ジアミンに由来する構成単位の割合が４０～７０モル％、又は４５～６０モル％で、オキシ基を有しない芳香族ジアミンに由来する構成単位の割合が３０～６０モル％、又は４０～５５モル％であってもよい。
　低分子添加剤は、分子量１０００未満の化合物であり、接着層を銅板の表面に貼り付けて得られる貼付体を所定の熱処理に供したときの、銅板の表面における酸素量の変化に基づいて、選択することができる。具体的には、熱可塑性樹脂１００質量部及び低分子添加剤５～１５質量部からなる接着層を銅板の表面に貼り付けて得られる貼付体を、大気雰囲気下、１８０℃で１時間、及び４００℃で２分の順で加熱する熱処理に供したときに、１８０℃で１時間の加熱後の銅板の表面における酸素原子の割合Ｘ１よりも、４００℃で２分の加熱後の銅板の表面における酸素原子の割合Ｘ２が小さい、低分子添加剤が選択される。銅板の接着層と接する表面が１８０℃で１時間の加熱により酸化されて、酸化銅に由来する酸素原子を多く含む表面が形成される。しかし、接着層に含まれる低分子添加剤の種類によっては、４００℃で２分の加熱後、銅板の表面における酸素原子の割合が低下する。発明者の知見によれば、このような酸素原子の割合の低下が観測される低分子添加剤を接着剤に添加することにより、熱処理後のリードフレームからの剥離性が改善される。酸素原子の割合の低下は、酸化銅の少なくとも一部が、低分子添加剤の分解により発生した還元性ガスによって還元されることを示唆する。例えば、酸化銅が還元されたときに発生するガス、又は、酸化銅の還元によって生成した薄い金属銅の部分の凝集破壊に起因して、リードフレームと接着層との界面の密着強度が低下すると推察される。還元性ガスは、水素、一酸化炭素、又は、メタン、プロパン及びブタン等の炭化水素ガスであってもよい。低分子添加剤が加熱により分解し還元性ガスを発生する場合、還元性ガスが発生する温度は、２００℃以上、２５０℃以上、３００℃以上、又は３５０℃以上であってもよく、５５０℃以下、５００℃以下、４５０℃以下、又は４００℃以下であってもよい。Ｘ１及びＸ２を測定するために用いられる銅板の表面は、プラズマ照射処理されていてもよく、プラズマ照射処理されていなくてもよい。
　銅板の表面における酸素原子の割合は、例えば、接着層を剥離して露出した表面のエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）又はＸ線光電子分光（ＸＰＳ）によって測定することができる。ＥＤＳによる方法で測定される酸素原子の割合が、１８０℃で１時間、及び４００℃で２分の順で加熱する熱処理の後の時点で、１．２原子％以下、１．１原子％以下、１．０原子％以下、０．９原子％以下、０．８原子％以下、０．７原子％以下、０．６原子％以下、０．５原子％以下、０．４原子％以下、０．３原子％以下、又は０．２原子％以下であってもよい。ＥＤＳによる方法で測定される酸素原子の割合が、熱処理前の時点で、０．５原子％以下、０．４原子％以下、０．３原子％以下、０．２原子％以下、又は０．１原子％以下であってもよい。ＥＤＳによる方法で測定される酸素原子の割合が、１８０℃で１時間の加熱後、４００℃で２分の加熱の前の時点で、０．５～５．０原子％、０．５～４．５原子％、０．５～４．０原子％、０．５～３．５原子％、０．５～３．０原子％、又は０．５～１．０原子％であってもよい。
　低分子添加剤は、１以上のエポキシ基（又はグリシジルエーテル基）を有するエポキシ化合物、ポリエチレングリコールモノアルキルエーテル、ポリエチレグリコールジアルキルエーテル、又はこれらの組み合わせであってもよい。このようなエポキシ化合物の具体例としては、ソルビトールポリグリシジルエーテル、及びポリエチレングリコールジグリシジルエーテルが挙げられる。
　ソルビトールポリグリシジルエーテルは、ソルビトールの残基とこれに結合した２以上のグリシジルエーテル基とを有する化合物であり、グリシジルエーテル基の数が異なる２種以上の成分の混合物であってもよい。ソルビトールポリグリシジルエーテルのエポキシ当量が、例えば１５０～２００ｇ／ｅｑ．であってもよい。
　ポリエチレングリコールモノアルキルエーテル及びポリエチレングリコールジアルキルエーテルは、１分子のポリエチレングリコールと１分子又は２分子のアルキルアルコールとから形成されたエーテル化合物である。前記アルキルアルコールの炭素数が６～２４であってもよい。前記アルキルアルコールが第二級アルコールであってもよい。ポリエチレングリコールモノアルキルエーテル及びポリエチレングリコールジアルキルエーテルの例は、ポリオキシエチレン（９）第二級アルキル（炭素数１１～１５）エーテルを含む。
　低分子添加剤の含有量が、４００℃での熱履歴を受けた後のリードフレームからの剥離性の観点から、熱可塑性樹脂１００質量部に対して５～３０質量部、５～２５質量部、５～２０質量部、５～１５質量部、又は７～１５質量部であってもよい。同様の観点から、ソルビトールポリグリシジルエーテルの含有量が、熱可塑性樹脂１００質量部の含有量に対して５～２０質量部、又は５～１２質量部であってもよい。
　接着層は、１種以上のカップリング剤を更に含有していてよい。カップリング剤はシランカップリング剤であってもよい。シランカップリング剤は、下記式（Ｉ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 で表される化合物であってよい。式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１～３のアルコキシ基、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数６～１２のアリール基を示し、Ｘは反応性官能基を含む基を示す。
　Ｒ１、Ｒ２又はＲ３としての炭素数１～３のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、及びプロポキシ基が挙げられる。Ｒ１、Ｒ２又はＲ３としての炭素数１～６のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、及びヘキシル基が挙げられる。Ｒ１、Ｒ２又はＲ３としての炭素数６～１２のアリール基の例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基が挙げられる。
　Ｘが有する反応性官能基は、例えばアミノ基、イソシアネート基、アミド基、又はエポキシ基であってもよい。Ｘが、下記式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩｃ）、（ＩＩｄ）、又は（ＩＩｅ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 で表される基であってよい。これら式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、炭素数１～６のアルキル基、炭素数６～１２のアリール基又は水素原子を示す。＊は炭素原子との結合部位を示す。Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、及びヘキシル基から選ばれる炭素数１～６のアルキル基、又は、フェニル基、トリル基、キシリル基、及びナフチル基から選ばれる炭素数６～１２のアリール基であってもよい。
　Ｘが式（ＩＩａ）で表される基であるシランカップリング剤の例としては、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルトリエトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルメチルジエトキシシラン、３－メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－メチルアミノプロピルトリエトキシシラン、３－エチルアミノプロピルトリメトキシシラン、及び３－エチルアミノプロピルトリエトキシシランが挙げられる。
　Ｘが式（ＩＩｂ）で表される基であるシランカップリング剤の例としては、３－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３－（２－フェニルアミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－フェニルアミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－（２－フェニルアミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３－（２－メチルアミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－メチルアミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－（２－エチルアミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ－（２－エチルアミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシランが挙げられる。
　Ｘが式（ＩＩｃ）で表される基であるシランカップリング剤の例としては、３－イソシアナトプロピルトリメトキシシラン、３－イソシアナトプロピルメチルジメトキシシラン、３－イソシアナトプロピルトリエトキシシラン、及び３－イソシアナトプロピルメチルジエトキシシランが挙げられる。
　Ｘが式（ＩＩｄ）で表される基であるシランカップリング剤の例としては、３－ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルメチルジメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－ウレイドプロピルメチルジエトキシシラン、３－（３－フェニルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３－（３－メチルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３－（３－エチルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３－（３－プロピルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３－（３－ブチルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３－（３－ヘキシルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３－（３－フェニルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３－（３－メチルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３－（３－エチルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３－（３－プロピルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３－（３－ブチルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、及び３－（３－ヘキシルウレイド）プロピルトリメトキシシランが挙げられる。
　Ｘが式（ＩＩｅ）で表される基であるシランカップリング剤の例としては、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、及び３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランが挙げられる。
　カップリング剤の含有量は、熱可塑性樹脂の含有量１００質量部に対して、１～４０質量部であってもよい。シランカップリング剤の含有量が１質量％以上であると、熱処理後のリードフレームからの剥離性がより改善される傾向がある。カップリング剤の含有量が４０質量％以下であると、接着層２を形成するためのワニスのゲル化、粘度低下等が起こりにくく、より容易に仮保護フィルムを製造できる。同様の観点から、カップリング剤の含有量が、熱可塑性樹脂の含有量１００質量部に対して１～３５質量部、２～３５質量部、３～３０質量部、５質量部超３５質量部以下、５質量部超３０質量％以下、又は５質量部超２０質量部以下であってもよい。
　接着層２は、フィラーを更に含んでもよい。フィラーの例は、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、及びゴム粒子を含む。フィラーの含有量は、熱可塑性樹脂の含有量１００質量部に対して０～３０質量部、１～３０質量部、又は５～１５質量部であってもよい。
　接着層２における、熱可塑性樹脂、低分子添加剤、及びカップリング剤の合計の含有量、又は、熱可塑性樹脂、低分子添加剤、カップリング剤及びフィラーの合計の含有量が、接着層２の質量を基準として９０～１００質量％であってもよい。
　接着層２の厚さは、仮保護フィルムのカールがより一層抑制されやすくなる観点から、２０μｍ以下、１８μｍ以下、１６μｍ以下、１４μｍ以下、１２μｍ以下、１０μｍ以下、９μｍ以下、又は８μｍ以下であってよい。接着層２の厚さは、１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上、４μｍ以上、５μｍ以上、６μｍ以上、７μｍ以上、又は８μｍ以上であってよい。
　支持フィルム１は、例えば、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれる少なくとも１種のポリマーのフィルムであってよい。支持フィルム１が、フィルム状の銅、アルミニウム、ステンレススティール又はニッケルであってもよい。支持フィルム１がポリマーのフィルムである場合、その表面が、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、及びコロナ処理等の方法により表面処理されていてもよい。
　支持フィルム１の厚さが、例えば、５～１００μｍ、又は５～５０μｍ以下であってよい。支持フィルムの厚さＴ１に対する接着層の厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１が、０．５以下、０．３以下、又は０．２以下であってよい。
　非接着層３は、リードフレームに対する接着性（又は感圧接着性）を０～２７０℃において実質的に有しない樹脂層である。非接着層は、高温で軟化しにくい樹脂層であってよく、例えば、高いガラス転移温度を有する樹脂層が、非接着層として機能することができる。
　非接着層３としての樹脂層は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂（硬化物）又はこれらの組み合わせである樹脂を含む。熱可塑性樹脂は、アミド基、エステル基、イミド基、オキシ基又はスルホニル基を有していてもよい。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、又はビスマレイミド樹脂であってよい。熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを組み合わせる場合、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、熱硬化性樹脂の量が５～１００質量部、又は２０～７０質量部であってもよい。
　非接着層３は、フィラー（例えばセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子）、カップリング剤等を含有してもよい。非接着層３におけるフィラーの含有量は、樹脂の含有量１００質量部に対して１～３０質量部、又は５～１５質量部であってもよい。カップリング剤の含有量は、樹脂の含有量１００質量部に対して１～２０質量部、又は２～１５質量部であってもよい。
　非接着層３の真鍮製の金型に対する９０度のピール強度が、２５℃において、５Ｎ／ｍ未満、又は１Ｎ／ｍ以下であってよい。このピール強度は、非接着層３を真鍮製の金型に温度２５０℃、圧力８ＭＰａで１０秒間圧着した後に測定される。
　非接着層３の厚さは、例えば、１０μｍ以下、９μｍ以下、８μｍ以下、又は７μｍ以下であってよい。非接着層の厚さは、例えば、１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上、４μｍ以上、５μｍ以上、又は６μｍ以上であってよい。非接着層の厚さは、特に制限されないが、例えば、１～１０μｍ、又は１～８μｍであってもよい。
　仮保護フィルムは、例えば、熱可塑性樹脂、エポキシ化合物及び溶剤を含むワニスを支持フィルムに塗布し、塗膜から溶剤を除去することにより接着層を形成する工程を含む方法によって製造することができる。非接着層も同様の方法で形成することができる。
半導体パッケージの製造方法
　以上例示された実施形態に係る仮保護フィルムを用いて、半導体パッケージを製造することができる。製造される半導体パッケージは、例えば、リードフレーム及びこれに搭載された半導体素子と、リードフレームの半導体素子側で半導体素子を封止する封止層とを有し、リードフレームの裏面が外部接続用に露出している、Ｎｏｎ　Ｌｅａｄ　Ｔｙｐｅ　Ｐａｃｋａｇｅであってもよい。その具体例としては、ＱＦＮ（ＱｕａｄＦｌａｔ　Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ　Ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。
　図３及び４は、半導体パッケージを製造する方法の一実施形態を示す断面図である。図５は、図３及び４の製造方法によって得られる半導体パッケージの一実施形態を示す断面図である。以下、必要に応じて各図面を参照して、各工程を説明する。
　図３及び図４に示される方法は、ダイパッド１１ａ及びインナーリード１１ｂを有するリードフレーム１１の一方の面である裏面に、仮保護フィルム１０をその接着層がリードフレーム１１に接する向きで貼り付ける工程と、ダイパッド１１ａの仮保護フィルム１０とは反対側の面上に半導体素子１４を搭載する工程と、半導体素子１４とインナーリード１１ｂとを接続するワイヤ１２を設ける工程と、半導体素子１４及びワイヤ１２を封止する封止層１３を形成して、リードフレーム１１、半導体素子１４及び封止層１３を有する、仮保護された封止成形体２０を得る工程と、封止成形体２０から仮保護フィルム１０を剥離する工程と、をこの順に備える。仮保護された封止成形体は、封止成形体２０及び仮保護フィルム１０から構成される。
　仮保護フィルム１０をリードフレーム１１に貼り付ける工程は、リードフレーム１１上に配置された仮保護フィルム１０を加熱及び加圧することを含んでいてもよい。加熱温度は１５０℃以上、１８０℃以上、又は２００℃以上であってもよく、４００℃以下であってもよい。圧力は０．５～３０ＭＰａ、１～２０ＭＰａ、又は３～１５ＭＰａであってもよい。加熱及び加圧の時間は０．１～６０秒、１～３０秒、又は３～２０秒であってもよい。
　リードフレーム１１は、例えば、４２アロイ等の鉄系合金、銅、又は銅系合金から形成されたものであってもよい。リードフレーム１１が、銅又は銅系合金から形成された成形体と、その表面を被覆するパラジウム、金、銀等の被覆層とを有していてもよい。
　半導体素子１４は、通常、接着剤（例えば、銀ペースト）を介してダイパッド１１ａに接着される。半導体素子１４をダイパッド１１ａに接着した後に、最大温度２５０～４４０℃、又は２５０～４００℃の温度、及び１～３０分間の条件で、リフロー接続（ＣｕＣｌｉｐ接続等）を行ってもよい。
　ワイヤ１２は、特に制限されないが、例えば、金線、銅線、又はパラジウム被覆銅線であってもよい。例えば、２００～２６０℃、又は３５０～２６０℃で３～６０分間加熱して超音波と押し付け圧力を利用して、半導体素子１４及びインナーリード１１ｂをワイヤ１２と接合してもよい。
　封止層１３は、封止材を用いた封止成形によって形成される。封止成形によって、複数の半導体素子１４及びそれらを一括して封止する封止層１３を有する封止成形体２０を得てもよい。封止成形の間、仮保護フィルム１０が設けられていることにより、封止材がリードフレーム１１の裏面側に回り込むことが抑制される。
　封止層１３を形成する間の温度（封止材の温度）は、１４０～２００℃、又は１６０～１８０℃であってもよい。封止層を形成する間の圧力は、６～１５ＭＰａ、又は７～１０ＭＰａであってもよい。封止成形の時間は、１～５分、又は２～３分であってもよい。
　形成された封止層１３を必要に応じて加熱硬化させてもよい。封止層１３の硬化のための加熱温度は、１５０～２００℃、又は１６０～１８０℃であってもよい。封止層１３の硬化のための加熱時間は、４～７時間、又は５～６時間であってもよい。
　封止材、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。封止材は、フィラー、ブロム化合物等の難燃性物質、ワックス成分等を含んでいてもよい。
　封止層１３を形成する封止成形の後、得られた封止成形体２０のリードフレーム１１及び封止層１３から、仮保護フィルム１０が剥離される。封止層１３を硬化する場合、仮保護フィルム１０を、封止層１３の硬化の前又は後のいずれの時点で剥離してもよい。
　封止成形体２０から仮保護フィルム１０を剥離する温度は、０～２５０℃、１００～２００℃、又は１５０～２５０℃であってもよい。
　仮保護フィルム１０をリードフレーム１１から剥離した後、リードフレーム１１及び封止層１３上に接着層の一部が残留した場合、これを除去してもよい。残留した接着層を、機械的ブラッシング、又は溶剤によって除去してもよい。溶剤は、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、又はジメチルホルムアミドであってもよい。
　リードフレームがダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンを含む場合、必要に応じて、封止成形体２０を分割して、それぞれ１個の半導体素子を有する図５の半導体パッケージ１００を複数得ることができる。すなわち、リードフレーム１１が複数のダイパッド１１ａを有し、複数のダイパッド１１ａの各々に半導体素子１４が搭載される場合、一実施形態に係る製造方法は、仮保護フィルム１０（又は１０’）を封止成形体２０から剥離した後に封止成形体２０を分割して、１個のダイパッド１１ａ及び半導体素子１４を有する半導体パッケージ１００を得る工程を更に備えていてよい。
　長尺の仮保護フィルムを巻芯に巻き取り、得られたリール体から仮保護フィルムを巻き出しながら、半導体パッケージを製造してもよい。この場合のリール体は、巻芯と、巻芯に巻き取られた上述の実施形態に係る仮保護フィルムとを有する。
　図６は、リール体の一実施形態を示す斜視図である。図６に示すリール体３０は、巻芯３１と、巻芯３１に巻き取られた仮保護フィルム１０と、側板３２と、を備える。巻芯３１及び仮保護フィルム１０の幅（巻取方向と直交する方向の長さ）は、０．００１ｃｍ以上、０．００５ｃｍ以上、又は０．００８ｃｍ以上であってよく、０．０３ｃｍ以下であってよい。巻芯３１及び仮保護フィルム１０の幅（巻取方向と直交する方向の長さ）は、例えば、０．００１ｃｍ以上０．０３ｃｍ以下、０．００５ｃｍ０．０３ｃｍ以下、又は０．００８ｃｍ以上０．０３ｃｍ以下であってよい。
　上述の実施形態に係る仮保護フィルムは、リール体を包装袋に収容した包装体として提供されてもよい。図７は、包装体の一実施形態を示す。図７に示すように、包装体５０は、リール体３０と、リール体３０を収容した包装袋４０と、を備える。リール体３０は、通常個別に包装袋に収容されるが、複数個（例えば、２～３個）のリール体３０を一個の包装袋４０に収容してもよい。
　包装袋４０は、樹脂フィルムから形成されていてよく、アルミニウム層を有する樹脂フィルムである複合フィルムから形成されていてもよい。包装袋４０の具体例としては、アルミニウムコーティングされたプラスチック製の袋等が挙げられる。樹脂フィルムの素材としては、ポリエチレン、ポリエステル、塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチックが挙げられる。リール体３０は、例えば、真空パックされた状態で包装袋に収容されていてもよい。包装体５０は、真空パックされたものに限られない。
　包装袋４０には、リール体３０とともに、乾燥剤が収容されていてもよい。乾燥剤としては、例えば、シリカゲルが挙げられる。包装体５０は、リール体３０を収容した包装袋４０を包む緩衝材を更に有していてもよい。
　包装体５０は、梱包箱に収容された梱包物として提供されてもよい。図８は、梱包物の一実施形態を示す。図８に示すように、梱包物７０は、包装体５０と、包装体５０を収容した梱包箱６０と、を備える。梱包箱６０には、一個又は複数個の包装体５０が収容される。梱包箱６０としては、例えば、段ボールを用いることができる。
　一実施形態に係る仮保護フィルムを用いて製造される半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化等の点で優れており、例えば、携帯電話、スマートフォン、パソコン、タブレット等の電子機器に好適に利用することができる。
　以下、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
検討１
１－１．仮保護フィルムの作製
実施例１
　２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２７０．９ｇ（０．６３モル）、及び１，３－ビス（３－アミノプロピル）－テトラメチルジシロキサン６７.０ｇ（０．２７モル）と、無水トリメリット酸クロライド１８７．３ｇ（０．８９モル）とから形成された重縮合体である芳香族ポリエーテルアミドイミドを準備した。この芳香族ポリエーテルアミドイミド１００質量部と、ソルビトールポリグリシジルエーテル（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＥＸ－６１４Ｂ、エポキシ当量：１７３ｇ／ｅｑ．）７質量部と、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）３質量部とをＮ－メチルピロリドンに溶解して、接着層形成用のワニスを得た。
　得られたワニスを、支持体フィルムの片面上に塗布した。支持体フィルムとして、化学処理を施した表面を有するポリイミドフィルム（厚さ：２５μｍ、宇部興産株式会社製、商品名：ユーピレックスＳＧＡ）を用いた。支持フィルム上の塗膜を１００℃で１０分、及び２００℃で１０分間の加熱によって乾燥して、厚さ２μｍの接着層を形成して、支持フィルム及び接着層を有する実施例１の仮保護フィルムを得た。
実施例２
　ソルビトールポリグリシジルエーテルの量を芳香族ポリエーテルアミドイミド１００質量部に対して１０質量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、接着層形成用のワニス、及び仮保護フィルムを得た。
実施例３
　ソルビトールポリグリシジルエーテルに代えて、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル（共栄化学株式会社製、商品名：エポライト４００Ｅ、エポキシ当量：２６４～２９０ｇ／ｅｑ．）を用い、その量を芳香族ポリエーテルアミドイミド１００質量部に対して１０質量部としたこと以外は実施例１と同様にして、接着層形成用のワニス、及び仮保護フィルムを得た。
比較例１
　ソルビトールポリグリシジルエーテルを用いなかったこと以外は実施例１と同様にして、接着層形成用のワニス、及び仮保護フィルムを得た。
１－２．熱処理前後の銅表面分析
　実施例１～３又は比較例１の仮保護フィルムを、リードフレーム用の銅板Ａ（サイズ：５０ｍｍ×２００ｍｍ、新光電気工業株式会社製、古河電工株式会社製の「商品名：ＥＦＴＥＣ６４Ｔ」を加工したもの、プラズマ照射処理済み）に、温度２３５℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件で接着層が銅板に接する向きで貼り付けた。得られた貼付体を、１８０℃で１時間、及び４００℃で２分の順で熱処理した。熱処理前、１８０℃で１時間の加熱後、及び４００℃で２分の加熱後それぞれの貼付体から仮保護フィルムを剥離した。実施例１及び比較例１の仮保護フィルムの場合について、露出した銅板表面を、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）によって元素分析し、酸素原子の割合（原子％）を求めた。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　実施例１～３の場合、１８０℃で１時間の加熱後の時点で銅板の表面が変色し、酸化銅の形成が示唆されたが、さらに４００℃で２分の加熱後、銅板の表面が熱処理前と同様の金属銅の色を呈していた。比較例１の場合、４００℃で２分の加熱後の銅板表面は酸化銅を多く含むことを示唆する色を呈していた。このような目視観察からも、酸化した銅板表面が４００℃での加熱により還元されたことが示唆された。
１－３．ピール強度
（１）貼付後
　実施例１～３又は比較例１の仮保護フィルムを、温度２３５℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件で、銅板Ａに、接着層が銅板Ａに接する向きで貼り付けた。次いで、２５℃における接着層と銅板Ａとの９０度ピール強度を、引き剥がし速度：毎分３００ｍｍの条件で測定した。
（２）熱処理後
　実施例１～３又は比較例１の仮保護フィルムを、温度２３５℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件で、銅板Ａに、接着層が銅板Ａに接する向きで貼り付けた。次いで、銅板Ａ及びこれに貼り付けられた仮保護フィルムを、１８０℃で１時間、及びこれに続く４００℃で２分間の熱処理に供した。熱処理後、２００℃における接着層と銅板Ａとの９０度ピール強度を、引き剥がし速度：毎分３００ｍｍの条件で測定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表２に貼付後及び熱処理後のピール強度の評価結果を示す。実施例１の仮保護フィルムは、貼付後の適度なピール強度を発現するとともに、熱処理後に十分低減されたピール強度を示した。
検討２
２－１．仮保護フィルムの作製
実施例４
　７質量部のソルビトールポリグリシジルエーテルを１０質量部のポリオキシエチレン（９）第二級アルキル（炭素数１１～１５）エーテル（花王株式会社製、商品名：エマルゲン７０９）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、接着層形成用のワニス、及び仮保護フィルムを得た。
実施例５
　ポリオキシエチレン（９）第二級アルキル（炭素数１１～１５）エーテルの量を芳香族ポリエーテルアミドイミド１００質量部に対して２０質量部に変更したこと以外は実施例４と同様にして、接着層形成用のワニス、及び仮保護フィルムを得た。
２－２．熱処理前後の銅表面分析、及びピール強度
　実施例１、４又は５の仮保護フィルムを、銅板Ｂ（サイズ：５０ｍｍ×２００ｍｍ、新光電気工業株式会社製、古河電工株式会社製の「商品名：ＥＦＴＥＣ６４Ｔ」を加工したもの、プラズマ照射処理無し）に、温度２３５℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒の条件で接着層が銅板Ｂに接する向きで貼り付けた。得られた貼付体を、１８０℃で１時間、及び４００℃で２分の順で熱処理した。熱処理前、及び４００℃で２分の加熱後それぞれの貼付体を用いて、仮保護フィルムの接着層と銅板Ｂとの２５℃又は２００℃における９０度ピール強度を、引き剥がし速度：毎分３００ｍｍの条件で測定した。実施例４及び５の熱処理後のピール強度測定において、剥離後、接着層の一部が銅板Ｂ上に残る残渣の発生が認められた。
　仮保護フィルムの剥離により露出した銅板表面を、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）によって元素分析し、酸素原子の割合（原子％）を求めた。結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　１…支持フィルム、２…接着層、３…非接着層、１０,１０’…仮保護フィルム、１１…リードフレーム、１１ａ…ダイパッド、１１ｂ…インナーリード、１２…ワイヤ、１３…封止層、１４…半導体素子、２０…封止成形体、３０…リール体、３１…巻芯、３２…側板、４０…包装袋、５０…包装体、６０…梱包箱、７０…梱包物、１００…半導体パッケージ。

Claims (10)

  1. 　支持フィルムと、前記支持フィルムの片面又は両面上に設けられた接着層と、を備え、リードフレームのダイパッドに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の間、前記リードフレームの前記半導体素子とは反対側の面を仮保護するために用いられる、半導体封止成形用仮保護フィルムであって、
    　前記接着層が、熱可塑性樹脂、及び分子量１０００未満の低分子添加剤を含み、
    　前記接着層が、当該半導体封止成形用仮保護フィルムを、銅板の表面に、前記接着層が前記銅板に接する向きで貼り付けて前記銅板及び当該半導体封止成形用仮保護フィルムからなる貼付体を形成し、続いて前記貼付体を１８０℃で１時間加熱した後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合がＸ１であり、その後、前記貼付体を４００℃で２分更に加熱する熱処理に供した後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合がＸ２であるときに、Ｘ２がＸ１よりも小さくなるように構成されている、半導体封止成形用仮保護フィルム。
  2. 　Ｘ２が、エネルギー分散型Ｘ線分析によって測定されたときに１．２原子％以下である、請求項１に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  3. 　前記低分子添加剤が、熱分解により還元性ガスを発生する、請求項１又は２に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  4. 　前記低分子添加剤の含有量が、前記熱可塑性樹脂の含有量１００質量部に対して５～３０質量部である、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  5. 　前記低分子添加剤が１以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、ポリエチレングリコールモノアルキルエーテル、及びポリエチレングリコールジアルキルエーテルからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルム。
  6. 　支持フィルムと、前記支持フィルムの片面又は両面上に設けられた接着層と、を備え、リードフレームのダイパッドに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の間、前記リードフレームの前記半導体素子とは反対側の面を仮保護するために用いられる、半導体封止成形用仮保護フィルムを製造する方法であって、
    　熱可塑性樹脂１００質量部及び低分子添加剤５～２０質量部からなる接着層を銅板の表面に貼り付けて前記銅板及び前記接着層からなる貼付体を形成し、前記貼付体を１８０℃で１時間加熱した後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合がＸ１であり、その後、前記貼付体を４００℃で２分更に加熱する熱処理に供した後の前記銅板の前記表面における酸素原子の割合がＸ２であるときに、Ｘ１よりもＸ２が小さくなるように低分子添加剤を選択することと、
    　前記熱可塑性樹脂、及び選択された前記低分子添加剤を含む接着層を前記支持フィルムの片面又は両面上に形成することと、
    を含む、方法。
  7. 　ダイパッドを有するリードフレームと、
    　請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルムと、
    を備え、
    　前記仮保護フィルムが、前記リードフレームの一方の面に、前記仮保護フィルムの接着層が前記リードフレームと接する向きで貼り付けられている、仮保護フィルム付きリードフレーム。
  8. 　ダイパッドを有するリードフレームと、
    　前記リードフレームの一方の面側において前記ダイパッドに搭載された半導体素子と、
    　前記半導体素子を封止している封止層と、
    　請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルムと、
    を備え、
    　前記仮保護フィルムが、前記リードフレームの前記半導体素子とは反対側の面に、前記仮保護フィルムの接着層が前記リードフレームと接する向きで貼り付けられている、仮保護された封止成形体。
  9. 　ダイパッドを有するリードフレームの一方の面に、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体封止成形用仮保護フィルムを、その接着層が前記リードフレームに接する向きで貼り付ける工程と、
    　前記ダイパッドの前記仮保護フィルムとは反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、
    　前記半導体素子を封止する封止層を形成して、前記リードフレーム、前記半導体素子及び前記封止層を有する、仮保護された封止成形体を得る工程と、
    　前記封止成形体から前記仮保護フィルムを剥離する工程と、
    をこの順に備える、半導体パッケージを製造する方法。
  10. 　前記リードフレームが複数の前記ダイパッドを有し、前記複数のダイパッドの各々に前記半導体素子が搭載され、
    　当該方法が、前記仮保護フィルムを前記封止成形体から剥離した後に前記封止成形体を分割して、１個の前記ダイパッド及び前記半導体素子を有する半導体装置を得る工程を更に備える、請求項９に記載の方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230043080A1 (en) * 2021-07-19 2023-02-09 Momentive Performance Materials Inc. Silane coupling agents to improve resin adhesion

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008103700A (ja) * 2006-09-19 2008-05-01 Hitachi Chem Co Ltd 多層ダイボンドシート、半導体用接着フィルム付き半導体装置、半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2008277802A (ja) * 2007-04-04 2008-11-13 Hitachi Chem Co Ltd 半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルム付きリードフレーム及びこれらを用いた半導体装置
WO2018207408A1 (ja) * 2017-05-10 2018-11-15 日立化成株式会社 半導体封止成形用仮保護フィルム
WO2019176596A1 (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 日立化成株式会社 半導体封止成形用仮保護フィルム、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護フィルム付き封止成形体、及び半導体装置を製造する方法
WO2019176597A1 (ja) * 2018-03-12 2019-09-19 日立化成株式会社 半導体封止成形用仮保護フィルム、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護フィルム付き封止成形体及び半導体装置を製造する方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05129473A (ja) 1991-11-06 1993-05-25 Sony Corp 樹脂封止表面実装型半導体装置
JPH1012773A (ja) 1996-06-24 1998-01-16 Matsushita Electron Corp 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008103700A (ja) * 2006-09-19 2008-05-01 Hitachi Chem Co Ltd 多層ダイボンドシート、半導体用接着フィルム付き半導体装置、半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2008277802A (ja) * 2007-04-04 2008-11-13 Hitachi Chem Co Ltd 半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルム付きリードフレーム及びこれらを用いた半導体装置
WO2018207408A1 (ja) * 2017-05-10 2018-11-15 日立化成株式会社 半導体封止成形用仮保護フィルム
WO2019176597A1 (ja) * 2018-03-12 2019-09-19 日立化成株式会社 半導体封止成形用仮保護フィルム、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護フィルム付き封止成形体及び半導体装置を製造する方法
WO2019176596A1 (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 日立化成株式会社 半導体封止成形用仮保護フィルム、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護フィルム付き封止成形体、及び半導体装置を製造する方法

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