KR102481726B1 - 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102481726B1 KR102481726B1 KR1020207023091A KR20207023091A KR102481726B1 KR 102481726 B1 KR102481726 B1 KR 102481726B1 KR 1020207023091 A KR1020207023091 A KR 1020207023091A KR 20207023091 A KR20207023091 A KR 20207023091A KR 102481726 B1 KR102481726 B1 KR 102481726B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- adhesive sheet
- semiconductor device
- lead frame
- adhesive
- adhesive layer
- Prior art date
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 119
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 70
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 46
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 46
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 21
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 125000005439 maleimidyl group Chemical group C1(C=CC(N1*)=O)=O 0.000 claims abstract description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 18
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 8
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 36
- -1 siloxane compound Chemical class 0.000 description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 7
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005102 attenuated total reflection Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 3-[[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCN GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 2
- APCTZYNYGGYPMN-UHFFFAOYSA-N 3-[[(3-aminophenoxy)methyl-methyl-trimethylsilyloxysilyl]methoxy]aniline Chemical compound C=1C=CC(N)=CC=1OC[Si](C)(O[Si](C)(C)C)COC1=CC=CC(N)=C1 APCTZYNYGGYPMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000013036 cure process Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010525 oxidative degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- NAKOELLGRBLZOF-UHFFFAOYSA-N phenoxybenzene;pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1.O=C1NC(=O)C=C1.C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 NAKOELLGRBLZOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J11/00—Recovery or working-up of waste materials
- C08J11/04—Recovery or working-up of waste materials of polymers
- C08J11/06—Recovery or working-up of waste materials of polymers without chemical reactions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J109/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of conjugated diene hydrocarbons
- C09J109/02—Copolymers with acrylonitrile
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
- C09J11/02—Non-macromolecular additives
- C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
- C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/35—Heat-activated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02W—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
- Y02W30/00—Technologies for solid waste management
- Y02W30/50—Reuse, recycling or recovery technologies
- Y02W30/62—Plastics recycling; Rubber recycling
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
본 발명은, 박리 공정의 전까지는, QFN 조립에 수반하는 열 이력을 받아도, 리드 프레임의 이면 및 봉지 수지의 이면으로부터 벗겨지지 않고 이들에 충분하고 안정하게 첩착하고, 봉지 수지의 누설도 없고, 게다가, 박리 공정에서는 용이하게 박리 할 수 있고, 접착제가 잔류하는 풀찌꺼기가 생기거나 파단하거나 하지 않는 접착 시트와, 이것에 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 기재와, 상기 기재의 한쪽의 면에 설치된 열경화형의 접착제층을 갖추고, 반도체 장치의 리드 프레임 또는 배선 기판에 박리 가능하게 첩착되는 반도체 장치 제조용 접착 시트에 있어서, 상기 접착제층은, 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)와, 하기 구조식(1)을 가지는 에폭시 수지(b)와, 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)을 함유하고, 미반응의 말레이미드 잔류량이 0.02~0.13인 반도체 장치 제조용 접착 시트.
Description
본 발명은, QFN(Quad Flat Non-lead) 방식에 의해 반도체 장치를 조립하는 때에 마스크 테이프로서 적합하게 사용되는 접착 시트와, 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본원은, 2018년 2월 12일에, 일본에 출원된 특원 2018-022641호에 근거해 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
근래, 휴대 전화를 비롯하여 IT기기의 소형화, 박형화, 다기능화의 요구에 대해, 반도체 장치(반도체 패키지)에 있어서의 새로운 고밀도 실장 기술의 필요성이 높아지고 있다.
이 요구에 부응하는 CSP(Chip Size Package) 기술로서, QFN 방식이 주목받고 있으며(특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조.), 특히 100 핀 이하의 소핀 타입에 대해 넓게 채용되고 있다.
여기서, QFN 방식에 의한 일반적인 QFN 패키지의 조립방법으로서, 개략 하기 방법이 알려져 있다. 우선, 첩착 공정에 있어서, 리드 프레임의 한쪽의 면에 접착 시트를 첩착하고, 그 다음에, 다이아 터치 공정에 있어서, 리드 프레임에 복수 형성된 반도체 소자 탑재부(다이 패드부)에, IC 칩 등의 반도체 소자를 각각 탑재한다. 다음에, 와이어 본딩 공정에 있어서, 리드 프레임의 각 반도체 소자 탑재부의 외주를 따라서 배설된 복수의 리드와 반도체 소자를 본딩 와이어에 의해 전기적으로 접속한다. 다음에, 봉지 공정에 있어서, 리드 프레임에 탑재된 반도체 소자를 봉지 수지에 의해 봉지한다. 그 후, 박리 공정에 있어서, 접착 시트를 리드 프레임으로부터 박리함으로써, 복수의 QFN 패키지가 배열된 QFN 유닛을 형성할 수 있다. 마지막으로, 다이싱 공정에 있어서, 이 QFN 유닛을 각 QFN 패키지의 외주를 따라서 다이싱함으로써, 복수의 QFN 패키지를 제조할 수 있다.
이러한 용도에 사용되는 접착 시트로는, 박리 공정의 전까지는 리드 프레임의 이면 및 봉지 수지의 이면으로부터 벗겨지지 않고 충분하고 안정하게 첩착하고, 또한, 박리 공정에서는 용이하게 박리 할 수 있고, 리드 프레임의 이면이나 봉지 수지의 이면에 접착제가 잔류하는 풀찌꺼기나, 접착 시트의 파단 등의 문제가 없는 것인 것이 요구된다.
특히 근래는, 반도체 장치의 코스트 저감을 위해서 구리 합금으로 이루어지는 리드 프레임이 사용되게 되어 있다. 이러한 구리 합금으로 이루어지는 리드 프레임은, 천이 금속인 구리의 고분자 재료에 대한 산화 열화의 촉매 작용도 있고, 테이핑 공정 후의 QFN 패키지 조립에 수반하는 열 이력에 의해, 접착제가 산화 열화 되기 쉽고, 시트 박리시에 중박리 및 풀찌꺼기 하기 쉬워진다.
그렇지만, 종래 사용되고 있던 접착 시트는, 구리 합금으로 이루어지는 리드 프레임에 사용할 수 있는 실용 레벨을 충분히 만족하는 것은 아니었다.
예를 들면, 종래의 접착 시트에는, 내열성 필름으로 이루어지는 기재에, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체와 비스말레이미드 수지를 함유하는 접착제층이 적층한 형태의 것이 있지만(특허문헌 3 참조.), 이것을 사용했을 경우, 테이핑 공정 후의 다이아 터치 큐어 처리, 와이어 본딩 공정, 수지 봉지 공정에서 가해지는 열에 의해, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체가 열화하기 쉽고, 박리 공정에 있어서, 박리 곤란해지거나 접착 시트가 파단하거나 풀찌꺼기가 생긴다고 하는 문제를 가지고 있었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 박리 공정의 전까지는, QFN 조립에 수반하는 열 이력을 받아도, 리드 프레임의 이면 및 봉지 수지의 이면으로부터 벗겨지지 않고 이들에 충분하고 안정하게 첩착하고, 봉지 수지의 누설도 없고, 게다가, 박리 공정에서는 용이하게 박리할 수 있고, 접착제가 잔류하는 풀찌꺼기가 생기거나 파단하거나 하지 않는 접착 시트와, 이것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 접착 시트는, 기재와, 상기 기재의 한쪽의 면에 설치된 열경화형의 접착제층을 갖추고, 반도체 장치의 리드 프레임 또는 배선 기판에 박리 가능하게 첩착되는 반도체 장치 제조용 접착 시트에 있어서, 상기 접착제층은, 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)와, 하기 구조식(1)을 가지는 에폭시 수지(b)와, 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)을 함유하고, 미반응의 말레이미드 잔류량이 0.02~0.13인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (a) 성분은, 아크릴로니트릴 함유량이 5~50 질량%이고, 또한, 수평균 분자량으로부터 산출되는 카르복실기 당량이 100~20000의 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체인 것이 바람직하다.
상기 (a) 성분 100 질량부에 대해, 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분과의 합계가 20~300 질량부인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 기재의 반도체 장치 제조용 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법으로서,
리드 프레임 또는 배선 기판에 반도체 장치 제조용 접착 시트를 첩착하는 첩착 공정과,
상기 리드 프레임 또는 배선 기판에 반도체 소자를 탑재하는 다이아 터치 공정과,
상기 반도체 소자와 외부 접속 단자를 도통(導通)시키는 와이어 본딩 공정과,
상기 반도체 소자를 봉지 수지로 봉지하는 봉지 공정과,
상기 봉지 공정의 후, 반도체 장치 제조용 접착 시트를 리드 프레임 또는 배선 기판으로부터 박리 하는 박리 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 박리 공정의 전까지는, QFN 조립에 수반하는 열 이력을 받아도, 리드 프레임의 이면 및 봉지 수지의 이면으로부터 벗겨지지 않고 이들에 충분하고 안정하게 첩착하고, 봉지 수지의 누설도 없고, 게다가, 박리 공정에서는 용이하게 박리할 수 있고, 접착제가 잔류하는 풀찌꺼기가 생기거나 파단하거나 하지 않는 접착 시트와, 이것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 이용되는 리드 프레임의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
도 2는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
이하, 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.
[반도체 장치 제조용 접착 시트]
본 발명의 반도체 장치 제조용 접착 시트(이하, 접착 시트라고 한다)는, 기재와, 상기 기재의 한쪽의 면에 설치된 열경화형의 접착제층을 갖추고, 반도체 장치의 리드 프레임 또는 배선 기판에 박리 가능하게 첩착되는 접착 시트에 있어서, 상기 접착제층은, 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)와, 하기 구조식(1)을 가지는 에폭시 수지(b)와, 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)을 함유하고, 미반응의 말레이미드 잔류량이 0.02~0.13인 것으로서, QFN 방식에 의해 반도체 장치를 조립할 때에 마스크 테이프로서 사용된다.
카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)는, 가열 초기에 있어서의 접착제층의 용융 점도를 적당히 유지하는 역할 등을 완수하는 것과 동시에, 경화한 접착제층에 대해서 양호한 유연성, 접착성을 부여하는 것으로서, 이것을 함유하는 것에 의해서, 내열성 필름 등으로 이루어지는 기재로의 밀착성이 좋고, 갈라짐이 없는 접착제층을 형성할 수 있다. 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)로서는, 공지의 것을 제한없이 사용할 수 있지만, 아크릴로니트릴 함유량이 5~50 질량%의 것이 바람직하고, 10~40 질량%의 것이 보다 바람직하다. 아크릴로니트릴 함유량이 상기 범위 미만이면, 용매에 대한 용해성이나 다른 성분과의 상용성이 저하하기 때문에, 얻어지는 접착제층의 균일성이 저하하는 경향이 있다. 한편, 아크릴로니트릴 함유량이 상기 범위를 넘으면, 얻어지는 접착제층은 리드 프레임이나 봉지 수지로의 접착성이 과도가 되어, 이것을 접착 시트에 사용했을 경우, 박리 공정에서의 박리가 곤란해지거나, 접착 시트가 파단하거나 할 가능성이 있다.
카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체에 있어서의 수평균 분자량으로부터 산출되는 카르복실기 당량은 100~20000의 범위의 것이 바람직하고, 200~10000의 것이 보다 적합하다. 카르복실기 당량이 상기 범위 미만이면, 다른 성분과의 반응성이 너무 높아져서, 얻어지는 접착제층의 보존 안정성이 저하하는 경향에 있다. 한편, 카르복실기 당량이 상기 범위를 넘으면, 다른 성분과의 반응성이 부족하기 때문에, 얻어지는 접착제층은, 저(低)-B스테이지가 되기 쉽다. 그 결과, 이것을 접착 시트에 사용했을 경우, 가열 초기, 즉 접착 시트의 첩착 공정이나, 다이아 터치 큐어 처리 등에 있어서, 접착 시트가 가열되었을 때에, 접착제층이 저점도화하여, 접착제층에서 발포를 일으키거나 흘러나가거나 하기 쉬워, 열안정성이 저하하는 경향에 있다.
덧붙여, 수평균 분자량으로부터 산출되는 카르복실기 당량이란, 수평균 분자량(Mn)을 1 분자 당의 카르복실기 수(관능기수)로 나눈 것으로서, 하기 식으로 나타낸다.
카르복실기 당량 = Mn/관능기수
에폭시 수지(b)와 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)은, 접착제층의 열강화성을 담당하는 것으로서, 이것들을 병용함으로써, 열안정성이 뛰어나고, 게다가, 박리 공정에서는 용이하게 박리할 수 있고, 풀찌꺼기나 파단이 생기지 않는 접착제층을 형성할 수 있다. 특히 에폭시 수지(b)는, 접착제층에 대해서 인성을 부여하는 것으로서, 이것을 함유하는 것에 의해서, 박리 공정에서 접착제층이 갈라짐에 의한 풀찌꺼기를 억제할 수 있다.
말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)은, 접착제층에 대해서 열안정성을 부여하는 것과 동시에, 접착제층의 접착성을 조정하는 작용을 이루어, 이것을 함유하는 것에 의해서, 접착성이 적당히 제어되어, 박리 공정에서 용이하게 박리할 수 있는 접착제층을 형성할 수 있다.
말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)의 구체예로서는, 비스말레이미드 수지를 구성하는 화합물이 바람직하게 사용되고, 하기 식 (2-1)~(2-3)의 것 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 특히 하기 식 (2-1) 또는 (2-3)으로 나타나는 화합물이 용매에 대한 용해성에 점에서 유용하다.
덧붙여, 상술의 (a)~(c)의 각 성분으로서는, 모두, 1종의 화합물로 구성된 것을 사용해도 되고, 2종 이상의 화합물의 혼합물을 사용해도 된다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 접착 시트에 있어서의 접착제층은, 미반응의 말레이미드 잔류량이 0.02~0.13이어야 한다. 특히 미반응의 말레이미드 잔류량은 0.02~0.10이 바람직하다. 미반응의 말레이미드 잔류량이 0.02보다 낮은 경우는, 리드 프레임에의 초기 접착 강도가 낮고, 라미네이트 가공시에 미착 부분이 발생하는 등의, 결함이 생긴다. 한편, 0.13보다 높으면, 리드 프레임에의 초기 접착 강도가 높아져, 그 결과, 패키지 조립 후의 디 테이핑성이 나빠진다(고-박리강도, 풀찌꺼기·테이프 파단이 생기 쉬워진다). 미반응의 말레이미드 잔류량을 0.02~0.13으로 하기 위해서는, 접착제층의 제조시에 있어서의 건조 과정에서 경화를 적절히 컨트롤함으로써 얻을 수 있다.
미반응의 말레이미드 잔류량은, 접착제층을 FT-IR분광법(푸리에 변환 적외 분광법)에 따라 측정한 결과를 분석하는 것에 의해서 얻을 수 있다. 미반응의 말레이미드 잔류량은, FT-IR에 있어서의 말레이미드의 피크(1148cm-1)의 적분치와, 말레이미드의 방향환의 피크(1500cm-1)의 적분치의 비(S1148/S1500)로, 산출된다. 미반응의 말레이미드 잔류량의 분석 방법에 대해 상세하게는 실시예의 평가 결과에 기재한다.
상기 각 성분의 비율은, (a) 성분 100 질량부에 대해, (b) 성분과 (c) 성분의 합계가 20~300 질량부인 것이 바람직하고, 20~200 질량부가 보다 바람직하다. (b) 성분과 (c) 성분과의 합계가 상기 범위 미만이면, 접착제층의 반응성이 저하하여, 가열에 의해도 불용불융화가 진행하기 어려워져, 열안정성이 저하함으로써 접착력이 강해지는 경향이 있다. 한편, 상기 범위를 넘으면, 가열 초기에 있어서의 접착제층의 용융 점도가 부족하고, 이 접착제층을 사용한 접착 시트에서는, 테이핑 공정 후의 다이아 터치 큐어 처리 등에서, 접착제층이 흘러나오거나 발포하거나 할 우려가 있다.
추가로, (b) 성분에 대한 (c) 성분의 질량비((c)/(b))는, 0.1~10의 범위가 바람직하다. 상기 범위 미만에서는, 얻어지는 접착제층은 상온에서의 경화 반응이 진행하기 쉬워져 보존 안정성이 부족해지는 경우나, 접착력이 너무 강해져서, 이것을 사용한 접착 시트는 박리 공정에서 박리 불능이 되거나 파단하거나 할 우려가 있다. 한편, 상기 범위를 넘으면, 접착 시트의 제조시에 있어서, 이 접착제층과 내열성 필름으로 이루어지는 기재와의 접착성이 저하하는 경우나, 접착제층이 발포하거나 얻어지는 접착 시트가 풀찌꺼 되기 쉽게 되는 경향이 있다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 접착 시트에 있어서의 접착제층에는, 반응성 실록산 화합물을 함유시켜도 된다. 반응성 실록산 화합물은, 접착제층을 구성하는 각 성분의 상용성을 높이는 것과 동시에, 접착제층의 봉지 수지로부터의 박리성을 향상시키기 위한 것으로서, 이것을 함유하는 것에 의해서, 각 성분이 양호하게 상용하여, 성분의 분리, 석출 등의 문제가 없는 균일한 접착제층을 형성할 수 있다. 그 결과, 접착제층은 접착 강도가 균일한 것이 되어, 부분적으로 접착 강도가 높은 것에 기인하는 박리성의 저하, 풀찌꺼기 등의 문제를 억제할 수 있다.
반응성 실록산 화합물로서는, 아미노 변성, 에폭시 변성, 카르복실 변성, 머캅토 변성 등의 반응기에 의해 반응성이 부여된 실록산 화합물을 제한 없이 사용할 수 있다. 이들 그 중에서도, 1,3-비스(3-아미노프로필) 테트라메틸디실록산, 아미노프로필 말단의 디메틸 실록산 4량체 또는 8량체, 비스(3-아미노페녹시메틸) 테트라메틸디실록산이 (b) 성분 및 (c) 성분과의 반응이 신속하게 진행하는 점에서 적합하다. 반응성 실록산 화합물로서는, 이와 같이 실록산 구조의 양말단에 반응기가 결합한 것을 사용하는 것이 반응성의 점에서 바람직하지만, 편말단의 것이나, 말단의 한쪽이 반응성이고 다른 쪽이 비반응성인 실란 커플링제도 사용할 수 있다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 접착 시트에 있어서의 접착제층은, (b) 성분의 에폭시기 수와 (c) 성분의 말레이미드기 수의 합계에 대한 반응성 실록산 화합물의 반응기 수의 비가 0.05~1.2인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~0.8이다. 상기 범위 미만에서는, 접착제층 전체에서의 반응성이 저하하고, 다이아 터치 큐어 처리 등에서 경화 반응이 진행하기 어려워져, 그 결과, 접착력이 너무 강해지는 경우가 있다. 한편, 상기 범위를 넘으면, 반응이 과잉으로 너무 진행하여, 접착제층의 조제시에 겔화 등의 문제가 일어나기 쉽고, 접착력이 약해지기 쉽다.
접착제층에는, (a)~(c)의 각 필수 성분 외에, 유기 과산화물, 이미다졸류, 트리페닐포스핀 등의 반응 촉진제를 첨가해도 된다. 이들의 첨가에 의해, 접착제층의 상온으로의 상태를 양호한 B스테이지로 컨트롤하는 것도 가능하다.
추가로, 용융 점도의 컨트롤, 열전도성 향상, 난소성 부여 등의 목적을 위해서, 평균 입경 1μm 이하의 필러를 첨가해도 된다. 필러로서는, 실리카, 알루미나, 마그네시아, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 산화 티탄, 탄산칼슘, 수산화 알루미늄 등의 무기 필러, 실리콘 수지, 불소 수지 등의 유기 필러 등을 들 수 있다. 필러를 사용하는 경우에는, 그 함유량은, 접착제층 중, 1~40 질량%로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 접착 시트는, 기재인 내열성 필름의 편면에, 상술의 접착제층이 형성된 것이다.
이러한 접착 시트를 제조하는 경우에는, 우선, 적어도 상술의 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a), 상기 구조식(1)을 가지는 에폭시 수지(b), 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c), 필요에 따라서 반응성 실록산 화합물과 용매로 이루어지는 접착제 도료를 조제한다. 그 다음에, 이 도료를 내열성 필름의 편면에, 건조 후의 접착제층의 두께가 바람직하게는 1~50μm, 보다 바람직하게는 3~20μm가 되도록 도포하고, 건조하면 된다. 또한, 접착제층의 보호를 위해서, 형성된 접착제층 상에는, 추가로 박리성의 보호 필름을 마련하는 것이 바람직하고, 그 경우에는, 보호 필름 상에 도료를 도포, 건조하여 접착제층을 형성하고, 그 상에 내열성 필름을 마련하는 방법으로 접착 시트를 제조해도 된다. 덧붙여, 보호 필름은, 접착 시트의 사용시에는 박리되는 것이다.
내열성 필름으로서는, 폴리이미드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리에테르 설폰, 폴리에테르 에테르 케톤, 액정 폴리머, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등으로 이루어지는 내열성 플라스틱 필름, 에폭시 수지-유리 크로스 등의 복합 내열 필름 등을 들 수 있지만, 특히 폴리이미드 필름이 바람직하다.
폴리이미드 필름의 두께는, 12.5~125μm가 바람직하고, 보다 바람직하게는 25~50μm이다. 상기 범위 미만이면, 접착 시트의 탄력이 불충분하게 되어 다루기 어려워지는 경향이 있고, 상기 범위를 넘으면, QFN 조립 때의 테이핑 공정이나 박리 공정에서의 작업이 곤란하게 되는 경향이 있다.
접착제 도료에 사용되는 용매로서는, 탄화수소류, 알코올류, 케톤류, 에테르 종류(테트라히드로퓨란 등) 등의 유기용제, 물 등 중 1종 이상을 바람직하게 사용할 수 있고, 그 사용량은, 도료로서 적절한 점도가 되도록 적절히 조정하면 된다. 또한, 도료의 성상은, 용액, 에멀젼, 서스펜션의 어느 하나라도 되고, 사용하는 도포 장치 및 환경조건 등에 응해 적당 선택하면 된다.
박리성의 보호 필름으로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 염화 비닐, 불소계 수지, 실리콘 등의 플라스틱 필름이나, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 종이 등에 실리콘 피복 등으로 박리성을 부여한 것을 들 수 있다.
[반도체 장치의 제조 방법]
본 발명의 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법은, 리드 프레임 또는 배선 기판에 접착 시트를 첩착하는 첩착 공정과, 리드 프레임 또는 배선 기판에 반도체 소자를 탑재하는 다이아 터치 공정과, 반도체 소자와 외부 접속 단자를 도통시키는 와이어 본딩 공정과, 반도체 소자를 봉지 수지로 봉지하는 봉지 공정과, 봉지 공정의 후, 접착 시트를 리드 프레임 또는 배선 기판으로부터 박리하는 박리 공정을 구비하는 것이다.
이하, 본 발명의 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일례에 대해서, 도 1~2를 참조하여 설명한다. 도 1은, 반도체 소자를 탑재하는 측으로부터 본 리드 프레임의 평면도이며, 도 2 (a)~(f)는, 도 1에 나타낸 리드 프레임을 이용하여 QFN 패키지를 제조하는 방법을 나타내는 공정도로서, 도 1의 리드 프레임의 A-A＇단면도이다.
우선, 도 1에 나타내는 개략 구성의 리드 프레임(20)을 준비한다. 리드 프레임(20)은, IC 칩 등의 반도체 소자를 탑재하는 복수의 반도체 소자 탑재부(다이 패드부)(21)가 매트릭스 상에 형성되고, 각 반도체 소자 탑재부(21)의 외주를 따라서 다수의 리드(22)(외부 접속 단자)가 형성된 것이다.
리드 프레임(20)의 재질로서는, 종래 공지의 것을 들 수 있고, 예를 들면, 동판 및 구리 합금판, 또는 이들에 스트라이크 도금을 마련한 것이나, 구리 합금판의 표면에, 니켈 도금층과 팔라듐 도금층과 금 도금층이 이 순서대로 마련된 것을 들 수 있다.
도 2 (a)에 나타낸 바와 같이, 리드 프레임(20)의 한쪽의 면(하면)에, 접착 시트(10)을 접착제층(도시 생략)이 리드 프레임(20)에 맞닿도록 첩착한다(첩착 공정). 접착 시트(10)을 리드 프레임(20)에 첩착하는 방법으로서는, 라미네이트법·프레스법 등이 있지만, 생산성의 관점에서, 테이핑 공정을 연속적으로 실시할 수 있는 라미네이트법이 적합하다. 본 공정에 있어서의 접착 시트(10)의 온도는, 예를 들면, 상온(5~35℃)으로부터 150℃로 하고, 60~120℃가 보다 바람직하다. 150℃ 보다 높은 온도로 첩착하면 리드 프레임에 휨이 생기기 쉬워진다.
본 공정에서 리드 프레임(20)에 휨이 생기면, 다이아 터치 공정이나 와이어 본딩 공정에서의 위치 결정이 곤란하게 되거나, 가열로에의 반송이 곤란하게 되어, QFN 패키지의 생산성을 저하시킬 우려가 있다.
도 2 (b)에 나타낸 바와 같이, 리드 프레임(20)의 반도체 소자 탑재부(21)에 있어서의 접착 시트(10)이 첩착되어 있지 않은 측에, 다이아 터치제(도시 생략)를 통해서 IC 칩 등의 반도체 소자(30)을 재치(載置)한다. 이때, 리드 프레임(20)은, 휨이 억제되어 있기 때문에, 용이하게 위치 결정된다. 그리고, 반도체 소자(30)이 소정의 위치에 정확하게 재치된다. 그 후, 100~200℃ 정도로 가열하고, 다이아 터치제를 경화하여, 반도체 소자(30)을 반도체 소자 탑재부(21)에 고정하여 탑재한다(다이아 터치제 경화 처리. 이상, 다이아 터치 공정.). 이때, 접착 시트(10)은, 접착제층이 경화하여, 리드 프레임에 접착된다.
접착 시트(10)나 다이아 터치제 등으로부터 발생하는 아웃 가스 성분이 리드 프레임(20)이나 반도체 소자(30)에 부착하고 있으면, 와이어 본딩 공정에 있어서 와이어의 접합 불량에 의한 수율 저하를 일으키기 쉽다. 여기서, 다이아 터치 공정의 후, 와이어 본딩 공정의 전에, 리드 프레임(20)이나 반도체 소자(30)에 플라스마 처리를 가한다(플라스마 클리닝 공정). 플라스마 처리로서는, 예를 들면, 접착 시트(10)이 첩착되어 반도체 소자(30)이 탑재된 리드 프레임(20)(이하, 제작중인 물건이라고 하는 일이 있다)을 아르곤 가스, 또는 아르곤 가스와 수소 가스와의 혼합 가스 등의 분위기에서 플라스마 조사하는 방법을 들 수 있다. 플라스마 처리에 있어서의 플라스마의 조사 출력은, 예를 들면, 150~600 W로 한다. 또한, 플라스마 처리의 시간은, 예를 들면, 0.1~15분간으로 한다.
도 2 (c)에 나타낸 바와 같이, 반도체 소자(30)와 리드 프레임(20)의 리드(22)(외부 접속 단자)를 금 와이어, 구리 와이어, 팔라듐으로 피복된 구리 와이어 등의 본딩 와이어(31)로 전기적으로 도통한다(와이어 본딩 공정). 본 공정은, 재공품(在工品)을 히터 블록 상에서 150~250℃ 정도로 가열하면서 행해진다. 본 공정에 있어서의 가열 시간은, 예를 들면, 5~60분간으로 한다.
와이어 본딩 공정에서 제작중인 물건이 가열되면, 접착제층 중에 불소 첨가제가 함유되어 있는 경우는, 불소 첨가제가 접착제층의 표면으로 이행하기 때문에, 후술의 박리 공정에 있어서 접착 시트(10)은, 리드 프레임(20) 및 봉지 수지(40)로부터 박리하기 쉬워진다.
도 2 (d)에 나타낸 바와 같이, 도 2 (c)에 나타내는 제작중인 물건을 금형 내에 재치하고, 봉지 수지(몰드재)를 이용하여 금형 내로 사출하여 충전한다. 임의의 양을 금형 내에 충전한 후, 금형 내를 임의의 압력으로 유지함으로써, 반도체 소자(30)을 봉지 수지(40)에 의해 봉지한다(봉지 공정). 봉지 수지로서는, 종래 공지의 것이 이용되고, 예를 들면, 에폭시 수지 및 무기 필러 등의 혼합물을 들 수 있다.
도 2 (e)에 나타낸 바와 같이, 접착 시트(10)을 봉지 수지(40) 및 리드 프레임(20)으로부터 박리함으로써, 복수의 QFN 패키지(50)이 배열된 QFN 유닛(60)을 얻는다(박리 공정).
도 2 (f)에 나타낸 바와 같이, QFN 유닛(60)을 각 QFN 패키지(50)의 외주를 따라서 다이싱함으로써, 복수의 QFN 패키지(50)을 얻는다(다이싱 공정).
덧붙여, 상술의 실시 형태에서는, 리드 프레임을 이용한 QFN 패키지의 제조 방법을 예로 하여 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고, 리드 프레임을 이용한 QFN 패키지 이외의 반도체 장치의 제조 방법, 배선 기판을 이용한 반도체 장치의 제조 방법에도 적용할 수 있다.
본 발명의 접착 시트에 있어서의 접착제층은, 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)의 카르복실기와 에폭시 수지(b)의 글리시딜기를 가교하여 B스테이지 상태(반경화 상태)를 취하는 것으로써, 낮은 유리 전이 온도(-30℃~50℃)로 할 수 있다. 낮은 유리 전이 온도의 접착제층을 가지는 접착 시트는, 비교적 저온의 가열 조건, 구체적으로는 상온(5℃~35℃)~150℃에서 롤 라미네이트 등에 의해 테이핑 공정을 연속적으로 수행할 수 있고 생산성이 뛰어난다.
또한, 본 발명의 접착 시트에 있어서의 낮은 유리 전이 온도(-30℃~50℃)의 접착제층은, 가열되었을 때에 고탄성율의 특성을 얻을 수 있다. 근래, 와이어 본딩 공정에서의 코스트 다운을 목적으로 하고, 종래의 금 와이어에 대신 저-코스트인 구리 와이어 또는, 팔라듐 피복된 구리 와이어에 의한 본딩을 한 제품이 보급하기 시작하고 있다. 구리 와이어 또는, 팔라듐 피복된 구리 와이어는, 금보다 고탄성의 금속 때문에, 안정된 형상을 만들기 위해서는 종래의 금 와이어보다 고하중으로의 가공이 필요하다.
이러한 큰 하중을 리드 프레임에 가하면, 리드 프레임 하부에 첩착되어 있는 접착 시트에 있어서의 접착제층이 저탄성률이면, 상기 접착제층이 변형하고 그 변형된 접착제층의 상태로 수지 봉지된다. 그렇다면, 변형된 접착제층 부분으로부터 봉지 수지의 누설이 발생한다. 또한, 리드 프레임으로부터 접착 시트를 박리할 때에는, 상기 변형된 접착제층 부분으로부터 접착제층이 파단하여 리드 프레임 표면 상에 접착제가 잔류한다고 하는 문제도 생긴다. 덧붙여, 와이어 본딩시에, 접착제가 저탄성률이면, 접착제가 변형해 버리는 것으로써, 와이어 하중이 전해지기 어렵고, 와이어 본딩 불량도 일어나기 쉬워진다. 본 발명의 접착 시트에 있어서의 접착제층은, 상기와 같이 고탄성율의 특성을 가지기 때문에, 구리 와이어 또는, 팔라듐 피복된 구리 와이어를 이용하여, 와이어 본딩하여도, 와이어 본딩 불량이나, 봉지 수지의 누설이나 접착제층의 잔류의 문제가 생기기 어렵다.
또한, 본 발명의 접착 시트에 있어서의 접착제층에는, 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)을 함유하고, 미반응의 말레이미드 수지 잔류량을 특정의 범위로 하고 있으므로, 접착제층을 고(高)-B스테이지 상태로 할 수 있다. 그 때문에, 리드 프레임에의 접착 강도가 높아지는 것을 억제하고, 그 결과, 봉지 수지의 누설, 접착제의 리드 프레임에의 잔류 및 박리시의 접착제층의 파단을 억제할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명에 대해서, 실시예를 나타내어 구체적으로 설명한다.
[실시예 1~4 및 비교예 1~3]
(접착제 도료의 조성)
표 1에 나타내는 질량비율로, (a)~(c) 성분 및 그 외의 성분과 용매인 테트라히드로퓨란(THF)을 혼합하여, 접착제 도료를 조제했다.
그 다음에, 이 접착제 도료를 두께 25μm의 폴리이미드 필름(토레이·듀폰사 제, 상품명 카프톤 100 EN)의 편면에, 건조 후의 접착제층 두께가 5μm가 되도록 도포 후, 표 1에 나타내는 건조 조건에 근거하여 열풍 순환형 오븐 중에서 건조하여, 접착 시트를 얻었다.
덧붙여, 사용한 각 성분의 상세는 이하와 같다.
·카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체: 수평균 분자량보다 산출되는 카르복실기 당량 1500, 아크릴로니트릴 함유량 27 질량%
·구조식(1)을 가지는 에폭시 수지: 분자량 630, 관능기 당량 210 g/eq
·비스페놀 A디페닐에테르비스말레이미드: 분자량 570, 관능기 당량 285 g/eq
·1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산: 분자량 248, 관능기 당량 62 g/eq
상술한 바와 같이 하여 얻어진 각 예의 접착 시트에 대해서, 다음의 측정 및 평가를 실시하고, 그 결과를 표 2에 나타낸다.
(1) 미반응의 말레이미드 잔류량
접착 시트의 말레이미드 잔류량은, FT-IR(퍼킨엘머사 제 Spectrum100)를 이용하고, ATR(Attenuated Total Reflection) 법에 따라 측정했다. 접착 시트의 말레이미드 잔류량의 산출 방법을 이하에 나타내다.
(i) 측정: ATR 보정과 흡광도 변환 후, 이하의 파수 S1, S2에 있어서의 피크 면적을 산출한다.
S1=말레이미드의 피크(1148cm-1)의 적분치
S2=말레이미드의 방향환의 피크(1500cm-1)의 적분치
(ii) S1/S2의 비를, 미반응의 말레이미드 잔류량으로 했다.
(2) Cu판에 대한 박리 강도
피착체: 동판(코가제 125μm 7025 타입)
접착 시트 사이즈: 폭 10 mmХ길이 50 mm
가공: 롤 라미네이트를 사용하여, 각 예에서 얻어진 접착 시트를 피착체에 첩부한 것을, 시험체로 했다. 그 때의 라미네이트 조건은, 온도 80℃, 압력 4 N/cm, 압착 속도 1 m/분으로 했다.
측정: 만능 인장 시험기를 사용하고, 시험체의 90° 필 강도를 상온에서 측정했다. 동판을 고정하고, 접착 시트를 수직 방향으로 인장하여 측정했다. 인장 속도는 50 mm/분으로 했다.
평가: 박리 강도는, 실용상 5 gf/cm이상이 문제없는 접착 강도이다. 5gf/cm이상을 ○로 하고, 5 gf/cm미만을 Х로 했다.
(3) 다이아 터치 공정 후의 열 특성
가공: 각 예에서 얻어진 접착 시트에 있어서, 두께 25μm의 폴리이미드 필름을, 두께 38μm의 이형 처리를 가한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(PET 필름)으로 한 것을 제작하고, 다이아 터치 큐어 처리를 상정하고, 통풍 오븐을 사용하여 175℃에서 1시간 가열했다.
측정: 가열 후의 접착 시트에 있어서의 접착제층을 PET 필름으로부터 취출하고, 인장 저장 탄성률을 DMA(Dynamic Mechanical Analyzer)를 이용하여 측정했다.
DMA로서 바이브론 측정기(오리엔테크사 제, RHEOVIBRON DDV-II-EP)를 이용하고, 주파수 11 Hz, 승온 속도 10℃／min, 하중 1.0 gf에서 측정을 실시했다.
평가: 와이어 본딩 공정시를 상정했을 때에 걸리는 온도, 200℃에 있어서의 인장 저장 탄성률이 10 MPa 이상의 것을 ○로 했다.
(4) 수지 봉지 공정 후의 시험체에 대한 박리 강도, 테이프 박리 후의 접착제 잔류물의 유무
가공·측정 방법:
(i) 시험체의 제작과 열처리
각 예에서 얻어진 접착 시트를 폭 50 mmХ길이 60 mm로 재단한 후, 실제의 QFN의 조립에 수반하는 열 이력 등을 상정하여, 우선, 하기의 (a)~(d)를 차례로 실시했다.
(a) 각 예에서 얻어진 접착 시트를 폭 50 mmХ길이 60 mm로 재단하고, 이것을 50 mmХ100 mm의 외부 치수 57.5mmХ53.5 mm 구리 합금제의 테스트용 리드 프레임(표면 스트라이크 도금, 8Х8개의 매트릭스 배열, 패키지 사이즈 5 mmХ5 mm, 32 핀)에, 롤 라미네이트를 사용하여 첩부하였다. 그 때의 라미네이트 조건은, 온도 80℃, 압력 4 N/cm, 압착 속도 1 m/분으로 했다.
(b) 접착 시트가 첩착된 구리 합금제의 테스트용 리드 프레임을 통풍 오븐으로 175℃／1시간 가열했다. 이것은, 다이아 터치 큐어 처리를 상정한 처리이다.
(c) 플라스마 조사 처리: Yield 엔지니어링사 제 1000P에 의해, 가스종으로 Ar을 사용하고, 450 W/60초간 처리했다.
(d) 200℃／30분 가열: 와이어 본딩 공정을 상정한 처리로서, 핫 플레이트를 사용하여 가열했다.
그 다음에, (a)~(d)의 열처리가 끝난 피착체의 접착 시트가 첩합된 면과는 반대의 구리재 노출면에, 몰드 프레스기를 이용하여, 175℃／3분의 조건에서 봉지 수지를 적층했다(수지 봉지 공정). 봉지 수지로서는 스미토모 베크라이트사 제의 에폭시 몰드 수지(EME-G631BQ)를 사용했다.
(ii) 박리 강도의 측정, 테이프 박리 후의 접착제 잔류물의 유무
상술의 수지 봉지 공정 후의 시험체에 대해서, 만능 인장 시험기를 사용하여, 90° 필 강도를 상온에서 측정했다. 덧붙여, 시험체를 고정하고, 접착 시트의 코너 부분을 수직 방향으로 인장하여 측정했다. 인장 속도는 300 mm/분으로 했다. 또한, 테이프 박리 후의 접착제 잔류물의 유무를, 광학 현미경(키엔스사 제 디지털 마이크로스코프 VHX-500)을 이용하여, 배율 100배로 확인했다.
평가:
○: 박리 강도가 1000 gf/50 mm미만로서, 박리한 접착 시트가 파단하고 있지 않고, 리드 프레임재 표면 및 봉지 수지 표면에 접착제가 잔류하고 있지 않다.
△: 박리 강도가 1000 gf/50 mm이상로서, 박리한 접착 시트가 파단하고 있지 않고, 리드 프레임재 표면 및 봉지 수지 표면에 접착제가 잔류하고 있지 않다.
Х: 접착 시트의 파단이 인정되거나, 리드 프레임재 표면 및 봉지 수지 표면에 접착제의 잔류가 인정되거나의 어느 하나의 적어도 1개에 해당한다.
(5) 수지 누설의 유무
상술의 수지 봉지 공정 후의 시험체에 대해서, 봉지 수지 누설의 유무를, 광학 현미경(키엔스사 제 디지털 마이크로스코프 VHX-500)을 이용하여, 배율 100배로 확인했다.
○: 접착 시트 박리 후의, 수지 봉지제의 테스트용 리드 프레임재 표면에, 봉지 수지가 누출되지 않았다.
상기의 표 2로부터 분명한 것 같이, 실시예 1~4의 접착 시트는, Cu판에 대한 박리 강도, 다이아 터치 공정 후의 열 특성, 수지 봉지 공정 후의 시험체에 대한 박리 강도, 테이프 박리 후의 접착제 잔류물의 유무, 수지 누설의 유무에 있어서의 모든 평가에 있어서, 실용상 문제 없는 결과였다.
이것에 대해서, 비교예 1및 비교예 2의 접착 시트는, 수지 봉지 공정 후의 시험체에 대한 박리 강도의 평가에 있어서, 구리 합금제의 테스트용 리드 프레임에 첩부할 수 없다고 하는 문제를 가지고 있었다. 또한, 비교예 3의 접착 시트는, 수지 봉지 공정 후의 시험체에 대한 박리 강도의 평가에 있어서, 구리 합금제의 테스트용 리드 프레임에 강고하게 접착되고 있어, 접착 시트가 찢어진다고 하는 문제를 가지고 있었다.
10 반도체 장치 제조용 접착 시트
20 리드 프레임
30 반도체 소자
31 본딩 와이어
40 봉지 수지
50 QFN 패키지
20 리드 프레임
30 반도체 소자
31 본딩 와이어
40 봉지 수지
50 QFN 패키지
Claims (4)
- 기재와, 상기 기재의 한쪽의 면에 마련된 열경화형의 접착제층을 구비하고, 반도체 장치의 리드 프레임 또는 배선 기판에 박리 가능하게 첩착되는 반도체 장치 제조용 접착 시트에 있어서, 상기 접착제층은, 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)와, 하기 구조식(1)을 가지는 에폭시 수지(b)와, 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)을 함유하고, 미반응의 말레이미드 잔류량이 0.02~0.13인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 접착 시트.
[화학식 1]
- 청구항 1에 있어서,
상기 (a) 성분은, 아크릴로니트릴 함유량이 5~50 질량%이고, 또한, 수평균 분자량으로부터 산출되는 카르복실기 당량이 100~20000인 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 접착 시트. - 청구항 1에 있어서,
상기 (a) 성분 100 질량부에 대하여, 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계가 20~300 질량부인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 접착 시트. - 청구항 1에 기재된 반도체 장치 제조용 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법으로서,
리드 프레임 또는 배선 기판에 반도체 장치 제조용 접착 시트를 첩착하는 첩착 공정과,
상기 리드 프레임 또는 배선 기판에 반도체 소자를 탑재하는 다이아 터치 공정과,
상기 반도체 소자와 외부 접속 단자를 도통시키는 와이어 본딩 공정과,
상기 반도체 소자를 봉지 수지로 봉지하는 봉지 공정과,
상기 봉지 공정의 후, 반도체 장치 제조용 접착 시트를 리드 프레임 또는 배선 기판으로부터 박리하는 박리 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018022641A JP6909171B2 (ja) | 2018-02-12 | 2018-02-12 | 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JPJP-P-2018-022641 | 2018-02-12 | ||
| PCT/JP2019/004810 WO2019156253A1 (ja) | 2018-02-12 | 2019-02-12 | 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200118811A KR20200118811A (ko) | 2020-10-16 |
| KR102481726B1 true KR102481726B1 (ko) | 2022-12-29 |
Family
ID=67549697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207023091A KR102481726B1 (ko) | 2018-02-12 | 2019-02-12 | 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6909171B2 (ko) |
| KR (1) | KR102481726B1 (ko) |
| CN (1) | CN111566177B (ko) |
| SG (1) | SG11202005798WA (ko) |
| TW (1) | TWI784129B (ko) |
| WO (1) | WO2019156253A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7412555B2 (ja) * | 2020-05-26 | 2024-01-12 | 株式会社巴川製紙所 | 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| CN116848635A (zh) * | 2021-02-16 | 2023-10-03 | 株式会社巴川制纸所 | 半导体装置制造用粘接片及使用该半导体装置制造用粘接片的半导体装置的制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008095014A (ja) | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Ｑｆｎ用熱硬化型樹脂組成物および接着シート |
| JP2016183237A (ja) | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 株式会社巴川製紙所 | 樹脂組成物および接着テープ |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100302212B1 (ko) * | 1999-01-22 | 2001-09-22 | 한형수 | 전자부품용 접착테이프의 제조방법 |
| JP4665298B2 (ja) * | 2000-08-25 | 2011-04-06 | 東レ株式会社 | 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 |
| JP3779601B2 (ja) | 2001-11-28 | 2006-05-31 | 株式会社巴川製紙所 | 半導体装置組立用マスクシート |
| JP2004182804A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Mitsui Chemicals Inc | 樹脂組成物及びそれよりなるフィルム状接着剤 |
| JP4319892B2 (ja) | 2003-11-07 | 2009-08-26 | 株式会社巴川製紙所 | 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法 |
| TWI236075B (en) * | 2004-03-12 | 2005-07-11 | Uni Light Technology Inc | Method for forming die protecting layer |
| JP5486081B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-05-07 | 株式会社巴川製紙所 | 電子部品用液状接着剤および接着テープ |
| JP5937398B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2016-06-22 | 株式会社巴川製紙所 | 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法 |
| KR101722137B1 (ko) * | 2014-01-03 | 2017-03-31 | 주식회사 엘지화학 | 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름 |
| SG11201700738XA (en) * | 2014-08-29 | 2017-02-27 | Furukawa Electric Co Ltd | Maleimide film |
| JP6638887B2 (ja) * | 2014-12-01 | 2020-01-29 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂シート及びプリント配線板 |
| KR101799499B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2017-12-20 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 접착용 수지 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치 |
| JP6470848B2 (ja) * | 2015-04-29 | 2019-02-13 | エルジー・ケム・リミテッド | 半導体用接着フィルム |
| JP6956492B2 (ja) * | 2017-02-02 | 2021-11-02 | 株式会社巴川製紙所 | 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
-
2018
- 2018-02-12 JP JP2018022641A patent/JP6909171B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-11 TW TW108104477A patent/TWI784129B/zh active
- 2019-02-12 CN CN201980007645.9A patent/CN111566177B/zh active Active
- 2019-02-12 SG SG11202005798WA patent/SG11202005798WA/en unknown
- 2019-02-12 KR KR1020207023091A patent/KR102481726B1/ko active IP Right Grant
- 2019-02-12 WO PCT/JP2019/004810 patent/WO2019156253A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008095014A (ja) | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Ｑｆｎ用熱硬化型樹脂組成物および接着シート |
| JP2016183237A (ja) | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 株式会社巴川製紙所 | 樹脂組成物および接着テープ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111566177B (zh) | 2021-10-26 |
| KR20200118811A (ko) | 2020-10-16 |
| CN111566177A (zh) | 2020-08-21 |
| WO2019156253A1 (ja) | 2019-08-15 |
| TW201937666A (zh) | 2019-09-16 |
| JP6909171B2 (ja) | 2021-07-28 |
| JP2019137785A (ja) | 2019-08-22 |
| TWI784129B (zh) | 2022-11-21 |
| SG11202005798WA (en) | 2020-07-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100507584B1 (ko) | 반도체 장치, 반도체칩 탑재용 기판, 이들의 제조법,접착제, 및 양면 접착 필름 | |
| WO2018207408A1 (ja) | 半導体封止成形用仮保護フィルム | |
| KR102424574B1 (ko) | 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2008095014A (ja) | Ｑｆｎ用熱硬化型樹脂組成物および接着シート | |
| KR102481726B1 (ko) | 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP3528639B2 (ja) | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2007284670A (ja) | 接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
| WO2023204091A1 (ja) | 耐熱性粘着フィルム | |
| KR100483102B1 (ko) | 접착제 및 양면 접착 필름 | |
| JP2002275435A (ja) | 半導体装置組立用マスクシートおよび半導体装置の組み立て方法 | |
| KR100572191B1 (ko) | 반도체 장치 조립용 마스크 시트 및 반도체 장치 조립 방법 | |
| JP2002338910A (ja) | 半導体装置製造用粘着シート | |
| WO2022176585A1 (ja) | 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| KR20220160680A (ko) | 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2002256227A (ja) | 感光性接着フィルムおよびその用途ならびに半導体装置の製造方法 | |
| JP2011214006A (ja) | 接着フィルムおよびその用途ならびに半導体装置の製造方法 | |
| JP2012092225A (ja) | 接着フィルム、ダイシングテープ付接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
| WO2024117021A1 (ja) | 耐熱性粘着フィルム | |
| KR20210142074A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 제조용 접착시트 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |