JP6638887B2 - 樹脂シート及びプリント配線板 - Google Patents
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Description
[1]高分子フィルム、金属箔及び金属フィルムからなる群から選択される、いずれか一種である外層と、当該外層上に積層された絶縁層とを含む樹脂シートであって、
当該絶縁層が、エポキシ化合物(A)、シアン酸エステル化合物(B)、無機充填材(C)、GPCにより測定した重量平均分子量が100,000以上である第一のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(D)及び前記重量平均分子量が1,000〜30,000である第二のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(E)を含有する、樹脂シート。
[2]前記第一のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(D)の含有量Xが、樹脂固形分100質量部に対し、0<X<15質量部である、[1]に記載の樹脂シート。
[3]前記第二のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(E)の含有量Yが、樹脂固形分100質量部に対し、0<Y<15質量部である、[1]又は[2]に記載の樹脂シート。
[4]前記第一のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(D)の含有量Xと、第二のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(E)の含有量Yの合計X+Yが、樹脂固形分100質量部に対し、0<X+Y<15質量部である、[1]〜[3]のいずれか一項に記載の樹脂シート。
[5]前記絶縁層が、マレイミド化合物(F)をさらに含む、[1]〜[4]のいずれか一項に記載の樹脂シート。
[6]前記高分子フィルムが、ポリエステル、ポリイミド及びポリアミドからなる群から選択される、いずれか一種である[1]〜[5]のいずれか一項に記載の樹脂シート。
[7]前記絶縁層が、前記成分(A)〜(E)を含む樹脂組成物を外層上に塗布した後、加熱又は減圧下で乾燥し、固化して得られたものである、[1]〜[6]のいずれか一項に記載の樹脂シート。
[8]コア基材とコア基材上に形成された導体回路とを有する回路基板上に積層された、[1]〜[7]のいずれか一項に記載の絶縁層を備える、プリント配線板。
[9]前記絶縁層が表面処理されており、当該表面の上にパターン形成された導体層を備える、[8]のプリント配線板。
[10]前記表面処理が、膨潤剤及びアルカリ性酸化剤による粗化処理、並びに酸性還元剤による中和処理を含むデスミア処理である、[9]に記載のプリント配線板。
[11]前記導体層が、セミアディティブ法により形成された導体層又はサブトラクティブ法により形成された導体層を含む、[9]又は[10]に記載のプリント配線板。
[12]前記導体層が、[1]に記載の金属箔又は金属フィルムからなる外層をエッチングして得られた導体層を含む、[9]又は[10]に記載のプリント配線板。
(1)樹脂シートの可撓性(ハンドリング性)に優れる。
(2)絶縁層とその表面にめっき形成される導体層との密着性に優れる。
(3)基材表面粗度が小さい。
(4)高いガラス転移温度を有する。
本発明に使用されるエポキシ化合物(A)は、少なくとも1個のエポキシ基を有する有機化合物である。エポキシ化合物(A)の1分子当たりのエポキシ基の数は、1以上である。該エポキシ基の数は2以上であることがより好ましい。
本発明に使用されるシアン酸エステル化合物(B)は、シアナト基(シアン酸エステル基)を有する化合物であれば特に限定されない。具体的には、ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物(シアナト基含有ナフトールアラルキル樹脂)、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド型シアン酸エステル化合物(シアナト基含有芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂)、ビフェニルアラルキル型シアン酸エステル化合物(シアナト基含有ビフェニルアラルキル樹脂)、及びノボラック型シアン酸エステル化合物(シアナト基含有ノボラック樹脂)、等が挙げられる。
本発明に使用される無機充填材(C)は、特に制限されないが、例としては、シリカ(例えば天然シリカ、溶融シリカ、アモルファスシリカ、中空シリカ等)、アルミニウム化合物(例えばベーマイト、水酸化アルミニウム、アルミナ等)、マグネシウム化合物(例えば酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム等)、カルシウム化合物(例えば炭酸カルシウム等)、モリブデン化合物(例えば酸化モリブデン、モリブデン酸亜鉛等)、タルク(例えば天然タルク、焼成タルク等)、マイカ(雲母)、ガラス(例えば短繊維状ガラス、球状ガラス、微粉末ガラス(例えばEガラス、Tガラス、Dガラス等)等)などが挙げられる。これらの無機充填材(C)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
本発明で使用される第一のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(D)は、未架橋であり、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)で測定される重量平均分子量(Mw)が100,000以上である。
本発明で使用される、第二のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(E)は、未架橋であり、テトラヒドロフランを溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)で測定される重量平均分子量(Mw)が1,000〜30,000である。第二のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(E)はムーニー粘度が1以下であることが好ましい。第二のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(E)としては、例えばJSR(株)製のN280等が挙げられる。
本発明においては、絶縁層の吸湿耐熱性を向上させる場合に、マレイミド化合物(F)を使用することが好ましい。使用されるマレイミド化合物(F)としてはマレイミド基を有する化合物であれば、特に限定されず、具体的には、ビス(4−マレイミドフェニル)メタン、2,2−ビス{4−(4−マレイミドフェノキシ)−フェニル}プロパン、ビス(3,5−ジメチル−4−マレイミドフェニル)メタン、ビス(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン、ビス(3,5−ジエチル−4−マレイミドフェニル)メタン、トリス(4−マレイミドフェニル)メタン、式(5)で表されるマレイミド化合物、式(6)で表される長鎖アルキルビスマレイミドなどが挙げられる。
本発明においては、前記成分(A)〜(E)の他に、その他の1又は2種以上の成分を含有していてもよい。
前記成分(A)〜(E)及び必要に応じて前記のその他の成分を溶媒に溶解又は分散させてワニスとすることができる。斯かるワニスは、後述する本発明の樹脂シートを作製する際に好適である。溶媒としては、上述の成分を各々好適に溶解又は分散させることができ、且つ、本発明の所期の効果を損なわないものであれば限定されない。具体例としては、アルコール類(メタノール、エタノール、プロパノール等)、ケトン類(例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等)、アミド類(例えばジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等)、芳香族炭化水素類(例えばトルエン、キシレン等)等が挙げられる。これらの有機溶剤は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
本発明の樹脂シートは、外層上に、上述した本発明の絶縁層を有する。当該樹脂シートを用いてプリント配線板を製造する場合等は必要に応じて、外層を樹脂シートから剥離又はエッチングしてもよい。
コア基材に対し本発明の樹脂シートをビルドアップ材として用いることにより本発明のプリント配線板を得ることができる。コア基材とはビルドアップ工法において芯となる基板であり、樹脂絶縁層が完全硬化した金属箔張積層板である。コア基材の表面には通常当業界で用いられる金属箔張積層板の金属箔、又は金属箔を剥離した後にめっきするなどして得られる導体層により導体回路を形成する。
絶縁層に対する表面処理は、絶縁層とめっき導体層との密着性の向上や、スミア除去等の観点から実施される。表面処理としては、デスミア処理、シランカップリング処理等がある。デスミア処理は膨潤化、表面粗化及びスミア溶解、及び中和処理を含むことが好ましい。粗化処理は膨潤剤及びアルカリ性酸化剤によって実施され、中和処理は酸性の還元剤により実施されることが好ましい。本発明では、分子量の異なる2つのアクリロニトリル−ブタジエンゴムを用いるが、このゴムを含む絶縁層をこのような方法で表面処理することで、崩落痕を小さくすることができ、低表面粗度を達成できる。
めっきにより配線パターン(導体層)を形成する方法としては、セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法等が挙げられる。中でも、微細配線パターンを形成する観点からは、セミアディティブ法が好ましい。
プリント配線板を製造するために、本発明の樹脂シートには穴加工処理がなされてもよい。当該処理はビアホール、スルーホール等の形成のために実施される。穴加工処理は、NCドリル、炭酸ガスレーザー、UVレーザー、YAGレーザー、プラズマ等の公知の方法のうち何れか1種を用い、或いは必要により2種以上を組み合わせて行う。
合成例1:α−ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物(7)の合成
実施例1
エポキシ化合物(A)として、ビフェニルアラルキル型エポキシ化合物(NC−3000−FH、エポキシ当量:320g/eq.、日本化薬(株)製)のMEK溶液(不揮発分70質量%)83.1質量部(不揮発分換算で58.2質量部)、シアン酸エステル化合物(B)として、合成例1により得られたα−ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物(シアネート当量:261g/eq.)のメチルエチルケトン(以下「MEK」と略す場合がある。)溶液(不揮発分50質量%)58質量部(不揮発分換算で29質量部)、マレイミド化合物として、下記式(5)で表されるノボラック型マレイミド化合物(BMI−2300、ケイ・アイ化成(株)製)4.9質量部、ビスマレイミド化合物(BMI−1000P、ケイ・アイ化成(株)製)4.9質量部、硬化促進剤として2,4,5−トリフェニルイミダゾール(和光純薬製)のDMAc溶液(不揮発分20質量%)15質量部(不揮発分換算で3質量部)及びオクチル酸亜鉛のMEK溶液(不揮発分10質量%)0.8質量部(不揮発分換算で0.08質量部)をMEKに溶解又は分散させた。続いて第一のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(D)として、アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL、JSR(株)、重量平均分子量約144,000(アジレント・テクノロジー社製のGPCにて測定)、ムーニー粘度45)のMEK溶液(不揮発性分20質量%)7.5質量部(不揮発分換算で1.5質量部)、第二のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(E)として、アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280、JSR(株)、重量平均分子量約9,000(アジレント・テクノロジー社製のGPCにて測定))のMEK溶液(不揮発性成分20質量%)7.5質量部(不揮発分換算で1.5質量部)を添加した。さらに、無機充填材(C)として、酸化マグネシウムMEKスラリー(SMO−0.4、堺化学工業(株)製、平均粒子径0.4μm、不揮発性成分70質量%)85.7質量部(不揮発分換算で60質量部)、フェニルアミノシラン処理シリカMEKスラリー(SC2050−MTX、アドマテックス(株)製、平均粒子径0.5μm、不揮発性成分70質量%)107.1質量部(不揮発分換算で75質量部)を添加した。添加後、高速攪拌装置を用いて30分間攪拌して、エポキシ化合物(A)、シアン酸エステル化合物(B)、無機充填材(C)、第一のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(D)、第二のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(E)を含むワニスを得た。このワニスを、表面に離型剤をコートした厚さ38μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(TR1−38、ユニチカ(株)製)に塗布し、100℃で3分間加熱乾燥して絶縁層を形成し、ポリエチレンテレフタレートフィルムを外層とした樹脂シートを得た。
内層回路を形成したガラス布基材BT樹脂両面銅張積層板(銅箔厚さ18μm、基板厚み0.2mm、三菱ガス化学(株)製CCL−HL832NX type A)の両面をメック(株)製CZ8100にて1μmエッチングして銅表面の粗化処理を行い、内層回路基板を得た。
得られた樹脂シートの絶縁層面を内層回路基板上に配置し、真空ラミネーター(ニチゴー・モートン製)を用いて、30秒間真空引き(5.0MPa以下)を行った後、圧力10kgf/cm2、温度100℃で30秒間の積層成形を行った。さらに圧力10kgf/cm2、温度100℃で60秒間の積層成形を行うことでプリント配線板を得た。得られたプリント配線板を180℃で60分間乾燥することで、硬化を十分に進行させプリント配線板を得た。
α−ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物のMEK溶液(不揮発分50質量%)を55.6質量部(不揮発分換算で27.8質量部)、ビフェニルアラルキル型エポキシ化合物(NC−3000−FH)のMEK溶液(不揮発分70質量%)の使用量を79.3質量部(不揮発分換算で55.5質量部)、ビスマレイミド化合物(BMI−1000P)の使用量を4.6質量部、ノボラックマレイミド化合物(BMI−2300)の使用量を4.6質量部、第一のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を19質量部(不揮発分換算で3.8質量部)、第二のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を19質量部(不揮発分換算で3.8質量部)とした以外は、実施例1と同様にしてワニスを調整し、樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板を得た。
α−ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物のMEK溶液(不揮発分50質量%)の使用量を54質量部(不揮発分換算で27質量部)、ビフェニルアラルキル型エポキシ化合物(NC−3000−FH)のMEK溶液(不揮発分70質量%)の使用量を77.1質量部(不揮発分換算で54.0質量部)、ビスマレイミド化合物(BMI−1000P)の使用量を4.5質量部、ノボラックマレイミド化合物(BMI−2300)の使用量を4.5質量部、第一のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を25質量部(不揮発分換算で5.0質量部)、第二のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を25質量部(不揮発分換算で5.0質量部)とした以外は、実施例1と同様にしてワニスを調整し、樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板を得た。
α−ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物のMEK溶液(不揮発分50質量%)の使用量を55.6質量部(不揮発分換算で27.8質量部)、ビフェニルアラルキル型エポキシ化合物(NC−3000−FH)のMEK溶液(不揮発分70質量%)の使用量を79.3質量部(不揮発分換算で55.5質量部)、ビスマレイミド化合物(BMI−1000P)の使用量を4.6質量部、ノボラックマレイミド化合物(BMI−2300)の使用量を4.6質量部、第一のアクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を9.5質量部(不揮発分換算で1.9質量部)、液状アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を28質量部(不揮発分換算で5.6質量部)とした以外は、実施例1と同様にしてワニスを調整し、樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板を得た。
α−ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物のMEK溶液(不揮発分50質量%)の使用量を54質量部(不揮発分換算で27質量部)、ビフェニルアラルキル型エポキシ化合物(NC−3000−FH)のMEK溶液(不揮発分70質量%)の使用量を77.1質量部(不揮発分換算で54.0質量部)、ビスマレイミド化合物(BMI−1000P)の使用量を4.5質量部、ノボラックマレイミド化合物(BMI−2300)の使用量を4.5質量部、固形アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を25質量部(不揮発分換算で5.0質量部)、液状アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を25質量部(不揮発分換算で5.0質量部)、フェニルアミノシラン処理シリカMEKスラリー(SC2050−MTX、不揮発分70質量%)の使用量を178.6質量部(不揮発分換算で125質量部)とした以外は、実施例1と同様にしてワニスを調整し、樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板を得た。
α−ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物のMEK溶液(不揮発分50質量%)の使用量を54質量部(不揮発分換算で27質量部)、ビフェニルアラルキル型エポキシ化合物(NC−3000−FH)のMEK溶液(不揮発分70質量%)の使用量を77.1質量部(不揮発分換算で54.0質量部)、ビスマレイミド化合物(BMI−1000P)の使用量を4.5質量部、ノボラックマレイミド化合物(BMI−2300)の使用量を4.5質量部、固形アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を25質量部(不揮発分換算で5.0質量部)、液状アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を25質量部(不揮発分換算で5.0質量部)、フェニルアミノシラン処理シリカMEKスラリー(SC2050−MTX、不揮発分70質量%)の使用量を285.7質量部(不揮発分換算で200質量部)とした以外は、実施例1と同様にしてワニスを調整し、樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板を得た。
固形アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を15質量部(不揮発分換算で3質量部)、液状アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を0質量部とした以外は、実施例1と同様にしてワニスを調整し、樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板を得た。
α−ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物のMEK溶液(不揮発分50質量%)の使用量を56.8質量部(不揮発分換算で28.4質量部)、ビフェニルアラルキル型エポキシ化合物(NC−3000−FH)のMEK溶液(不揮発分70質量%)の使用量を81.4質量部(不揮発分換算で57.0質量部)、ビスマレイミド化合物(BMI−1000P)の使用量を4.8質量部、ノボラックマレイミド化合物(BMI−2300)の使用量を4.8質量部、固形アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を25質量部(不揮発分換算で5質量部)、液状アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を0質量部とした以外は、実施例1と同様にしてワニスを調整し、樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板を得た。
α−ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物のMEK溶液(不揮発分50質量%)の使用量を54質量部(不揮発分換算で27質量部)、ビフェニルアラルキル型エポキシ化合物(NC−3000−FH)のMEK溶液(不揮発分70質量%)の使用量を77.1質量部(不揮発分換算で54.0質量部)、ビスマレイミド化合物(BMI−1000P)の使用量を4.5質量部、ノボラックマレイミド化合物(BMI−2300)の使用量を4.5質量部、固形アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を50質量部(不揮発分換算で10質量部)、液状アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を0質量部とした以外は、実施例1と同様にしてワニスを調整し、樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板を得た。
α−ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物のMEK溶液(不揮発分50質量%)の使用量を51.0質量部(不揮発分換算で25.5質量部)、ビフェニルアラルキル型エポキシ化合物(NC−3000−FH)のMEK溶液(不揮発分70質量%)の使用量を72.9質量部(不揮発分換算で51.0質量部)、ビスマレイミド化合物(BMI−1000P)の使用量を4.3質量部、ノボラックマレイミド化合物(BMI−2300)の使用量を4.3質量部、固形アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を75質量部(不揮発分換算で15質量部)、液状アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を0質量部とした以外は、実施例1と同様にしてワニスを調整し、樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板を得た。
固形アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を0質量部、液状アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を15質量部(不揮発分換算で3質量部)とした以外は、実施例1と同様にしてワニスを調整し、樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板を得た。
α−ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物のMEK溶液(不揮発分50質量%)の使用量を56.8質量部(不揮発分換算で28.4質量部)、ビフェニルアラルキル型エポキシ化合物(NC−3000−FH)のMEK溶液(不揮発分70質量%)の使用量を81.4質量部(不揮発分換算で57.0質量部)、ビスマレイミド化合物(BMI−1000P)の使用量を4.8質量部、ノボラックマレイミド化合物(BMI−2300)の使用量を4.8質量部、固形アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を0質量部、液状アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を25質量部(不揮発分換算で5質量部)とした以外は、実施例1と同様にしてワニスを調整し、樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板を得た。
α−ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物のMEK溶液(不揮発分50質量%)の使用量を54質量部(不揮発分換算で27質量部)、ビフェニルアラルキル型エポキシ化合物(NC−3000−FH)のMEK溶液(不揮発分70質量%)の使用量を77.1質量部(不揮発分換算で54.0質量部)、ビスマレイミド化合物(BMI−1000P)の使用量を4.5質量部、ノボラックマレイミド化合物(BMI−2300)の使用量を4.5質量部、固形アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を0質量部、液状アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を50質量部(不揮発分換算で10質量部)とした以外は、実施例1と同様にしてワニスを調整し、樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板を得た。
α−ナフトールアラルキル型シアン酸エステル化合物のMEK溶液(不揮発分50質量%)の使用量を51.0質量部(不揮発分換算で25.5質量部)、ビフェニルアラルキル型エポキシ化合物(NC−3000−FH)のMEK溶液(不揮発分70質量%)の使用量を72.9質量部(不揮発分換算で51.0質量部)、ビスマレイミド化合物(BMI−1000P)の使用量を4.3質量部、ノボラックマレイミド化合物(BMI−2300)の使用量を4.3質量部、固形アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N215SL)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を0質量部、液状アクリロニトリル−ブタジエンゴム(N280)のMEK溶液(不揮発分20質量%)の使用量を75質量部(不揮発分換算で15質量部)とした以外は、実施例1と同様にしてワニスを調整し、樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板を得た。
(1)可撓性
実施例1〜6及び比較例1〜8の手順により作製された樹脂シートを用い、樹脂シートのハンドリング性を確認するため、得られた樹脂シート100mm×100mmのサンプルを180°折り曲げて、クラックの発生有無を目視で観察した。クラックが発生してないものを「a」とした。続いてクラックが発生したものについては、φ15mmの棒に樹脂シートを巻きつけた際にクラックが発生するかどうかを目視で観察。クラックが発生してないものを「b」とした。上記全ての評価でクラックが発生してしまったものを「c」とした。結果を表1に示した。
プリント配線板の湿式粗化処理と導体層めっき
実施例1〜6及び比較例1〜8で得られたプリント配線板から外層を剥離した。露出した絶縁層に対し、上村工業製の無電解銅めっきプロセス(使用薬液名:MCD−PL、MDP−2、MAT−SP、MAB−4−C、MEL−3−APEA ver.2)にて、約0.8μmの無電解銅めっきを施し、130℃で1時間の乾燥を行った。続いて、電解銅めっきをめっき銅の厚みが18μmになるように施し、180℃で1時間の乾燥を行った。こうして、絶縁層上に厚さ18μmの導体層(めっき銅)が形成されたサンプルを作製し、以下の評価に供した。
上記手順により作製されたサンプルを用い、めっき銅の接着力をJIS C6481に準じて3回測定し、平均値を求めた。電解銅めっき後の乾燥で膨れたサンプルに関しては、膨れていない部分を用いて評価を行った。結果を表1に示した。
上記手順により作製されたサンプルの表層めっき銅をエッチング後、レーザー顕微鏡(キーエンス製VK−9500)を用いて、3000倍の画像により、絶縁層表面のRz(10点平均粗さ)およびRa(算術平均粗さ)を求めた。結果を表1に示した。
上記手順により作成されたサンプルは、無電解めっき工程において粗面化処理されており、粗面化液が浸食することでアクリロニトリル−ブタジエンゴムが脱落した崩落痕を形成する。SEM−EDX(JEOL製JSM−6460LA)を用いて、1000倍の画像および10000倍の画像から、崩落痕の直径が最大となるものを選択し、最大崩落サイズを求めた。結果を表1に示した。
180℃、2時間硬化させた絶縁層厚さ0.05mmの樹脂シートを用い、熱機械分析装置(TAインスツルメント製Q800)で25℃から250℃まで毎分10℃で昇温し、ガラス転移温度を測定した。結果を表1に示した。
Claims (9)
- 高分子フィルム、金属箔及び金属フィルムからなる群から選択される、いずれか一種である外層と、当該外層上に積層された絶縁層とを含む樹脂シートであって、
当該絶縁層が、エポキシ化合物(A)、シアン酸エステル化合物(B)、無機充填材(C)、GPCにより測定した重量平均分子量が100,000以上である第一のアクリロニトリル-ブタジエンゴム(D)及び前記重量平均分子量が1,000〜30,000である第二のアクリロニトリル-ブタジエンゴム(E)を含有し、
前記第一のアクリロニトリル-ブタジエンゴム(D)の含有量Xと、第二のアクリロニトリル-ブタジエンゴム(E)の含有量Yの合計X+Yが、樹脂固形分100質量部に対し、0<X+Y<15質量部である、樹脂シート。 - 前記絶縁層が、マレイミド化合物(F)をさらに含む、請求項1に記載の樹脂シート。
- 前記高分子フィルムが、ポリエステル、ポリイミド及びポリアミドからなる群から選択される、いずれか一種である請求項1又は2に記載の樹脂シート。
- 前記絶縁層が、前記成分(A)〜(E)を含む樹脂組成物を外層上に塗布した後、加熱又は減圧下で乾燥し、固化して得られたものである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の樹脂シート。
- コア基材とコア基材上に形成された導体回路とを有する回路基板上に積層された、請求項1〜4のいずれか一項に記載の絶縁層を備える、プリント配線板。
- 前記絶縁層が表面処理されており、当該表面の上にパターン形成された導体層を備える、請求項5のプリント配線板。
- 前記表面処理が、膨潤剤及びアルカリ性酸化剤による粗化処理、並びに酸性還元剤による中和処理を含むデスミア処理である、請求項6に記載のプリント配線板。
- 前記導体層が、セミアディティブ法により形成された導体層又はサブトラクティブ法により形成された導体層を含む、請求項6又は7に記載のプリント配線板。
- 前記導体層が、請求項1に記載の金属箔又は金属フィルムからなる外層をエッチングして得られた導体層を含む、請求項6又は7に記載のプリント配線板。
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