JP2002275435A - 半導体装置組立用マスクシートおよび半導体装置の組み立て方法 - Google Patents
半導体装置組立用マスクシートおよび半導体装置の組み立て方法Info
- Publication number
- JP2002275435A JP2002275435A JP2001081098A JP2001081098A JP2002275435A JP 2002275435 A JP2002275435 A JP 2002275435A JP 2001081098 A JP2001081098 A JP 2001081098A JP 2001081098 A JP2001081098 A JP 2001081098A JP 2002275435 A JP2002275435 A JP 2002275435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- lead frame
- adhesive
- assembling
- mask sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
- H01L2924/0494—4th Group
- H01L2924/04941—TiN
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の組み立てに際して、樹脂封止剤
のはみ出し、粘着剤の糊残りを抑制し、安定してＱＦＮ
等の半導体パッケージを生産することができるマスクシ
ートを提供する。 【解決手段】 リードフレームに剥離可能に接着する半
導体装置組立用マスクシートであって、ガラス転移温度
が１５０℃以上であり、１５０〜２００℃における線膨
張係数が１０〜５０ｐｐｍ／℃である耐熱フィルム上
に、シリコーン系粘着剤よりなる接着剤層を設けてな
り、１８０℃で１時間加熱したときの重量減少が５％以
下であることを特徴とする。シリコーン系粘着剤とし
て、ポリジメチルシロキサンを主成分とするもの、ポリ
アルキルアルケニルシロキサンとポリアルキル水素シロ
キサンを主成分とするものが好ましい。このマスクシー
トを半導体装置の組み立てに使用する場合、まずリード
フレームに圧着し、半導体装置が形成された後、剥離す
る。
のはみ出し、粘着剤の糊残りを抑制し、安定してＱＦＮ
等の半導体パッケージを生産することができるマスクシ
ートを提供する。 【解決手段】 リードフレームに剥離可能に接着する半
導体装置組立用マスクシートであって、ガラス転移温度
が１５０℃以上であり、１５０〜２００℃における線膨
張係数が１０〜５０ｐｐｍ／℃である耐熱フィルム上
に、シリコーン系粘着剤よりなる接着剤層を設けてな
り、１８０℃で１時間加熱したときの重量減少が５％以
下であることを特徴とする。シリコーン系粘着剤とし
て、ポリジメチルシロキサンを主成分とするもの、ポリ
アルキルアルケニルシロキサンとポリアルキル水素シロ
キサンを主成分とするものが好ましい。このマスクシー
トを半導体装置の組み立てに使用する場合、まずリード
フレームに圧着し、半導体装置が形成された後、剥離す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを金
属のリードフレームに搭載し樹脂封止して半導体装置を
組み立てる際に、リードフレームを封止樹脂からマスク
するために使用する半導体装置組立用マスクシート、お
よびそれを用いた半導体装置の組み立て方法に関する。
属のリードフレームに搭載し樹脂封止して半導体装置を
組み立てる際に、リードフレームを封止樹脂からマスク
するために使用する半導体装置組立用マスクシート、お
よびそれを用いた半導体装置の組み立て方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯型パソコン、携帯電話の普及が進む
今日、電子機器には更なる小型化、薄型化、多機能化が
要求されている。この要求を実現するには、電子部品の
小型化、高集積化は必須のことであるが、さらに電子部
品の高密度実装技術が必要となる。そこで従来のＱＦＰ
（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）およびＳＯＰ
（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）等の
周辺実装型に代わって、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる面実装型のものが高密度実
装可能なＩＣパッケージとして脚光を浴びている。また
その中でも、特にＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ
−ｌｅａｄ）と呼ばれるタイプのものは、従来のリード
フレーム、ワイヤーボンディング、樹脂封止（モール
ド）の技術および装置によって作製できるために、主に
１００ピン以下の小端子型パッケージの作製に使用され
ている。このＱＦＮは次のようにして作製される。すな
わち、リードフレームの片面にマスクシートを貼着し、
その反対面に半導体チップを搭載し、金ワイヤーにより
リードとチップを接続する。次いで、樹脂封止した後、
マスクシートを剥がし、最後に個片化する。
今日、電子機器には更なる小型化、薄型化、多機能化が
要求されている。この要求を実現するには、電子部品の
小型化、高集積化は必須のことであるが、さらに電子部
品の高密度実装技術が必要となる。そこで従来のＱＦＰ
（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）およびＳＯＰ
（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）等の
周辺実装型に代わって、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる面実装型のものが高密度実
装可能なＩＣパッケージとして脚光を浴びている。また
その中でも、特にＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ
−ｌｅａｄ）と呼ばれるタイプのものは、従来のリード
フレーム、ワイヤーボンディング、樹脂封止（モール
ド）の技術および装置によって作製できるために、主に
１００ピン以下の小端子型パッケージの作製に使用され
ている。このＱＦＮは次のようにして作製される。すな
わち、リードフレームの片面にマスクシートを貼着し、
その反対面に半導体チップを搭載し、金ワイヤーにより
リードとチップを接続する。次いで、樹脂封止した後、
マスクシートを剥がし、最後に個片化する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、マスクシートと
しては、耐熱フィルムにアクリル系粘着剤または天然ゴ
ムやＳＢＲ等のゴムを主体としたゴム系粘着剤を塗布し
たものが使用されている。しかしながら、アクリル系粘
着剤の場合は、半導体チップをリードフレームに接合す
るダイアタッチ工程において、熱により分解を始め、そ
の分解物がリードフレームを汚染し、金ワイヤー接合不
良の原因になり、また樹脂封止（モールド）工程におい
ては、リードフレームとの密着力が弱くなり、外部接続
リード部分に封止樹脂がはみ出す現象である「モールド
フラッシュ」が発生するという問題があった。またゴム
系粘着剤の場合は、封止樹脂及び／又はリードとの密着
力が強く、マスクシートをパッケージから剥がし難くな
り、そのためゴム系粘着剤がリードフレームに残ってし
まう現象である「糊残り」が発生するという問題および
リードフレームが変形する問題があった。
しては、耐熱フィルムにアクリル系粘着剤または天然ゴ
ムやＳＢＲ等のゴムを主体としたゴム系粘着剤を塗布し
たものが使用されている。しかしながら、アクリル系粘
着剤の場合は、半導体チップをリードフレームに接合す
るダイアタッチ工程において、熱により分解を始め、そ
の分解物がリードフレームを汚染し、金ワイヤー接合不
良の原因になり、また樹脂封止（モールド）工程におい
ては、リードフレームとの密着力が弱くなり、外部接続
リード部分に封止樹脂がはみ出す現象である「モールド
フラッシュ」が発生するという問題があった。またゴム
系粘着剤の場合は、封止樹脂及び／又はリードとの密着
力が強く、マスクシートをパッケージから剥がし難くな
り、そのためゴム系粘着剤がリードフレームに残ってし
まう現象である「糊残り」が発生するという問題および
リードフレームが変形する問題があった。
【０００４】本発明は、従来の技術における上記のよう
な問題を解決することを目的としてなされたものであ
る。すなわち、本発明の目的は、半導体装置の組み立て
に際して、樹脂封止剤のはみ出し、粘着剤の糊残りを抑
制し、安定してＱＦＮ等の半導体パッケージを生産する
ことができるマスクシートを提供することにある。本発
明の他の目的は、そのようなマスクシートを使用して効
率よく半導体装置を組み立てる方法を提供することにあ
る。
な問題を解決することを目的としてなされたものであ
る。すなわち、本発明の目的は、半導体装置の組み立て
に際して、樹脂封止剤のはみ出し、粘着剤の糊残りを抑
制し、安定してＱＦＮ等の半導体パッケージを生産する
ことができるマスクシートを提供することにある。本発
明の他の目的は、そのようなマスクシートを使用して効
率よく半導体装置を組み立てる方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】ＱＦＮパッケージの製造
工程において、マスクシートは、ダイアタッチ工程およ
び樹脂封止工程において、１５０〜１８０℃で１〜６時
間の環境に曝された後に、リードフレームから剥がすこ
とになるが、上記環境下での耐熱性が最も重要な性質で
ある。本発明者は、鋭意検討を行った結果、特定の耐熱
フィルムおよびシリコーン系粘着剤を用いてマスクシー
トを作製することによって、上記の環境に耐えるものが
得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
工程において、マスクシートは、ダイアタッチ工程およ
び樹脂封止工程において、１５０〜１８０℃で１〜６時
間の環境に曝された後に、リードフレームから剥がすこ
とになるが、上記環境下での耐熱性が最も重要な性質で
ある。本発明者は、鋭意検討を行った結果、特定の耐熱
フィルムおよびシリコーン系粘着剤を用いてマスクシー
トを作製することによって、上記の環境に耐えるものが
得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明の半導体装置組立用マス
クシートは、リードフレームに剥離可能に接着するため
のものであって、ガラス転移温度が１５０℃以上であ
り、１５０〜２００℃における線膨張係数が１０〜５０
ｐｐｍ／℃である耐熱フィルム上に、シリコーン系粘着
剤よりなる接着剤層を設けてなり、１８０℃で１時間加
熱したときの重量減少が５％以下であることを特徴とす
る。
クシートは、リードフレームに剥離可能に接着するため
のものであって、ガラス転移温度が１５０℃以上であ
り、１５０〜２００℃における線膨張係数が１０〜５０
ｐｐｍ／℃である耐熱フィルム上に、シリコーン系粘着
剤よりなる接着剤層を設けてなり、１８０℃で１時間加
熱したときの重量減少が５％以下であることを特徴とす
る。
【０００７】本発明の上記マスクシートにおいて、シリ
コーン系粘着剤としては、ポリジメチルシロキサンを主
成分とするものおよびポリアルキルアルケニルシロキサ
ンとポリアルキル水素シロキサンを主成分とするものが
好ましい。
コーン系粘着剤としては、ポリジメチルシロキサンを主
成分とするものおよびポリアルキルアルケニルシロキサ
ンとポリアルキル水素シロキサンを主成分とするものが
好ましい。
【０００８】本発明の半導体装置の組み立て方法は、リ
ードフレームに粘着シートを圧着し、粘着シートが接着
したリードフレームに半導体素子を搭載し、金ワイヤー
により半導体素子及びリードフレームを接続し、次いで
金型において樹脂封止剤で樹脂封止を行い、その後、該
粘着シートを剥がすことよりなるものであって、粘着シ
ートとして、上記のマスクシートを使用することを特徴
とする。
ードフレームに粘着シートを圧着し、粘着シートが接着
したリードフレームに半導体素子を搭載し、金ワイヤー
により半導体素子及びリードフレームを接続し、次いで
金型において樹脂封止剤で樹脂封止を行い、その後、該
粘着シートを剥がすことよりなるものであって、粘着シ
ートとして、上記のマスクシートを使用することを特徴
とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置用マスクシー
トは、支持体となる耐熱フィルムと接着剤層とからなる
が、耐熱フィルムは、そのガラス転移温度（Ｔｇ）が１
５０℃以上であり、且つ１５０〜２００℃における線膨
張係数が１０〜５０ｐｐｍ／℃であるものが使用され
る。ＱＦＮ等の半導体装置を作製する際、マスクシート
は、ダイアタッチ工程、ワイヤーボンド工程および樹脂
封止工程等で１５０〜１８０℃の雰囲気に曝されるが、
耐熱フィルムがガラス転移温度Ｔｇ以上になると、その
線膨張係数は急激に増加するため、金属よりなるリード
フレームとの熱膨張差が大きくなる。その場合、室温に
戻したときに耐熱フィルムとリードフレームとの熱膨張
差により反りが発生し、それが原因となって、ダイアタ
ッチ工程の後、反りが発生し、後工程である樹脂封止工
程においてモールド金型の位置決めピンにリードフレー
ムをセットできず、位置ずれ不良を起こすという問題が
生じる。したがって、耐熱フィルムのＴｇは１５０℃以
上であることが必要であり、１８０℃以上であることが
好ましい。また耐熱フィルムの１５０〜２００℃におけ
る線膨張係数は、１０〜５０ｐｐｍ／℃であり、特に１
５〜４０ｐｐｍ／℃であることが好ましい。これら耐熱
条件を満たす具体的な耐熱フィルムとしては、ポリイミ
ド、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニ
レンサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリエーテル
エーテルケトン、トリアセチルセルロース等のフィルム
があげられる。
トは、支持体となる耐熱フィルムと接着剤層とからなる
が、耐熱フィルムは、そのガラス転移温度（Ｔｇ）が１
５０℃以上であり、且つ１５０〜２００℃における線膨
張係数が１０〜５０ｐｐｍ／℃であるものが使用され
る。ＱＦＮ等の半導体装置を作製する際、マスクシート
は、ダイアタッチ工程、ワイヤーボンド工程および樹脂
封止工程等で１５０〜１８０℃の雰囲気に曝されるが、
耐熱フィルムがガラス転移温度Ｔｇ以上になると、その
線膨張係数は急激に増加するため、金属よりなるリード
フレームとの熱膨張差が大きくなる。その場合、室温に
戻したときに耐熱フィルムとリードフレームとの熱膨張
差により反りが発生し、それが原因となって、ダイアタ
ッチ工程の後、反りが発生し、後工程である樹脂封止工
程においてモールド金型の位置決めピンにリードフレー
ムをセットできず、位置ずれ不良を起こすという問題が
生じる。したがって、耐熱フィルムのＴｇは１５０℃以
上であることが必要であり、１８０℃以上であることが
好ましい。また耐熱フィルムの１５０〜２００℃におけ
る線膨張係数は、１０〜５０ｐｐｍ／℃であり、特に１
５〜４０ｐｐｍ／℃であることが好ましい。これら耐熱
条件を満たす具体的な耐熱フィルムとしては、ポリイミ
ド、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニ
レンサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリエーテル
エーテルケトン、トリアセチルセルロース等のフィルム
があげられる。
【００１０】本発明における耐熱フィルムの線膨張係数
は次のようにして求めることができる。すなわち、耐熱
フィルムを２００℃で１時間加熱した後、加熱後の耐熱
フィルムを５×２５ｍｍにカットし、ＴＭＡ（Thermal
Mechanical Analyzer 、真空理工社製；ＴＭ９３００）
に装着する。次に荷重１ｇで１５０から２００℃までを
３℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温したときのサンプルの伸
びを計測し、下記式により求めることができる。 線膨張係数＝ΔＬ／Ｌ・Δｔ ［ΔＬ：サンプルの伸びた長さ、（２００℃のときの長
さ−１５０℃のときの長さ） Ｌ：サンプルのもとの長さ Δｔ：測定温度差（２００℃−１５０℃）］
は次のようにして求めることができる。すなわち、耐熱
フィルムを２００℃で１時間加熱した後、加熱後の耐熱
フィルムを５×２５ｍｍにカットし、ＴＭＡ（Thermal
Mechanical Analyzer 、真空理工社製；ＴＭ９３００）
に装着する。次に荷重１ｇで１５０から２００℃までを
３℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温したときのサンプルの伸
びを計測し、下記式により求めることができる。 線膨張係数＝ΔＬ／Ｌ・Δｔ ［ΔＬ：サンプルの伸びた長さ、（２００℃のときの長
さ−１５０℃のときの長さ） Ｌ：サンプルのもとの長さ Δｔ：測定温度差（２００℃−１５０℃）］
【００１１】本発明のマスクシートにおける接着剤層
は、上記耐熱フィルムと同様に、ダイアタッチ工程、ワ
イヤーボンド工程、樹脂封止工程における熱履歴に対し
て、分解、劣化等の変化が少なく、安定した接着力を持
つことが必要である。また、マスクシートがリードフレ
ームから剥離可能であるためには、マスクシートにおけ
る接着剤層の耐熱フィルムに対する接着強度が、樹脂封
止剤およびリードフレームに対する接着強度よりも大き
いことが必要である。シリコーン系粘着剤は、そのよう
な要件を満たし、上記の環境に耐える接着剤層を形成す
ることができる。
は、上記耐熱フィルムと同様に、ダイアタッチ工程、ワ
イヤーボンド工程、樹脂封止工程における熱履歴に対し
て、分解、劣化等の変化が少なく、安定した接着力を持
つことが必要である。また、マスクシートがリードフレ
ームから剥離可能であるためには、マスクシートにおけ
る接着剤層の耐熱フィルムに対する接着強度が、樹脂封
止剤およびリードフレームに対する接着強度よりも大き
いことが必要である。シリコーン系粘着剤は、そのよう
な要件を満たし、上記の環境に耐える接着剤層を形成す
ることができる。
【００１２】シリコーン系粘着剤は、硬化反応形態から
過酸化物を使用する有機過酸化物硬化タイプと白金触媒
を用いる付加反応タイプに分かれるが、有機過酸化物
は、その反応過程でラジカルの残査である低分子の有機
物が発生し、リードフレームを汚染するため、付加反応
タイプのシリコーン系粘着剤の方が本発明において好ま
しく用いられる。具体的なシリコーン系粘着剤として
は、ポリジメチルシロキサンを主成分とするもの、およ
びポリアルキルアルケニルシロキサンとポリアルキル水
素シロキサンを主成分とするもの等が好ましいものとし
てあげられる。さらに、例えば、ポリオルガノシロキサ
ンを主体とするシリコーン生ゴムとトリメチルシロキシ
ケイ酸を主体とするシリコーンレジンとを結合させて得
られるものをあげることができる。
過酸化物を使用する有機過酸化物硬化タイプと白金触媒
を用いる付加反応タイプに分かれるが、有機過酸化物
は、その反応過程でラジカルの残査である低分子の有機
物が発生し、リードフレームを汚染するため、付加反応
タイプのシリコーン系粘着剤の方が本発明において好ま
しく用いられる。具体的なシリコーン系粘着剤として
は、ポリジメチルシロキサンを主成分とするもの、およ
びポリアルキルアルケニルシロキサンとポリアルキル水
素シロキサンを主成分とするもの等が好ましいものとし
てあげられる。さらに、例えば、ポリオルガノシロキサ
ンを主体とするシリコーン生ゴムとトリメチルシロキシ
ケイ酸を主体とするシリコーンレジンとを結合させて得
られるものをあげることができる。
【００１３】また、シリコーン系粘着剤には、熱膨張係
数、熱伝導率の調整あるいは表面タック、接着性制御の
目的で、無機または有機フィラーを含有させることもで
きる。無機フィラーとしては、粉砕型シリカ、溶融型シ
リカ、アルミナ、酸化チタン、酸化ベリリウム、酸化マ
グネシウム、炭酸カルシウム、窒化チタン、窒化珪素、
窒化硼素、硼化チタン、硼化タングステン、炭化珪素、
炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデン、マイ
カ、酸化亜鉛、カーボンブラック、水酸化アルミニウ
ム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、三酸化ア
ンチモン又はこれ等の表面をトリメチルシロキシル基等
で処理したもの等があげられ、有機フィラーとしては、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテル
ケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ナ
イロン、シリコーン等があげられる。これらのフィラー
の配合量は、接着剤層を構成するシリコーン系樹脂１０
０重量部に対して、１〜５００重量部、好ましくは３〜
２００重量部、更に好ましくは５〜１００重量部の範囲
である。
数、熱伝導率の調整あるいは表面タック、接着性制御の
目的で、無機または有機フィラーを含有させることもで
きる。無機フィラーとしては、粉砕型シリカ、溶融型シ
リカ、アルミナ、酸化チタン、酸化ベリリウム、酸化マ
グネシウム、炭酸カルシウム、窒化チタン、窒化珪素、
窒化硼素、硼化チタン、硼化タングステン、炭化珪素、
炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデン、マイ
カ、酸化亜鉛、カーボンブラック、水酸化アルミニウ
ム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、三酸化ア
ンチモン又はこれ等の表面をトリメチルシロキシル基等
で処理したもの等があげられ、有機フィラーとしては、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテル
ケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ナ
イロン、シリコーン等があげられる。これらのフィラー
の配合量は、接着剤層を構成するシリコーン系樹脂１０
０重量部に対して、１〜５００重量部、好ましくは３〜
２００重量部、更に好ましくは５〜１００重量部の範囲
である。
【００１４】耐熱フィルムの上に接着剤層を積層する方
法としては、耐熱フィルム上に直接シリコーン系粘着剤
の溶液を塗布し、乾燥させるキャスティング方法、およ
び離型性フィルム上に一旦シリコーン系粘着剤の溶液を
塗布し、乾燥させ、形成された接着剤層を耐熱フィルム
上に転写するラミネート方法が使用される。接着剤層の
膜厚は、一般に１〜３０μｍの範囲に設定される。
法としては、耐熱フィルム上に直接シリコーン系粘着剤
の溶液を塗布し、乾燥させるキャスティング方法、およ
び離型性フィルム上に一旦シリコーン系粘着剤の溶液を
塗布し、乾燥させ、形成された接着剤層を耐熱フィルム
上に転写するラミネート方法が使用される。接着剤層の
膜厚は、一般に１〜３０μｍの範囲に設定される。
【００１５】接着剤層の上には、必要に応じて保護フィ
ルムを設けることができる。保護フィルムとしては、離
型性を有するフィルム、例えばポリエステル、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等
のフィルム、及びその表面をシリコーン樹脂またはフッ
素化合物で離型処理したフィルムが使用できる。
ルムを設けることができる。保護フィルムとしては、離
型性を有するフィルム、例えばポリエステル、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等
のフィルム、及びその表面をシリコーン樹脂またはフッ
素化合物で離型処理したフィルムが使用できる。
【００１６】本発明のマスクシートにおける接着剤層
は、１８０℃で１時間加熱したときの重量減少が５％以
下であることが必要であり、好ましくは３％以下であ
る。重量減少が５％を越えると、特にダイアタッチの工
程において、接着剤層の分解物によりリードフレームが
汚染され、金ワイヤーの接続不良を生じるという問題が
発生する。
は、１８０℃で１時間加熱したときの重量減少が５％以
下であることが必要であり、好ましくは３％以下であ
る。重量減少が５％を越えると、特にダイアタッチの工
程において、接着剤層の分解物によりリードフレームが
汚染され、金ワイヤーの接続不良を生じるという問題が
発生する。
【００１７】本発明の半導体装置を組み立てる方法につ
いて、図面を参酌して説明する。図１ないし図５は、半
導体装置を組み立てる方法を説明するための模式的断面
図である。まず、リードフレーム１の片面に、耐熱フィ
ルム上にシリコーン系粘着剤よりなる接着剤層が形成さ
れた本発明のマスクシートを、例えば加熱下に圧着し、
シリコーン系粘着剤が硬化して形成された接着剤層２を
介して耐熱フィルム３をリードフレーム１に接着する
（図１）。ついで、そのリードフレームの反対面に半導
体チップ５を搭載し、金ワイヤー４によりリードと半導
体チップを接続する（図２）。樹脂封止剤６によって樹
脂封止した後（図３）、リードフレームからマスクシー
トを剥がし（図４）、最後に切断して個片化する（図
５）。
いて、図面を参酌して説明する。図１ないし図５は、半
導体装置を組み立てる方法を説明するための模式的断面
図である。まず、リードフレーム１の片面に、耐熱フィ
ルム上にシリコーン系粘着剤よりなる接着剤層が形成さ
れた本発明のマスクシートを、例えば加熱下に圧着し、
シリコーン系粘着剤が硬化して形成された接着剤層２を
介して耐熱フィルム３をリードフレーム１に接着する
（図１）。ついで、そのリードフレームの反対面に半導
体チップ５を搭載し、金ワイヤー４によりリードと半導
体チップを接続する（図２）。樹脂封止剤６によって樹
脂封止した後（図３）、リードフレームからマスクシー
トを剥がし（図４）、最後に切断して個片化する（図
５）。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例によって限定されるもの
ではない。 ［実施例１］ （接着剤層形成用塗布液の調製）ポリアルキルアルケニ
ルシロキサンとポリアルキル水素シロキサンの混合溶液
（Ｘ４０−３１０３、信越化学社製）と白金触媒溶液
（ＰＬ５０Ｔ、信越化学社製）を重量比１００：１の比
率で混合した。 （マスクシートの作製）支持体として、Ｔｇが４９０
℃、１５０〜２００℃の線膨張係数が１２ｐｐｍ／℃の
ポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）を使用し、その上
に上記接着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さが８μｍに
なるように塗布し、１６０℃で１５分間乾燥させて、マ
スクシートを得た。このマスクシートの接着剤層につい
て、１８０℃で１時間加熱したときの重量減少を測定し
たところ、０．８％であることが分かった。
るが、本発明はこれらの実施例によって限定されるもの
ではない。 ［実施例１］ （接着剤層形成用塗布液の調製）ポリアルキルアルケニ
ルシロキサンとポリアルキル水素シロキサンの混合溶液
（Ｘ４０−３１０３、信越化学社製）と白金触媒溶液
（ＰＬ５０Ｔ、信越化学社製）を重量比１００：１の比
率で混合した。 （マスクシートの作製）支持体として、Ｔｇが４９０
℃、１５０〜２００℃の線膨張係数が１２ｐｐｍ／℃の
ポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）を使用し、その上
に上記接着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さが８μｍに
なるように塗布し、１６０℃で１５分間乾燥させて、マ
スクシートを得た。このマスクシートの接着剤層につい
て、１８０℃で１時間加熱したときの重量減少を測定し
たところ、０．８％であることが分かった。
【００１９】［実施例２］ （接着剤層形成用塗布液の調製）ポリジメチルシロキサ
ン（ＫＲ１２０、信越化学社製）とベンジルパーオキサ
イド（ナイバーＢ、日本油脂社製）を重量比１００：１
の比率で混合した。 （マスクシートの作製）支持体として、Ｔｇが４９０
℃、１５０〜２００℃の線膨張係数が１２ｐｐｍ／℃の
ポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）を使用し、その上
に上記接着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さが８μｍに
なるように塗布し、１６０℃で１５分間乾燥させて、マ
スクシートを得た。このマスクシートの接着剤層につい
て、１８０℃で１時間加熱したときの重量減少を測定し
たところ、１．２％であることが分かった。
ン（ＫＲ１２０、信越化学社製）とベンジルパーオキサ
イド（ナイバーＢ、日本油脂社製）を重量比１００：１
の比率で混合した。 （マスクシートの作製）支持体として、Ｔｇが４９０
℃、１５０〜２００℃の線膨張係数が１２ｐｐｍ／℃の
ポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）を使用し、その上
に上記接着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さが８μｍに
なるように塗布し、１６０℃で１５分間乾燥させて、マ
スクシートを得た。このマスクシートの接着剤層につい
て、１８０℃で１時間加熱したときの重量減少を測定し
たところ、１．２％であることが分かった。
【００２０】［比較例１］ （接着剤層形成用塗布液の調製）アクリル共重合体（Ｓ
Ｋダイン１１３１Ｂ、総研化学社製）にイソシアネート
（コロネートＬ−４０、日本ポリウレタン社製）を重量
比１００：１の比率で混合した。 （マスクシートの作製）支持体として、Ｔｇが４９０
℃、１５０〜２００℃の線膨張係数が１２ｐｐｍ／℃の
ポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）を使用し、その上
に上記接着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さが８μｍに
なるように塗布し、１００℃で５分間乾燥させた後、３
０℃７日間放置して、マスクシートを作製した。このマ
スクシートの接着剤層について、１８０℃で１時間加熱
したときの重量減少を測定したところ、５．６％である
ことが分かった。
Ｋダイン１１３１Ｂ、総研化学社製）にイソシアネート
（コロネートＬ−４０、日本ポリウレタン社製）を重量
比１００：１の比率で混合した。 （マスクシートの作製）支持体として、Ｔｇが４９０
℃、１５０〜２００℃の線膨張係数が１２ｐｐｍ／℃の
ポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）を使用し、その上
に上記接着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さが８μｍに
なるように塗布し、１００℃で５分間乾燥させた後、３
０℃７日間放置して、マスクシートを作製した。このマ
スクシートの接着剤層について、１８０℃で１時間加熱
したときの重量減少を測定したところ、５．６％である
ことが分かった。
【００２１】［比較例２］ （接着剤層形成用塗布液の調製）エポキシ樹脂（エピコ
ート８２８、油化シェル社製）、エポキシ硬化剤（レヂ
トップＰＳＭ４２６１、群栄化学社製）、アクリロニト
リル−ブタジエン共重合体（ニッポール１００１、日本
ゼオン社製）を重量比で４０：３０：３０で混合した。 （マスクシートの作製）支持体として、Ｔｇが４９０
℃、１５０〜２００℃の線膨張係数が１２ｐｐｍ／℃の
ポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）を使用し、その上
に上記接着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さが８μｍに
なるように塗布し、１３０℃で５分間乾燥させて、マス
クシートを作製した。このマスクシートの接着剤層につ
いて、１８０℃で１時間加熱したときの重量減少を測定
したところ、３．８％であることが分かった。
ート８２８、油化シェル社製）、エポキシ硬化剤（レヂ
トップＰＳＭ４２６１、群栄化学社製）、アクリロニト
リル−ブタジエン共重合体（ニッポール１００１、日本
ゼオン社製）を重量比で４０：３０：３０で混合した。 （マスクシートの作製）支持体として、Ｔｇが４９０
℃、１５０〜２００℃の線膨張係数が１２ｐｐｍ／℃の
ポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）を使用し、その上
に上記接着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さが８μｍに
なるように塗布し、１３０℃で５分間乾燥させて、マス
クシートを作製した。このマスクシートの接着剤層につ
いて、１８０℃で１時間加熱したときの重量減少を測定
したところ、３．８％であることが分かった。
【００２２】［比較例３］ （接着剤層形成用塗布液の調製）ポリアルキルアルケニ
ルシロキサンとポリアルキル水素シロキサンの混合溶液
（Ｘ４０−３１０３、信越化学社製）と白金触媒溶液
（ＰＬ５０Ｔ、信越化学社製）を重量比１００：１の比
率で混合した。 （マスクシートの作製）支持体として、Ｔｇが７３℃で
１５０〜２００℃の線膨張係数が６０ｐｐｍ／℃のポリ
エチレンテレフタレートフィルム（厚さ２５μｍ）を使
用し、その上に上記接着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚
さが８μｍになるように塗布し、１３０℃で５分間乾燥
させて、マスクシートを作製した。このマスクシートの
接着剤層について、１８０℃で１時間加熱したときの重
量減少を測定したところ、０．８％であることが分かっ
た。
ルシロキサンとポリアルキル水素シロキサンの混合溶液
（Ｘ４０−３１０３、信越化学社製）と白金触媒溶液
（ＰＬ５０Ｔ、信越化学社製）を重量比１００：１の比
率で混合した。 （マスクシートの作製）支持体として、Ｔｇが７３℃で
１５０〜２００℃の線膨張係数が６０ｐｐｍ／℃のポリ
エチレンテレフタレートフィルム（厚さ２５μｍ）を使
用し、その上に上記接着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚
さが８μｍになるように塗布し、１３０℃で５分間乾燥
させて、マスクシートを作製した。このマスクシートの
接着剤層について、１８０℃で１時間加熱したときの重
量減少を測定したところ、０．８％であることが分かっ
た。
【００２３】なお、上記実施例１および２、および比較
例１〜３で作製したマスクシートにおける接着剤層の重
量減少の測定は次の通り行った。上記実施例１および
２、および比較例１〜３で使用した各接着剤層形成用塗
布液を離型処理したポリエチレンテレフタレートフィル
ムに塗工し、各実施例および比較例を同一条件で製造
し、乾燥した後、ポリエチレンテレフタレートフィルム
から接着剤層を剥離して、該接着剤層のみを示差熱天秤
（セイコーインスツルメンツ社製、ＴＧ／ＤＴＡ３２
０）で１８０℃で１時間加熱したときの重量減少率を測
定した。
例１〜３で作製したマスクシートにおける接着剤層の重
量減少の測定は次の通り行った。上記実施例１および
２、および比較例１〜３で使用した各接着剤層形成用塗
布液を離型処理したポリエチレンテレフタレートフィル
ムに塗工し、各実施例および比較例を同一条件で製造
し、乾燥した後、ポリエチレンテレフタレートフィルム
から接着剤層を剥離して、該接着剤層のみを示差熱天秤
（セイコーインスツルメンツ社製、ＴＧ／ＤＴＡ３２
０）で１８０℃で１時間加熱したときの重量減少率を測
定した。
【００２４】（反り特性評価）上記実施例１および２、
および比較例１〜３で作製したマスクシートを外寸２０
０×６０ｍｍのＱＦＮ用リードフレーム（Ａｕ−Ｐｄ−
ＮｉメッキＣｕリードフレーム、８×３２個のマトリッ
クス配列、パッケージサイズ５×５ｍｍ、樹脂封止エリ
ア１８０×４０ｍｍ）にラミネートし、該ＱＦＮ用リー
ドフレームの大きさに裁断してフィルム積層体を作製し
た。このフィルム積層体を反り特性評価サンプルとし
た。この評価サンプルを、水平台にマスクシート面を上
にして置き、デジタル測定顕微鏡（オリンパス社製：Ｓ
ＴＭ−ＵＭ）によって、Ｚ軸座標測定により端部の反り
の高さを測定した。その結果を表１に示す。
および比較例１〜３で作製したマスクシートを外寸２０
０×６０ｍｍのＱＦＮ用リードフレーム（Ａｕ−Ｐｄ−
ＮｉメッキＣｕリードフレーム、８×３２個のマトリッ
クス配列、パッケージサイズ５×５ｍｍ、樹脂封止エリ
ア１８０×４０ｍｍ）にラミネートし、該ＱＦＮ用リー
ドフレームの大きさに裁断してフィルム積層体を作製し
た。このフィルム積層体を反り特性評価サンプルとし
た。この評価サンプルを、水平台にマスクシート面を上
にして置き、デジタル測定顕微鏡（オリンパス社製：Ｓ
ＴＭ−ＵＭ）によって、Ｚ軸座標測定により端部の反り
の高さを測定した。その結果を表１に示す。
【００２５】（ワイヤーボンド性）上記実施例１および
２、および比較例１〜３で作製したマスクシートを外寸
２００×６０ｍｍのＱＦＮ用リードフレーム（Ａｕ−Ｐ
ｄ−ＮｉメッキＣｕリードフレーム、８×３２個のマト
リックス配列、パッケージサイズ５×５ｍｍ、樹脂封止
エリア１８０×４０ｍｍ）にラミネートした。その後、
エポキシ系ダイアタッチ材でアルミニウム蒸着のダミー
チップ（３×３ｍｍ、厚さ０．４ｍｍ）をリードフレー
ムのダイパット部に接着し、ワイヤーボンダー（ＦＢ１
３１、カイジョー社製）で温度：１８０℃、周波数：６
０ｋＨｚ、荷重：１５０ｇｆ、時間：１０ｍｓ／ピンで
リードピン先端とダミーチップを金ワイヤーで接続した
ときのリード側接着不良数を確認した。その結果を表１
に示す。なお、表中の数値は２５６個のパッケージ中、
接続不良の発生した個数を示す。
２、および比較例１〜３で作製したマスクシートを外寸
２００×６０ｍｍのＱＦＮ用リードフレーム（Ａｕ−Ｐ
ｄ−ＮｉメッキＣｕリードフレーム、８×３２個のマト
リックス配列、パッケージサイズ５×５ｍｍ、樹脂封止
エリア１８０×４０ｍｍ）にラミネートした。その後、
エポキシ系ダイアタッチ材でアルミニウム蒸着のダミー
チップ（３×３ｍｍ、厚さ０．４ｍｍ）をリードフレー
ムのダイパット部に接着し、ワイヤーボンダー（ＦＢ１
３１、カイジョー社製）で温度：１８０℃、周波数：６
０ｋＨｚ、荷重：１５０ｇｆ、時間：１０ｍｓ／ピンで
リードピン先端とダミーチップを金ワイヤーで接続した
ときのリード側接着不良数を確認した。その結果を表１
に示す。なお、表中の数値は２５６個のパッケージ中、
接続不良の発生した個数を示す。
【００２６】（モールドフラッシュ）上記ワイヤーボン
ドしたリードフレームをエポキシ系封止樹脂（ｏ−クレ
ゾールノボラックエポキシ系、フィラー量８５重量％）
で、温度：１８０℃、圧力：１０ＭＰａ、時間：３分
間、の条件でトランスファーモールド（金型成型）し
た。その後、樹脂封止物からマスクシートを剥離し、該
樹脂封止物のマスクシート面を観察し、リードピンの部
分に封止樹脂が漏れているパッケージの数量を確認し
た。その結果を表１に示す。表中の数値は２５６個のパ
ッケージ中、封止樹脂の漏れにより不良の発生した個数
を示す。なお、実施例１および２のマスクシートは、樹
脂封止物からマスクシートを剥離する際に接着剤層の糊
残りはなかった。
ドしたリードフレームをエポキシ系封止樹脂（ｏ−クレ
ゾールノボラックエポキシ系、フィラー量８５重量％）
で、温度：１８０℃、圧力：１０ＭＰａ、時間：３分
間、の条件でトランスファーモールド（金型成型）し
た。その後、樹脂封止物からマスクシートを剥離し、該
樹脂封止物のマスクシート面を観察し、リードピンの部
分に封止樹脂が漏れているパッケージの数量を確認し
た。その結果を表１に示す。表中の数値は２５６個のパ
ッケージ中、封止樹脂の漏れにより不良の発生した個数
を示す。なお、実施例１および２のマスクシートは、樹
脂封止物からマスクシートを剥離する際に接着剤層の糊
残りはなかった。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【発明の効果】本発明のマスクシートは、上記の構成を
有するから、耐熱性に優れ、ダイアタッチ材のキュア時
の熱履歴でも分解物の揮発量が少なく、リードフレーム
が汚染されることがないため、金ワイヤーによる半導体
チップとリードフレームの高接続信頼性を得ることがで
きる。また、リードフレームの反りが少ないため、位置
決め不良を起こし難い。更には封止樹脂がマスクテープ
から漏れる「モールドフラッシュ」も押さえることがで
き、接着剤の糊残りを抑制するため安定してＱＦＮ等の
半導体パッケージを生産することができる。したがっ
て、本発明のマスクシートを使用することにより、効率
よく半導体装置を組み立てることが可能になる。
有するから、耐熱性に優れ、ダイアタッチ材のキュア時
の熱履歴でも分解物の揮発量が少なく、リードフレーム
が汚染されることがないため、金ワイヤーによる半導体
チップとリードフレームの高接続信頼性を得ることがで
きる。また、リードフレームの反りが少ないため、位置
決め不良を起こし難い。更には封止樹脂がマスクテープ
から漏れる「モールドフラッシュ」も押さえることがで
き、接着剤の糊残りを抑制するため安定してＱＦＮ等の
半導体パッケージを生産することができる。したがっ
て、本発明のマスクシートを使用することにより、効率
よく半導体装置を組み立てることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 リードフレームにマスクシートを接着した状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図２】 半導体チップを搭載して金ワイヤで接続した
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
【図３】 樹脂封止した状態を示す断面図である。
【図４】 マスクシートを剥がした状態を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】 半導体装置を個片化した状態を示す断面図で
ある。
ある。
１…リードフレーム、２…接着剤層、３…耐熱フィル
ム、４…金ワイヤー、５…半導体チップ、６…樹脂封止
剤。
ム、４…金ワイヤー、５…半導体チップ、６…樹脂封止
剤。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 敏博 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会社 巴川製紙所電子材料事業部内 Ｆターム(参考） 4J004 AA11 AB01 CA06 CC02 DB02 FA05 4J040 EK031 EK041 EK042 EK081 EK082 JB09 LA02 LA08 MA02 NA20 PA23 5F067 BE10 CC02 CC08
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラス転移温度が１５０℃以上であり、
１５０〜２００℃における線膨張係数が１０〜５０ｐｐ
ｍ／℃である耐熱フィルム上に、シリコーン系粘着剤よ
りなる接着剤層を設けてなり、１８０℃で１時間加熱し
たときの重量減少が５％以下であることを特徴とするリ
ードフレームに剥離可能に接着する半導体装置組立用マ
スクシート。 - 【請求項２】 上記シリコーン系粘着剤がポリジメチル
シロキサンを主成分とすることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置組立用マスクシート。 - 【請求項３】 上記シリコーン系粘着剤がポリアルキル
アルケニルシロキサンとポリアルキル水素シロキサンを
主成分とすることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置組立用マスクシート。 - 【請求項４】 リードフレームに粘着シートを圧着し、
粘着シートが接着したリードフレームに半導体素子を搭
載し、金ワイヤーにより半導体素子及びリードフレーム
を接続し、次いで金型において樹脂封止剤で樹脂封止を
行い、その後、該粘着シートを剥がすことにより半導体
装置を組み立てる方法において、該粘着シートとして、
請求項１記載のマスクシートを使用することを特徴とす
る半導体装置の組み立て方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001081098A JP4002736B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | 半導体装置組立用マスクシートおよび半導体装置の組み立て方法 |
| TW91104471A TW540131B (en) | 2001-03-21 | 2002-03-11 | Mask sheet for assembly of semiconductor device and assembling method of semiconductor device |
| PCT/JP2002/002573 WO2002075809A1 (fr) | 2001-03-21 | 2002-03-19 | Masque pour l'assemblage d'un dispositif a semiconducteur et procede d'assemblage dudit dispositif |
| KR20037012122A KR100572191B1 (ko) | 2001-03-21 | 2002-03-19 | 반도체 장치 조립용 마스크 시트 및 반도체 장치 조립 방법 |
| MYPI20020965 MY138636A (en) | 2001-03-21 | 2002-03-19 | mask sheet for assembly of semiconductor device and assembling method of semiconductor device |
| CNB02806772XA CN1280899C (zh) | 2001-03-21 | 2002-03-19 | 半导体装置组装用屏蔽片及半导体装置组装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001081098A JP4002736B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | 半導体装置組立用マスクシートおよび半導体装置の組み立て方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002275435A true JP2002275435A (ja) | 2002-09-25 |
| JP4002736B2 JP4002736B2 (ja) | 2007-11-07 |
Family
ID=18937259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001081098A Expired - Lifetime JP4002736B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | 半導体装置組立用マスクシートおよび半導体装置の組み立て方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4002736B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004224857A (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Lintec Corp | 電子デバイス用粘着テープ |
| JP2006052384A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-23 | Lintec Corp | シリコーンゴム粘着シート |
| JP2006295114A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-10-26 | Hitachi Cable Ltd | 電子装置用基板およびその製造方法、ならびに電子装置およびその製造方法 |
| US7241414B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-07-10 | Asm Technology Singapore Pte Ltd. | Method and apparatus for molding a semiconductor device |
| JP2012059846A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Kawamura Sangyo Kk | 半導体製造用粘着フィルム及びその製造方法 |
| KR101475139B1 (ko) * | 2012-04-02 | 2014-12-23 | 가부시키가이샤 도모에가와 세이시쇼 | 반도체 장치 제조용 마스크 시트 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR20180048677A (ko) | 2015-09-01 | 2018-05-10 | 린텍 가부시키가이샤 | 점착제 조성물 및 점착 시트 |
| KR20180048676A (ko) | 2015-09-01 | 2018-05-10 | 린텍 가부시키가이샤 | 점착 시트 |
| KR20180133949A (ko) | 2015-09-01 | 2018-12-17 | 린텍 가부시키가이샤 | 점착 시트 |
| WO2023204091A1 (ja) * | 2022-04-18 | 2023-10-26 | フジコピアン株式会社 | 耐熱性粘着フィルム |
| JP7447647B2 (ja) | 2020-04-06 | 2024-03-12 | 株式会社レゾナック | 半導体封止成形用仮保護フィルム及びその製造方法、仮保護フィルム付きリードフレーム、封止成形体、並びに、半導体パッケージを製造する方法 |
-
2001
- 2001-03-21 JP JP2001081098A patent/JP4002736B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4553553B2 (ja) * | 2003-01-21 | 2010-09-29 | リンテック株式会社 | 電子デバイス用粘着テープ |
| JP2004224857A (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Lintec Corp | 電子デバイス用粘着テープ |
| US7241414B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-07-10 | Asm Technology Singapore Pte Ltd. | Method and apparatus for molding a semiconductor device |
| JP2006052384A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-23 | Lintec Corp | シリコーンゴム粘着シート |
| US8230591B2 (en) | 2005-03-17 | 2012-07-31 | Hitachi Cable, Ltd. | Method for fabricating an electronic device substrate |
| JP2006295114A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-10-26 | Hitachi Cable Ltd | 電子装置用基板およびその製造方法、ならびに電子装置およびその製造方法 |
| US8101864B2 (en) | 2005-03-17 | 2012-01-24 | Hitachi Cable, Ltd. | Electronic device substrate and its fabrication method, and electronic device and its fabrication method |
| JP2012059846A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Kawamura Sangyo Kk | 半導体製造用粘着フィルム及びその製造方法 |
| KR101475139B1 (ko) * | 2012-04-02 | 2014-12-23 | 가부시키가이샤 도모에가와 세이시쇼 | 반도체 장치 제조용 마스크 시트 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR20180048677A (ko) | 2015-09-01 | 2018-05-10 | 린텍 가부시키가이샤 | 점착제 조성물 및 점착 시트 |
| KR20180048676A (ko) | 2015-09-01 | 2018-05-10 | 린텍 가부시키가이샤 | 점착 시트 |
| KR20180133949A (ko) | 2015-09-01 | 2018-12-17 | 린텍 가부시키가이샤 | 점착 시트 |
| JP7447647B2 (ja) | 2020-04-06 | 2024-03-12 | 株式会社レゾナック | 半導体封止成形用仮保護フィルム及びその製造方法、仮保護フィルム付きリードフレーム、封止成形体、並びに、半導体パッケージを製造する方法 |
| WO2023204091A1 (ja) * | 2022-04-18 | 2023-10-26 | フジコピアン株式会社 | 耐熱性粘着フィルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4002736B2 (ja) | 2007-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100618640B1 (ko) | 반도체 장치 제조용 접착시트와, 반도체 장치 및 그제조방법 | |
| JP2005340746A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置、ならびに半導体装置の製法 | |
| WO2018207408A1 (ja) | 半導体封止成形用仮保護フィルム | |
| KR20130109070A (ko) | 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR102424574B1 (ko) | 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR20030079752A (ko) | 반도체 장치 제조용 접착 시트 | |
| JP4125668B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP5937397B2 (ja) | 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2002275435A (ja) | 半導体装置組立用マスクシートおよび半導体装置の組み立て方法 | |
| JP2008095014A (ja) | Ｑｆｎ用熱硬化型樹脂組成物および接着シート | |
| JP5548077B2 (ja) | 樹脂封止用粘着テープ及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2006318999A (ja) | 半導体装置製造用接着フィルム | |
| JP3779601B2 (ja) | 半導体装置組立用マスクシート | |
| JP2009033082A (ja) | 半導体用接着フィルム、これを用いた半導体パッケージ用基板及び半導体装置並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP4002739B2 (ja) | 半導体装置製造用粘着シート | |
| KR20040084680A (ko) | 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체장치 및 제조 방법 | |
| KR100572191B1 (ko) | 반도체 장치 조립용 마스크 시트 및 반도체 장치 조립 방법 | |
| KR102481726B1 (ko) | 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2021125516A (ja) | 半導体装置製造用粘着シート | |
| JP2007129016A (ja) | 半導体装置製造用接着シート | |
| JP2020150076A (ja) | 半導体装置製造用粘着シート | |
| JP2009100000A (ja) | 半導体装置用ダイボンディング材及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP4031721B2 (ja) | 半導体装置製造用接着シート | |
| KR19990019012A (ko) | 전자부품용 내열성 접착 테이프 | |
| WO2022176585A1 (ja) | 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070814 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070820 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4002736 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130824 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130824 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130824 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R157 | Certificate of patent or utility model (correction) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R157 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |