JPS6337641A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
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- JPS6337641A JPS6337641A JP61181253A JP18125386A JPS6337641A JP S6337641 A JPS6337641 A JP S6337641A JP 61181253 A JP61181253 A JP 61181253A JP 18125386 A JP18125386 A JP 18125386A JP S6337641 A JPS6337641 A JP S6337641A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、リードフレームに関するものである。
一般に、リードフレームは、第４図および第５図に示す
ように、上下一対のフレーム１の中央部にタブ２を位置
決めし、このタブ２からタブリード３をフレームｌに延
ばして一体化し、上記タブ２の外周にタブ２を取り囲む
ように複数のリード端子４を設け、このリード端子４を
ダム５で連結して構成されている。このようなリードフ
レームは、打ち抜き形成により得られているため全体が
平面的である。そして、このリードフレームを用いての
半導体装置の製作はつぎのようにして行われる。すなわ
ち、上記リードフレームのタブ２上にトランジスタやＩ
Ｃ等の半導体素子（図示せず）を固着し、半導体素子の
外部電極とリードフレームのリード端子４とを金線（図
示せず）によって電気接続した状態でモールド金型に装
填し、トランスファーモールド成形により、第４図の一
点鎖線Ａで囲われた部分を樹脂で封止し、その後、金型
から取り出してリード端子４が相互に独立するようフレ
ーム１およびダム５を切り乱すと同時にリード端子４を
折曲することにより製造されている。このようにして得
られた半導体装置を第６図に示す。図において、２はタ
ブ、４はリード端子、５゛は半導体素子、６は金線、７
は封止樹脂からなるプラスチックパッケージである。
ように、上下一対のフレーム１の中央部にタブ２を位置
決めし、このタブ２からタブリード３をフレームｌに延
ばして一体化し、上記タブ２の外周にタブ２を取り囲む
ように複数のリード端子４を設け、このリード端子４を
ダム５で連結して構成されている。このようなリードフ
レームは、打ち抜き形成により得られているため全体が
平面的である。そして、このリードフレームを用いての
半導体装置の製作はつぎのようにして行われる。すなわ
ち、上記リードフレームのタブ２上にトランジスタやＩ
Ｃ等の半導体素子（図示せず）を固着し、半導体素子の
外部電極とリードフレームのリード端子４とを金線（図
示せず）によって電気接続した状態でモールド金型に装
填し、トランスファーモールド成形により、第４図の一
点鎖線Ａで囲われた部分を樹脂で封止し、その後、金型
から取り出してリード端子４が相互に独立するようフレ
ーム１およびダム５を切り乱すと同時にリード端子４を
折曲することにより製造されている。このようにして得
られた半導体装置を第６図に示す。図において、２はタ
ブ、４はリード端子、５゛は半導体素子、６は金線、７
は封止樹脂からなるプラスチックパッケージである。
しかしながら、上記のようにして製造された半導体装置
は、プラスチックパッケージ７における封止樹脂とタブ
リード３（第５図参照）との界面から水分が浸入し、そ
れによって半導体素子５゜の特性劣化や製品の信頼性の
低下現象が生じている。すなわち、上記プラスチックパ
ッケージ７を構成する封止樹脂の′！ＩｙＡＰＭ脹係数
とタブリード３を構成する金属材料の線膨張係数とがか
なり異なるため、トランスファーモールド成形後プラス
チックパッケージ７が室温に冷却されると、封止樹脂と
金属との線膨張係数の差により、タブリード３と封止樹
脂との界面で剥離を生じ、この剥離部分から水分が浸入
するようになり、上記のような問題を生じるのである。
は、プラスチックパッケージ７における封止樹脂とタブ
リード３（第５図参照）との界面から水分が浸入し、そ
れによって半導体素子５゜の特性劣化や製品の信頼性の
低下現象が生じている。すなわち、上記プラスチックパ
ッケージ７を構成する封止樹脂の′！ＩｙＡＰＭ脹係数
とタブリード３を構成する金属材料の線膨張係数とがか
なり異なるため、トランスファーモールド成形後プラス
チックパッケージ７が室温に冷却されると、封止樹脂と
金属との線膨張係数の差により、タブリード３と封止樹
脂との界面で剥離を生じ、この剥離部分から水分が浸入
するようになり、上記のような問題を生じるのである。
このような問題を解消するため、上記プラスチックパッ
ケージを構成する封止樹脂の線膨張係数を金属の線膨張
係数に近似させるような提案がなされ一部で実施されて
いるが、未だ満足するような結果が得られていないのが
実情である。
ケージを構成する封止樹脂の線膨張係数を金属の線膨張
係数に近似させるような提案がなされ一部で実施されて
いるが、未だ満足するような結果が得られていないのが
実情である。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、封
止樹脂とタブリードとの界面からの水分浸入の生じない
リードフレームの提供をその目的とする。
止樹脂とタブリードとの界面からの水分浸入の生じない
リードフレームの提供をその目的とする。
上記の目的を達成するため、この発明のリードフレーム
は、半導体素子を固着するためのタブと、フレームと、
上記タブから上記フレームに延び両者を連結するタブリ
ードと、後端が上記タブの外周縁と空間を保って対峙し
先端が上記タブ外周縁から外方向に延びるように上記タ
ブの外周に所定間隔で設けられた複数のリード端子を備
え、上記タブリードの一部にタブリードを横切る突部を
形成するという構成をとる。
は、半導体素子を固着するためのタブと、フレームと、
上記タブから上記フレームに延び両者を連結するタブリ
ードと、後端が上記タブの外周縁と空間を保って対峙し
先端が上記タブ外周縁から外方向に延びるように上記タ
ブの外周に所定間隔で設けられた複数のリード端子を備
え、上記タブリードの一部にタブリードを横切る突部を
形成するという構成をとる。
すなわち、上記リードフレームは、フレームとタブとを
連結するタブリードの形状に工夫をこらし、タブリード
の一部にタブリードを横切る突部を形成し、この突部に
よって外部からの水分の浸入を遮断するようにする。
連結するタブリードの形状に工夫をこらし、タブリード
の一部にタブリードを横切る突部を形成し、この突部に
よって外部からの水分の浸入を遮断するようにする。
つぎに、実施例について説明する。
第１図はこの発明の一実施例の要部を示している。すな
わち、このリードフレームは、フレーム１とタブ２とを
連結するタブリード３に折曲部８を形成している。それ
以外の部分は第４図と同じであるから同一部分に同一符
号を付している。この折曲部８は第４図における丸で囲
われた部分Ｂに形成されている。
わち、このリードフレームは、フレーム１とタブ２とを
連結するタブリード３に折曲部８を形成している。それ
以外の部分は第４図と同じであるから同一部分に同一符
号を付している。この折曲部８は第４図における丸で囲
われた部分Ｂに形成されている。
このように構成したため、第４図の一点鎖線Ａで示す部
分を樹脂封止し、その部分にプラスチックパッケージを
形成すると、第２図に示すように、プラスチックパッケ
ージ７の外周近傍部分に上記折曲部８が位置するように
なる。そして、その状態から封止樹脂が室温に冷却され
矢印方向に収縮すると、タブリード３のＶ字状折曲部８
におけるＶ字状の一辺の外向き傾斜面ａに対して、樹脂
の収縮により樹脂が強力に密着するようになる。
分を樹脂封止し、その部分にプラスチックパッケージを
形成すると、第２図に示すように、プラスチックパッケ
ージ７の外周近傍部分に上記折曲部８が位置するように
なる。そして、その状態から封止樹脂が室温に冷却され
矢印方向に収縮すると、タブリード３のＶ字状折曲部８
におけるＶ字状の一辺の外向き傾斜面ａに対して、樹脂
の収縮により樹脂が強力に密着するようになる。
また、■字状の他方の辺の外向き傾斜面すに対しても樹
脂が強力に密着するようになる。なお、上記面ａ、ｂと
反対側の面ｃ、ｄについては、樹脂の収縮により樹脂と
面ｃ、ｄとの間に空隙が生じる。
脂が強力に密着するようになる。なお、上記面ａ、ｂと
反対側の面ｃ、ｄについては、樹脂の収縮により樹脂と
面ｃ、ｄとの間に空隙が生じる。
このように樹脂の収縮により、■字状折曲部８の面ａ、
ｂが樹脂と強力に密着するため、樹脂の収縮によってタ
ブリード３と封止樹脂との界面において剥離が生じても
、上記密着面ａ、ｂによって外部からの水分浸入が防止
される。すなわら、タブリード３の表面ａに沿って矢印
りのように浸入する水分は、Ｖ字状折曲部８の内向き傾
斜面Ｃ上では、樹脂の収縮時において封止樹脂との界面
に生じた空隙を通ってＶ字状の先端部まで容易に浸入す
るが、そこから内部へは、■字状折曲部８の外向き傾斜
面すが樹脂と強力に密着していて隙間が生じていないた
め、その面すで浸入が阻止され、内部へは浸入しなくな
る。また、タブリード３の裏面に沿って矢印Ｅのように
浸入する水分は、■字状折曲部８における外向き傾斜面
ａが樹脂と強力に密着していて隙間が生じていないため
、この面で浸入が阻止され内部へは浸入しなくなる。
ｂが樹脂と強力に密着するため、樹脂の収縮によってタ
ブリード３と封止樹脂との界面において剥離が生じても
、上記密着面ａ、ｂによって外部からの水分浸入が防止
される。すなわら、タブリード３の表面ａに沿って矢印
りのように浸入する水分は、Ｖ字状折曲部８の内向き傾
斜面Ｃ上では、樹脂の収縮時において封止樹脂との界面
に生じた空隙を通ってＶ字状の先端部まで容易に浸入す
るが、そこから内部へは、■字状折曲部８の外向き傾斜
面すが樹脂と強力に密着していて隙間が生じていないた
め、その面すで浸入が阻止され、内部へは浸入しなくな
る。また、タブリード３の裏面に沿って矢印Ｅのように
浸入する水分は、■字状折曲部８における外向き傾斜面
ａが樹脂と強力に密着していて隙間が生じていないため
、この面で浸入が阻止され内部へは浸入しなくなる。
それに加えて、上記のようにＶ字状折曲部８を形成する
と、折曲部８の分だけ実質的にタブリード３の長さが長
くなり、これは水分の浸入路が長くなることを意味する
。したがって、この水分浸入路の延長と、傾斜面ａ、ｂ
に対する樹脂の密着とにより、水分の浸入が効果的に阻
止されるようになる。
と、折曲部８の分だけ実質的にタブリード３の長さが長
くなり、これは水分の浸入路が長くなることを意味する
。したがって、この水分浸入路の延長と、傾斜面ａ、ｂ
に対する樹脂の密着とにより、水分の浸入が効果的に阻
止されるようになる。
このように、このリードフレームは、タブリード３の形
状を工夫して上記のように立体的にすることにより水分
の浸入を遮断するものであり、極めて簡単な構成で顕著
な水分浸入遮断効果を奏しうるようになる。
状を工夫して上記のように立体的にすることにより水分
の浸入を遮断するものであり、極めて簡単な構成で顕著
な水分浸入遮断効果を奏しうるようになる。
なお、上記の実施例ではタブリード３にＶ字状折曲部８
を形成して水分の浸入を遮断しているが、第３図（ａ）
に示すように、７字状を二つ組み合わせたような形状に
して水分の浸入を遮断するようにしてもよい。また、第
３図（ｂ）に示すように、タブリード３に突起を設けて
水分の浸入を遮断するようにしてもよい。
を形成して水分の浸入を遮断しているが、第３図（ａ）
に示すように、７字状を二つ組み合わせたような形状に
して水分の浸入を遮断するようにしてもよい。また、第
３図（ｂ）に示すように、タブリード３に突起を設けて
水分の浸入を遮断するようにしてもよい。
つぎに、第１図に示すこの発明のリードフレームと第５
図に示す従来のリードフレームとを用い、半導体素子を
銀ペーストでグイボンドし、汎用エポキシ封止用樹脂で
封止したのち、１２１’ＣＸ１００％ＲＩＩＸ２ａｔｍ
の試験槽内にいれ、経時的な半導体素子の特性を測定し
た。その結果を第１表に示す。
図に示す従来のリードフレームとを用い、半導体素子を
銀ペーストでグイボンドし、汎用エポキシ封止用樹脂で
封止したのち、１２１’ＣＸ１００％ＲＩＩＸ２ａｔｍ
の試験槽内にいれ、経時的な半導体素子の特性を測定し
た。その結果を第１表に示す。
注：分子は累積不良数、分母は材料数を示す。
第１表から実施例孔は従来側孔に比べて極めて優れた耐
湿信頼性を有していることがわかる。
湿信頼性を有していることがわかる。
この発明のリードフレームは、タブリードの一部にタブ
リードを横切る突部を形成しているため、それを半導体
装置化したときにタブリードと封止樹脂との界面から浸
入する水分を上記突部で遮断し、半導体装置内部への水
分浸入を有効に阻止しうる。したがって、耐湿信頼性の
高い半導体装置を実現しうるようになる。
リードを横切る突部を形成しているため、それを半導体
装置化したときにタブリードと封止樹脂との界面から浸
入する水分を上記突部で遮断し、半導体装置内部への水
分浸入を有効に阻止しうる。したがって、耐湿信頼性の
高い半導体装置を実現しうるようになる。
第１図はこの発明の一実施例の要部拡大斜視図、第２図
はそれを用いて得られた半導体装置の要部断面図、第３
図（ａ）および（ｂ）はタブリードに形成された突部の
変形例の説明図、第４図は従来例の部分的平面図、第５
図はその要部の拡大斜視図、第６図は同じくそれを用い
て得られた半導体装置の断面図である。 １・・・フレーム ２・・・タブ ３・・・タブリード
４・・・リード端子 ８・・・折曲部 第１図 第２図 （ａ） （ｂ）第３図 ′４ １５図
はそれを用いて得られた半導体装置の要部断面図、第３
図（ａ）および（ｂ）はタブリードに形成された突部の
変形例の説明図、第４図は従来例の部分的平面図、第５
図はその要部の拡大斜視図、第６図は同じくそれを用い
て得られた半導体装置の断面図である。 １・・・フレーム ２・・・タブ ３・・・タブリード
４・・・リード端子 ８・・・折曲部 第１図 第２図 （ａ） （ｂ）第３図 ′４ １５図
Claims (2)
- （１）半導体素子を固着するためのタブと、フレームと
、上記タブから上記フレームに延び両者を連結するタブ
リードと、後端が上記タブの外周縁と空間を保つて対峙
し先端が上記タブ外周縁から外方向に延びるように上記
タブの外周に所定間隔で設けられた複数のリード端子を
備え、上記タブリードの一部にタブリードを横切る突部
を形成したことを特徴とするリードフレーム。 - （２）タブリードを横切る突部が、タブリードの折曲に
より形成されている特許請求の範囲第１項記載のリード
フレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181253A JPS6337641A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181253A JPS6337641A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337641A true JPS6337641A (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16097468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61181253A Pending JPS6337641A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6337641A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0252459A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Nec Kyushu Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH02140963A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Yamada Seisakusho:Kk | リードフレームおよびこのリードフレームを用いたゲートの分離方法 |
| JPH0443110U (ja) * | 1990-08-10 | 1992-04-13 | ||
| JP2008308303A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Ricoh Printing Systems Ltd | 給紙装置 |
| JP2015012235A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP61181253A patent/JPS6337641A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0252459A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Nec Kyushu Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH02140963A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Yamada Seisakusho:Kk | リードフレームおよびこのリードフレームを用いたゲートの分離方法 |
| JPH0443110U (ja) * | 1990-08-10 | 1992-04-13 | ||
| JP2008308303A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Ricoh Printing Systems Ltd | 給紙装置 |
| JP2015012235A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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