JPS62150755A - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents
電子装置およびその製造方法Info
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- JPS62150755A JPS62150755A JP29051085A JP29051085A JPS62150755A JP S62150755 A JPS62150755 A JP S62150755A JP 29051085 A JP29051085 A JP 29051085A JP 29051085 A JP29051085 A JP 29051085A JP S62150755 A JPS62150755 A JP S62150755A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、電子装置およびその製造技術、特に、樹脂封
止型パッケージの改良に関し、例えば、樹脂絶縁型パワ
ートランジスタに利用して有効な技術に関する。
止型パッケージの改良に関し、例えば、樹脂絶縁型パワ
ートランジスタに利用して有効な技術に関する。
樹脂絶縁型パワートランジスタにおいてるよ放！′ハ作
用を確保するために、樹脂封止型バソう−ジにおけるヘ
ッダの下面に対応する部分を可及的に薄くする必要があ
る。
用を確保するために、樹脂封止型バソう−ジにおけるヘ
ッダの下面に対応する部分を可及的に薄くする必要があ
る。
しかし、樹脂封止型パッケージをトランスファ成形する
際、成形材料としての液状樹脂（以下、レジンという。
際、成形材料としての液状樹脂（以下、レジンという。
）をヘッダ下面の薄肉部分に他の部分と同時に充填させ
ることはきわめて困難であり、これを克服するのに種々
の工夫が必要になり、その結果、新パッケージの開発に
手間がかかるという問題点があることが、本発明者によ
って明らかにされた。
ることはきわめて困難であり、これを克服するのに種々
の工夫が必要になり、その結果、新パッケージの開発に
手間がかかるという問題点があることが、本発明者によ
って明らかにされた。
なお、樹脂絶縁型パワートランジスタを述べである例と
しては、株式会社工業調査会発行「電子材料１９８１年
１１月号」昭和５６年１１月１日発行 Ｐ４２〜Ｐ４６
、がある。
しては、株式会社工業調査会発行「電子材料１９８１年
１１月号」昭和５６年１１月１日発行 Ｐ４２〜Ｐ４６
、がある。
本発明の目的は、新パンケージの開発を簡単化すること
ができる電子装置およびその製造技術を提供することに
ある。
ができる電子装置およびその製造技術を提供することに
ある。
本発明のＩＩ：１記ならびにその他の目的と新規な特徴
は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるで
あろう。
は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるで
あろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
封止型樹脂部をリードフレームの一部を露出させた状態
で成形し、その後、別の成形工程において、絶縁樹脂部
をリードフレームの露出部分を被覆するように成形する
ことにより、薄肉の絶縁樹脂部であってもレジンの充填
速度にわずられされずに成形し得るようにしたものであ
る。
で成形し、その後、別の成形工程において、絶縁樹脂部
をリードフレームの露出部分を被覆するように成形する
ことにより、薄肉の絶縁樹脂部であってもレジンの充填
速度にわずられされずに成形し得るようにしたものであ
る。
第１図は本発明の一実施例である樹脂絶縁型パワートラ
ンジスタを示す縦断面図、第２図は第１図の■−■線に
沿う断面図、第３図はそのパワう一部の成形途中を示す
縦断面図、第４図は同じく縦断面図、第５図は第４図の
Ｖ−Ｖ線に沿う断面図である。
ンジスタを示す縦断面図、第２図は第１図の■−■線に
沿う断面図、第３図はそのパワう一部の成形途中を示す
縦断面図、第４図は同じく縦断面図、第５図は第４図の
Ｖ−Ｖ線に沿う断面図である。
本実施例において、電子装置としての樹脂絶縁型パワー
トランジスタｌはリードフレーム２を備えており、リー
ドフレーム２には３本のインナリード３と、これに一体
的に連結されているアウタリード４とが形成されている
（但し、後記するヘッダとしてのインナリードとこれに
連結されたアウタリードのみが図示されている。）。中
央に配されたインナリード３には放熱板としての役割を
果たすヘッダ５が大きく形成されており、ヘッダ５の一
端面（以下、上面とする。）上にはトランジスタ回路を
形成されたペレット６がボンディングされている。左右
両脇に配されたインナリード（図示せず）とペレット６
との間にはボンディングワイヤ７がそれぞれボンディン
グされており、ペレット６の回路は各インナリードを経
てアウタリード４にそれぞれ電気的に引き出されている
。
トランジスタｌはリードフレーム２を備えており、リー
ドフレーム２には３本のインナリード３と、これに一体
的に連結されているアウタリード４とが形成されている
（但し、後記するヘッダとしてのインナリードとこれに
連結されたアウタリードのみが図示されている。）。中
央に配されたインナリード３には放熱板としての役割を
果たすヘッダ５が大きく形成されており、ヘッダ５の一
端面（以下、上面とする。）上にはトランジスタ回路を
形成されたペレット６がボンディングされている。左右
両脇に配されたインナリード（図示せず）とペレット６
との間にはボンディングワイヤ７がそれぞれボンディン
グされており、ペレット６の回路は各インナリードを経
てアウタリード４にそれぞれ電気的に引き出されている
。
樹脂絶縁型パワートランジスタ１は樹脂封止型のパッケ
ージ８を備えており、パッケージ８は封止樹脂部９と絶
縁樹脂１０とから構成されている。
ージ８を備えており、パッケージ８は封止樹脂部９と絶
縁樹脂１０とから構成されている。
封止樹脂部９はヘッダ５の下面を除く部分、インナリー
ト３ ぺ【ノット６およびボンディングワイヤ７を非気
出封止Ｊ°るように形成されており、封止樹脂部９は弾
性係数が小さく、耐温度性の良い低応力樹脂や矩キュア
樹脂等を用いて成形されている。
ト３ ぺ【ノット６およびボンディングワイヤ７を非気
出封止Ｊ°るように形成されており、封止樹脂部９は弾
性係数が小さく、耐温度性の良い低応力樹脂や矩キュア
樹脂等を用いて成形されている。
絶縁樹脂部１０はヘッダ５の下面を被覆するように薄い
肉厚をもって、封止樹脂部９と確実に一体化するように
形成されており、所定の絶縁性を維持しつつ良好な放熱
性を発揮するように熱伝導率のよい絶縁性樹脂を用いて
成形されている。
肉厚をもって、封止樹脂部９と確実に一体化するように
形成されており、所定の絶縁性を維持しつつ良好な放熱
性を発揮するように熱伝導率のよい絶縁性樹脂を用いて
成形されている。
なお、樹脂絶縁型パワートランジスタ１には取付孔１１
がパンケージ８およびヘッダ５を上下方向に貫通して開
設されており、この取付孔１１はこの樹脂絶縁型パワー
トランジスタｌをプリント基板等に実装する際にボルト
挿通孔等として使用し得るように構成されている。
がパンケージ８およびヘッダ５を上下方向に貫通して開
設されており、この取付孔１１はこの樹脂絶縁型パワー
トランジスタｌをプリント基板等に実装する際にボルト
挿通孔等として使用し得るように構成されている。
次に、本発明にかかる製造方法の一実施例である前記構
成にかかるパッケージの成形方法を説明する。
成にかかるパッケージの成形方法を説明する。
この成形方法においては、まず、封止樹脂部９を成形す
るための第１成形型１２が使用される。
るための第１成形型１２が使用される。
第３図に示されているように、第１成形型１２は互いに
最中合わせにされて型開閉シリンダ装置（図示せず）に
より型締めされる上型１３と下型１４とを備えており、
上型１３と下型１４との合わせ面には上型凹所１５と下
型凹所１６とが前記封止樹脂部９と略同形の中空室であ
るキャビティー１７をＩｎ Ｉｆｈして構成するように
それぞれ没設されている。上型凹所１５内には取付孔１
１を成形するための円柱部１８が所定位置に配されて垂
直下向きに突設されている。上型１５にはゲート１９が
合わせ面における円柱部１８寄り（以下、前側とする。
最中合わせにされて型開閉シリンダ装置（図示せず）に
より型締めされる上型１３と下型１４とを備えており、
上型１３と下型１４との合わせ面には上型凹所１５と下
型凹所１６とが前記封止樹脂部９と略同形の中空室であ
るキャビティー１７をＩｎ Ｉｆｈして構成するように
それぞれ没設されている。上型凹所１５内には取付孔１
１を成形するための円柱部１８が所定位置に配されて垂
直下向きに突設されている。上型１５にはゲート１９が
合わせ面における円柱部１８寄り（以下、前側とする。
）に配置されてキャビティー１７に連通ずるように切設
されており、ゲート１９はランナ（図示せず）を通じて
ボットに接続されることにより、レジンをキャビティー
１７内へ効果的に圧入させるように構成されている。
されており、ゲート１９はランナ（図示せず）を通じて
ボットに接続されることにより、レジンをキャビティー
１７内へ効果的に圧入させるように構成されている。
このように構成されている第１成形型１２を使用してパ
ッケージ８の封止樹脂部９を成形する際、第３図に示さ
れているように、前記構成にかかるリードフレーム２は
ペレット６を上に向けて、ヘッダ５、ペレット６および
インナリード３が下型凹所１６内に収容されるように下
型１４上にセットされる。このとき、ヘッダ５の下面は
下型凹所１６の底面上に当接され、アウタリード４は下
型１４の反ゲート側における合わせ面上に載置される。
ッケージ８の封止樹脂部９を成形する際、第３図に示さ
れているように、前記構成にかかるリードフレーム２は
ペレット６を上に向けて、ヘッダ５、ペレット６および
インナリード３が下型凹所１６内に収容されるように下
型１４上にセットされる。このとき、ヘッダ５の下面は
下型凹所１６の底面上に当接され、アウタリード４は下
型１４の反ゲート側における合わせ面上に載置される。
続いて、上型１３と下型１４とが合わせられて型締めさ
れると、上型凹所１５と下型凹所１６とによりキャビテ
ィー１７が形成されとともに、アウタリード４が上下型
１３．１４の合わせ面間にｔ央み込まれる。
れると、上型凹所１５と下型凹所１６とによりキャビテ
ィー１７が形成されとともに、アウタリード４が上下型
１３．１４の合わせ面間にｔ央み込まれる。
その後、低応力樹脂や矩キュア樹脂等のような所定のレ
ジンがゲート１９からキャビティー１７内へ圧入充堰さ
れる。このレジン注入時、ヘッダ５の下面には狭小空間
が形成されていないため、第３図に破線矢印で示されて
いるように、ゲーｉ・１９からキャビティー１７内に注
入されたレジンはキャビティー１７の上型凹所１５内を
後方に向かって均一に流れて行く。このとき、レジンの
流れは一方向になり、キャビティー１７内の空気は効果
的に全て排出されるため、封止樹脂部９に残留空気によ
る巣等が発生することはない。
ジンがゲート１９からキャビティー１７内へ圧入充堰さ
れる。このレジン注入時、ヘッダ５の下面には狭小空間
が形成されていないため、第３図に破線矢印で示されて
いるように、ゲーｉ・１９からキャビティー１７内に注
入されたレジンはキャビティー１７の上型凹所１５内を
後方に向かって均一に流れて行く。このとき、レジンの
流れは一方向になり、キャビティー１７内の空気は効果
的に全て排出されるため、封止樹脂部９に残留空気によ
る巣等が発生することはない。
所定の注入が完了し、レジンが硬化すると、上下型１３
．１４により前記構成にがかるパ・ノケージ８の封止樹
脂部９が成形され、離型される。
．１４により前記構成にがかるパ・ノケージ８の封止樹
脂部９が成形され、離型される。
次に、絶縁樹脂部１０を成形するための第２成形型２０
が使用される。第４図および第５図に示されているよう
に、第２成形型２０は互いに最中合わせされてシリンダ
装置（図示せず）により型締めされる上型２と下型２２
とを備えており、上型２１と下型２２との合わせ面に上
型凹所２３と下型凹所２４とが、絶縁樹脂部ＩＯと略同
形の中空室であるキャビティー２５を協働して構成する
ようにそれぞれ没設されている。上型凹所２３は第１成
形型１２によって成形された封止樹脂部９を収容すると
ともに、封止樹脂部９から露出したヘッダ５の上面を上
方から取り囲むように形成されており、上型凹所２３内
には前記取付孔１１を成形するための円柱部２６が突設
されている。下型口１’Ｊｉ ２４ Ｊ−１・１−面上
には保持部としての支柱２７が複数個（本実施例では４
個）、外周辺部に配されて前記封止樹脂部９の下面に当
接して支持し得るように構成されている。上型２１には
ゲート２８が合わせ面における前側端辺における左寄り
位置に配されてキャビティー２５に連通ずるように切設
されており、ゲート２８はランナ（図示せず）を通じて
ボットに接続されることにより成形材料としてのレジン
をキャビティー２５内に効果的に注入充填させるように
構成されている。
が使用される。第４図および第５図に示されているよう
に、第２成形型２０は互いに最中合わせされてシリンダ
装置（図示せず）により型締めされる上型２と下型２２
とを備えており、上型２１と下型２２との合わせ面に上
型凹所２３と下型凹所２４とが、絶縁樹脂部ＩＯと略同
形の中空室であるキャビティー２５を協働して構成する
ようにそれぞれ没設されている。上型凹所２３は第１成
形型１２によって成形された封止樹脂部９を収容すると
ともに、封止樹脂部９から露出したヘッダ５の上面を上
方から取り囲むように形成されており、上型凹所２３内
には前記取付孔１１を成形するための円柱部２６が突設
されている。下型口１’Ｊｉ ２４ Ｊ−１・１−面上
には保持部としての支柱２７が複数個（本実施例では４
個）、外周辺部に配されて前記封止樹脂部９の下面に当
接して支持し得るように構成されている。上型２１には
ゲート２８が合わせ面における前側端辺における左寄り
位置に配されてキャビティー２５に連通ずるように切設
されており、ゲート２８はランナ（図示せず）を通じて
ボットに接続されることにより成形材料としてのレジン
をキャビティー２５内に効果的に注入充填させるように
構成されている。
このように構成されている第２成形型２０を使用してパ
ンケージ８の絶縁樹脂部ｌＯを成形する際、第４図およ
び第５図に示されているように、封止樹脂部９が成形さ
れているリードフレーム２はへラダ５を下に向けて、封
止樹脂部９の一部およびヘッダ５が下型凹所２４内に収
容されるように下型２２上にセントされる。このとき、
封止樹脂部９下面における外周辺部は下型凹所２４内の
支柱２７上に当接されて載置され、アウタリード４は下
面２２の反ゲート側における合わせ面上に載置される。
ンケージ８の絶縁樹脂部ｌＯを成形する際、第４図およ
び第５図に示されているように、封止樹脂部９が成形さ
れているリードフレーム２はへラダ５を下に向けて、封
止樹脂部９の一部およびヘッダ５が下型凹所２４内に収
容されるように下型２２上にセントされる。このとき、
封止樹脂部９下面における外周辺部は下型凹所２４内の
支柱２７上に当接されて載置され、アウタリード４は下
面２２の反ゲート側における合わせ面上に載置される。
続いて、上型２１と下型２２とが合わせられて型締めさ
れると、上型凹所２３と下型凹所２４とによりキャビテ
ィー２５が形成されるとともに、封止樹脂部９が支柱２
７で支持されることによりヘッダ５の下方に狭小空間２
つが形成され、アウクリード４が上下型２Ｉ、２２の合
わせ面間に挟み込まれる。
れると、上型凹所２３と下型凹所２４とによりキャビテ
ィー２５が形成されるとともに、封止樹脂部９が支柱２
７で支持されることによりヘッダ５の下方に狭小空間２
つが形成され、アウクリード４が上下型２Ｉ、２２の合
わせ面間に挟み込まれる。
その後、熱伝導率および絶縁性のよい樹脂等のような所
定のレジンがゲート２８からキャビティー２５内へ工大
充填される。このレジン注入時、下型凹所２４の底部に
おいてヘッダ５の下面に形成された狭小空間２９におけ
る流路抵抗は小さいが、他所における流路抵抗もそれと
均等になるように小さく設定されているため、レジンは
各所に略均−に流れて行く。したがって、キャビティー
２５内の空気は効果的に全て排出されるため、絶縁樹脂
部１０に残留空気による巣等が発生することはない。
定のレジンがゲート２８からキャビティー２５内へ工大
充填される。このレジン注入時、下型凹所２４の底部に
おいてヘッダ５の下面に形成された狭小空間２９におけ
る流路抵抗は小さいが、他所における流路抵抗もそれと
均等になるように小さく設定されているため、レジンは
各所に略均−に流れて行く。したがって、キャビティー
２５内の空気は効果的に全て排出されるため、絶縁樹脂
部１０に残留空気による巣等が発生することはない。
所定の注入が完了し、レジンが硬化すると、上下型２１
．２２により前記構成にかかるパッケージの絶縁樹脂部
１０が成形され、離型される。すなわち、パッケージ８
にはヘッダ５の下面に絶縁樹脂部１０が薄い板形状に成
形されており、この薄い）月脂部が樹脂絶縁型パワート
ランジスタにおいて、所定の放熱を確保しつつ、ヘッダ
５とプリント基板等との間の絶縁を維持することになる
。
．２２により前記構成にかかるパッケージの絶縁樹脂部
１０が成形され、離型される。すなわち、パッケージ８
にはヘッダ５の下面に絶縁樹脂部１０が薄い板形状に成
形されており、この薄い）月脂部が樹脂絶縁型パワート
ランジスタにおいて、所定の放熱を確保しつつ、ヘッダ
５とプリント基板等との間の絶縁を維持することになる
。
ここで、このパッケージ８には支柱２７の痕跡である小
穴２７Ａが残ることになるが、前記第２成形型において
リードフレームをキャビティー内で浮かすだめの支柱が
ヘッダの下面に当接するように構成されている場合、ヘ
ッダ下面の表面が小穴の底において露出することになる
。ヘッダの表面が露出すると、放電事故等の原因になる
危険があるため、レジン等のような絶縁材料を用いたポ
ツティング作業等により埋める必要がある。しかし、こ
の作業は面倒であるため、生産性を低下させる。
穴２７Ａが残ることになるが、前記第２成形型において
リードフレームをキャビティー内で浮かすだめの支柱が
ヘッダの下面に当接するように構成されている場合、ヘ
ッダ下面の表面が小穴の底において露出することになる
。ヘッダの表面が露出すると、放電事故等の原因になる
危険があるため、レジン等のような絶縁材料を用いたポ
ツティング作業等により埋める必要がある。しかし、こ
の作業は面倒であるため、生産性を低下させる。
本実施例においては、絶縁樹脂部の成形工程以前に成形
された封止樹脂部が支柱によって支持されるため、成形
後におけるポツティング作業等は省略することができる
。
された封止樹脂部が支柱によって支持されるため、成形
後におけるポツティング作業等は省略することができる
。
ずなわち、ヘッダ５下面の絶縁樹脂部１０の成形時にお
いて、リードフレーム２は封止樹脂部９に支柱２７を当
接されて支持されるため、支柱２７の痕跡としての小穴
２７Ａの底には封止樹脂部９の表面が露出することにな
る。つまり、ヘッダ５の表面は露出しないため、放電事
故等の原因になる危険性はない。その結果、この危険性
を回避するために小穴２７Ａをボッティング作業等によ
り埋める必要はなくなり、作業を省略することにより、
生産性を高めることができる。
いて、リードフレーム２は封止樹脂部９に支柱２７を当
接されて支持されるため、支柱２７の痕跡としての小穴
２７Ａの底には封止樹脂部９の表面が露出することにな
る。つまり、ヘッダ５の表面は露出しないため、放電事
故等の原因になる危険性はない。その結果、この危険性
を回避するために小穴２７Ａをボッティング作業等によ
り埋める必要はなくなり、作業を省略することにより、
生産性を高めることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施１ｆ１１に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変
更可能であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施１ｆ１１に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変
更可能であることはいうまでもない。
例えば、封止樹脂部を先に成形するに限らず、絶縁樹脂
を先に成形した後、封止樹脂部を成形してもよい。
を先に成形した後、封止樹脂部を成形してもよい。
パッケージを成形するための成形型は、封止樹脂部４１
１川の成形型および絶縁樹脂部専用の成形型をそれぞれ
使用するに限らず、兼用の成形型にゲートをそれぞれ開
設して封止樹脂部および絶縁樹脂部を同時的に成形する
ように構成してもよい。
１川の成形型および絶縁樹脂部専用の成形型をそれぞれ
使用するに限らず、兼用の成形型にゲートをそれぞれ開
設して封止樹脂部および絶縁樹脂部を同時的に成形する
ように構成してもよい。
絶縁樹脂部は薄板形状に形成するに限らず、実装相手方
の取付部の形状等のような条件に応じて適宜変形しても
よい。
の取付部の形状等のような条件に応じて適宜変形しても
よい。
（１１パッケージを封止樹脂部と絶縁樹脂部とから構成
することにより、絶縁樹脂部に十分な放熱性を付与する
ことができるため、電子装置の放熱性能を高めてその能
力、耐久性等を向上させることができる。
することにより、絶縁樹脂部に十分な放熱性を付与する
ことができるため、電子装置の放熱性能を高めてその能
力、耐久性等を向上させることができる。
（２） 封止樹脂部と絶縁樹脂部とを相異なる種類の
樹脂をそれぞれ用いて成形することにより、両樹脂部が
それぞれ発揮すべき機能を高めることができるため、パ
ンケージの性能を高めるごとにより、電子装置の性能を
向上させることができる。
樹脂をそれぞれ用いて成形することにより、両樹脂部が
それぞれ発揮すべき機能を高めることができるため、パ
ンケージの性能を高めるごとにより、電子装置の性能を
向上させることができる。
（３） 封止樹脂部と絶縁樹脂部とに分けて成形する
ことにより、両者にそれぞれ対応する成形空間における
流路抵抗に関する制約を緩［口することができるため、
他所（非気密封止領域）の流路抵抗の大小如何にかかわ
らず絶縁樹脂部を十分に薄くすることができるとともに
、パッケージ全体についての設計の自由度を拡大化させ
てパッケージの開発を簡単化させることができる。
ことにより、両者にそれぞれ対応する成形空間における
流路抵抗に関する制約を緩［口することができるため、
他所（非気密封止領域）の流路抵抗の大小如何にかかわ
らず絶縁樹脂部を十分に薄くすることができるとともに
、パッケージ全体についての設計の自由度を拡大化させ
てパッケージの開発を簡単化させることができる。
（４）封止樹脂部を低応力樹脂を用いて成形することに
より、発熱により発生した応力を吸収することができる
ため、発熱により電子素子等に加わる応力を減少させる
ことができる。
より、発熱により発生した応力を吸収することができる
ため、発熱により電子素子等に加わる応力を減少させる
ことができる。
（５）絶縁樹脂部を熱伝導率の良い樹脂を用いて成形す
ることにより、熱伝導により発熱を放散させることがで
きるため、放熱性を一層向上させることができる。
ることにより、熱伝導により発熱を放散させることがで
きるため、放熱性を一層向上させることができる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である樹脂絶縁型パワート
ランジスタに適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、本発明は少なくとも樹脂封止
型パッケージを有する電子装置に適用することができる
。
をその背景となった利用分野である樹脂絶縁型パワート
ランジスタに適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、本発明は少なくとも樹脂封止
型パッケージを有する電子装置に適用することができる
。
第１［ｉ！！Ｉは不発＋ｙ１の一実施例である樹ＩＢＭ
絶縁型パワートランジスタを示す縦断面図、 第２図は第１図のｎ−ｎ線に沿う断面図、第３図はその
パッケージの成形途中を示す紺断面図、 第４図は同じく縦断面図、 °第５図は第４図のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。 ■・・・樹脂絶縁型パワートランジスタ（電子装置）
、２・・・リードフレーム、３・・・インナリード、４
・・・アウタリード、５・・・ヘッダ、６・・・ペレッ
ト、７・・・ボンディングワイヤ、８・・・パンケージ
、９・・・封止樹脂部、】０・・・絶縁樹脂部、１１・
・・取付孔、１２・・・第１成形型、１３・・・上型、
１４・・・下型、１５・・・下型凹所、１６・・・下型
凹所、１７・・・キャビティー、１８・・・円柱部、Ｉ
９・・・ゲート、２０・・・第２成形型、２１・・・上
型、２２・・・下型、２３・・・上型凹所、２４・・・
下型凹所、２５・・・キャビティー、２６・・・円柱部
、２７・・・支柱（保持部）、２８・・・ゲート、２９
・・・狭小空間。 代理人 弁理士 小 川 勝 男、。 第 ４ 図 第 ５ 図
絶縁型パワートランジスタを示す縦断面図、 第２図は第１図のｎ−ｎ線に沿う断面図、第３図はその
パッケージの成形途中を示す紺断面図、 第４図は同じく縦断面図、 °第５図は第４図のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。 ■・・・樹脂絶縁型パワートランジスタ（電子装置）
、２・・・リードフレーム、３・・・インナリード、４
・・・アウタリード、５・・・ヘッダ、６・・・ペレッ
ト、７・・・ボンディングワイヤ、８・・・パンケージ
、９・・・封止樹脂部、】０・・・絶縁樹脂部、１１・
・・取付孔、１２・・・第１成形型、１３・・・上型、
１４・・・下型、１５・・・下型凹所、１６・・・下型
凹所、１７・・・キャビティー、１８・・・円柱部、Ｉ
９・・・ゲート、２０・・・第２成形型、２１・・・上
型、２２・・・下型、２３・・・上型凹所、２４・・・
下型凹所、２５・・・キャビティー、２６・・・円柱部
、２７・・・支柱（保持部）、２８・・・ゲート、２９
・・・狭小空間。 代理人 弁理士 小 川 勝 男、。 第 ４ 図 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、パッケージが非気密封止を行う封止樹脂部と、放熱
性を確保しつつ絶縁を行う絶縁樹脂部とを備えているこ
とを特徴とする電子装置。 ２、封止樹脂部と絶縁樹脂部とが、相異なる種類の樹脂
から構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の電子装置。 ３、封止樹脂部が、低応力樹脂を用いて成形されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の電子装置
。 ４、絶縁樹脂部が、熱伝導率および絶縁性の良い樹脂を
用いて成形されていることを特徴とする特許請求の範囲
第２項記載の電子装置。 ５、成形型にリードフレームをペレットがキャビティー
内に収容されるようにセットし、樹脂によりペレットを
非気密封止する工程と、成形型にリードフレームをその
一部がキャビティー内に収容されるようにセットし、樹
脂によりリードフレームの一部を被覆する工程とを備え
ている電子装置の製造方法。 ６、リードフレームにおける絶縁樹脂で被覆すべき部分
を露出させた状態で封止樹脂部を成形した後、露出させ
た部分に絶縁樹脂部を成形することを特徴とする特許請
求の範囲第５項記載の電子装置の製造方法。 ７、絶縁樹脂部を成形する工程において、樹脂封止部に
保持部を当接させることにより、リードフレームの露出
面に隣接した隙間を構成させるようにしたことを特徴と
する特許請求の範囲第６項記載の電子装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29051085A JPS62150755A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 電子装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29051085A JPS62150755A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 電子装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150755A true JPS62150755A (ja) | 1987-07-04 |
Family
ID=17756948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29051085A Pending JPS62150755A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 電子装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62150755A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001094019A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6667547B2 (en) | 1998-05-05 | 2003-12-23 | International Rectifier Corporation | High current capacity semiconductor device package and lead frame with large area connection posts and modified outline |
| CN106463417A (zh) * | 2014-05-14 | 2017-02-22 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29051085A patent/JPS62150755A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6667547B2 (en) | 1998-05-05 | 2003-12-23 | International Rectifier Corporation | High current capacity semiconductor device package and lead frame with large area connection posts and modified outline |
| JP2001094019A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN106463417A (zh) * | 2014-05-14 | 2017-02-22 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| JPWO2015173906A1 (ja) * | 2014-05-14 | 2017-04-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US10043680B2 (en) | 2014-05-14 | 2018-08-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
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