JPS5966128A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS5966128A JPS5966128A JP17725282A JP17725282A JPS5966128A JP S5966128 A JPS5966128 A JP S5966128A JP 17725282 A JP17725282 A JP 17725282A JP 17725282 A JP17725282 A JP 17725282A JP S5966128 A JPS5966128 A JP S5966128A
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- resin
- filling
- support
- molds
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- Pending
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C2045/14672—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame moulding with different depths of the upper and lower mould cavity
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は樹脂封止形半導体装置の製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
近年、半導体装置の樹脂封止化が進み、たとえばかなり
大きな電力を取り扱うことのできるトランジスタ、すな
わち、パワートランジスタと呼ばれるような大型のもの
も樹脂封止構造とされるに至っている。
大きな電力を取り扱うことのできるトランジスタ、すな
わち、パワートランジスタと呼ばれるような大型のもの
も樹脂封止構造とされるに至っている。
第１図は、樹脂封止構造を有する従来の電力用トランジ
スタの構造例を示す断面図であり、トランジスタ素子（
半導体チップ）１の接着される同チップ支持体２の裏面
を封止樹脂外殻３で覆うことなく露出させるとともに、
これを組込む電子機器側の放熱板への取り付けを可能に
するためのねじ止め用貫通孔４を形成した構造となって
いる。
スタの構造例を示す断面図であり、トランジスタ素子（
半導体チップ）１の接着される同チップ支持体２の裏面
を封止樹脂外殻３で覆うことなく露出させるとともに、
これを組込む電子機器側の放熱板への取り付けを可能に
するためのねじ止め用貫通孔４を形成した構造となって
いる。
なお、５は半導体チップ表面保護用樹脂、６は外部リー
ドである。このような構造の樹脂封止形電力用トランジ
スタは、放熱板への取り付けに際しては露出するチップ
支持体２の裏面を放熱板に対して電気的には絶縁して熱
的に結合する必要があった。この電気的絶縁はマイカ板
などの絶縁板を両者間に介在させることによってなされ
る。
ドである。このような構造の樹脂封止形電力用トランジ
スタは、放熱板への取り付けに際しては露出するチップ
支持体２の裏面を放熱板に対して電気的には絶縁して熱
的に結合する必要があった。この電気的絶縁はマイカ板
などの絶縁板を両者間に介在させることによってなされ
る。
第２図はチップ支持体２の裏面をも薄い樹脂被旧位７を
設けて絶縁することにより放熱板−・・の取り付は作業
上の工数を削減することを目的としたイ１１４造の］Ｉ
）（脂月止バ１１電力用トランジスタである。
設けて絶縁することにより放熱板−・・の取り付は作業
上の工数を削減することを目的としたイ１１４造の］Ｉ
）（脂月止バ１１電力用トランジスタである。
ところで、第１図に示す構造の樹脂封止型半導体装置の
場合の封市樹脂のｔｌＥ人Ｃ１、樹脂成形外殻のいずれ
の場所から行なっても、目的とする樹脂成形は１１」能
である。しかしながら、第２図に示す構造の場合外殻３
には肉厚の厚い樹脂部と肉厚の゛薄い樹脂部７とがあり
、且つその間にはチップ支持体２が存在するため、注入
口より注入された樹゛ 脂は、まず金型内の空間の大き
な部分を充填し、順次狭い空間を充填するという流入傾
向がある。
場合の封市樹脂のｔｌＥ人Ｃ１、樹脂成形外殻のいずれ
の場所から行なっても、目的とする樹脂成形は１１」能
である。しかしながら、第２図に示す構造の場合外殻３
には肉厚の厚い樹脂部と肉厚の゛薄い樹脂部７とがあり
、且つその間にはチップ支持体２が存在するため、注入
口より注入された樹゛ 脂は、まず金型内の空間の大き
な部分を充填し、順次狭い空間を充填するという流入傾
向がある。
この為、金型内に存在する空気や樹脂の硬化反応に伴い
発生するガスは、最も充填の遅い肉厚の薄い部分へ溜ま
り、しばしほこの部分に未充填部分の発生や、成形物中
の気泡を発生していた。このような樹脂充填の不均一な
部分は、この半導体装置を電子機器の所定放熱板に取り
付けた際に、絶縁不良を発生する危険があり、か５る構
造の電力用トランジスタにとっては、重大な欠陥となっ
ていた。
発生するガスは、最も充填の遅い肉厚の薄い部分へ溜ま
り、しばしほこの部分に未充填部分の発生や、成形物中
の気泡を発生していた。このような樹脂充填の不均一な
部分は、この半導体装置を電子機器の所定放熱板に取り
付けた際に、絶縁不良を発生する危険があり、か５る構
造の電力用トランジスタにとっては、重大な欠陥となっ
ていた。
発明の目的
本発明は、従来装置のうち、とくにチップ支持体裏面を
も薄い樹脂で被覆してなる樹脂封止型半導体装置の上述
問題点を解決することのできる樹脂封止型半導体装置の
製造方法を提供せんとするものである。
も薄い樹脂で被覆してなる樹脂封止型半導体装置の上述
問題点を解決することのできる樹脂封止型半導体装置の
製造方法を提供せんとするものである。
発明の構成
本発明はチップ支持体裏面をも薄い肉厚の樹脂で被覆し
てなる絶縁型パワー半導体装置の均一な樹脂成形を行な
う為に、金型空間への封止用樹脂の注入口の位置を規定
するものである。
てなる絶縁型パワー半導体装置の均一な樹脂成形を行な
う為に、金型空間への封止用樹脂の注入口の位置を規定
するものである。
実施例の説明
第３図（ａ）は本発明の実施例を示す断面図、第３図（
ｂ）は同平面図である。本実施例の場合、トランスファ
ー封止成形によって裏面をも厚さ０．５ｍｍの薄い樹脂
成形を施こしたパワー半導体装置の、厚さ１・５咽の肉
厚を有するチップ支持体２の一方の側から導出される厚
さ０．４ ｍｍの肉厚を有する３本の外部リード線９〜
１１の両方のリード線間１２゜１３に１同チップ支持体
２裏面の最外殻表面１４より、０．４ｍｍの樹脂成形外
殻側面に、深さ０．５鴫でその幅が外部リード線間幅に
設定された樹脂注入口１５を形成している。
ｂ）は同平面図である。本実施例の場合、トランスファ
ー封止成形によって裏面をも厚さ０．５ｍｍの薄い樹脂
成形を施こしたパワー半導体装置の、厚さ１・５咽の肉
厚を有するチップ支持体２の一方の側から導出される厚
さ０．４ ｍｍの肉厚を有する３本の外部リード線９〜
１１の両方のリード線間１２゜１３に１同チップ支持体
２裏面の最外殻表面１４より、０．４ｍｍの樹脂成形外
殻側面に、深さ０．５鴫でその幅が外部リード線間幅に
設定された樹脂注入口１５を形成している。
第４図（ａ）は本発明の他の実施例を示す断面図、第４
図（ｂ）は同平面図である。本実施例の場合は放熱部（
ヒートシンク）を兼ねる厚さ１・４欄のチップ支持体２
外部導出線細条の他方の側より導出される厚さ０．４個
の肉厚を有する位置決め用細条１６．１７の間１８にチ
ップ支持体裏面の、樹脂成形最外殻表面１４より０．４
咽の高さの位置に、深さ０．５聰で幅５喘の樹脂注入口
１９を設けた例である。なお、第３図、第４図中２０は
注入用樹脂供給部であり、２１．２２は成形用金型で、
第１図、第２図と同一番号は同一部分を示す。
図（ｂ）は同平面図である。本実施例の場合は放熱部（
ヒートシンク）を兼ねる厚さ１・４欄のチップ支持体２
外部導出線細条の他方の側より導出される厚さ０．４個
の肉厚を有する位置決め用細条１６．１７の間１８にチ
ップ支持体裏面の、樹脂成形最外殻表面１４より０．４
咽の高さの位置に、深さ０．５聰で幅５喘の樹脂注入口
１９を設けた例である。なお、第３図、第４図中２０は
注入用樹脂供給部であり、２１．２２は成形用金型で、
第１図、第２図と同一番号は同一部分を示す。
樹脂注入口１５．１９は、以上の実施例以外の樹脂成形
最外殻側面に、チップ支持体裏面樹脂厚ｔ１、同支持体
厚みｔ２、樹脂最外殻裏面表面１４から樹脂注入口の一
端迄の距離をｔ３ならびに樹脂最外殻裏面表面１４から
注入口までの距離をｔ４とした場合１ ＋１ ）１
ならびにｔｌ〉ｔ３を満１ ２ ４） 足したいずれかの位置に設ければ良く、この位置を満足
すれば樹脂注入口は複数個形成しても、目的とする効果
が得られることはいうまでもない。
最外殻側面に、チップ支持体裏面樹脂厚ｔ１、同支持体
厚みｔ２、樹脂最外殻裏面表面１４から樹脂注入口の一
端迄の距離をｔ３ならびに樹脂最外殻裏面表面１４から
注入口までの距離をｔ４とした場合１ ＋１ ）１
ならびにｔｌ〉ｔ３を満１ ２ ４） 足したいずれかの位置に設ければ良く、この位置を満足
すれば樹脂注入口は複数個形成しても、目的とする効果
が得られることはいうまでもない。
なお、ここで、ｔ４は樹脂注入口の上端位置を規定し、
ｔ３は同注入口の下端を規定したものである。
ｔ３は同注入口の下端を規定したものである。
かかる樹脂注入口１５により樹脂封止した場合の金型２
１，２２の樹脂の充填状態を示したのが第５図であり、
注入された樹脂は、注入口１５より高い圧力でまず、チ
ップ支持体２裏面の狭い充填空間に注入され、同チップ
支持体表面側の厚い充填空間が若干遅く充填が進行する
。この場合、狭い充填空間の樹脂の流れは、金型２１，
２２壁とチップ支持体２の接触抵抗により、次第に充填
速度は遅くなり、充填完了直前には、広い充填空間側と
狭い充填空間側の樹脂の充填ははＸ′合致することとな
り、また、金型２１，２２内の空気及び樹脂の硬化反応
に伴って発生するガスは、注入口とは対称方向に設けら
れた、金型のガス抜き部（不図示）より金型２１，２２
外へ押し７出される。
１，２２の樹脂の充填状態を示したのが第５図であり、
注入された樹脂は、注入口１５より高い圧力でまず、チ
ップ支持体２裏面の狭い充填空間に注入され、同チップ
支持体表面側の厚い充填空間が若干遅く充填が進行する
。この場合、狭い充填空間の樹脂の流れは、金型２１，
２２壁とチップ支持体２の接触抵抗により、次第に充填
速度は遅くなり、充填完了直前には、広い充填空間側と
狭い充填空間側の樹脂の充填ははＸ′合致することとな
り、また、金型２１，２２内の空気及び樹脂の硬化反応
に伴って発生するガスは、注入口とは対称方向に設けら
れた、金型のガス抜き部（不図示）より金型２１，２２
外へ押し７出される。
以」二のような樹脂の充填によって、チップ支持体２の
全体を葭う樹脂層は均一な充ｊ瑣密度となり、絶縁型パ
ワー半導体にとって重大な欠陥となる恐れのある未充填
やピンホールの発生が解消され、安定した樹脂封止が可
能となる。
全体を葭う樹脂層は均一な充ｊ瑣密度となり、絶縁型パ
ワー半導体にとって重大な欠陥となる恐れのある未充填
やピンホールの発生が解消され、安定した樹脂封止が可
能となる。
発明の効果
本発明によれば、絶縁型パワー半導体装置のチップ支持
体裏面を覆う封止成形樹脂層が極めて均一な樹脂成形が
ＩＩＪ能となり、品質、性能を顕と−に向上させること
が出来る。
体裏面を覆う封止成形樹脂層が極めて均一な樹脂成形が
ＩＩＪ能となり、品質、性能を顕と−に向上させること
が出来る。
第１図および第２図は従来の樹脂封止形電力用トランジ
スタの構造を示す断面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）お
よび第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例にか
かるソードフレームを示す断面図ならびに平面図、第５
図は本発明の封止成形の樹脂の充填状態を示す断面図で
ある。 １・・・・・トランジスタ素子（半導体チップ）、２・
・・・チップ支持体、３・・・・・・樹脂、４・・・・
・・ねじ止め用孔、９，１０．１１ ・・・・外部リ
ード、１５゜１９・・・・・・樹脂注入口、１４・・・
・樹脂外穀実。
スタの構造を示す断面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）お
よび第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例にか
かるソードフレームを示す断面図ならびに平面図、第５
図は本発明の封止成形の樹脂の充填状態を示す断面図で
ある。 １・・・・・トランジスタ素子（半導体チップ）、２・
・・・チップ支持体、３・・・・・・樹脂、４・・・・
・・ねじ止め用孔、９，１０．１１ ・・・・外部リ
ード、１５゜１９・・・・・・樹脂注入口、１４・・・
・樹脂外穀実。
Claims (2)
- （１）半導体素子を載置する支持体の両面に樹脂成形を
施こし、旦つ前記支持体の裏面側には、表面側より薄い
肉厚で樹脂成形を施こすトランスファー封止成形の際に
、金型成形部空所への樹脂注入を、前記支持体表面と前
記樹脂成形最外殻裏面表面との間の位置から行なうこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （２）金型成形への樹脂注入が、複数個の樹脂注入口か
ら行なわれることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の樹脂封止形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17725282A JPS5966128A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17725282A JPS5966128A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5966128A true JPS5966128A (ja) | 1984-04-14 |
Family
ID=16027818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17725282A Pending JPS5966128A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5966128A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1221738A3 (en) * | 2000-12-27 | 2002-10-23 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Small antenna and manufacturing method thereof |
| CN110076953A (zh) * | 2014-09-29 | 2019-08-02 | 日亚化学工业株式会社 | 封装的制造方法、发光装置的制造方法及封装、发光装置 |
-
1982
- 1982-10-07 JP JP17725282A patent/JPS5966128A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1221738A3 (en) * | 2000-12-27 | 2002-10-23 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Small antenna and manufacturing method thereof |
| CN110076953A (zh) * | 2014-09-29 | 2019-08-02 | 日亚化学工业株式会社 | 封装的制造方法、发光装置的制造方法及封装、发光装置 |
| CN110076953B (zh) * | 2014-09-29 | 2021-06-04 | 日亚化学工业株式会社 | 封装的制造方法、发光装置的制造方法及封装、发光装置 |
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