CN116435201B - 一种塑封封装方法以及器件封装结构 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种塑封封装方法以及器件封装结构，具体涉及集成电路封装技术领域，该塑封封装方法先利用熔融状态的第一环氧模塑料将安装在引线框架上的芯片和金属线等包裹，待第一环氧模塑料凝固后，再利用第二环氧模塑料对由热固性塑封盖板、热固性塑封挡板以及引线框架所组成的腔体结构，腔体结构外的金属线以及引线框架的内引脚部分进行塑封处理。本发明实施例能够提高器件塑封的有效性，改善现有的塑封器件受外部湿气影响大的问题。

Description

一种塑封封装方法以及器件封装结构

技术领域

本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种塑封封装方法以及器件封装结构。

背景技术

塑料封装（简称塑封）是集成电路封装领域中最重要的封装工艺之一，其主要用于保护芯片不受外界环境的影响，抵抗外部湿气、溶剂以及冲击，使得芯片和外界环境电绝缘，良好的安装性能等。

塑封料目前一般采用EMC（环氧树脂模塑料，简称环氧模塑料，英文名称EMC－Epoxy Molding Compound）。塑封过程通常是用传递成型法将EMC挤压入模腔，处于熔融状态的EMC通过通道水平灌入塑膜腔中，以将预先放置在塑模腔中的芯片包埋，待EMC冷却凝固后，成为具有一定结构外型的塑封器件。

此种塑封过程虽然工艺简单，但容易存在以下问题：

1）用于引线键合（WireBonding）的金属线较为细，EMC水平流动对金属线仍然具有影响，可能造成金属线的移位或变形，影响键合点强度；

2）当EMC在上下模塑腔体中流动不均匀时，容易导致引线框架偏移；

3）易出现塑封层空洞、分层等，导致塑封器件受外部湿气影响大。

基于上述问题，容易导致器件封装失效，对塑封器件的使用性能造成不良影响，影响内部电路的正常运行。

发明内容

本发明实施例提供一种塑封封装方法以及器件封装结构，以克服或改善上述技术问题，提高器件塑封的有效性。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种塑封封装方法，包括以下步骤：

将芯片通过导电胶固定在引线框架上，并在引线框架上粘接热固性塑封挡板，以将芯片四周包围；其中，热固性塑封挡板的顶面高于芯片的上表面，热固性塑封挡板上开有第一凹槽；

对芯片和引线框架的内引脚进行引线键合；其中，用于引线键合的金属线连接芯片后穿过第一凹槽再与引线框架的内引脚连接；

在真空环境下，在热固性塑封挡板内填入熔融状态的第一环氧模塑料，直至第一环氧模塑料的液面与热固性塑封挡板的顶面齐平，再采用热固性塑封盖板盖住热固性塑封挡板；其中，热固性塑封盖板包括向下的侧封，侧封嵌在第一凹槽中，以将用于引线键合的金属线限制在侧封与第一凹槽之间的孔隙中；

待第一环氧模塑料凝固后，利用第二环氧模塑料对由热固性塑封盖板、热固性塑封挡板以及引线框架所组成的腔体结构，该腔体结构外的金属线以及引线框架的内引脚部分进行塑封处理。

在本发明一实施例中，第一环氧模塑料的热膨胀系数与芯片的热膨胀系数的差值小于1×10^-6℃。

在本发明一实施例中，第一环氧模塑料中的硅微粉含量高于第二环氧模塑料中的硅微粉含量。

在本发明一实施例中，其中，硅微粉为熔融SiO₂或球形SiO₂。

在本发明一实施例中，热固性塑封挡板和塑封顶板由第一环氧模塑料在模具中热固化而成型。

在本发明一实施例中，将芯片通过导电胶固定在引线框架上之后，对芯片和引线框架进行烘烤。

在本发明一实施例中，进行塑封处理后，将塑封成品在保温箱中进行固化处理。

基于同一发明构思，本发明实施例公开了一种器件封装结构，包括：芯片、引线框架、热固性塑封挡板、热固性塑封盖板；

芯片通过导电胶固定在引线框架上，热固性塑封挡板粘接在引线框架上，以将芯片四周包围；其中，热固性塑封挡板的顶面高于芯片的上表面，热固性塑封挡板上开有第一凹槽；

热固性塑封盖板盖住热固性塑封挡板，热固性塑封盖板包括向下的侧封，侧封嵌在第一凹槽中；其中，用于引线键合的金属线一端连接芯片，另一端穿过侧封与第一凹槽之间的孔隙再与引线框架的内引脚连接；

由热固性塑封盖板、热固性塑封挡板以及引线框架所组成的腔体结构内充满有由第一环氧模塑料固化后得到的第一塑封层；

还包括由第二环氧模塑料固化后得到的第二塑封层，第二塑封层用于包裹腔体结构、腔体结构外的金属线以及引线框架的内引脚部分。

在本发明一实施例中，第一环氧模塑料的热膨胀系数与芯片的热膨胀系数的差值小于1×10^-6℃。

在本发明一实施例中，引线框架的固晶区域外刻蚀有一圈第二凹槽，热固性塑封挡板的下端与第二凹槽粘接固定。

本发明实施例包括以下优点：

基于本发明实施例所提供的塑封封装方法，能够有效避免用于引线键合的金属线在塑封过程中容易移位或变形，进而影响键合点强度的问题，以及能避免引线框架偏移；

基于本发明实施例所提供的塑封封装方法，能够有效降低塑封层出现空洞和分层的问题，可以实现对芯片、键合点、金属线以及引线框架的均匀塑封，并降低塑封器件受外部湿气的影响。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例。

图1是本发明实施例一种塑封封装方法的步骤流程图；

图2是经本发明实施例图1所示的步骤S1得到的工艺结构剖面示意图；

图3是经本发明实施例图1所示的步骤S2得到的工艺结构剖面示意图；

图4是经本发明实施例图1所示的步骤S3得到的工艺结构剖面示意图；

图5是本发明实施例的热固性塑封盖板盖住热固性塑封挡板的侧面示意图；

图6是经本发明实施例图1所示的步骤S4得到的工艺结构剖面示意图。

附图标记说明：

10-芯片；20-引线框架，201-内引脚，202-第二凹槽；30-热固性塑封挡板，301-第一凹槽；40-热固性塑封盖板，401-侧封；50-第一环氧模塑料，60-第二环氧模塑料，70-金属线。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

本发明提出了一种塑封封装方法以及器件封装结构，主要适用于芯片10与引线框架采用引线键合的互连结构，该塑封封装方法能有效解决本发明背景技术中所提出的问题1）和问题2），并能逐步改善问题3）所提及的塑封器件受外部湿气影响大的问题。

如图1所示，示出了本发明实施例一种塑封封装方法的步骤流程图，具体可以包括以下步骤：

步骤S1：将芯片10通过导电胶固定在引线框架20上，并在引线框架20上粘接热固性塑封挡板30，以将芯片10四周包围；其中，热固性塑封挡板30的顶面高于芯片10的上表面，热固性塑封挡板30上开有第一凹槽301；

现有技术中，引线框架20上表面设置有固晶区域，通过导电胶可以将芯片10固定在该固晶区域。将芯片10通过导电胶固定在引线框架20上，是芯片10与引线框架20引线键合的必不可少的前序工序之一，其实现过程可参考相关现有技术，本发明在此不多赘述。

与现有技术不同的是，本发明在固晶区域外围设置了一圈粘接区域，该粘接区域用于固定热固性塑封挡板30。其中，本发明的热固性塑封挡板30为一个回字型挡板，可以理解为是一个包围型的围挡结构，如图2所示，通过将热固性塑封挡板30的底面粘贴在固晶区域外围的粘接区域，可以实现热固性塑封挡板30与引线框架20的固定，从而实现对芯片10的包围。进一步可选的，热固性塑封挡板30的内板面为斜面，即热固性塑封挡板30朝向芯片的板面为斜面，基于斜面的设置，一方面保证了热固性塑封挡板30的底面宽度，提高了热固性塑封挡板30与引线框架20粘接的稳定性，另一方面可容纳更多的第一环氧模塑料50。

可选的，引线框架20的固晶区域外刻蚀有一圈第二凹槽202，该第二凹槽202所限定的区域则是本文所述的用于固定热固性塑封挡板30的粘接区域，热固性塑封挡板30的下端与第二凹槽202粘接固定。通过第二凹槽202的设置，能使热固性塑封挡板30与引线框架20固定的更加牢固，并实现热固性塑封挡板30底面与引线框架20之间的有效密封。

在本发明实施例中，热固性塑封挡板30的顶面高于芯片10的上表面，用于保证后续步骤中，在热固性塑封挡板30内填入的第一环氧模塑料50能够有效将芯片10和芯片10上的引线键合点、金属线70包覆。

步骤S2：对芯片10和引线框架20的内引脚201进行引线键合；其中，用于引线键合的金属线70连接芯片10后穿过第一凹槽301再与引线框架20的内引脚201连接；

如图2和图3所示，本发明实施例的热固性塑封挡板30上开有第一凹槽301，第一凹槽301的数量可以为多个，具体数量根据芯片10与引线框架20进行引线键合的金属线70数量来确定。

在本发明实施例中，金属线70可以穿过第一凹槽301，因此，显而易见地，第一凹槽301的开口尺寸必定大于金属线70。一般金属线70的直径为几十微米，优选的，第一凹槽301的开口为100微米至500微米。

优选的，第一凹槽301的内底面低于芯片10的上表面，以不破坏金属线70与芯片10和引线框架20两者的正常键合弧度为佳。可理解的，在步骤S2中，用于引线键合的金属线70虽然是穿过了第一凹槽301再与引线框架20的内引脚201连接，但第一凹槽301的内底面不会与该金属线70接触。

引线键合是一种使用细金属线70，利用热、压力、超声波能量将金属线70与芯片10焊盘、引线框架20紧密焊合，实现芯片10与引线框架20间电气互连的工艺，其属于一种现有工艺，因此本发明实施例对芯片10和引线框架20的内引脚201进行引线键合的过程不再赘述。

步骤S3：在真空环境下，在热固性塑封挡板30内填入熔融状态的第一环氧模塑料50，直至第一环氧模塑料50的液面与热固性塑封挡板30的顶面齐平，再采用热固性塑封盖板40盖住热固性塑封挡板30；其中，热固性塑封盖板40包括向下的侧封401，侧封401嵌在第一凹槽301中，以将用于引线键合的金属线70限制在侧封401与第一凹槽301之间的孔隙中；

现有技术中，当EMC在上下模塑腔体中流动不均匀时，容易导致引线框架20偏移；以及，金属线70与芯片10、引线框架20键合后，其中间部分是悬在半空的，在基于传递成型法的塑封过程中，细长的金属线70容易受到EMC水平流动的影响，导致引线（金属线70）变形，引线变形产生的应力会导致键合点开裂或键合强度下降。而本发明实施例中，熔融状态的第一环氧模塑料50是自上而下的填入，填入速度和位置可控（比如从避开键合点和金属线70的位置填入第一环氧模塑料50，使得第一环氧模塑料50逐渐漫过键合点和金属线70），因此第一环氧模塑料50的填入不会导致引线框架20偏移，也不会造成金属线70的移位或变形。且随着第一环氧模塑料50的填入，第一环氧模塑料50会慢慢包覆热固性塑封挡板30内的键合点和金属线70，其金属线70起到支撑和保护作用。

此外，现有技术基于传递成型法的塑封方式容易出现塑封层气泡，经分析，主要有以下两个原因：一是在下料时混入了过多空气，使得EMC熔化后，空气被混入熔融状态的EMC中；二是由于处于熔融状态的EMC是通过通道水平流入塑膜腔中，即EMC基于毛线流动原理流入塑膜腔中，这不仅要求EMC具有非常高的流动性，而且随着EMC的流动，其容易形成熔体前沿，底部熔体前沿与芯片10接触，导致了流动性受到阻碍，部分熔体前沿向上流动并通过芯片10外围的大开口区域填充半模顶部，新形成的熔体前沿和吸附的熔体前沿进入半模顶部区域，从而形成起泡。而本发明实施例中，首先本发明是在真空环境下，在热固性塑封挡板30内填入熔融状态的第一环氧模塑料50，有效避免了空气混入第一环氧模塑料50中造成空洞的问题；其次，熔融状态的第一环氧模塑料50是自上而下的填入，不会出现熔体前沿造成的流动性问题，进而不容易出现相应的起泡问题。

在本发明实施例中，如图4所示，当第一环氧模塑料50的液面与热固性塑封挡板30的顶面齐平时，则表明熔融状态的第一环氧模塑料50已经将热固性塑封挡板30内的芯片10、键合点以及金属线70完全包覆了。热固性塑封挡板30虽然开有第一凹槽301，但是第一凹槽301的开口一般是微米至毫米级别的，且熔融状态的第一环氧模塑料50具有一定粘性，因此第一环氧模塑料50几乎不会从第一凹槽301流到热固性塑封挡板30外。

此时，再采用热固性塑封盖板40盖住热固性塑封挡板30，由于熔融状态的第一环氧模塑料50具有一定粘性且基于液体的吸附力，热固性塑封盖板40会牢牢盖在热固性塑封挡板30上与热固性塑封挡板30、引线框架20形成一个相对密封的腔体结构。

如图5所示，本发明实施例的热固性塑封盖板40包括向下的侧封401，可以理解的，该侧封401与热固性塑封盖板40一体成型且通常与热固性塑封挡板30的板厚同厚度，侧封401在热固性塑封盖板40上的位置以及侧封401的形状与第一凹槽301的开口匹配，使得热固性塑封盖板40盖住热固性塑封挡板30后，侧封401能嵌在第一凹槽301中，以将用于引线键合的金属线70限制在侧封401与第一凹槽301之间的孔隙中。由于腔体结构内充满了液态的第一环氧模塑料50，此时第一环氧模塑料50会对该金属线70起到支撑和保护作用。

步骤S4：待第一环氧模塑料50凝固后，利用第二环氧模塑料60对由热固性塑封盖板40、热固性塑封挡板30以及引线框架20所组成的腔体结构，该腔体结构外的金属线70以及引线框架20的内引脚201部分进行塑封处理。

在本发明实施例中，采用热固性塑封盖板40盖住热固性塑封挡板30之后，就对由热固性塑封盖板40、热固性塑封挡板30以及引线框架20所组成的腔体结构进行热固化处理，可以使第一环氧模塑料50凝固。热固化处理的工艺可参考相关现有技术，在此不多赘述。由于环氧模塑料属于一种热固性塑料，即第一次加热时可以软化流动，加热到一定温度，产生化学反应一交链固化而变硬，这种变化是不可逆的，此后，再次加热时，已不能再变软流动了。因此，第一环氧模塑料50凝固后不会再熔化。

基于本发明步骤S3的填充方式，能实现第一环氧模塑料50对热固性塑封挡板30内的芯片10、键合点以及金属线70的均匀包裹。因此，待第一环氧模塑料50凝固后，其与芯片10之间的缝隙很小，能够减少外部湿气的进入，降低第一环氧模塑料50与芯片10、引线框架20等封装体之间分层的可能性，进而降低外部湿气对芯片10的影响。随着第一环氧模塑料50的固化成型，热固性塑封挡板30和塑封顶板也被粘接在一起并与引线框架的上表面一起形成腔体结构，该腔体结构对其内的芯片10等形成了二次保护结构，进一步减小了芯片10、芯片10与引线框架20之间、键合点等受外界环境的影响。

由于固化的第一环氧模塑料50以及该腔体结构形成了两层包裹结构，这两层包裹结构能够在第二环氧模塑料60进行塑封处理时，保护其内的芯片10、金属线70以及键合点不受第二环氧模塑料60的流动以及塑封处理压力等的影响。

在本发明实施例中，第二环氧模塑料60可以采用现有的压缩模塑法或传递成型法实现，本发明对此不作限制。其中，第二环氧模塑料60包裹腔体结构、腔体结构外的金属线70以及引线框架20的内引脚201部分并进行塑封处理后，第二环氧模塑料60对芯片10、芯片10与引线框架20之间形成了第三层保护结构。

值得说明的是，本发明实施例的第三层保护结构相比现有技术的塑封结构并不会过厚，因为步骤S4塑封处理的目的是实现对腔体结构、腔体结构外的金属线70以及引线框架20的内引脚201部分的整体塑封，所以第二环氧模塑料60仅需少量即可。

还值得说明的是，基于第一环氧模塑料50对金属线70的支撑，芯片10与引线框架20的内引脚201部分所形成的两键合点之间的金属线70已被分为两段式支撑，因此，即使步骤S4采用传递成型法进行塑封处理，第二环氧模塑料60的流动也不易造成金属线70变形，进而不会影响键合点强度。

在上述步骤S1-S4所提供的塑封封装方法的基础上，在本发明一实施例中，在执行步骤S1中的将芯片10通过导电胶固定在引线框架20上之后，对芯片10和引线框架20进行烘烤。以此一方面可以加速导电胶的凝固，使得芯片10与引线框架20之间粘接固定；另一方面也有利于导电胶内的水汽蒸发，降低芯片10与引线框架20出现分层的概率。

在上述步骤S1-S4所提供的塑封封装方法的基础上，在本发明一实施例中，热固性塑封挡板30和塑封顶板由第一环氧模塑料50在模具中热固化而成型。以此可以保证热固性塑封挡板30和塑封顶板与其接触的第一环氧模塑料50的材料、成分的一致性，降低热固性塑封挡板30和塑封顶板各自与其内的第一环氧模塑料50出现分层的概率。

芯片10的热膨胀系数一般是2-3.5*10^-6K，在上述步骤S1-S4所提供的塑封封装方法的基础上，在本发明一实施例中，采用热膨胀系数与芯片10接近的第一环氧模塑料50来包裹塑封芯片10，可以有效降低第一环氧模塑料50与芯片10这两种不同材料之间因热膨胀系数不同导致的应力，进而降低第一环氧模塑料50与芯片10之间出现分层的概率。本领域公知，硅微粉是由天然石英（SiO2）经破碎、球磨（或振动、气流磨）、浮选、酸洗提纯、高纯水处理等多道工艺加工而成的微粉，二氧化硅可降低模塑料的热膨胀系数和吸湿率。因此，就本发明实施例的实现而言，可通过增加第一环氧模塑料50中的硅微粉含量来降低第一环氧模塑料50的热膨胀系数，使其与芯片10的热膨胀系数接近。优选的，第一环氧模塑料50的热膨胀系数与芯片10的热膨胀系数的差值小于1×10^-6℃。

值得说明的是，在本发明各个实施例中，第一环氧模塑料50与第二环氧模塑料60的材料完全相同，即均以环氧树脂为基体树脂，以高性能酚醛树脂为固化剂，加入硅微粉等为填料，以及添加多种助剂混配而成的粉状模塑料，其可以采用市面上已有的EMC实现。本发明仅是为了便于描述，将其以第一环氧模塑料50和第二环氧模塑料60进行区分。

在第一环氧模塑料50与第二环氧模塑料60的材料完全相同的基础上，第一环氧模塑料50与第二环氧模塑料60中的填料含量可以略有不同。在本发明一实施例中，第一环氧模塑料50中的硅微粉含量高于第二环氧模塑料60中的硅微粉含量。本发明实施例通过采用具有更高硅微粉含量的环氧模塑料作为该第一环氧模塑料50，一方面可以有效降低第一环氧模塑料50的吸湿性能，使得外界湿气难以进入第一环氧模塑料50；另一方面，如前述所述，第一环氧模塑料50具有更高硅微粉含量能够使其热膨胀系数降低，从而降低第一环氧模塑料50与芯片10之间出现分层的概率。

优选的，第一环氧模塑料50和第二环氧模塑料60中所采用的硅微粉为熔融SiO₂或球形SiO₂。熔融SiO₂和球形SiO₂这两种结构的微硅粉都是现有市面上已有的产品，本发明实施例的第一环氧模塑料50和第二环氧模塑料60中的微硅粉采用这两种结构，能有效降低其热膨胀系数、热导率以及内应力。

在上述步骤S1-S4所提供的塑封封装方法的基础上，在本发明一实施例中，在基于步骤S4进行塑封处理后，将塑封成品在保温箱中进行固化处理，以使得第二环氧模塑料60、第一环氧模塑料50固化的更加完全。可选的，固化温度为165~175℃，时间为4-6小时。

经上述步骤S1-步骤S4所提供的塑封封装方法，本发明实施例制得的一种器件封装结构的示意图如图6所示，该器件封装结构包括：芯片10、引线框架20、热固性塑封挡板30、热固性塑封盖板40；

芯片10通过导电胶固定在引线框架20上，热固性塑封挡板30粘接在引线框架20上，以将芯片10四周包围；其中，热固性塑封挡板30的顶面高于芯片10的上表面，热固性塑封挡板30上开有第一凹槽301；

热固性塑封盖板40盖住热固性塑封挡板30，热固性塑封盖板40包括向下的侧封401，侧封401嵌在第一凹槽301中；其中，用于引线键合的金属线70一端连接芯片10，另一端穿过侧封401与第一凹槽301之间的孔隙再与引线框架20的内引脚201连接；

由热固性塑封盖板40、热固性塑封挡板30以及引线框架20所组成的腔体结构内充满有由第一环氧模塑料50固化后得到的第一塑封层；第一塑封层用于将腔体结构内的芯片10、金属线70、引线框架20等进行包裹；

还包括由第二环氧模塑料60固化后得到的第二塑封层，第二塑封层用于包裹腔体结构、腔体结构外的金属线70以及引线框架20的内引脚201部分。

本发明实施例的器件封装结构具有三层结构，分别为第一环氧模塑料50固化后得到的第一塑封层、热固性塑封盖板40和热固性塑封挡板30所形成的腔体结构以及第二环氧模塑料60固化后得到的第二塑封层。该器件封装结构能够提高器件塑封的有效性，解决现有的塑封器件受外部湿气影响大的问题。关于本发明实施例的相关解释可参考前述内容，在此不多赘述。

优选的，第一环氧模塑料50的热膨胀系数与芯片10的热膨胀系数的差值小于1×10^-6℃。

优选的，引线框架20的固晶区域外刻蚀有一圈第二凹槽202，热固性塑封挡板30的下端与第二凹槽202粘接固定。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

以上对本发明所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明，在具体实施方式及应用范围上均会有不同形式的改变之处，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举，而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种塑封封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

将芯片通过导电胶固定在引线框架上，并在所述引线框架上粘接热固性塑封挡板，以将所述芯片四周包围；其中，所述热固性塑封挡板的顶面高于所述芯片的上表面，所述热固性塑封挡板上开有第一凹槽；

对所述芯片和所述引线框架的内引脚进行引线键合；其中，用于引线键合的金属线连接所述芯片后穿过所述第一凹槽再与所述引线框架的内引脚连接；

在真空环境下，在所述热固性塑封挡板内填入熔融状态的第一环氧模塑料，直至所述第一环氧模塑料的液面与所述热固性塑封挡板的顶面齐平，再采用热固性塑封盖板盖住所述热固性塑封挡板；其中，所述热固性塑封盖板包括向下的侧封，所述侧封嵌在所述第一凹槽中，以将用于引线键合的金属线限制在所述侧封与所述第一凹槽之间的孔隙中；

待所述第一环氧模塑料凝固后，利用第二环氧模塑料对由所述热固性塑封盖板、所述热固性塑封挡板以及所述引线框架所组成的腔体结构，所述腔体结构外的金属线以及所述引线框架的内引脚部分进行塑封处理。

2.根据权利要求1所述的塑封封装方法，其特征在于，

所述第一环氧模塑料的热膨胀系数与所述芯片的热膨胀系数的差值小于1×10^-6℃。

3.根据权利要求1或2所述的塑封封装方法，其特征在于，

所述第一环氧模塑料中的硅微粉含量高于所述第二环氧模塑料中的硅微粉含量。

4.根据权利要求3所述的塑封封装方法，其特征在于，

其中，所述硅微粉为熔融SiO₂或球形SiO₂。

5.根据权利要求1所述的塑封封装方法，其特征在于，所述热固性塑封挡板和所述塑封盖板由第一环氧模塑料在模具中热固化而成型。

6.根据权利要求1所述的塑封封装方法，其特征在于，

将芯片通过导电胶固定在引线框架上之后，对所述芯片和引线框架进行烘烤。

7.根据权利要求1所述的塑封封装方法，其特征在于，

进行所述塑封处理后，将塑封成品在保温箱中进行固化处理。

8.一种器件封装结构，其特征在于，

包括：芯片、引线框架、热固性塑封挡板、热固性塑封盖板；

所述芯片通过导电胶固定在引线框架上，所述热固性塑封挡板粘接在所述引线框架上，以将所述芯片四周包围；其中，所述热固性塑封挡板的顶面高于所述芯片的上表面，所述热固性塑封挡板上开有第一凹槽；

所述热固性塑封盖板盖住所述热固性塑封挡板，所述热固性塑封盖板包括向下的侧封，所述侧封嵌在所述第一凹槽中；其中，用于引线键合的金属线一端连接所述芯片，另一端穿过所述侧封与所述第一凹槽之间的孔隙再与所述引线框架的内引脚连接；

由所述热固性塑封盖板、所述热固性塑封挡板以及所述引线框架所组成的腔体结构内充满有由第一环氧模塑料固化后得到的第一塑封层；

还包括由第二环氧模塑料固化后得到的第二塑封层，所述第二塑封层用于包裹所述腔体结构、所述腔体结构外的所述金属线以及所述引线框架的内引脚部分。

9.根据权利要求8所述的器件封装结构，其特征在于，

所述第一环氧模塑料的热膨胀系数与所述芯片的热膨胀系数的差值小于1×10^-6℃。

10.根据权利要求8所述的器件封装结构，其特征在于，所述引线框架的固晶区域外刻蚀有一圈第二凹槽，所述热固性塑封挡板的下端与所述第二凹槽粘接固定。