JP2011091311A - 光半導体装置の製造方法、光半導体素子搭載用基板の製造方法及び光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファ成形によって貫通孔30aが複数形成された光反射層30を配線部材10上に形成し、貫通孔30aの一方の開口部を配線部材10で塞いでなる複数の凹部32が形成された成形体70を得る工程と、配線部材10の表面に生じる熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂バリ50を、薬液を用いて化学的に除去する工程と、配線部材10の導体部材14a,14b表面にめっきを施す工程と、光半導体素子20を凹部32内に配置する工程と、凹部32内に封止樹脂を供給する工程と、封止樹脂を硬化させる工程と、成形体70を分割して複数の光半導体装置100を得る工程と、を有する光半導体装置の製造方法。
【選択図】 図7
Description
図1は、本発明に係る光半導体装置の一実施形態を示す平面図である。但し、図1では、封止体は省略している。図2は、図1に示した光半導体装置のII−II線断面図である。
エポキシ樹脂としては、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料として一般に使用されているものを用いることができる。エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、アルキル置換ビフェノール等のジグリシジエーテル、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、及び脂環族エポキシ樹脂等を挙げることができる。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、これらのエポキシ樹脂のうち、比較的着色のないものを使用することが好ましく、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートが好ましい。
硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応するものであれば、特に制限なく用いることができるが、比較的着色のないものが好ましい。硬化剤としては、例えば、酸無水物硬化剤、イソシアヌル酸誘導体、フェノール系硬化剤等が挙げられる。酸無水物系硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、無水コハク酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、ノルボルネンジカルボン酸無水物、メチルノルボルネンジカルボン酸無水物、ノルボルナンジカルボン酸無水物、メチルノルボルナンジカンルボン酸無水物が挙げられる。イソシアヌル酸誘導体としては、1,3,5−トリス(1−カルボキシメチル)イソシアヌレート、1,3,5−トリス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレート、1,3,5−トリス(3−カルボキシプロピル)イソシアヌレート、1,3−ビス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレート等が挙げられる。フェノール系硬化剤としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、パラキシレン変性フェノール樹脂、フェノール類とベンズアルデヒドやナフチルアルデヒド等との縮合物、トリフェノールメタン化合物、多官能型フェノール樹脂等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
硬化促進剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリエチレンジアミン、トリ−2,4,6−ジメチルアミノメチルフェノール等の3級アミン類、2−エチル−4メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等のリン化合物、4級アンモニウム塩、有機金属塩類、及びこれらの誘導体等が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、二種以上を併用してもよい。これらの硬化促進剤の中では、3級アミン類、イミダゾール類、リン化合物を用いることが好ましい。
無機充填剤としては、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム及び炭酸バリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種以上であることが好ましく、信頼性が向上する観点から、低熱膨張であるシリカがより好ましい。
白色顔料としては、光反射性が向上する観点から酸化チタン(ルチル型)が好ましい。白色顔料としては、無機中空粒子も好ましく、無機中空粒子としては、例えば、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、シラス等の中空粒子が挙げられる。
白色顔料の分散性を向上させる目的で、熱硬化性樹脂組成物は任意にカップリング剤を含有しても良い。カップリング剤としては、シランカップリング剤やチタネート系カップリング剤等があるが、着色が抑制される観点から、一般にエポキシシラン系が優れており、具体例として3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等がある。
次に、本実施形態に係る光半導体装置100の製造方法について、図3〜図8を用いて説明する。図3は、発明に係る光半導体装置の製造方法の一実施形態を示す断面図である。図4は、図3の後続の工程の手順を示す断面図である。図5は、図3の工程後の成形体を示す平面図である。図6は、図4の工程後の成形体を示す平面図である。図7は、図4の後続の工程の手順を示す断面図である。図8は、図7の工程の他の実施形態を示す断面図である。
[光反射層用の熱硬化性樹脂組成物の調製]
各成分を下記の配合比(質量部)で混合し、混練温度20〜50℃、混練時間10分の条件でロール混練を行うことによって、熱硬化性樹脂組成物を調製した。
(A)エポキシ樹脂:トリスグリシジルイソシアヌレート、43質量部
(B)硬化剤:ヘキサヒドロフタル酸無水物、53質量部
(C)硬化促進剤:テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート、3質量部
(D)無機充填剤:溶融球状シリカ(中心粒径:25μm)(電気化学工業社製、商品名:FB−950)、418質量部
(D)無機充填剤:溶融球状シリカ(中心粒径:0.5μm)(アドマテックス社製、商品名:SO25R)、29質量部
(E)白色顔料:酸化チタン(中心粒径:0.21μm)(石原産業社製、商品名:CR−63)、222質量部
(F)カップリング剤:トリメトキシエポキシシラン(東レダウコーニング社製、商品名:A−187)、1.2質量部
なお、(E)白色顔料の充填量は、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、37.7体積%であった。
まず、Cu−Fe合金C194にフォトエッチングにより銅の回路を形成した後、厚み0.15mmのリードフレームを得た。
実施例1のバリ取り工程において、過マンガン酸カリウム水溶液に変えてクロム酸−硫酸水溶液(クロム酸濃度:100g/L、硫酸濃度:300g/L、温度:45℃)を薬液として用い、この薬液に光半導体素子装置搭載用基板を1分間浸漬し、水洗することにより樹脂バリを除去した(中和処理は行わなかった)以外は実施例1と同様にして光半導体装置を作製した。
実施例1のバリ取り工程において、過マンガン酸カリウム水溶液に変えて以下の組成のアミド系溶液A(温度:50℃)を薬液として用い、この薬液に光半導体素子装置搭載用基板を2分間浸漬し、水洗することにより樹脂バリを除去した(中和処理は行わなかった)以外は実施例1と同様にして光半導体装置を作製した。
<アミド系溶液Aの組成>
N−メチル−2−ピロリドン:80質量部
水酸化ナトリウムのメタノール溶液(水酸化ナトリウム濃度:20質量%):20質量部
塩化テトラメチルアンモニウム:1質量部
実施例1のバリ取り工程において、過マンガン酸カリウム水溶液に変えて濃硫酸(市販試薬、濃度:96%、温度:20℃)を薬液として用い、この薬液に光半導体素子装置搭載用基板を5分間浸漬し、水洗することにより樹脂バリを除去した(中和処理は行わなかった)以外は実施例1と同様にして光半導体装置を作製した。
実施例1のバリ取り工程において、過マンガン酸カリウム水溶液(濃度:10g/L、pH:12、温度:50℃)を薬液として用い、この薬液に光半導体素子装置搭載用基板を5分間浸漬し、水洗することにより樹脂バリを除去し、実施例1と同様に中和処理を行った以外は実施例1と同様にして光半導体装置を作製した。
実施例1のバリ取り工程において、過マンガン酸カリウム水溶液に変えて以下の組成のアミド系溶液B(温度:50℃)を薬液として用い、この薬液に光半導体素子装置搭載用基板を4分間浸漬し、水洗することにより樹脂バリを除去した(中和処理は行わなかった)以外は実施例1と同様にして光半導体装置を作製した。
<アミド系溶液Bの組成>
N−メチル−2−ピロリドン:90質量部
水酸化ナトリウムのメタノール溶液(水酸化ナトリウム濃度:10質量%):10質量部
塩化テトラメチルアンモニウム:1質量部
実施例1のバリ取り工程において、過マンガン酸カリウム水溶液による処理に変えて、高圧メディアブラスト及び高圧水洗(エア圧力:0.2MPa、粒子濃度:15体積%、使用粒子:アルミナ#220)により樹脂バリを除去した以外は実施例1と同様にして光半導体装置を作製した。
実施例1〜6及び比較例1で得られた光半導体装置について、以下の項目を評価した。各評価結果を表1に示す。
実施例及び比較例で得られた光半導体装置の外観を目視にて観察した。光半導体装置の外観に微小クラック等のダメージが無い場合を「A」とし、光半導体装置の外観に微小クラック等のダメージが若干ある場合を「B」とし、光半導体装置の外観に微小クラック等のダメージが多数ある場合を「C」として評価した。
実施例及び比較例の光半導体装置の製造過程において、光半導体素子搭載用基板の各凹部に透明封止樹脂を充填した際の樹脂漏れの発生の有無を確認した。樹脂漏れは、バリ取り工程におけるダメージによって光半導体素子搭載用基板とリードフレーム界面に微小クラックが生じて白色樹脂層に孔が開き、その孔から透明封止樹脂が漏れ出すことにより生じる。樹脂漏れが確認されなかった場合を「A」とし、樹脂漏れが確認された場合を「C」として評価した。
実施例及び比較例で得られた光半導体装置において、光半導体素子搭載用基板の接続端子(導体部材)と光半導体素子とのワイヤボンド接続が十分になされているかを評価した。樹脂バリの除去が不十分な場合には、接続端子と光半導体素子との間の接続が不十分となる。具体的には、ワイヤプル破断モードを観察し、Agめっきとワイヤボンド界面で剥離した状態を接続不十分と判断して「C」と評価し、ワイヤが破断する状態を良好な接続状態と判断して「A」と評価した。
Claims (5)
- 熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファ成形によって貫通孔が複数形成された光反射層を配線部材上に形成し、前記貫通孔の一方の開口部を前記配線部材で塞いでなる複数の凹部が形成された成形体を得る工程と、
前記配線部材の表面に生じる前記熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂バリを、薬液を用いて化学的に除去する工程と、
前記配線部材の導体部材表面にめっきを施す工程と、
光半導体素子を前記凹部内にそれぞれ配置する工程と、
前記光半導体素子が配置された前記凹部内に封止樹脂を供給する工程と、
前記封止樹脂を硬化させる工程と、
前記成形体を分割して複数の光半導体装置を得る工程と、
を有する光半導体装置の製造方法。 - 前記薬液が、アルカリ性過マンガン酸水溶液、クロム酸−硫酸水溶液、濃硫酸、又は、アミド系溶液のいずれかの薬液である、請求項1記載の光半導体装置の製造方法。
- 熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファ成形によって貫通孔が複数形成された光反射層を配線部材上に形成し、前記貫通孔の一方の開口部を前記配線部材で塞いでなる複数の凹部が形成された成形体を得る工程と、
前記配線部材の表面に生じる前記熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂バリを、薬液を用いて化学的に除去する工程と、
を有する光半導体素子搭載用基板の製造方法。 - 前記薬液が、アルカリ性過マンガン酸水溶液、クロム酸−硫酸水溶液、濃硫酸、又は、アミド系溶液のいずれかの薬液である、請求項3記載の光半導体素子搭載用基板の製造方法。
- 請求項1又は2記載の製造方法を用いて製造される、光半導体装置。
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