KR101643873B1 - 전자 컴포넌트용 하우징, 전자 조립체, 전자 컴포넌트용 하우징 제조 방법 및 전자 조립체 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
다양하고 예시적인 실시예들에서, 전자 컴포넌트용 하우징이 제공된다. 상기 하우징은 리드프레임 섹션 및 성형 재료를 포함한다. 리드프레임 섹션은 도전성 재료로 제조되고 제 1 면 및 제 1 면과 마주하는 제 2 면을 갖는다. 리드프레임 섹션은 전자 컴포넌트와 전기 접촉하기 위한 접점 구역을 제 1 면 상에 포함하는 제 1 접점 섹션을 갖는다. 리드프레임 섹션은 전자 컴포넌트를 배열하기 위한 수용 구역을 제 1 면 상에 포함하는 하나 이상의 수용 섹션을 포함한다. 접점 섹션 및 수용 섹션은 서로로부터 물리적으로 분리된다. 접점 섹션은 제 1 면에 대해 수직한 방향으로 수용 섹션보다 더 얇다. 성형 재료는 그 안에 수용 구역 및/또는 접점 구역이 노출되는 수용 오목부를 갖는다. 성형 재료의 일 부분이 접촉 섹션과 수용 섹션 사이에 형성되도록 그리고 리드프레임 섹션의 제 2 면이 접촉 섹션의 구역 내에 성형 재료에 의해 덮이고 리드프레임 섹션의 제 2 면이 수용 섹션의 구역에 성형 재료가 없도록 리드프레임 섹션이 성형 재료에 매립된다.
Description
본 발명은 전자 컴포넌트용 하우징에 관한 것이다. 하우징은 리드프레임 섹션(leadframe section) 및 성형 재료(molding frame)를 포함한다. 리드프레임 섹션은 도전성 재료로 형성되고 제 1 측면 및 상기 제 1 측면 반대쪽을 향하는 제 2 측면을 갖는다. 리드프레임 섹션은 제 1 측면에서 전자 컴포넌트와 전기 접촉하기 위한 접점 구역을 가지는 접점 섹션을 갖는다. 리드프레임 섹션은 제 1 측면에 전자 컴포넌트를 배열하기 위한 수용 구역을 갖는 하나 이상의 수용 섹션을 갖는다. 접점 섹션 및 수용 섹션은 서로로부터 물리적으로 분리된다. 성형 재료는 수용 개구를 가지며, 상기 수용 구역 및/또는 접점 구역은 상기 수용 개구에서 노출된다. 리드프레임 섹션은 성형 재료 내로 매립되어 성형 재료의 일 부분이 접점 섹션과 수용 섹션 사이에 형성된다. 본 발명은 더욱이 전자 조립체, 전자 컴포넌트용 하우징 제조 방법 및 전자 조립체 제조 방법에 관한 것이다.
본 출원의 개시의 일 부분을 명확히 형성하는 독일 우선권 출원 DE 10 2012 215 449.3호는 또한 전자 컴포넌트용 하우징, 전자 조립체, 전자 컴포넌트용 하우징 제조 방법 및 전자 장치 제조 방법을 설명한다.
전자 컴포넌트들을 위한 공지된 하우징들, 예를 들면 QFN (quad flat no leads) 하우징들은 예를 들면 기본 재료로서 리드프레임 섹션들을 포함한다. QFN 하우징들은 또한 QFN 패키지들로서 및/또는 마이크로 리드프레임(MLF)으로서 지칭되고 전자 기술에서 집적 회로(IC)들용 칩 하우징 설계로서 공지된다. 명칭 "QFN"은 인쇄 회로 기판들 상에 표면-마운팅 디바이스들로서 모두 납땜될 수 있는 상이한 크기들의 IC 하우징들을 포함한다.
이러한 설명에서, 명칭 "QFN”은 또한 아래 명칭들의 대표로서 사용된다. MLPQ (Micro Leadframe Package Quad), MLPM (Micro Leadframe Package Micro), MLPD (Micro Leadframe Package Dual), DRMLF (Dual Row Micro Leadframe Package), DFN (Dual Flat No-lead Package), TDFN (Thin Dual Flat No-lead Package, UTDFN (Ultra Thin Dual Flat No-lead Package), XDFN (eXtreme thin Dual Flat No-lead Package), QFN-TEP (Quad Flat No-lead package with Top Exposed Pad), TQFN (Thin Quad Flat No-lead Package), VQFN (Very Thin Quad Flat No Leads Package). 본질적인 특징으로서 그리고 유사한 쿼드 플랫 패키지(QFP)와 대조하여, 전기 연결부들(핀들)은 플라스틱 인클로저의 크기들을 너머 측방향으로 돌출하지 않지만 오히려 평평한 방식으로 하우징의 하부 내로 주석이 도금되지 않은(non-tin-plated) 구리 연결부들의 형태로 통합된다. 결과적으로, 인쇄 회로 기판 상의 요구된 공간이 감소될 수 있고 더 높은 패킹 밀도가 성취될 수 있다.
리드프레임 섹션들은 리드프레임들로부터 싱귤레이트된다(singulate). 리드프레임들은 예를 들면 도전성 재료를 포함하거나 이 도전성 재료로 형성된다. 도전성 재료는 예를 들면 금속, 예를 들면 구리, 예를 들면 CuW 또는 CuMo, 구리 합금들, 황동, 니켈 및/또는 철, 예를 들면 Fe-Ni을 포함하고/하거나 이로부터 형성된다.
리드프레임 섹션들은 예를 들면 칩들, 예를 들면 반도체 칩들 및/또는 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트들과 같은 전자 컴포넌트들을 예를 들면 기계적으로 고정하기 위한 그리고 전기 접촉하기 위해 제공한다. 이를 위해, 리드프레임 섹션들은 이들의 측면들 중 제 1 측면에 예를 들면 전자 컴포넌트들을 수용하기 위한 수용 구역들 및/또는 전자 컴포넌트들과 전기 접촉하기 위한 접점 구역들을 갖는다. 하우징의 그리고 하우징 내에 배열된 전자 컴포넌트들의 전기 접촉은 리드프레임 섹션들 중, 제 1 측면의 반대쪽을 향하는 제 2 측면을 통해 수행되어, 각각의 리드프레임 섹션은 캐리어로서 그리고 전기 접점 및/또는 전기 컨덕터 모두로서 사용될 수 있다.
전자 컴포넌트들은 예를 들면 표면-마운팅 컴포넌트들(표면 마운팅 디바이스; surface mounted device, SMD)이다. 관통 홀 기술(THT)에서의 컴포넌트들에 비해, SMD 컴포넌트들, "유선(wired) 컴포넌트들"은 와이어 연결부들이 없지만, 오히려 납땜 가능한 연결 영역들에 의해 리드프레임 섹션들의 수용 구역들 상으로 직접 납땜된다. 이는 예를 들면 공지된 표면 마운팅(표면 마운팅 기술; surface mounting technology, SMT)에 따라 수행된다.
하우징들의 제조 동안, 리드프레임들은 성형 재료 내로, 예를 들면 성형 방법으로, 예를 들면 사출 성형 또는 이송 성형 방법으로 매립된다. 성형 재료는 플라스틱 인클로저로서 구현될 수 있다. 성형 재료 및 성형 재료 내에 매립된 리드프레임을 포함하는 구조물은 또한 복수의 상호 연결된 하우징들을 가지는 하우징 배열체로서 지칭된다. 리드프레임들 또는 리드프레임 섹션들이 성형 재료 내로 매립되는 사실은 예를 들면 리드프레임들 또는 리드프레임 섹션들이 성형 재료에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸이는 것을 의미한다. 전기 절연들은 예를 들면 리드프레임들의 제 2 측면에 하우징들, 특히 하우징들의 리드프레임 섹션들과 접촉하기 위한 전기 연결부들, 및/또는 리드프레임 섹션들의 제 1 측면에 수용 구역들 및/또는 접점 구역들이 내부에 노출되는 수용 개구들이 성형 재료 없이 남아 있을 수 있다. 하우징들의 전기 접점들은 수용 구역들에 대해 리드프레임 섹션들의 마주하는 측면에 형성되어, 완성된 하우징들이 인쇄 회로 기판상으로 배치될 수 있고 리드프레임과의 전기 접촉 및/또는 인쇄 회로 기판으로의 하우징의 열적 커플링이 또한 하우징과 인쇄 회로 기판 사이에 결과적인 물리적 접촉에 의해 직접 생성될 수 있다.
다양한 적용 분야들에 대해, 예를 들면 이의 상부 측면, 예를 들면 전자기 방사선을 방출하는 측면에 이의 두 개의 전기 접점들을 갖는 전자 컴포넌트를 포함하는 QFN 패키지에 대해, QFN 하우징의 하부와 전기 절연되는 리드프레임 섹션의 제 1 측면 상에 접합가능한 접점 영역을 갖는 것이 바람직하며, 상기 제 1 측면은 리드프레임 섹션의 제 2 측면에 의해 부분적으로 형성된다. 결과적으로, SMD 컴포넌트들에 대한 하나의 대안으로서, 상부 측면에 이들의 전기 접점들을 갖는 전자 컴포넌트들이 또한 배열되고 QFN 하우징에서 전기 접촉되어, 전기 사용자 인터페이스가 대응하는 QFN 패키지의 상부 측면 상에 제공된다. 이 같은 전자 컴포넌트들은 예를 들면 CoB(칩 온 보드) 컴포넌트들일 수 있다.
다양하고 예시적인 실시예들에서, 전자 컴포넌트 및 전자 조립체용 하우징이 제공되며 이는 하우징의 도전성 리드프레임 섹션 상으로 전자 컴포넌트를 마운팅하고 그리고 상기 전자 컴포넌트를 전기 접촉하고 그리고 그럼에도 불구하고 하부를 향하여 하우징 및 각각의 전자 조립체를 전기 절연하고 및/또는 하우징 및 각각의 전자 조립체를 도전성 히트 싱크 상으로 배치하는 것을 가능하게 한다.
다양하고 예시적인 실시예들에서, 전자 컴포넌트용 하우징을 제조하기 위한 방법 및/또는 전자 조립체를 제조하기 위한 방법이 제공되며, 이는 간단한 방식으로 하우징 및/또는 전자 조립체를 제조하는 것이 가능하게 되어, 하우징용 도전성 리드프레임 섹션의 사용에도 불구하고, 하우징 및/또는 전자 조립체가 하부를 향하여 전기 절연되고 및/또는 하우징 및/또는 전자 조립체가 도전성 히트 싱크 상으로 배치될 수 있고/있거나 하우징이 정밀하게 제조될 수 있다.
다양하고 예시적인 실시예들에서, 리드프레임 섹션 및 성형 재료를 포함하는, 전자 컴포넌트용 하우징이 제공된다. 리드프레임 섹션은 도전성 재료로 형성되고 제 1 측면 및 상기 제 1 측면 반대쪽을 향하는 제 2 측면을 갖는다. 리드프레임은 제 1 측면에 전자 컴포넌트와 전기 접촉하기 위한 접점 구역을 갖는 접점 섹션을 갖는다. 리드프레임 섹션은 제 1 측면에 전자 컴포넌트를 배열하기 위한 수용 구역을 갖는 하나 이상의 수용 섹션을 갖는다. 접점 섹션 및 수용 섹션은 서로로부터 물리적으로 분리된다. 접점 섹션이 제 1 측면에 수직한 방향으로 수용 섹션보다 더 얇게 되도록, 접점 섹션이 구현된다. 성형 재료는 수용 개구를 가지며, 수용 구역 및/또는 접점 구역은 상기 수용 개구에 노출된다. 리드프레임 섹션은 성형 재료 내로 매립되어 성형 재료의 일 부분이 접점 섹션과 수용 섹션 사이에 형성되고 리드프레임 섹션의 제 2 측면이 접점 섹션의 구역에서 성형 재료에 의해 덮이고 수용 섹션의 구역 내에 성형 재료가 없다.
접점 섹션이 제 2 측면에서 성형 재료에 의해 덮이는 사실은 접점 구역에서 전자 컴포넌트와 전기 접촉하고 그럼에도 불구하고 수용 구역 및 접점 구역 반대쪽을 향하는 하우징의 하부를 향하여 접점 섹션에서 전자 컴포넌트로부터 하우징을 전기 절연하는 것을 가능하게 한다. 수용 구역을 향하는 전자 컴포넌트의 측면에서 전기 절연되거나 절연 층에 의해 수용 구역 상에 배열되는 전자 컴포넌트가 연결되면, 전체 리드프레임 섹션 및 이에 따른 하우징은 이의 하부를 향하여 전기 절연된다. 이는 도전성 리드프레임 섹션에도 불구하고 그리고 리드프레임 섹션에서의 전기 접촉에도 불구하고, 도전성 마운팅 영역, 예를 들면 인쇄 회로 기판의 도전성 영역 및/또는 도전성 히트 싱크 상으로 하우징을 배치하는 것을 가능하게 한다. 리드프레임 섹션과 히트 싱크 사이의 직접적인 물리적 접촉은 열의 특히 효과적인 소산에 기여할 수 있다.
성형 재료는 예를 들면 플라스틱, 예를 들면 합성 수지, 예를 들면 에폭시 수지, PPA, PCT, LCP, PEEA, 실리콘 또는 이 재료들의 혼합물을 포함할 수 있다. 전자 컴포넌트는 예를 들면 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트일 수 있다. 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트는 예를 들면 전자기 방사선을 직접 방출하거나 먼저 이를 전자기 방사선을 변환하고 이어서 변환된 전자기 방사선을 방출하는 변환 요소 내로 커플링한다. 전자 컴포넌트는 칩-온-보드(CoB) 요소일 수 있으며, 예를 들면, 칩-온-보드에서 전자 컴포넌트의 양 전기 접점들이 리드프레임 섹션 반대쪽을 향하는 전자 컴포넌트의 측면 상에 배열되고 칩-온-보드에서 전자 컴포넌트는 수용 구역을 향하여 전기 절연된다.
다양한 실시예들에서, 접점 섹션의 구역에 있는 리드프레임 섹션의 제 2 측면에 성형 재료 및 수용 섹션의 구역에서 리드프레임 섹션의 제 2 측면에서 리드프레임 섹션은 평평한 영역을 형성한다. 예로서, 접점 섹션 및 수용 섹션 내의 성형 재료는 하우징의 하부를 형성한다. 이어서 하우징은 이의 하부에 예를 들면, 인쇄 회로 기판 및/또는 히트 싱크 상으로 배치될 수 있으며, 여기서 하우징의 열 접촉은 성형 재료 및/또는 수용 섹션에 의해 하우징의 하부에서 수행될 수 있다. 수용 섹션은 수용 구역에서 전자 컴포넌트에 직접적으로 커플링될 수 있기 때문에, 수용 섹션은 인쇄 회로 기판 및/또는 히트 싱크를 향하여 전자 컴포넌트의 특히 우수한 열적 커플링에 기여할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 접점 섹션의 구역에 있는 리드프레임 섹션의 제 2 측면에서 성형 재료는 하나 이상의 개구를 갖는다. 이 개구는 전기 절연 재료로 채워진다. 비록 성형체의 두께가 수용 섹션의 두께보다 작은 경우라도, 개구는 예를 들면 접점 섹션이 매립 동안 대응하는 성형체에 정밀하게 맞닿아 지탱하는 효과를 갖는 성형 요소에 의해 발생할 수 있다. 비록 하우징이 개구를 갖더라도, 전기 절연 재료는 여전히 하우징에, 특히 접점 섹션에서 전기 절연된 하부를 제공하는 것을 가능하게 한다. 개구는 이에 따라 예를 들면 하우징을 제조하기 위한 제조 프로세스 동안 접점 섹션 내의 접점 구역을 성형 도구의 성형체 상으로 정밀하게 가압하는 것에 기여할 수 있다. 이는 성형 재료 내로의 리드프레임 섹션의 매립 동안, 성형 재료가 접점 구역으로 전진하지 않는 효과를 갖는다.
접점 구역 내로의 성형 재료의 전진은 또한 "플래시(flash)"로서 지칭될 수 있다. 플래시는 접점 구역에서 전자 컴포넌트가 단지 부정확하게 전기 접촉될 수 있거나 전기적으로 전혀 접촉되지 않을 수 있는 상황에 기여할 수 있다. 플래시는 이엇 종종 후속 프로세스에서 제거되어야 한다. 플래시를 방지하는 것은 하우징의 간단하고 정밀한 형성에 기여하는데, 이는 이어서 전자 컴포넌트가 소망하는 대로 전기 접촉될 수 있고 플래시를 제거하기 위한 후속 프로세스가 필요 없을 수 있거나 플래시를 제거하기 위한 프로세스가 단순화될 수 있기 때문이다.
다양한 실시예들에서, 개구는 부분적으로 접점 섹션의 성형 요소로 그리고 부분적으로 전기 절연 재료로 채워진다. 이는 예를 들면 접점 섹션을 제 1 성형체에 맞닿게 가압하기 위한 성형 요소를 간단한 방식으로 제공하는 것에 기여하는데, 이는 예를 들면 접점 섹션 자체의 돌기에 의해 형성될 수 있다. 돌기는 이어서 리드프레임 섹션의 매립 후 적어도 부분적으로 제거될 수 있으며 남아 있는 개구는 전기 절연 재료로 채워질 수 있어, 하우징이 여전히 접점 섹션에서 이의 하부를 향하여 전기 절연된다.
다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트를 포함하고 하우징을 포함하는 전자 조립체에는 예를 들면 위에서 설명된 전자 컴포넌트들 중 하나 및/또는 위에서 설명된 하우징이 제공된다. 전자 컴포넌트는 수용 구역 상에 배열되고 접점 구역에 전기적으로 커플링된다. 전자 컴포넌트는 예를 들면 수용 개구 내에 파팅 컴파운드(potting compound) 내로 매립될 수 있다. 성형 재료는 파팅 컴파운드를 위한 프레임을 형성할 수 있다. 전자 컴포넌트는 수용 구역을 향하는 이의 측면에서 전기 절연될 수 있다.
예로서, 전자 컴포넌트는 전기 절연 기판을 가질 수 있고 기판을 통해 수용 구역 상에 배열될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 전기 절연 층은 전자 컴포넌트와 수용 구역 사이에 형성될 수 있다. 예로서, 전자 컴포넌트의 전자 컴포넌트 부품들은 전기 절연 기판에 적용될 수 있다. 전자 컴포넌트 부품들 및 기판은 이때 전자 컴포넌트를 형성한다. 기판은 예를 들면 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화물 또는 사파이어를 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트용 하우징을 제조하기 위한 방법이 제공된다. 이러한 경우, 먼저 도전성 재료로 형성되고 제 1 측면 및 제 1 측면 반대쪽을 향하는 제 2 측면을 갖는 리드프레임 섹션이 제공된다. 리드프레임 섹션은 제 1 측면에서 전자 컴포넌트를 전기 접촉하기 위한 접점 구역을 갖는 접점 섹션을 갖는다. 리드프레임 섹션은 제 1 측면에 전자 컴포넌트를 배열하기 위한 수용 구역을 갖는 하나 이상의 수용 섹션을 갖는다. 접점 섹션 및 수용 섹션은 서로로부터 물리적으로 분리된다. 접점 섹션이 제 1 측면에 수직한 방향으로 수용 섹션보다 더 얇게 되도록 접점 섹션이 매립된다. 리드프레임 섹션은, 성형 재료가 수용 개구를 가지고(수용 구역 및 접점 구역은 상기 수용 개구 내에 성형 재료 없이 남아 있음) 성형 재료의 일 부분이 접점 섹션과 수용 섹션 사이에 형성되고 그리고 리드프레임의 제 2 측면이 접점 섹션의 구역에서 성형 재료에 의해 덮이고 수용 섹션의 구역에서 성형 재료 없이 남아 있도록, 성형 재료 내로 매립된다. 접점 섹션과 수용 섹션 사이에 배열된 성형 재료는 수용 섹션으로부터 접점 섹션을 전기 절연한다. 동일하게, 접점 섹션의 제 2 측면에 형성된 성형 재료는 하우징의 하부를 향하여 접점 섹션 및/또는 접점 구역을 절연한다.
다양한 실시예들에서, 수용 섹션에 있는 제 2 측면에서 리드프레임 섹션 및 접촉 섹션의 구역에 있는 리드프레임 섹션의 제 2 측면에서 성형 재료가 평평한 영역을 형성하도록, 성형 재료가 구현된다. 예로서, 접점 섹션에 있는 성형 재료 및 수용 섹션 내의 제 2 리드프레임 섹션은 하우징의 하부를 형성한다. 하우징은 예를 들면 이의 하부에서 인쇄 회로 기판상에 배치될 수 있고, 여기서 하우징의 열 접촉은 하우징의 하부에서 접점 섹션에 있는 성형 재료에 의해 및/또는 수용 섹션에 있는 리드프레임 섹션에 의해 수행될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 1 성형체 및 제 2 성형체를 가지는 성형 도구는 리드프레임 섹션을 성형 재료 내로 매립하기 위해 사용된다. 매립될 리드프레임 섹션은, 리드프레임 섹션의 제 1 측면이 제 1 성형체를 향하고 리드프레임 섹션의 제 2 측면이 제 2 성형체를 향하도록, 제 1 및 제 2 성형체들 사이에 배열된다. 접점 섹션의 구역에 있는 제 2 성형체는 하나 이상의 제 1 성형 요소를 가지며, 제 1 성형 요소의 높이는 접점 섹션에 있는 리드프레임 섹션의 두께와 수용 섹션에 있는 리드프레임 섹션의 두께 사이의 차이와 동일하거나 이 차이를 초과한다. 제 1 및 제 2 성형체들은 함께 가압되어, 그 결과로서 제 1 성형 요소가 제 1 성형체에 맞닿게 접점 섹션을 가압한다. 성형 재료는 두 개의 성형체들 사이에 공급된다. 개구는 성형 요소에 의해 성형 재료 내에 형성된다. 성형 재료는 예를 들면 액체 및/또는 점성 상태로 성형체에 공급되고 후속적으로 경화, 예를 들면 건조될 수 있다.
제 1 성형 요소는 이의 작은 두께에도 불구하고 접점 섹션이 제 1 성형체에 맞닿게 정밀하게 가압되어, 액체 성형 재료가 접점 섹션 및/또는 접점 구역 그리고 매립 동안 제 1 성형체 사이로 관통할 수 없는 효과를 갖는다. 이러한 경우, 리드프레임 섹션은 수정 없이 사용될 수 있다. 제 1 성형 요소 없이, 성형 도구는 성형 재료에 대해 접점 구역을 밀봉할 수 없는데, 이는 역압이 제 2 성형 도구의 측면으로부터 작용하지 않기 때문이다. 이는 접점 구역 상에 성형 재료의 증착 및/또는 플래시의 형성을 초래할 것이며, 이는 후속하는 프로세스들에서 예를 들면 접촉 동안, 예를 들면 전자 컴포넌트의 와이어 접촉 동안, 문제들을 일으킬 수 있다. 제 1 성형 요소는 이에 따라 예를 들면 접점 구역 상에 플래시 및/또는 성형 재료 없이, 상기 하우징의 정밀 형성에 기여한다. 대안적으로 또는 부가적으로, 위치 및/또는 크기 정확도가 결과적으로 개선될 수 있다.
다양한 실시예에서, 성형 요소의 높이는 접점 섹션에 있는 리드프레임 섹션의 두께와 수용 섹션에 있는 리드프레임 섹션의 두께 사이의 차이를 초과한다. 두 개의 성형체들이 함께 가압될 때, 리드프레임 섹션의 제 2 측면에 접점 섹션이 형성된다. 이는 매립 동안 제 2 성형체에 맞닿게 제 2 접점 섹션 상에 가해지는 특히 높은 압력에 기여한다. 제 1 성형 요소의 자국이 제 1 성형 요소에 의해 접점 섹션에 발생하도록, 변형이 예를 들면 비탄성 및/또는 영구적일 수 있다.
하나의 제 1 성형 요소에 부가하여, 심지어 추가의 제 1 성형 요소들은 제 2 성형체 상에 형성될 수 있으며, 예로서, 제 1 성형 요소들이 접점 섹션 위에 균일하게 분배되고 접촉 영역을 제 1 성형체에 맞닿게 균일하게 가압하도록, 제 1 성형 요소들이 형성되고 배열될 수 있다. 제 1 성형 요소들은 날카롭고 및/또는 뾰족한 압력 섹션을 가지며, 예를 들면 압력 섹션에서 대응하는 제 1 성형 요소가 접점 섹션에 맞닿게 가압한다. 예로서, 제 1 성형 요소들은 피라미드형, 원추형, 또는 웨지형 방식으로 구현될 수 있고, 여기서 콘, 웨지 또는 피라미드의 정점은 각각 압력 섹션을 구성하고, 매립 동안, 접점 섹션에 맞닿게 가압하고, 적절한 경우 접점 섹션 내에 대응하는 자국을 남긴다.
다양한 실시예들에서, 제 1 성형체 및 제 2 성형체를 가지는 성형 도구는 리드프레임 섹션을 성형 재료 내로 매립하기 위해 사용된다. 하나 이상의 제 2 성형 요소에서, 접점 섹션에 있는 리드프레임 섹션의 두께와 수용 섹션에 있는 리드프레임 섹션의 두께 사이의 차이를 초과하거나 상기 차이와 동일한 제 2 성형 요소의 높이가 제 2 성형체 상으로 배열된다. 매립될 리드프레임 섹션은 제 1 및 제 2 성형체들 사이에 배열되어 리드프레임 섹션의 제 1 측면이 제 1 성형체를 향하고 리드프레임 섹션의 제 2 측면이 제 2 성형체를 향하고 제 2 성형 요소가 접점 섹션의 구역에 배열된다. 제 1 및 제 2 성형체들은 함께 가압되어, 그 결과로서 제 2 성형 요소가 제 1 성형체에 맞닿게 접점 섹션을 가압한다. 성형 재료는 두 개의 성형체들 사이에 공급된다. 개구는 제 2 성형 요소에 의해 성형 재료 내에 형성된다. 제 2 성형 요소는 제 1 성형 요소에 대한 대안으로서 또는 이에 부가하여 배열될 수 있다.
제 2 성형 요소는 접점 섹션의 더 작은 두께에도 불구하고 접점 섹션이 제 1 성형체에 맞닿게 정밀하게 가압되어, 매립 동안 액체 성형 재료가 접점 섹션 및/또는 접점 구역과 제 1 성형체 사이로 관통할 수 없는 효과가 있다. 이러한 경우, 리드프레임 섹션 및 성형 도구, 특히 제 2 성형체는 수정 없이 사용될 수 있다. 제 2 성형 요소 없이, 성형 도구는 성형 재료에 대해 접점 구역을 밀봉하지 않는데, 이는 역압이 제 2 성형 도구의 측면으로부터 작용하지 않기 때문이다. 이는 접점 구역 상에 성형 재료의 증착 및/또는 플래시의 형성을 초래할 것이며, 이는 예를 들면 접촉 동안, 예를 들면 전자 컴포넌트의 와이어 접촉 동안, 후속 프로세스들에서 문제들을 초래할 수 있다. 제 2 성형 요소는 이에 따라 예를 들면 접점 구역 상에 플래시 및/또는 성형 재료 없이, 상기 하우징의 정밀한 형성에 기여한다. 대안적으로 또는 부가적으로, 위치 및/또는 크기 정확도가 결과적으로 개선될 수 있다.
제 2 성형 요소가 제 1 성형체에 맞닿게 접점 섹션을 균일하게 가압되도록 제 2 성형 요소가 구현될 수 있다. 하나의 제 2 성형 요소에 대한 대안으로서 또는 이에 부가하여, 심지어 추가의 제 2 성형 요소들은 제 2 성형체 상에 배열될 수 있으며, 예로서, 제 2 성형 요소들이 접점 섹션 위에 균일하게 분배되고 접점 섹션을 제 1 성형체에 맞닿게 균일하게 가압하도록, 제 2 성형 요소들이 형성되고 배열될 수 있다. 제 2 성형 요소들은 예를 들면 탄성 방식으로 구현될 수 있다. 예로서, 제 2 성형 요소들은 구형 방식으로 구현될 수 있다. 예로서, 제 1 성형체에 맞닿게 접점 섹션을 가압할 때, 대응하는 제 2 성형 요소가 접점 섹션에 자국을 남기지 않는 방식으로, 제 2 성형 요소들이 탄성 방식으로 구현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 리드프레임 섹션이 제 2 접점 섹션에서 하나 이상의 제 3 성형 요소를 가지는 방식으로 리드프레임 섹션이 제공되며, 이 구역에서 접점 섹션의 두께는 수용 섹션의 두께에 대응한다. 제 1 성형체 및 제 2 성형체를 가지는 성형 도구는 리드프레임 섹션을 성형 재료 내로 매립하기 위해 사용된다. 매립될 리드프레임 섹션은 제 1 및 제 2 성형체들 사이에 배열되어 리드프레임 섹션의 제 1 측면이 제 1 성형체를 향하고 리드프레임 섹션의 제 2 측면이 제 2 성형체를 향한다. 제 1 및 제 2 성형체들은 함께 가압되어, 그 결과로서 제 3 성형 요소가 제 1 성형체에 맞닿게 접점 섹션을 가압한다. 성형 재료는 두 개의 성형체들 사이에 공급된다. 성형 재료는 제 3 성형 요소를 적어도 부분적으로 둘러싼다. 제 3 성형 요소는 제 1 및/또는 제 2 성형 요소에 대한 대안예로서 또는 이에 부가하여 배열될 수 있다.
제 3 성형 요소는 예를 들면 접점 섹션의 돌기로서 구현될 수 있고, 여기서 돌기는 접점 구역 반대쪽을 향하는 접점 섹션의 제 2 측면에 형성되며, 리드프레임 섹션이 성형 도구 내에 삽입되면서 제 2 성형체의 방향으로 접점 섹션으로부터 돌출한다. 제 3 성형 요소는 접점 섹션의 더 작은 두께에도 불구하고 접점 섹션이 매립 동안 제 1 성형체에 맞닿게 정밀하게 가압되어, 매립 동안 액체 성형 재료가 접점 섹션 및/또는 접점 구역과 제 1 성형체 사이로 관통할 수 없는 효과를 가진다. 이러한 경우, 성형 도구 및 특히 제 2 성형체는 수정 없이 사용될 수 있다. 제 3 성형 요소 없이, 성형 도구는 성형 재료에 대해 접점 구역을 밀봉하지 않는데, 이는 역압이 제 2 성형 도구의 측면으로부터 작용하지 않기 때문이다. 이는 접점 구역 상에 성형 재료의 증착 및/또는 플래시의 형성을 초래할 것이며, 이는 예를 들면 접촉 동안, 예를 들면 전자 컴포넌트의 와이어 접촉 동안, 후속 프로세스들에서 문제들을 초래할 수 있다. 제 3 성형 요소는 이에 따라 예를 들면 접점 구역 상에 플래시 및/또는 성형 재료 없이, 상기 하우징의 정밀한 형성에 기여한다. 대안적으로 또는 부가적으로, 위치 및/또는 크기 정확도가 결과적으로 개선될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 3 성형 요소는 예를 들면 성형 재료가 경화된 후 예를 들면 에칭 방법의 도움으로 적어도 부분적으로 제거되며, 이의 결과로서 개구가 성형 재료에 형성된다.
다양한 실시예들에서, 접점 섹션의 제 2 측면에서 성형 재료 내에 개구, 예를 들면 위에서 설명된 개구들 중 하나의 개구가 전기 절연 재료로 채워진다.
다양한 실시예들에서, 리드프레임 섹션은 리드프레임 섹션을 가지는 리드프레임이 성형 재료 내로 매립된다는 사실에 의해 성형 재료 내로 매립된다. 복수의 상호 연결된 하우징들을 포함하는 하우징 배열체는 매립된 리드프레임에 의해 형성된다. 리드프레임이 성형 재료 내로 매립된 후 하우징들은 하우징 배열체로부터 개별화된다(singulate). 예로서 하우징 배열체는 이를 위해 반복적으로 절단되고, 예를 들면 톱으로 자르거나(saw) 커팅(cut)된다. 하우징들이 개별화되기 전에, 예를 들면, 성형 재료 내로의 개구들은 또한 전기 절연 재료로 또한 채워질 수 있다.
다양한 실시예들에서, 전자 조립체를 제조하기 위한 방법이 제공되며, 여기서 하우징은 예를 들면 위에서 설명된 방법에 따라 제공되며, 여기서 전자 컴포넌트는 하우징의 수용 구역 내로 배열되고 접점 구역에 전기적으로 커플링된다. 예를 들면 대응하는 컴포넌트 내로의 하우징의 배열의 개별화 전 또는 후 전자 컴포넌트가 삽입될 수 있다. 수용 개구 내의 전자 컴포넌트는 예를 들면 파팅 컴파운드 내로 매립될 수 있다. 파팅 컴파운드 내로 전자 컴포넌트의 매립은 예를 들면 하우징들의 개별화 전 또는 후 수행될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들은 도면들에 예시되며 아래에서 더 상세하게 설명된다.
도 1은 전자 조립체의 하나의 예시적인 실시예의 단면의 예시를 도시하며;
도 2는 종래의 성형 도구에서 리드프레임 섹션의 하나의 예시적인 실시예를 도시하며;
도 3은 성형 도구의 하나의 예시적인 실시예에서 리드프레임 섹션의 하나의 예시적인 실시예를 도시하며;
도 4는 제 1 상태에서 제조 방법 동안 전자 컴포넌트용 하우징의 하나의 예시적인 실시예의 단면의 예시를 도시하며;
도 5는 제 2 상태에서 제조 방법 동안 도 4에 따른 하우징을 도시하며;
도 6은 제 3 상태에서 제조 방법 동안 도 4 및 도 5에 따른 하우징을 도시하며;
도 7은 성형 도구에서 리드프레임 섹션의 하나의 예시적인 실시예를 도시하며;
도 8은 제 1 상태에서 제조 프로세스 동안 전자 컴포넌트용 하우징의 하나의 예시적인 실시예의 단면의 예시를 도시하며;
도 9는 제 2 상태에서 제조 프로세스 동안 도 8에 따른 하우징을 도시하며;
도 10은 성형 도구에서 리드프레임 섹션의 하나의 예시적인 실시예를 도시하며;
도 11은 제 1 상태에서 제조 프로세스 동안 전자 컴포넌트용 하우징의 하나의 예시적인 실시예를 도시하며;
도 12는 제 2 상태에서 제조 프로세스 동안 도 11에 따른 하우징을 도시하며;
도 13은 제 3 상태에서 제조 프로세스 동안 도 11 및 도 12에 따른 하우징을 도시하며;
도 14는 전자 조립체를 제조하기 위한 방법의 하나의 예시적인 실시예의 흐름도를 도시한다.
도 2는 종래의 성형 도구에서 리드프레임 섹션의 하나의 예시적인 실시예를 도시하며;
도 3은 성형 도구의 하나의 예시적인 실시예에서 리드프레임 섹션의 하나의 예시적인 실시예를 도시하며;
도 4는 제 1 상태에서 제조 방법 동안 전자 컴포넌트용 하우징의 하나의 예시적인 실시예의 단면의 예시를 도시하며;
도 5는 제 2 상태에서 제조 방법 동안 도 4에 따른 하우징을 도시하며;
도 6은 제 3 상태에서 제조 방법 동안 도 4 및 도 5에 따른 하우징을 도시하며;
도 7은 성형 도구에서 리드프레임 섹션의 하나의 예시적인 실시예를 도시하며;
도 8은 제 1 상태에서 제조 프로세스 동안 전자 컴포넌트용 하우징의 하나의 예시적인 실시예의 단면의 예시를 도시하며;
도 9는 제 2 상태에서 제조 프로세스 동안 도 8에 따른 하우징을 도시하며;
도 10은 성형 도구에서 리드프레임 섹션의 하나의 예시적인 실시예를 도시하며;
도 11은 제 1 상태에서 제조 프로세스 동안 전자 컴포넌트용 하우징의 하나의 예시적인 실시예를 도시하며;
도 12는 제 2 상태에서 제조 프로세스 동안 도 11에 따른 하우징을 도시하며;
도 13은 제 3 상태에서 제조 프로세스 동안 도 11 및 도 12에 따른 하우징을 도시하며;
도 14는 전자 조립체를 제조하기 위한 방법의 하나의 예시적인 실시예의 흐름도를 도시한다.
아래의 상세한 설명에서, 이러한 설명의 일 부분을 형성하고 예시 목적을 위해 본 발명이 실시될 수 있는 특정의 예시적인 실시예들을 도시하는 첨부된 도면들을 참조한다. 이에 대해, 예를 들면, "상부에서", "저부에서", "전방에서", "후방에서", "전방", "후방" 등과 같은 방향 용어가 설명된 도면(들)의 배향에 대해 사용된다. 예시적인 실시예들의 컴포넌트 부품들이 다수의 상이한 배향들에 위치 설정될 수 있고, 방향 용어는 예시를 위해 기능하고 어떠한 방식으로도 전혀 제한되지 않는다. 본 발명의 보호의 범위로부터 벗어나지 않으면서 다른 예시적인 실시예들이 사용될 수 있고 구조적 또는 타당한 변화들이 이루어질 수 있다는 것이 당연하다. 특별히 다르게 표시되지 않으면, 본원에서 설명된 예시적인 실시예들의 특징들이 서로 조합될 수 있는 것이 당연하다. 따라서, 아래의 상세한 설명은 제한적 의미로 설명되지 않아야 하며, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구항들에 의해 규정된다.
이러한 설명의 맥락에서, 용어 "연결되다(connected)" 및 "커플링되다(coupled)"는 직접적이고 간접적인 연결 및 직접적이거나 간접적인 커플링 모두를 설명하기 위해 사용된다. 도면들에서, 적절하다면, 동일하거나 유사한 요소들에는 동일한 도면부호들이 제공된다.
다양하고 예시적인 실시예들에서, 전자 컴포넌트는 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트일 수 있다. 다양하고 예시적인 실시예들에서, 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트는 전자기 방사선을 방출하는 반도체 컴포넌트일 수 있고/있거나 전자기 방사선을 방출하는 다이오드로서, 전자기 방사선을 방출하는 유기 다이오드로서, 전자기 방사선을 방출하는 트랜지스터로서 또는 전자기 방사선을 방출하는 유기 트랜지스터로서 구현될 수 있다. 방사선은 예를 들면 가시적 범위의 광, UV 광 및/또는 적외선 광일 수 있다. 이와 관련하여, 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트는 예를 들면 발광 다이오드(LED)로서, 유기 발광 다이오드(OLED)로서, 발광 트랜지스터로서 또는 유기 발광 트랜지스터로서 구현될 수 있다. 다양하고 예시적인 실시예들에서, 발광 컴포넌트는 직접 회로의 부분일 수 있다. 더욱이, 복수의 발광 컴포넌트들이 예를 들면 공통 하우징 내에 수용되는 방식으로 제공될 수 있다.
도 1은 전자 조립체(8)의 하나의 예시적인 실시예를 도시한다. 전자 조립체(8)는 예를 들면 전자 컴포넌트(20) 및 전자 컴포넌트(20)용 하우징(10)을 포함할 수 있다. 전자 조립체(8)는 또한 예를 들면 QFN 패키지로서 지칭될 수 있다.
하우징(10)은 예를 들면 도전성 재료로 형성될 수 있는 리드프레임 섹션(12), 및 성형 재료(14)를 포함할 수 있다. 도전성 재료는 예를 들면 금속, 예를 들면 구리, 예를 들면 CuW 또는 CuMo, 구리 합금들, 황동, 니켈 및/또는 철, 예를 들면 Fe-Ni을 포함할 수 있고, 및/또는 이로부터 형성될 수 있다.
리드프레임 섹션(12)은 예를 들면 하우징(10)의 성형 재료(14) 내로 매립될 수 있다. 성형 재료(14)는 예를 들면 열경화성 플라스틱, 예를 들면, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 또는 열가소성 수지, 예를 들면 PPA 또는 폴리에스테르, 및/또는 무기 재료, 예를 들면 복합 재료, 예를 들면 에폭시 수지, 및/또는 실리콘, 실리콘 혼합물 및/또는 실리콘-에폭시 혼합물을 포함할 수 있다.
리드프레임 섹션(12)은 예를 들면, 리드프레임 섹션(12)의 제 1 측면에 접점 구역(26)을 가질 수 있는 접점 섹션(28)을 가질 수 있다. 리드프레임 섹션(12)은 예를 들면, 리드프레임 섹션(12)의 제 1 측면에 수용 구역(30)을 가질 수 있는 수용 섹션(32)을 가질 수 있다. 성형 재료(14)는 리드프레임 섹션(12)의 제 1 측면 상에 부분적으로 형성될 수 있어 예를 들면 성형 재료(14) 내에 수용 개구(18)를 형성하는데, 이 수용 개구 내에 접점 구역(26) 및 수용 구역(30)이 노출되고 및/또는 이 수용 개구 내에 전자 컴포넌트(20)가 배열되고/되거나 접촉된다.
수용 섹션(32)은 리드프레임 섹션(12)의 제 1 측면에 수직하게, 리드프레임 섹션(12)의 제 1 측면에 수직하게 접점 섹션(28)의 두께를 초과하는 두께를 가질 수 있다. 성형 재료(14)는 수용 구역(26)을 구비한 제 1 측면의 반대쪽을 향하는, 접점 섹션(28)의 제 2 측면에 형성될 수 있다. 전자 컴포넌트(20) 반대쪽을 향하는 하우징(10)의 하부는 예를 들면 접점 섹션(28) 내의 성형 재료(14) 및 수용 섹션(32) 내의 리드프레임 섹션(12)에 의해 형성될 수 있다. 성형 재료(14)는 예를 들면 접점 섹션(28)과 수용 섹션(32) 사이에 형성되고/되거나 배열될 수 있다. 예로서, 성형 재료(14)는 접점 섹션(28)을 수용 섹션(32)으로부터 전기 절연될 수 있다. 하우징(10)의 두께는 예를 들면 100 ㎛ 내지 1 mm, 예를 들면 200 ㎛ 내지 500 ㎛, 예를 들면 250 ㎛ 내지 300 ㎛일 수 있다. 리드프레임 섹션(12)의 두께는 예를 들면 100 ㎛ 내지 500 ㎛, 예를 들면 150 ㎛ 내지 300 ㎛일 수 있다.
전자 컴포넌트(20)는 예를 들면 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트일 수 있다. 전자 컴포넌트(20)는 예를 들면 수용 구역(30)에 커플링될 수 있는 예를 들면 방사선 소스(22)를 포함할 수 있다. 방사선 소스(22)는 전자기 방사선을 발생시키기에 적절할 수 있다. 방사선 소스(22)는 예를 들면 그 위에 방사선 소스(22)의 전자 컴포넌트 부품들이 배열되는 기판을 가질 수 있다. 기판은 예를 들면 전기 절연된 방식으로 구현될 수 있고/있거나 수용 구역(30)과 물리적으로 접촉될 수 있다. 방사선 소스(22)에 의해 발생된 전자기 방사선은 예를 들면 유용한 방사선으로서, 예를 들면 조명 광으로서 직접 사용될 수 있다. 이에 대한 대안으로서, 예를 들면 전자 컴포넌트(20)는 예를 들면 리드프레임 섹션(12) 반대쪽을 향하는 방사선 소스(22)의 측면 상에 또는 이로부터 이격하여 배열될 수 있는 변환 요소(24)를 포함할 수 있다. 변환 요소(24)는 예를 들면, 방사선 소스(22)로부터 전자기 방사선의 도움으로 변환된 전자기 방사선을 방출하도록 여기될 수 있는 인광 물질을 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 방사선 소스(22)에 의해 발생된 전자기 방사선은 여기 방사선으로서 지칭될 수 있으며 변환 요소(24)의 도움으로 발생된 전자기 방사선은 예를 들면 변환 방사선으로서 지칭될 수 있다.
변환 요소(24)에서의 인광 물질들은 여기 방사선의 도움으로 효과적으로 여기될 수 있다. 후속하는 강력한 탈여기 동안, 인광 물질들은 하나 또는 복수의 미리 규정된 색상들의 빛을 방출한다. 여기 방사선의 변환은 이에 따라 발생되며, 이에 의해 변환 방사선이 발생된다. 변환 동안, 여기 방사선의 파장들이 더 짧거나 더 긴 파장들을 향하여 변화된다. 색상들은 개별 색상들이거나 혼합 색상들일 수 있다. 개별 색상들은 예를 들면 녹색, 적색 또는 황색 광을 포함할 수 있으며, 및/또는 예를 들면 혼합된 색상들은 녹색, 적색 및/또는 황색 광을 혼합할 수 있고, 및/또는 예를 들면 백색 광을 포함할 수 있다. 게다가, 청색 광은 예를 들면 구현되는 변환 요소(24)에 의해 제공될 수 있어 적어도 부분적으로 비-변환 여기 방사선은 사용 가능한 조명 광으로서 전자 컴포넌트(8)로부터 나온다. 개별 또는 혼합된 색상들은 변환 요소(24) 및 여기 방사선의 도움으로 제시될 수 있다. 예로서, 녹색, 적색 및 황색은 청색 레이저 광의 도움으로 제시될 수 있다. 여기 방사선으로서 UV 레이저 광의 사용으로, 인광 물질들이 적색, 녹색, 청색 및 황색을 제공하도록 인광 물질들이 또한 선택될 수 있다.
변환 요소(24)는 예를 들면 대응하는 캐리어들의 표면들 상에 입방체의 실리케이트 광물들, 오소실리케이트들, 석류석들 또는 질화물들과 같은 하나 또는 둘 또는 그 초과의 얇은 인광 물질 층들을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 인광 물질 층들은 결합제들에 기계식으로 고정될 수 있고/있거나 광학 시스템들(렌즈들, 시준기, 등)에 링크될 수 있으며, 여기서 광 커플링은 예를 들면 공기를 통해 또는 담금 매체에 의해 달성될 수 있다. 위에서 언급된 적용 분야들에서, 인광 물질들은 보통 높은 광 파워들을 가지는 LED들 및/또는 레이저 다이오드들에 의한 방출에 대해 여기된다. 이러한 경우 발생하는 열적 손실들은, 과열 및 인광 물질의 광학 특성들에서 또는 인광 물질의 손상에서의 열에 의해 좌우된 변화들을 회피하도록, 예를 들면 캐리어, 기판 및/또는 리드프레임 섹션(12), 특히 수용 섹션(32)을 통해 소산되어야 한다.
결합제들, 예를 들면 실리콘들의 부가 사용 없이, 예를 들면 분말 형태로 존재할 수 있는 인광 물질들은 기계적으로 안정된 층들, 즉 내마모성 및/또는 스크래치 내성 층들을 형성할 수 없다. 그러나, 결합제들은 또한 일반적으로 인광 물질 입자들을 합치기 위해 사용되고 이어서 대응하는 표면들에 도포할 수 있는 상태를 형성한다. 층 안정화를 위한 결합제들의 사용에 의해, 이러한 결합제들은 자체적으로 인광 물질들과 상호 작용할 수 있고 이에 따라 이들의 광학 및 열적 특성들 및 또한 이들의 수명에 영향을 미칠 수 있다.
대안 예들로서, 인광 물질을 포함하는 세라믹으로부터 또는 인광 물질을 포함하는 결정체로부터 형성되는 변환 요소(24)가 공지된다. 특히, 인광 물질은 세라믹 또는 결정체를 형성할 수 있다. 이 같은 변환 요소(24)들은 그 안에 발생하는 열이 소산될 수 있도록, 예를 들면 히트 싱크들에 접착 접합될 수 있다. 여기서 열 소산에 대한 제한 변수는 예를 들면 사용된 접착제의 열 전도도일 수 있다. 더욱이, 변환 요소(24)가 특히 얇게 제조되는 경우 우수한 열 소산에 유익하다. 변환 요소(24)의 두께에 대한 제한 변수는 예를 들면 변환 요소(24)의 안정성, 및 변환 요소(24)가 히트 싱크에 도포될 때 요구된 취급성일 수 있으며, 두께가 감소함에 따라 상기 안정성이 감소된다.
사용된 인광 물질은 예를 들면 세라믹 내에 매립될 수 있거나 결정 구조 내에 포함될 수 있으며/있거나 다양하고 예시적인 실시예들에서, 예를 들면 상이한 인광 물질들의 혼합물을 포함하는 인광 물질 혼합물일 수 있으며, 예를 들면 이에 의해 복수의 상이한 색상들을 조합하는 광이 생성될 수 있다. 변환 요소(24)는 예를 들면 완전히 또는 단지 부분적으로 결정체 또는 세라믹으로 구성될 수 있다. 더욱이, 예를 들면, 결정 변환 요소는 단일 결정체일 수 있다. 이와 독립적으로, 변환 요소(24)는 예를 들면 다이아몬드 또는 Al2O3를 포함할 수 있는 매트릭스 재료를 포함할 수 있다.
통상적인 인광 물질들은 예를 들면 알루미늄, 실리콘, 마그네슘, 칼슘, 바륨, 스트론튬, 아연, 카드뮴, 망간, 인듐, 텅스텐 및 다른 전이 금속들 또는 이트륨, 가돌리늄 또는 란타늄과 같은 회토금속들의 석류석들 또는 질화 규산염, 질화물들, 산화물들, 포스페이트들, 붕산염들, 산질화물들, 황화물들, 셀렌화물들, 알루민산염들, 텅스텐산염들, 및 할로겐화물들이며 이들은 예를 들면, 구리, 은, 알루미늄, 망간, 아연, 주석, 납, 세륨, 테르븀, 티타늄, 안티몬 또는 유로퓸과 같은 활성제로 도핑된다. 본 발명의 다양한 실시예들에서, 인광 물질은 석류석, 오소실리케이트, 니트리도(알루모)규화물, 질화물 또는 니트리도오소실리케이트 또는 활로겐화물 또는 할로포스페이트와 같은 산화 인광 물질 또는 (산)질화 인광 물질이다. 적절한 인광 물질들의 구체적인 예들은 스트론튬 클로로아패타이트: Eu ((Sr,Ca)5(PO4)3Cl:Eu; SCAP), 이트륨 알루미늄 석류석:세륨 (YAG:Ce) 또는 CaAlSiN3:Eu이다. 더욱이, 인광 물질 또는 인광 물질 혼합물은 예를 들면 광 산란 특성들 및/또는 보조 물질들을 가지는 입자들을 포함할 수 있다. 보조 물질들의 예들은 계면활성제들 및 유기 용제들을 포함한다. 광 산란 입자들의 예들은 금, 은 및 금속 산화물 입자들이다.
전자 컴포넌트(20)는 예를 들면 본딩 와이어(34)의 도움으로 접점 섹션(28)에 전기 접촉될 수 있다. 예로서, 접점 섹션(28)은 접점 구역(26)에서 제 1 접촉 패드(36)를 가질 수 있다. 예로서, 방사선 소스(22)는 제 2 접촉 패드(38)를 가질 수 있다. 제 1 접촉 패드(36) 및 제 2 접촉 패드(38)는 예를 들면 본딩 와이어(34)를 통해 서로 접촉될 수 있다. 제 2 접촉 패드(38)에 있는 예시된 전기 접촉에 부가하여, 방사선 소스(22)는 또한 예를 들면 추가 접촉 패드(예시 안됨)를 구비한, 제 2 전기 접점을 가질 수 있으며, 제 2 전기 접점은 예를 들면 도 1에 예시되지 않은, 리드프레임 섹션(12)의 추가 접점 섹션(예시 안됨)과 접촉된다.
전기 절연 재료가 방사선 소스(22)의 기판을 위해 사용되면, 방사선 소스는 수용 섹션으로부터 완전히 전기 절연된다. 더욱이, 접점 섹션(28)은 성형 재료(14)에 의해 하우징(10)의 하부를 향하여 전기 절연된다. 결론적으로, 하우징(10)의 전체 하부는 방사선 소스(22)로부터 전기 절연된다. 결론적으로, 예를 들면 수용 섹션(32) 및/또는 접점 섹션(28)에 있는 성형 재료(14)가 히트 싱크와 물리적으로 접촉하도록, 하우징(10)은 예를 들면 도전성 히트 싱크 상으로 직접 배치될 수 있다. 이는 하우징(10) 및 수용 섹션(32)을 통해 또한 방사선 소스(22), 예를 들면 인쇄 회로 기판 및/또는 히트 싱크의 특히 우수한 열 커플링이 발생한다.
하우징(10)은 예를 들면 실질적으로 QFN 하우징으로서 및/또는 QFN 하우징에 따라 매립될 수 있다. 그러나, 이와 대조적으로, 접점 섹션(28)에서, 이의 하부에서(도 1에서) 하우징(10)은 리드프레임 섹션(12)에 의해 형성된 전기 접속을 가지지 않지만 오히려 접점 섹션(28)에서 하우징(10)의 하부를 향하여 절연된다. 더욱이, 예를 들면 방사선 소스(22)가 전기 절연 방식으로 구현되고 수용 구역(30)에 커플링되는 기판을 갖는 경우, 전자 컴포넌트(20) 및 이에 따른 전자 조립체(8)의 전자 컴포넌트 부품들이 하우징(10)의 하부를 향하여 완전히 전기 절연될 수 있다. 결과적으로, QFN 하우징이 인쇄 회로 기판 상으로 놓일 때, 단지 QFN 하우징의 기계적 및 열적 커플링만이 발생할 수 있다. 이러한 경우, 하우징(10)과 인쇄 회로 기판 사이의 물리적 접촉 및 인쇄 회로 기판으로의 하우징(10)의 관련된 열적 커플링은 열적 사이클링으로부터 초래되는 부하 동안 매우 우수한 거동에 기여할 수 있으며, 이는 인쇄 회로 기판 섹션(12)의 재료가 인쇄 회로 기판 및/또는 히트 싱크의 열 팽창 계수에 특히 잘 적응될 수 있다. 이러한 경우, 인쇄 회로 기판은 예를 들면, FR1, FR2, FR3, FR4, FR5, CEM1, CEM2, CEM3, CEM4 또는 CEM5 인쇄 회로 기판, 예를 들면, 관통-접촉식 FR4 인쇄 회로 기판일 수 있다.
결론적으로, 전기 절연된 하부를 가지는 QFN 하우징의 사용은 인쇄 회로 기판 섹션(12) 반대쪽을 향하는 모두 이들의 상부 측면에서 이들의 전기 접점들을 가지는 QFN 하우징 전자 컴포넌트(20)들에 배열하고 그리고 히트 싱크와의 물리적 접촉을 하는 이의 하부를 구비한 QFN 하우징을 배열하는 것을 가능하게 하며, 여기서 히트 싱크는 예를 들면 도전성 재료를 포함할 수 있다. 인쇄 회로 기판으로의 전자 조립체(8)의 전기적 커플링은 이어서 예를 들면 리드프레임 섹션(12)의 접점 섹션들(도면들에 예시되지 않음)(이 접점 섹션들의 두께는 수용 섹션(32)의 두께와 동일함)에 의해 또는 상부에서 또는 측방향으로 외측으로 안내하는 와이어들에 의해 수행될 수 있다.
도 2는 하우징(10)을 제조하기 위한 프로세스 동안 리드프레임 섹션(12)의 하나의 예시적인 실시예를 도시한다. 리드프레임 섹션(12)은 예를 들면 위에서 설명된 리드프레임 섹션(12)에 주로 대응할 수 있다. 리드프레임 섹션(12)은 예를 들면 성형 도구(40) 내에 삽입될 수 있다. 성형 도구(40)는 예를 들면 리드프레임 섹션(12)의 제 1 측면를 향할 수 있는 제 1 성형체(42), 및 리드프레임 섹션(12)의 제 2 측면을 향할 수 있는 제 2 성형체(44)를 가질 수 있다. 제 1 성형체(42)는 예를 들면 제 1 공동(46)들을 가질 수 있고, 이 제 1 공동에 의해 수용 개구(18)가 매립 프로세스 후에 형성된다. 더욱이, 제 2 공동(48)들은 제 1 성형체(42)와 제 2 성형체(44) 사이에 형성될 수 있다.
성형 도구(40)는 예를 들면 성형 재료(14) 내로 리드프레임 섹션(12)의 매립에 기여할 수 있다. 이러한 경우, 먼저 두 개의 성형체(42, 44)들은 함께 가압될 수 있어 제 1 방향(52)으로 압력이 제 1 성형체(42)에 의해 리드프레임 섹션(12)의 제 1 측면 상에 가해지고, 제 2 방향(54)으로 압력이 제 2 성형체(44)에 의해 리드프레임 섹션(12)의 제 2 측면 상에 가해진다. 액체 및/또는 점성 성형 재료(14)는 이어서 두 개의 성형체(42, 44)들 사이에 공급될 수 있다. 이러한 경우, 성형 재료(14)는 공동(44, 48) 내로 전진할 수 있다. 제 1 공동(44)들 내의 성형 재료(14)는 수용 개구(18) 및 이의 벽의 경계를 형성할 수 있다. 제 2 공동(48)들 내의 성형 재료(14)는 하우징(10)의 하부, 하부를 향하여 제 2 접점 섹션(28)의 전기적 절연 및/또는 성형 재료(14)에 의해 수용 섹션(32)과 접점 섹션(28) 사이의 전기적 절연을 적어도 부분적으로 형성할 수 있다.
그러나, 도 2에 도시된 구성의 경우, 매립 프로세스 동안 문제가 발생될 수 있는데, 이는 수용 섹션(32)의 두께는 접점 섹션(28)의 두께보다 더 크다. 따라서, 제 2 성형체(44)로부터의 직접적인 역압이 제 2 방향(54)으로 접점 섹션(28) 상에 작용하지 않을 수 있고 제 1 성형체(42)에 맞닿게 접점 섹션(28)을 직접 가압하지 않을 수 있다. 액체 및/또는 점성 성형 재료(14)가 공급될 때, 이는 예를 들면 모세관 작용 및/또는 모세관 힘들 때문에 성형 재료(14)가 제 1 성형체(42)와 접점 구역(26) 사이를 관통하고 제 1 접점 구역(26)이 성형 재료로 부분적으로 또는 완전히 코팅되는 효과를 가질 수 있다. 이러한 효과는 또한 예를 들면 "플래시(flash)"로서 지칭될 수 있다. 이는 후속하는 프로세싱 프로세스들 동안, 특히 전자 컴포넌트(20)의 전기 접촉 동안 불리할 수 있다. 더욱이, 일부 경우들에서, 성형 재료(14)가 접점 구역(26)으로부터 후속적으로 제거되어야 하는 것이 필요할 수 있다.
도 3은 리드프레임 섹션(12)의 하나의 예시적인 실시예를 구비한 성형 도구(40)의 하나의 예시적인 실시예를 도시하며, 이는 예를 들면 위에서 설명된 성형 도구(40) 및 각각 위에서 설명된 리드프레임 섹션(12)에 주로 대응할 수 있다. 예로서, 제 2 성형체(44)는 제 1 성형 요소(60)를 가질 수 있다. 리드프레임 섹션(12)이 성형 도구(40)에 배열될 때 제 1 성형 요소(60)들은 접점 섹션(28)의 구역에 배열될 수 있다. 제 1 성형 요소(60)의 높이는 접점 섹션(28)의 구역에서 리드프레임 섹션(12)의 두께와 수용 섹션(32)에서 리드프레임 섹션(12)의 두께 사이의 차이를 초과하거나 이 차이와 동일할 수 있다.
제 1 성형 요소(60)는 접점 섹션(28)의 구역의 리드프레임 섹션(12)의 두께와 수용 섹션(32)의 리드프레임 섹션(12)의 두께 사이의 차이를 초과하는 높이를 가지면, 접점 섹션(28)의 두께의 허용 오차들 또는 제 1 성형 요소(60)의 높이들의 허용 오차들이 보상될 수 있다. 예로서, 예를 들면 심지어 매립 프로세스 동안 가장 큰 가능한 허용 오차를 취하는 모든 경우에서, 제 1 성형 요소(60)들이 예를 들면 제 1 성형체(42)에 맞닿게 접점 섹션(28)을 가압하도록 하는 높이로 제 1 성형 요소(60)들이 구현될 수 있다. 이는 매립 프로세스 동안 성형 재료(14)가 접점 구역(26)으로 전진하는 것을 주로 또는 완전히 방지한다.
예로서, 하나, 두 개 또는 그 초과의 제 1 성형 요소(60)가 형성될 수 있다. 예로서, 리드프레임 섹션(12)이 성형 도구(40)에 배열될 때 제 1 성형 요소(60)들이 접점 섹션(28) 위에 균일하게 분포되도록 성형 요소(60)들이 배열될 수 있다. 예로서, 제 1 성형 요소(60)들은 각각의 경우 리드프레임 섹션(12)를 향하는 이들의 압력 섹션들에서 정점 또는 에지를 가질 수 있다. 예로서, 제 1 성형 요소(60)들은 원추형, 피라미드형 및/또는 웨지형 방식으로 구현될 수 있다. 정점 또는 에지는 제 1 성형 요소(60)들의 높이가 수용 섹션(32)과 접점 섹션(28) 사이의 두께에서의 차이를 초과하는 경우, 제 1 성형 요소(60)는 이의 제 2 측면 상에 접점 섹션(28)을 용이하게 변형할 수 있고 성형 도구(40)가 이에 따라 확실하게 폐쇄될 수 있고 허용 오차들이 존재하는 경우조차 압력이 성형 도구(40)에서 컴포넌트 부품들 모두 상에 균일하게 가해질 수 있다는 사실에 기여할 수 있다. 액체 및/또는 점성 성형 재료(14)가 공급될 때, 이 성형 재료는 제 2 공동(48) 내의 제 1 성형 요소(60)들 둘레에 적어도 부분적으로 놓인다.
도 4는 제 1 상태에서 제조 프로세스 동안, 예를 들면 위에서 설명된 하우징(10)에 주로 대응할 수 있는 하우징(10)을 도시한다. 예로서, 하우징(10)은 도 3에 예시된 성형 도구(40)를 사용하여 제조되었다. 하우징(10)은 예를 들면 접점 섹션(28)으로부터 하우징(10)의 하부를 향하여 연장하고 예를 들면 제 1 성형 요소(60)에 의해 형성된 개구(62)를 가질 수 있다.
도 5는 제조 프로세스 동안 제 2 상태에서 도 4에 따라 하우징(10)을 도시하며, 여기서 하우징(10)은 180°만큼 회전되어서 하우징(10)의 하부 및 개구(62)들이 상부를 향하여 지향된다. 이는 전기 절연 재료(64)가 간단한 방식으로 충전에 의해 도입되는 것이 가능하여, 접점 섹션(28)이 도 5의 상부를 향하여 지향되는 하우징(10)의 하부를 향하여 전기 절연된다.
도 6은 제조 프로세스 동안 제 3 상태에서 도 5에 따라 하우징(10)을 도시하며, 여기서 하우징(10)은 180° 만큼 다시 회전되어서 하우징(10)이 후속하는 프로세싱 단계 동안 공급될 수 있다. 예로서, 전자 컴포넌트(20)는 이어서 수용 구역(30)에 있는 수용 개구(18)에 배열되고/되거나 접점 구역(26)에서 접촉될 수 있다.
도 7은 리드프레임 섹션(12)의 하나의 예시적인 실시예를 구비한 성형 도구(40)의 하나의 예시적인 실시예를 도시하며, 이는 예를 들면 성형 도구(40) 및 리드프레임 섹션(12) 각각의 위에서 설명된 예시적 실시예들에 주로 대응할 수 있다. 제 2 성형 요소(70)들은 접점 섹션(28)과 제 2 성형체(44) 사이에 삽입될 수 있다. 예를 들면 비 부하 상태에서 제 2 성형체(44)로부터 접점 섹션(28) 까지의 제 2 성형 요소(70)의 높이는 접점 섹션(28)과 수용 섹션(32) 사이의 두께에서의 차이를 초과하거나 이 차이와 동일할 수 있다. 제 2 성형 요소(70)는 예를 들면 탄성 방식으로 구현될 수 있다.
두 개의 성형체(42, 44)들이 함께 가압될 때, 압력이 제 2 성형 요소(70)에 의해 접점 섹션(28) 상에 가해지고 제 1 성형체(42)에 맞닿게 접점 섹션(28)을 가압한다. 이는 매립 프로세스 동안 성형 재료(14)가 접점 구역(26)으로 전진하는 것을 주로 또는 완전히 방지한다. 제 2 성형 요소(70)는 접점 섹션(28)의 구역의 리드프레임 섹션(12)의 두께와 수용 섹션(32)에 있는 리드프레임 섹션(12)의 두께 사이의 차이를 초과하는 높이를 가지면, 접점 섹션(28)의 두께의 허용 오차들 또는 제 2 성형 요소(70)의 높이의 허용 오차들이 보상될 수 있다. 예로서, 예를 들면 심지어 매립 프로세스 동안 가장 큰 가능한 허용 오차를 취하는 모든 경우에서 예를 들면, 제 2 성형 요소(70)가 제 1 성형체(42)에 맞닿게 접점 섹션(28)을 가압하도록 하는 크기로 제 2 성형 요소(70)들이 구현될 수 있다. 게다가, 하나, 두 개 또는 그 초과의 추가의 제 2 성형체(42)들이 또한 배열될 수 있다. 예로서, 제 2 성형 요소(70)들이 매립 프로세스 동안 접점 섹션(28) 위에 균일하게 분포되도록 제 2 성형 요소(70)들이 배열될 수 있다.
도 8은 제조 프로세스 동안 제 1 상태에서, 위에서 설명된 하우징(10)들 중 하나에 주로 대응할 수 있는 하우징(10)의 하나의 예시적인 실시예를 도시한다. 도 8에 도시된 하우징(10)은 예를 들면 도 7에 도시된 성형 도구(40)의 도움으로 및/또는 도 7에 도시된 제 2 성형 요소(70)의 도움으로 형성될 수 있다. 예로서, 제 2 성형 요소(70)는 접점 섹션(28)에서 성형 재료(14) 내로 매립될 수 있다. 예로서, 제 2 성형 요소(70)는 전기 절연 재료로 형성될 수 있고 성형 재료(14)에 매립되어 유지될 수 있다. 이에 대한 대안으로서, 제 2 성형 요소(70)가 제거될 수 있으며, 이의 결과로서 개구, 예를 들면 개구(62)는 성형 재료(14)에 있는 접점 섹션(28)에서 발생한다.
도 9는 제 2 상태에 있는 도 8에 따른 하우징(10)을 도시하며, 여기서 먼저 제 2 성형 요소(70)가 제거되었고 이어서 결과적인 개구(62)는 전기 절연 재료(64)로, 예를 들면 위에서 설명된 전기 절연 재료(64)로 채워졌다. 그 후에, 하우징(10)은 예를 들면 회전될 수 있고, 전자 컴포넌트(20)는 수용 구역(30)에 배열될 수 있고/있거나 접점 구역(26)에서 전기 접촉된다.
도 10은 리드프레임 섹션(12)의 하나의 예시적인 실시예를 구비한 성형 도구(40)의 하나의 예시적인 실시예를 도시하며, 이는 예를 들면 위에서 설명된 성형 도구(40) 및 리드프레임 섹션(12) 각각에 주로 대응할 수 있다. 예로서, 리드프레임 섹션(12)은 접점 섹션(28)에서 제 3 성형 요소(80)들을 가질 수 있다. 제 3 성형 요소(80)들은 예를 들면 접점 섹션(28)의 돌기들에 의해 형성될 수 있다. 제 2 접점 섹션(28) 및 제 3 성형 요소(80)들은 함께 수용 섹션(32)의 두께에 대응하는 두께를 갖는다. 성형 도구(40)가 폐쇄되면 제 3 성형 요소(80)들은 제 2 성형체(44)에 맞닿아 지탱하고 매립 프로세스 동안 제 1 성형체(42)에 맞닿게 이의 접점 구역(26)을 구비한 접점 섹션(28)을 가압한다. 이는 매립 프로세스 동안 성형 재료(14)가 접점 구역(26)으로 전진하는 것을 주로 또는 완전히 방지한다.
도 11은 제조 프로세스 동안 제 1 상태에서, 위에서 설명된 예시적인 실시예들의 하우징(10)들 중 하나에 주로 대응할 수 있는 하우징(10)의 하나의 예시적인 실시예를 도시한다. 예로서, 도 11에 따른 하우징(10)은 도 10에 도시된 바와 같이 제 3 성형 요소(80)들을 구비한 리드프레임 섹션(12)을 가질 수 있고/있거나 도 10에 도시된 성형 도구(40)의 도움으로 제조될 수 있다. 성형 재료(14)는 하우징(10)의 하부에 대해 평행한 방향으로 제 3 성형 요소(80)들을 둘러싼다. 접점 섹션(28) 반대쪽을 향하는 제 3 성형 요소(80)들의 단부들은 단지 성형 재료(14)에 의해 거의 덮이지 않거나 전혀 덮이지 않으며 이에 따라 노출된다.
도 12는 제 2 상태에 있는 도 11에 따른 하우징을 도시한다. 도 11의 하우징(10)은 도 11의 하우징(10)에 대해 180° 만큼 회전되어, 도 12에서 하우징(10)의 상부 측면은 저부에 있고 하우징(10)의 하부는 상부에 있다. 제 3 성형 요소(80)들은 예를 들면 에칭 프로세스의 도움으로 적어도 부분적으로 제거될 수 있다. 제거된 제 3 성형 요소(80)들은 성형 재료(14)에 예를 들면 개구(62)들이 형성될 수 있는 개구들 뒤에 남을 수 있다.
도 13은 제 3 상태에서 도 11 및 도 12에 따른 하우징(10)을 도시하며, 여기서 개구(62)들은 적어도 부분적으로, 예를 들면 완전히 전기 절연 재료, 예를 들면 위에서 설명된 전기 절연 재료(64)로 채워질 수 있다. 전기 절연 재료(64)는 예를 들면 하우징(10)이 접점 섹션(28)에서 이의 하부에서 완전히 전기 절연되는 효과를 가질 수 있으며, 하우징(10)의 하부는 도 13의 상부를 향하여 배향된다. 그 후에, 하우징(10)은 예를 들면 회전될 수 있고, 전자 컴포넌트(20)는 수용 구역(30)에 배열될 수 있고/있거나 접점 구역(26)에서 전기 접촉된다.
도 14는 전자 조립체, 예를 들면 위에서 설명된 전자 조립체(8)를 제조하기 위한 방법, 및/또는 전자 조립체(8)용 하우징, 예를 들면 위에서 설명된 하우징(10)들 중 하나의 하우징을 제조하기 위한 방법의 하나의 예시적인 실시예의 흐름도를 도시한다.
단계(S2)에서, 예를 들면, 리드프레임이 제공될 수 있다. 리드프레임은 예를 들면 도전성 재료, 예를 들면 리드프레임 섹션(12)과 관련하여 위에서 설명된 재료를 포함할 수 있거나 이 재료로 형성될 수 있다. 리드프레임은 복수의 리드프레임 섹션들, 예를 들면 위에서 설명된 복수의 리드프레임 섹션(12)들을 가질 수 있다. 리드프레임 섹션(12)들을 갖는 리드프레임은 예를 들면 하나, 두 개 또는 그 초과의 에칭 프로세스에 의해 리드프레임 모재로부터 제조될 수 있다. 적절한 경우, 제 3 성형 요소(80)들은 또한 에칭 프로세스(들) 동안 형성될 수 있다.
단계(S4)에서, 적절한 경우, 제 2 성형 요소(70)는 제 2 성형체(44)와 리드프레임 섹션(12)의 접점 섹션(28)들 사이에 배열될 수 있다.
단계(S6)에서, 리드프레임은 예를 들면 성형 재료 내로, 예를 들면 위에서 설명된 성형 재료(14) 내로 매립될 수 있다. 리드프레임을 매립하기 위해, 이의 리드프레임 섹션(12)을 구비한 리드프레임은 성형 도구, 예를 들면 위에서 설명된 성형 도구(40)들 중 하나의 도구 내로 도입된다. 선택적으로, 리드프레임 섹션(12)들은, 성형 도구(40)가 폐쇄될 때 제 1 성형 요소(60)들 및/또는 제 2 성형 요소 또는 요소(70)들 및/또는 제 3 성형 요소(80)들이 제 1 성형체(42)에 맞닿게 접점 섹션(28)들을 가압하도록, 배열될 수 있다. 성형 재료(14)는 액체 또는 점성 상태에서 성형 도구(40)에 공급되어, 공동(46, 48)들이 성형 재료(14)로 채워진다. 성형 재료(14)는 후속적으로 건조되고 및/또는 경화될 수 있다.
옵션 단계(S8)에서, 제 2 성형 요소(70)가 배열된 경우, 제 2 성형 요소(70)는 다시 제거될 수 있다. 이에 대한 대안으로서, 제 2 성형 요소(70)가 제거되지 않는 것이 가능하다.
단계(S10)에서, 개구(62)들은 적어도 부분적으로, 예를 들면 완전히 전기 절연 재료(64)로 채워진다. 전기 절연 재료(64)는 예를 들면 성형 재료를 포함할 수 있다.
다수의 하우징(10)들을 포함하는 하우징 배열체는 단계(S2 내지 S10)들에 형성된다. 개별 하우징(10)들은 이어서 예를 들면 톱질 또는 커팅에 의해, 하우징 배열체로부터 개별화될 수 있다. 하우징(10)을 제조하기 위한 방법은 결과로서 종결될 수 있다. 즉, 단계(S2 내지 S10)들은 하우징(10)을 제조하기 위한 방법을 나타낼 수 있다.
단계(S12)에서 하우징(10)의 개별화 전 또는 후, 예를 들면 한 개, 두 개 또는 그 초과의 전자 컴포넌트(20)들이 하우징(10)들 내에 배열될 수 있고/있거나 접촉될 수 있다. 전자 컴포넌트(20)를 구비한 하우징(10)은 전자 조립체(8)를 구성한다. 단계(S2 내지 S12)들은 이에 따라 전자 조립체(8)를 제조하기 위한 방법을나타낼 수 있다.
선택적으로, 전자 컴포넌트(20)를 배열한 후, 수용 개구(18)가 팟팅 컴파운드, 예를 들면 TiO2로 완전히 또는 부분적으로 채워지는 것이 가능하고 수용 개구 내로 전자 컴포넌트 및/또는 이의 전기적 접점이 매립된다.
본 발명은 설명된 예시적인 실시예들로 제한되지 않는다. 예로서, 예시적인 실시예들 중 각각에서, 다소의 성형 요소들이 배열될 수 있다. 더욱이, 상이한 유형들의 성형 요소들은 서로 조합될 수 있다. 예로서, 접점 섹션(28)은 제 1, 제 2 및/또는 제 3 성형 요소(60, 70, 80)의 도움으로 제 1 성형체(42)에 맞닿게 가압될 수 있다. 더욱이, 성형 요소들은 또한 전자 컴포넌트들에 대한 하우징들의 경우(이 하우징은 이러한 적용 분야의 의미 내에서 QFN 하우징들이 아님); 예를 들면 전기 접점들이 하우징으로부터 측방향으로 돌출하는 하우징들의 경우 사용될 수 있다. 더욱이, 위에서 설명된 리드프레임들 및/또는 제 3 성형 요소들은 또한 에칭 프로세스 또는 프로세스들 대신 리드프레임 모재로부터 스탬핑에 의해 제조될 수 있다.
Claims (15)
- 전자 컴포넌트(20)용 하우징(10)으로서,
리드프레임 섹션(12) 및 성형 재료(14)를 포함하며,
상기 리드프레임 섹션은 도전성 재료로 형성되고, 제 1 측면 및 상기 제 1 측면 반대쪽을 향하는 제 2 측면을 가지며, 상기 제 1 측면에서 상기 전자 컴포넌트(20)와 전기 접촉하기 위한 접점 구역(26)을 가지는 접점 섹션(28)을 가지며, 상기 제 1 측면에 상기 전자 컴포넌트(20)를 배열하기 위한 수용 구역(30)을 가지는 하나 이상의 수용 섹션(32)을 가지며, 상기 접점 섹션(28) 및 상기 수용 섹션(32)는 서로 물리적으로 분리되고 상기 접점 섹션(28)이 상기 제 1 측면에 대해 수직한 방향으로 상기 수용 섹션(32)보다 더 얇도록 상기 접점 섹션(28)이 형성되며,
상기 성형 재료는 수용 개구(18)를 가지며 상기 접점 구역(26) 및 상기 수용 구역(30)이 상기 수용 개구에 노출되며, 상기 성형 재료(14)의 일 부분이 상기 접점 섹션(28)과 상기 수용 섹션(32) 사이에 형성되도록 그리고 상기 리드프레임 섹션(12)의 제 2 측면이 상기 접점 섹션(28)의 구역에서 상기 성형 재료(14)에 의해 덮이고 상기 리드프레임 섹션(12)의 제 2 측면이 상기 수용 섹션(32)의 구역에서 성형 재료(14)가 없도록 상기 수용 개구 내로 상기 리드프레임 섹션(12)이 매립되며,
상기 접점 섹션(28)의 구역에서 상기 리드프레임 섹션(12)의 제 2 측면에 있는 상기 성형 재료(14)는, 부분적으로 접점 섹션(28)의 성형 요소(80)로 그리고 부분적으로 전기 절연 재료(64)로 채워지는 하나 이상의 개구(62)를 갖는,
전자 컴포넌트용 하우징.
- 제 1 항에 있어서,
상기 접점 섹션(28)의 구역에서 상기 리드프레임 섹션(12)의 제 2 측면에 있는 상기 성형 재료(14) 및 상기 수용 섹션(32)의 구역에서 상기 리드프레임 섹션(12)의 제 2 측면에 있는 상기 리드프레임 섹션(12)이 평평한 영역을 형성하는,
전자 컴포넌트용 하우징.
- 전자 컴포넌트(20)를 포함하고 제 1 항 또는 제 2 항에서 청구된 하우징(10)을 포함하는 전자 조립체(8)로서,
상기 전자 컴포넌트(20)는 상기 수용 구역(30) 상에 배열되고 상기 접점 구역(26)에 전기적으로 커플링되는,
전자 조립체.
- 전자 컴포넌트(20)용 하우징(10)을 제조하기 위한 방법으로서,
제 1 측면 및 상기 제 1 측면의 반대쪽을 향하는 제 2 측면을 가지며 상기 제 1 측면에서 상기 전자 컴포넌트(20)와 전기 접촉하기 위한 접점 구역(26)을 가지는 접점 섹션(28)을 가지며 상기 제 1 측면에 상기 전자 컴포넌트(20)를 배열하기 위한 수용 구역(30)을 가지는 하나 이상의 수용 섹션(32)을 가지는 리드프레임 섹션(12)이 제공되고, 상기 접점 섹션(28) 및 상기 수용 섹션(32)이 서로 물리적으로 분리되고 상기 접점 섹션(28)이 상기 제 1 측면에 대해 수직한 방향으로 상기 수용 섹션(32)보다 더 얇아 지도록 상기 접점 섹션(28)이 형성되며,
성형 재료(14)가 수용 개구(18)를 가지며, 상기 수용 개구 내에서 상기 수용 구역(30) 및 상기 접점 구역(26)이 성형 재료(14) 없이 남아 있지만 상기 성형 재료(14)의 일 부분이 상기 접점 섹션(28)과 상기 수용 섹션(32) 사이에 형성되도록, 그리고 상기 리드프레임 섹션(12)의 제 2 측면이 상기 접점 섹션(28)의 구역에서 상기 성형 재료(14)에 의해 덮이며, 상기 리드프레임 섹션(12)의 제 2 측면이 상기 수용 섹션(32)의 구역에서 성형 재료(14) 없이 남아 있도록, 상기 리드프레임 섹션(12)이 성형 재료(14) 내로 매립되며,
제 1 성형체 (42) 및 제 2 성형체(44)를 가지는 성형 도구(40)가 리드프레임 섹션(12)을 성형 재료(14) 내로 매립하기 위해 사용되며,
상기 리드프레임 섹션(12)의 제 1 측면이 상기 제 1 성형체(42)를 향하고 상기 리드프레임 섹션(12)의 제 2 측면이 상기 제 2 성형체(44)를 향하도록, 매립될 상기 리드프레임 섹션(12)이 상기 제 1 및 제 2 성형체(42, 44)들 사이에 배열되며, 상기 제 2 성형체(44)는 상기 접점 섹션(28)의 구역에서 하나 이상의 제 1 성형 요소(60)를 가지며, 상기 제 1 성형 요소의 높이는 상기 접점 구역(26)에서 상기 리드프레임 섹션(12)의 두께와 상기 수용 섹션(32)에서 상기 리드프레임 섹션(12)의 두께 사이의 차이를 초과하거나 그 차이와 동일하며,
상기 제 1 및 제 2 성형체(42, 44)들은 함께 가압되어, 그 결과로서 상기 제 1 성형 요소(60)가 상기 제 1 성형체(42)에 맞닿게 접점 섹션(28)을 가압하며,
상기 성형 재료(14)는 두 개의 성형체(42, 44)들 사이에 공급되며,
제 1 성형 요소(60)에 의해 성형 재료(14) 내에 개구(62)가 형성되는,
전자 컴포넌트용 하우징 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,
상기 접점 섹션(28)의 구역에서 상기 리드프레임 섹션(12)의 제 2 측면에 있는 성형 재료(14) 그리고 상기 수용 섹션(32)의 상기 제 2 측면에 있는 상기 리드프레임 섹션(12)이 평평한 영역을 형성하도록, 성형 재료(14)가 형성되는,
전자 컴포넌트용 하우징 제조 방법.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 성형 요소(60)의 높이는 상기 접점 섹션(28)에 있는 상기 리드프레임 섹션(12)의 두께와 상기 수용 섹션(32)에 있는 상기 리드프레임 섹션(12)의 두께 사이의 차이를 초과하며, 상기 두 개의 성형체(42, 44)들이 함께 가압될 때, 상기 리드프레임 섹션(12)의 제 2 측면에서 상기 접점 섹션(28)이 상기 제 1 성형 요소(60)에 의해 변형되는,
전자 컴포넌트용 하우징 제조 방법.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 개구(62)는 전기 절연성 재료(64)로 채워지는,
전자 컴포넌트용 하우징 제조 방법.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 리드프레임 섹션(12)은 리드프레임을 상기 성형 재료(14) 내로 매립함으로써 상기 성형 재료(14) 내로 매립되고, 상기 리드프레임은 상기 리드프레임 섹션(12) 및 추가의 리드프레임 섹션(12)을 가지며, 그 결과로서 하우징 배열체가 형성되며, 상기 리드프레임이 상기 성형 재료(14) 내로 매립된 후, 복수의 하우징(10)들이 상기 하우징 배열체로부터 개별화되는,
전자 컴포넌트용 하우징 제조 방법.
- 전자 조립체(8)를 제조하기 위한 방법으로서,
제 4 항 또는 제 5 항에 청구된 제조 방법에 따라서 하우징(10)이 제조되고 전자 컴포넌트(20)가 상기 수용 구역(30) 내에 배열되고 상기 접점 구역(26)에 전기적으로 커플링되는,
전자 조립체 제조 방법. - 삭제
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