JPH065756A - 樹脂封止型半導体装置および製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置および製造方法

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JPH065756A
JPH065756A JP18878292A JP18878292A JPH065756A JP H065756 A JPH065756 A JP H065756A JP 18878292 A JP18878292 A JP 18878292A JP 18878292 A JP18878292 A JP 18878292A JP H065756 A JPH065756 A JP H065756A
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JP
Japan
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lead piece
lead
piece
semiconductor chip
resin
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JP18878292A
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English (en)
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Koji Furusato
広治 古里
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Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
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Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 半導体チップを金属支持板に載置し、内部接
続子、リ−ド片を装着し、エポキシ樹脂等で封止する半導
体装置を共通のリ−ドフレ−ムで製造する場合、材料を
節約でき、加工を容易とする構造および製造方法を得る
ことを目的とする。 【構成】 樹脂封止部の外側で、第1のリ−ド片と第2
のリ−ド片間、又は第1のリ−ド片と第3のリ−ド片間
を連結するか、あるいは、第1、第2、第3のリ−ド片
間を連結しないで導出するかを半導体チップの構成に応
じて選択することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
および製造方法、特に、組立て構造に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来から、整流ダイオ−ドなどの半導体
チップを金属支持板に載置し、内部接続子、リ−ド片を
装着し、エポキシ樹脂等で封止する樹脂封止型半導体装
置が広く用いられている。
【0003】それらの製造手段として、金属支持板、リ
−ド片等は、リ−ドフレ−ムをプレス加工により加工形
成し、半導体チップを金属支持板の載置部に組立てた
後、成形金型によるトランスファモ−ルド法等で樹脂封
止を行い、次いで、リ−ドフレ−ムの不要部分を切除す
ると共に、複数個の半導体装置に分割形成している。
【0004】又、半導体装置内部の半導体チップによる
回路構成は、1ア−ム回路構成のもの、2ア−ム回路構
成のものなどがある。1ア−ム回路構成のものは、2つ
のリ−ド片間に1又は、複数個の半導体チップが接続さ
れ、単相半波整流、直流阻止、サ−ジ防護素子等の2端子
型機能素子として用いられる。又、2ア−ム回路構成の
ものは、3つのリ−ド片間に1又は複数個の半導体チッ
プが2組接続され、センタ−タップ、ダブラ−等の3端
子型機能素子として用いられる。
【0005】図1は、従来の2端子型樹脂封止型半導体
装置を例示する構造図で、(a)は平面図、(b)は回
路構成図である。又、図2は、従来の3端子型樹脂封止
型半導体装置を例示する構造図で、(a)は平面図、
(b)は回路構成図である。1は半導体チップ5を載置
し、固着する金属支持板、2は金属支持板に設けた第1
のリ−ド片、3は第2のリ−ド片、4は第3のリ−ド
片、6は線又は片の内部接続子、7は樹脂封止部であ
る。
【0006】図1の従来装置は、(b)図のように1ア
−ム回路構成で、第2のリ−ド片3と第3のリ−ド片4
により、例えば、単相半波回路を構成する。又、図2の
従来装置は、(b)図のように2ア−ム回路構成で、第
1のリ−ド片2をカソ−ドコモンとする、例えば、セン
タ−タップ整流回路を構成する。
【0007】図1と図2の従来装置を、共通のリ−ドフ
レ−ムにより製造する場合、図1(a)において、金属
支持板1と第2のリ−ド片3を接続する内部接続子6を
設けると共に、第1のリ−ド片2を切除する必要があっ
た。なお、図示を省略したが、リ−ドフレ−ムには、タ
イバ−やサイドレ−ルが設けられており、これらも、個
別装置に分割する際、切除する必要がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】1ア−ム回路構成およ
び2ア−ム回路構成による半導体チップを内蔵する樹脂
封止型半導体装置を共通のリ−ドフレ−ムにより製造す
る際、1ア−ム回路構成による場合、金属支持板とリ−
ド片を内部接続止子により接続すること、および金属支
持板からのリ−ド片を切除すること、の加工面および材
料面の不経済性等が問題点である。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも、
半導体チップ、金属支持板、及び第1、第2、第3のリ
−ド片から成り、第1のリ−ド片は、金属支持板から導
出し、かつ、第2のリ−ド片と第3のリ−ド片の中央部
に配置するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法
において、樹脂封止部の外側で、第1のリ−ド片と第2
のリ−ド片間、又は第1のリ−ド片と第3のリ−ド片間
を連結するか、あるいは、第1、第2、第3のリ−ド片
間を連結しないで導出するかを半導体チップの構成に応
じて選択することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
製造方法。
【0010】および第1、第2、第3のリ−ド片を連結
するタイバ−を形成し、半導体チップによる1ア−ム回
路構成とするときは、第1のリ−ド片と第2のリ−ド片
間、又は第1のリ−ド片と第3のリ−ド片間のタイバ−
を切除し、又、半導体チップによる2ア−ム回路構成と
するときは、リ−ド片間のいずれのタイバ−も切除する
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【0011】および、第1のリ−ド片と第2のリ−ド片
間、又は第1のリ−ド片と第3のリ−ド片間のいずれか
を連結し、第1のリ−ド片と連結しない方のリ−ド片に
は、半導体チップとの内部接続子を設け、又、第1のリ
−ド片と連結する方のリ−ド片には、内部接続子を設け
ないことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。これらに
より、製造容易で、経済的な樹脂封止型半導体装置およ
び製造方法を得る。
【0012】
【実施例】図3および図4は、本発明の実施例により得
られた構造図であり、図3は、1ア−ム構成のもので、
(a)は平面図、(b)は回路構成図である。又、図4
は、2ア−ム構成のもので、(a)は平面図、(b)は
回路構成図である。符号は、図1および図2と同一符号
は同等部分をあらわす。(以下の図においても同様とす
る。)
【0013】図5は、図3の本発明構造の製造方法を示
す製造工程図である。図5(a)のごとく、金属支持板
1、第1のリ−ド片2、第2のリ−ド片3、第3のリ−
ド片4は、タイバ−8とサイドレ−ル9により連結され
たリ−ドフレ−ムを形成している。又、金属支持板1の
それぞれには、半導体チップ5を半田付けし、さらに、
内部接続子6により、半導体チップ5と第3のリ−ド片
4を接続する。又、モ−ルド金型を用いて、樹脂封止部
7を形成する。
【0014】次いで、図5(b)の次工程において、タ
イバ−8、サイドレ−ル9および第1のリ−ド片2の不
要部分を切除し、タイバ−8の一部8aによって、第1
のリ−ド片2と第2のリ−ド片3を連結する。これによ
り、3−8a−2−1−5−6−4の経路により、1ア
−ム構成となる。
【0015】図4の本発明構造を、共通のリ−ドフレ−
ムで製造する場合には、図5(a)の製造工程図におい
て、半導体チップ5の2組を図4のように載置し、内部
接続子6をそれぞれに、接続し、タイバ−8およびサイ
ドレ−ル9を切除して構成する。これにより、3−6−
5−1−2と4−6−5−1−2の経路により、2ア−
ム構成となる。
【0016】1ア−ム構成において、内部接続子6を半
導体チップと第2のリ−ド片3間に接続する場合は、図
5(b)の第1のリ−ド片2と第3のリ−ド片4間のタ
−バ−8の一部を残し、8aを切除することにより構成
する。
【0017】このように、本発明の製造方法は、第1の
リ−ド片と第2のリ−ド片間、又は第1のリ−ド片と第
3のリ−ド片間を連結するか、あるいは、第1、第2、第
3のリ−ド片間を連結しないで導出するかを半導体チッ
プの回路構成に応じて選択でき、加工面および材料面で
有利となる。又、それらにより、構成が簡単な樹脂封止
型半導体装置を得る。
【0018】本発明の実施例において、前記せるよう
に、半導体チップの1ア−ム回路構成と2ア−ム回路構
成は、種々の2端子機能素子に利用でき、又、各部の変
形、付加、変換等の変更を、本発明の要旨の範囲でなし
得るものである。
【0019】
【発明の効果】以上説明のとおり、樹脂封止部の外側で
のリ−ド片の連結の選択により、半導体チップの回路構
成が簡単で、加工面および材料面に有利な樹脂封止型半
導体装置および製造方法を実現するので、電源機器をは
じめ、産業上の利用効果大なるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の2端子型樹脂封止型半導体装置の構造図
で、(a)は平面図、(b)は回路構成図である。
【図2】従来の3端子型樹脂封止型半導体装置の構造図
で、(a)は平面図、(b)は回路構成図である。
【図3】本発明の実施例による構造図(1ア−ム回路構
成)で、(a)は平面図、(b)は回路構成図である。
【図4】本発明の実施例による構造図(2ア−ム回路構
成)で、(a)は平面図、(b)は回路構成図である。
【図5】本発明の実施例による製造工程図で、(a)
は、切断前平面図、(b)は切断後平面図である。
【符号の説明】
1 金属支持板 2 第1のリ−ド片 3 第2のリ−ド片 4 第3のリ−ド片 5 半導体チップ 6 内部接続子 7 樹脂封止部 8 タイバ− 8a タイバ−の一部 9 サイドレ−ル

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも、半導体チップ、金属支持
    板、及び第1、第2、第3のリ−ド片から成り、第1の
    リ−ド片は、金属支持板から導出し、かつ、第2のリ−ド
    片と第3のリ−ド片の中央部に配置するようにした樹脂
    封止型半導体装置の製造方法において、樹脂封止部の外
    側で、第1のリ−ド片と第2のリ−ド片間、又は第1の
    リ−ド片と第3のリ−ド片間を連結するか、あるいは、
    第1、第2、第3のリ−ド片間を連結しないで導出する
    かを半導体チップの構成に応じて選択することを特徴と
    する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 第1、第2、第3のリ−ド片を連結する
    タイバ−を形成し、半導体チップによる1ア−ム回路構
    成とするときは、第1のリ−ド片と第2のリ−ド片間、
    又は第1のリ−ド片と第3のリ−ド片間のタイバ−を切
    除し、又、半導体チップによる2ア−ム回路構成とする
    ときは、リ−ド片間のいずれのタイバ−も切除すること
    を特徴とする請求項1の樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  3. 【請求項3】 少なくとも、半導体チップ、金属支持
    板、及び第1、第2、第3のリ−ド片から成り、第1の
    リ−ド片は、金属支持板から導出し、かつ、第2のリ−ド
    片と第3のリ−ド片の中央部に配置するようにした樹脂
    封止型半導体装置において、第1のリ−ド片と第2のリ
    −ド片間、又は第1のリ−ド片と第3のリ−ド片間のい
    ずれかを連結し、第1のリ−ド片と連結しない方のリ−
    ド片には、半導体チップとの内部接続子を設け、又、第
    1のリ−ド片と連結する方のリ−ド片には、内部接続子
    を設けないことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008283059A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Nippon Inter Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2009272578A (ja) * 2008-05-12 2009-11-19 Nippon Inter Electronics Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2011249395A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

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