JPH02156558A

JPH02156558A - 半導体装置のリードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH02156558A
Application number: JP31166788A
Authority: JP
Inventors: Junzo Ishizaki; 石崎　順三; Hajime Kashida; 樫田　元
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1988-12-08
Filing date: 1988-12-08
Publication date: 1990-06-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、樹脂封止型半導体装置のリードフレーム、お
よびそのリードフレームを用いた、デュアル・インライ
ン・パッケージ（以下、ＤＩＰという）型とシングル・
インライン・パッケージ（以下、ＳＩＰという）型との
二種類の半導体装置の製造方法に関するしのである。

〈従来技術〉一般に、半導体装置は、ＤＴＰ型半導体装置とＳＩＰ型
半導体装置に大別される。ＳＩＰ型半導体装置は、第１
０図（ａ）　（ｂ）の如く、半導体素子が搭載または半
導体素子に内部結線された折曲形（Ｌ字形）のリード端
子１，２，３．４と、該リード端子１．２，３．４を樹
脂により封止して成る外装５とから構成されている。

一方、ＤＩＰ型半導体装置は、第１１図（ａＸｂ）の如
く、リード端子１，２，３．４が直線的に形成されたも
のであり、その他の構成はＳＩＰ型半導体装置と同様で
ある。

そして、ＤＩＰ型半導体装置に利用される両持ちのリー
ドフレームは、第８図の如く、一対の横枠６．７と、該
横枠６．７に連結する縦枠８と、横枠６から縦枠８に平
行して突出するリード端子ｌ。

２．３．４と、該リード端子１，２，３．４と直交する
タイバー９．ｔｏとを備えている。

一方、ＳＩＰ型半導体装置は、第９図の如く、横枠６と
、該横枠６に連結する縦枠８ａと、前記横枠６から縦枠
８ａに平行して突出する前記リード端子１．２と、該リ
ード端子１．２と、前記縦枠８ａと直交してリード端子
１．２と縦枠８ａとを連結するタイバー９とを備えた片
持ち状の第一リードフレームＸを利用する。そして、こ
れと同様の構造の横枠７、縦枠８ｂ、リード端子３，４
、およびタイバーｌＯとを有する片持ち状の第二リード
フレームＹを、第一リードフレームＸに対向させてこれ
らを樹脂封止して製造される。

く　発明が解決しようとする問題点　〉従来のＳＩＰ型
およびＤＩＰ型半導体装置のリードフレームにおいて、
タイバー９．１０の切断部Ａは、第８．９図の如く、各
リード端子１、２゜３．４につき一箇所であるが、その
構造がＩＭＰ型半導体装置のリードフレームの場合、第
８図の如く、両持ちフレームであり、ＳＩＰ型半導体装
置のリードフレームの場合、第９図の如く、片持ちフレ
ームであるため、モールド時には別々のモールド金型が
必要であり、またその他の製造設備においても共用でき
ないものが多く、ＤＴＰ型、ＳＩＰ型半導体装置に応じ
た別個の設備が必要であった。

そこで、本発明は、上記問題点に鑑み、同一のリードフ
レームにてＤＴＰ型およびＳＩＰ型半導体装置を供給で
き、またダイパー切断時までの製造設備の共用化が可能
な半導体装置のリードフレームおよびこれを用いた半導
体装置の製造方法の提供を目的とする。

く　問題点を解決するための手段　〉本発明請求項１による問題点解決手段は、第１゜２図の
如く、一対の横枠２０．２１と、該横枠２０．２Ｉを連
結する縦枠２２と、前記一方の横枠２０から縦枠２２に
平行して突出する複数のリード片２３．２４と、該複数
のリード片２３．２４の少なくとも一個の載置片吊り用
のリード片２３に設けられた半導体素子載置片２５と、
前記他方の横枠２１から縦枠２２に平行して突出する複
数のリード片２６．２７とを備えた半導体装置のリード
フレームにおいて、前記各リード片２３，２４゜２６．
２７に直交して該リード片２３，２４，２６゜２７を縦
枠に連結するリード兼用タイバー２８゜２９．３０．３
１が複数本設けられ、前記リード片のみを利用するリー
ド、端子と、前記リード片の一部とリード兼用タイバー
の一部とを利用するリード端子とを選択的に形成可能と
されたものである。

また、請求項２では、このリードフレームを用い、その
リード片のみを利用して直線的なリード端子を形成する
ことにより、ＤＩＰ型半導体装置を製造する。

さらに、請求項３では、上記のリードフレームを用い、
そのリード片の一部とリード兼用タイバーの一部とを利
用して、折曲リード端子を形成することにより、ＳＩＰ
型半導体装置を製造する。

〈作用〉上記問題点解決手段において、載置片２５に半導体素子
を搭載し、リード片２３，２４，２６．２７に内部結線
を施す。その後、これらをトランスファーモールド法等
により樹脂モールドする。

次に、各リード片２３，２４，２６．２７の両側に配さ
れたリード兼用タイバー２８．２９，３０゜３１を各リ
ード片２３，２４，２６．２７に沿って切断して直線的
なリード端子を形成し、ＤＩＰ型半導体装置が完成する
。

また、各リード片２３，２４，２６．２７の一部と、各
リード兼用タイバー２８．２９，３０．３１の一部とに
より形成されるＬ字形を残して切断して折曲リード端子
を形成し、ＳＩＰ型半導体装置が完成する。

このように、各リード片２３，２４，２６．２７と直交
してリード片２３，２４．２６．２７と縦枠２２とを連
結する複数のリード兼用タイバー２８゜２９．３０．３
１を設けることにより、リード片２３．２４，２６．２
７とリード兼用タイバー２８．２９．３０．３１の切断
箇所を変えるだけでＤＩＰ型およびＳＩＰ型半導体装置
を自由に供給することができる。

〈実施例〉以下、本発明の一実施例について図面により説明する。

第１図は本発明半導体装置のリードフレームの一実施例
を示す平面図、第２図は同じくそのリードフレームにお
いてモールド工程完了時を示す図、第３図は同じくその
リードフレームにおいてＤＩＰ型半導体装置を得るため
の切断状態を示す図、第４図は同じくそのリードフレー
ムにおいてＳＩＰ型半導体装置を得るための切断状態を
示す図、第５図（ａ）　（ｂ）は同じくそのリードフレ
ームを利用したＤＩＰ型半導体装置を示す図、第６図（
ａＸｂ）は同じくそのリードフレームを利用したＳＩＰ
型半導体装置を示す図、第７図（ａ）　（ｂ）　（ｃ）
は同じくＳＩＰ型半導体装置の実装状態を示す図である
。

本実施例の樹脂封止型半導体装置のリードフレームは、
第１図の如く、一対の横枠２０．２１と、該横枠２０，
２＋を連結する縦枠２２と、前記−方の横枠２０から縦
枠２２に平行して突出する一対のリード片２３．２４と
、該リード片２３．２４の一方に設けられた半導体素子
載置片２５と、前記他方の横枠２１から縦枠２２に平行
して突出する一対のリード片２６．２７とを一構造単位
とし、該−構造単位を前記横枠２０，２１の長手方向に
複数個連結して成る。

そして、前記縦枠２２とリード片２３．２４と直交して
縦枠２２とリード片２３．２４とを連結する第一、第二
リード兼用タイバー２８．２９と、前記縦枠２２とリー
ド片２６．２７と直交して縦枠２２とリード片２６．２
７とを連結する第三、第四リード兼用タイバー３０．３
１とが設けられている。

前記リード片２３の横枠２１側の先端には、前記載置片
２５が一体成形されている。該載置片２５は、第２図の
如く、半導体素子（例えば、発光素子または受光素子等
のチップ）３２が搭載されるよう長方形に形成されてい
る。

前記リード片２４の横枠２１側の先端およびリード片２
６．２７の横枠２０側の先端には、ボンディングワイヤ
３３により前記半導体素子３２と内部結線される短冊形
の接続片２４ａ、２６ａ、２７ａが夫々一体成形されて
いる。

前記第一リード兼用タイバー２８は、第１図の如く、前
記第二リード兼用タイバー２９よりも載置片２５側に配
され、前記第三リード兼用タイバー３０は、前記第四リ
ード兼用タイバー３１よりも載置片２５側に配されてい
る。

上記の如く構成されたリードフレームを利用したＤＩＰ
型半導体装置は、第５図（ａＸｂ）の如く、半導体素子
が搭載または半導体素子に内部結線され、リード片２３
．２４，６．２７のみを利用して直線的に形成されたリ
ード端子３４，３５，３６゜３７と、これらを樹脂によ
り封止されて成る外装３８とから構成されている。

一方、ＳＩＰ型半導体装置は、第６図（ａ）　（ｂ）の
如く、リード片２３，２４，２６．２７の一部およびタ
イバー２８．２９，３０．３１の一部を利用してリード
端子３４，３５．３６．３７が折曲形成されたものであ
り、その他の構成はＤＩＰ型半導体装置と同様である。

次に、ＤＩＰ型およびＳＩＰ型半導体装置の製造方法に
ついて説明する。

まず、ＤＩＰ型半導体装置の製造方法について説明する
。第２図の如く、載置片２５に半導体素子３２を接着用
ペーストにより搭載し、また半導体素子３２と各リード
片２３，２４，２６．２７との間にボンディングワイヤ
３３により内部結線を施す。その後、樹脂（例えば、エ
ポキシ樹脂）を用いてトランスファーモールド法等によ
り外装３８を形成する。そして、プラスター等を用いて
不用な樹脂パリを除去し、外装めっき（例えば、錫めっ
き等）をリードフレーム全体に施す。

次に、第３図の如く、切断部Ｂにおいて、各リード片２
３，２４，２６．２７の両側に配されたリード兼用タイ
バー２８．２９，３０．３１を各リード片２３．２４，
２６．２７に沿って切断して（図中、斜線部）リード端
子３４，３５，３６．３７を形成し、第５図（ａＸｂ）
の如きＤＴＰ型半導体装置が完成する。

次に、ＳＩＰ型半導体装置の製造方法について説明する
。リードフレームの切断前までの工程はＤＩＰ型半導体
装置の製造方法と同様である。そして、リード片２３．
２４，２６．２７の一部とリード兼用タイバー２８．２
９，３０．３１の一部とを利用して、第４図に示すよう
に切断すればＳＩＰ型半導体装置が得られる。その切断
方法は、以下に示す通りである。

（１）切断部Ｃ１において、タイバー２８はリード片２
３．２４間を切断し、リード片２３はタイバー２８．２
９間を切断して折曲リード端子３４とする。切断部Ｃ２
において、タイバー３０はリード片２６．２７間を切断
し、リード片２６はタイバー３０．３１間を切断するこ
とにより折曲り一ド端子３６を得る。

（２）切断部ＤＩにおいて、リード片２４の両側のタイ
バー２８を切断する。切断部Ｅｌにおいて、タイバー２
９はその縦枠２２側を切断し、リード片２４はその横枠
２０側を切断する。また、切断部Ｆｌにおいて、タイバ
ー２９の両側のリード片２３を切断することにより折曲
リード端子３５を得る。

（３）切断部Ｄ２において、リード片２７の両側のタイ
バー３０を切断する。切断部Ｅ２において、タイ／（−
３１はその縦枠２２側を切断し、リード片２７は横枠２
１側を切断する。また、切断部Ｆ２において、タイバー
３１の両側のリード片２６を夫々切断することにより折
曲されたリード端子３７を得る。

すなわち、各リード片２３．２４．２６．２７の一部と
、各リード兼用タイバー２８．２９，３　Ｑ。

３１の一部とにより形成されるＬ字形を残して切断して
（図中、斜線部）リード端子３４，３５，３６゜３７を
形成シ、第６図（ａ）（ｂ）ノ如きｓｒｐ型半導体装置
が完成する。

このように、縦枠２２とリード片２３．２４と直交して
縦枠２２とリード片２３．２４とを連結する第一、第二
リード兼用タイバー２８．２９と、縦枠２２とリード片
２６．２９と直交して縦枠２２とリード片２６．２７と
を連結する第三、第四リード兼用タイバー３０．３１と
を設けることにより、リード片２３，２４．２６．２７
とリード兼用タイバー２８．２９，３０．３１ノ切断箇
所を変えるだけでＤＩＰ型およびＳＩＰ型半導体装置を
自由に供給することができる。

したがって、同一のリードフレームにてＤＩＰ型および
ＳＩＰ型半導体装置を供給でき、またタイバー切断時ま
での製造設備の共用化が可能となまた、本発明リードフ
レームを利用してＳＩＰ型半導体装置を実装すると、そ
の高さを低くすることができる。すなわち、第７図（ａ
）　（ｂ）　（ｃ）に示す蛇く、ｉＰ型半導体装置を実
装するとき、基板３９に形成されたランド孔４０にリー
ド端子３４．３５，３６，３７を挿入し、外装３８の底
面３８ａで支持した状態で半田４１にて固定し、基板３
９上に形成された回路パターンと導通を図る。

上記ＳＩＰ型半導体装置は、外装３８の底面３８ａにて
支持され、実装の高さｈが外装３８の幅で決定されるた
め、従来の半導体装置のリードフレームを利用したＳＩ
Ｐ型半導体装置（第１Ｏ図（ａ）（ｂ）に示す）に比べ
て高さを低く抑えることかできる。

なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく
、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修正および変更
を加え得ることは勿論である。

例えば、本実施例では、四端子型半導体装置のリードフ
レームについて記載したが、端子の敗に応じてリード兼
用タイバーを増すことにより所望の端子数に半導体装置
（例えば、六端子型半導体装置）に利用できる。

〈発明の効果〉以上の説明から明らかな通り、本発明きよると、請求項
１では、一対の横枠と、該横枠を連結する縦枠と、前記
一方の横枠から縦枠に平行して突出する複数のリード片
と、該複数のリード片の少なくとも一個の載置片吊り用
のリード片に設けられた半導体素子載置片と、前記他方
の横枠から縦枠に平行して突出する複数のリード片とを
備えた半導体装置のリードフレームにおいて、前記各リ
ード片に直交して該リード片を縦枠に連結するリード兼
用タイバーが複数本設けられているので、タイバー切断
時までの製造設備の共用化が可能となる。

また、請求項２では、請求項１記載のリードフレームを
用い、前記リード片のみを利用して直線的なリード端子
を形成するので、ＤＩＰ型半導体装置を供給できる。

さらに、請求項３では、請求項１記載のリードフレーム
を用い、前記リード片の一部とリード兼用タイバーの一
部とを利用して折曲リード端子を形成するので、ＳＩＰ
型半導体装置を供給できる。

すなわち、リード片およびリード兼用タイバーの切断箇
所を選択的に変更するだけでＤＩＰ型およびＳＩＰ型半
導体装置を自由に供給することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明半導体装置のリードフレームの一実施例
を示す平面図、第２図は同じくそのリードフレームにお
いてモールド工程完了時を示す図、第３図は同じくその
リードフレームにおいてＤＩＰ型半導体装置を得るため
の切断状態を示す図、第４図は同じくそのリードフレー
ムにおいてＳＩＰ型半導体装置を得るための切断状態を
示す図、第５図（ａ）（ｂ）は同じくそのリードフレー
ムを利用したＤＩＰ型半導体装置を示す図、第６図（ａ
Ｘｂ）は同じくそのリードフレームを利用したＳＩＰ型
半導体装置を示す図、第７図（ａ）（ｂＸｃ）は同じく
ＳＩＰ型半導体装置の実装状態を示す図、第８図は従来
のＳＩＰ型半導体装置のリードフレームの平面図、第９
図はＤＩＰ型半導体装置のリードフレームの平面図、第
１Ｏ図（ａ）　（ｂ）は従来のＳＩＰ型半導体装置のリ
ードフレームが利用されたＳＩＰ型半導体装置を示す図
、第１１図（ａ）　（ｂ）は従来のＤＩＰ型半導体装置
のリードフレームが利用されたＤＩＰ型半導体装置を示
す図である。２０．２１　：横枠、２２：縦枠、２３，２４，２６゜
２７：リード片、２５：載置片、２８，２９，３０゜３
１：リード兼用タイバー

Claims

【特許請求の範囲】１、一対の横枠と、該横枠を連結する縦枠と、前記一方
の横枠から縦枠に平行して突出する複数のリード片と、
該複数のリード片の少なくとも一個の載置片吊り用のリ
ード片に設けられた半導体素子載置片と、前記他方の横
枠から縦枠に平行して突出する複数のリード片とを備え
た半導体装置のリードフレームにおいて、前記各リード
片に直交して該リード片を縦枠に連結するリード兼用タ
イバーが複数本設けられ、前記リード片のみを利用する
リード端子と、前記リード片の一部とリード兼用タイバ
ーの一部とを利用するリード端子とを選択的に形成可能
とされたことを特徴とする半導体装置のリードフレーム
。２、請求項１記載のリードフレームを用い、そのリード
片のみを利用して直線的なリード端子を形成することを
特徴とするデュアル・インライン・パッケージ型半導体
装置の製造方法。３、請求項１記載のリードフレームを用い、そのリード
片の一部とリード兼用タイバーの一部とを利用して、折
曲リード端子を形成することを特徴とするシングル・イ
ンライン・パッケージ型半導体装置の製造方法。