JP2014158000A - リードフレーム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リードの長手方向の一端部を半導体チップに電気接続した上で、リードの一端部及び半導体チップをモールド樹脂により封止し、リードの他端部をモールド樹脂から延出させた半導体装置の製造に用いるリードフレームの汎用性向上を図れるようにする。
【解決手段】長手方向に延びて形成されると共に、長手方向に直交する幅方向に間隔をあけて配列されて半導体装置のリードを構成する複数のリード本体部１２と、リード本体部１２の長手方向の中途部に接続されて複数のリード本体部１２を一体に連結する枠体部１３と、互いに隣り合う二つのリード本体部１２の長手方向の他端部２４に一体に形成されるリード拡幅部１５と、を備えるリードフレーム１を提供する。
【選択図】図２

Description

この発明は、リードフレーム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。

従来の半導体装置には、例えば特許文献１のように、半導体チップ（半導体素子）を複数のリードに電気接続した上で、半導体チップ及び各リードのうち半導体チップに接続された部分を封止樹脂で被覆したものがある。この種の半導体装置では、各リードが半導体チップから離れる方向に延びており、複数のリードがその延出方向に直交する方向（幅方向）に間隔をあけて配列されている。また、半導体チップ側に位置するリードの延出方向基端部が、ワイヤー等によって半導体チップに電気接続されている。

そして、このような半導体装置の製造に用いる従来のリードフレームは、互いに間隔をあけて配列された複数のリードを外枠によって一体に連結して構成されている。この外枠は、複数のリードを互いに電気的に独立させるために、半導体装置の製造時に切り落とされる。特許文献１のリードフレームでは、外枠が各リードの延出方向の先端に接続されている。

特開２００８−３４６０１号公報

ところで、近年では様々な仕様の半導体装置の製造が要求されている。例えば、リードに様々な大きさの電流（大電流・小電流）を流す種々の半導体装置が必要とされることがある。この場合、リードに流れる電流の大きさに合わせてリードの太さを変更する必要がある。
しかしながら、従来のリードフレームでは、全てのリードの太さ（幅寸法）が同一に設定されているため、半導体装置の仕様に合わせて個別にリードフレームを用意する必要がある。すなわち、リードフレームの汎用性が低い、という問題がある。

本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、汎用性の高いリードフレーム、これを用いて製造される半導体装置、及び、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

この課題を解決するために、本発明のリードフレームは、リードの長手方向の一端部を半導体チップに電気接続した上で、前記リードの一端部及び前記半導体チップをモールド樹脂により封止し、前記リードの他端部を前記モールド樹脂から延出させてなる半導体装置の製造に用いるリードフレームであって、前記長手方向に延びて形成されると共に、前記長手方向に直交する幅方向に間隔をあけて配列されて前記リードを構成する複数のリード本体部と、前記リード本体部の長手方向の中途部に接続されて複数の前記リード本体部を一体に連結する枠体部と、互いに隣り合う二つの前記リード本体部の長手方向の他端部に一体に形成されるリード拡幅部と、を備えることを特徴とする。

そして、前記リードフレームでは、前記リード拡幅部と前記リード本体部の他端部との接続部分に、前記枠体部から前記長手方向に延びる前記リード本体部の他端部の延出方向先端側から基端側に窪む凹所が形成されていると好ましい。

また、前記リードフレームでは、前記リード拡幅部の前記幅方向の寸法が、前記枠体部から前記長手方向に延びる前記リード本体部の他端部の前記幅方向の寸法よりも大きいとよい。

本発明の半導体装置は、前記リードフレームを用いて製造されるものであって、半導体チップと、前記リード本体部の少なくとも一端部を含んで構成されるリードと、前記半導体チップ及び前記リード本体部の一端部を電気接続する接続子と、前記半導体チップ、前記リードの一端部及び前記接続子を封止するモールド樹脂と、を備え、前記リードの長手方向の他端部が前記モールド樹脂から延出していることを特徴とする。

そして、前記半導体装置では、前記モールド樹脂から延出する前記リードの他端部のうち前記リードの幅方向に向く側面に、前記リードの他端部の延出方向先端側から基端側に向けてめっきを施しためっき領域と、めっきが施されていない非めっき領域とが順番に配列されているとよい。

また、前記半導体装置では、前記リードの他端部が、前記リード拡幅部を含んで構成されていると好ましい。

本発明の半導体装置の製造方法は、前記リードフレームを用いて半導体装置を製造する方法であって、前記リード拡幅部と前記リード本体部の他端部との接続部分に、前記枠体部から延びる前記リード本体部の他端部の延出方向先端側から前記長手方向に窪む凹所が形成された前記リードフレームを用意するフレーム準備工程と、前記半導体チップと前記リード本体部の一端部とを接続子により電気接続する接続工程と、前記半導体チップ及び前記リードの一端部をモールド樹脂により封止するモールド工程と、前記モールド樹脂の外側に位置する前記リードフレームの表面にめっきを施すめっき工程と、前記リード拡幅部と前記リード本体部の他端部とを前記凹所において切り離すように前記リードフレームを切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、同一のリードフレームを用いて様々な仕様の半導体装置を製造することが可能となる。すなわち、リードフレームの汎用性向上を図ることができる。

本発明の第一実施形態に係るリードフレームを示す平面図である。 図１のリードフレームの一ユニットを示す拡大平面図である。 図１，２に示すリードフレームの断面図である。 図１〜３に示すリードフレームを用いて製造される第一の半導体装置の製造過程を示す平面図である。 図１〜３に示すリードフレームを用いて製造される第一の半導体装置を示す平面図である。 図５のＡ−Ａ矢視断面図である。 図１〜３に示すリードフレームを用いて製造される第二の半導体装置の製造過程を示す平面図である。 図１〜３に示すリードフレームを用いて製造される第二の半導体装置を示す平面図である。 図１〜３に示すリードフレームを用いて製造される第三の半導体装置の製造過程を示す平面図である。 図１〜３に示すリードフレームを用いて製造される第三の半導体装置を示す平面図である。 図１〜３に示すリードフレームを用いて製造される第四の半導体装置の製造過程を示す平面図である。 図１〜３に示すリードフレームを用いて製造される第四の半導体装置を示す平面図である。 本発明の第二実施形態に係るリードフレームを示す概略平面図である。 図１３に示すリードフレームを用いて製造される第五の半導体装置の製造過程を示す平面図である。 図１３に示すリードフレームを用いて製造される第五の半導体装置を示す平面図である。 図１３に示すリードフレームを用いて製造される第六の半導体装置の製造過程を示す平面図である。 図１３に示すリードフレームを用いて製造される第六の半導体装置を示す平面図である。 図１３に示すリードフレームを用いて製造される第七の半導体装置の製造過程を示す平面図である。 図１３に示すリードフレームを用いて製造される第七の半導体装置を示す平面図である。 図１３に示すリードフレームを用いて製造される第八の半導体装置の製造過程を示す平面図である。 図１３に示すリードフレームを用いて製造される第八の半導体装置を示す平面図である。 図１３に示すリードフレームを用いて製造される第九の半導体装置の製造過程を示す平面図である。 図１３に示すリードフレームを用いて製造される第九の半導体装置を示す平面図である。

〔第一実施形態〕
以下、図１〜１２を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
図１〜３に示すように、この実施形態に係るリードフレーム１は、後述する樹脂封止型の半導体装置３０（図４〜１２参照）の製造に使用するものであり、銅板等のように導電性を有する板材にプレス加工等を施すことで得られる。
このリードフレーム１は、ダイパッド１１、リード本体部１２、枠体部１３、支持用リード１４、リード拡幅部１５を備えている。

ダイパッド１１は略板状に形成され、厚さ方向に直交するダイパッド１１の一方の主面が、半導体チップ３１を搭載する搭載面１１ａとなっている。
また、本実施形態のダイパッド１１は、板厚の大きい厚板部２１と、厚板部２１よりも厚さ寸法の小さい薄板部２２を有している。前述した搭載面１１ａは厚板部２１に形成されている。厚板部２１の厚さ寸法は、リード本体部１２、枠体部１３、支持用リード１４、リード拡幅部１５よりも大きく設定されている。
薄板部２２は、リード本体部１２が隣り合せて配されるダイパッド１１の一端と反対側に位置するダイパッド１１の他端をなしている。この薄板部２２は、搭載面１１ａよりも高さ位置を低く設定した段差面１１ｃを有する。

リード本体部１２は、後述する半導体装置３０においてリード３４を構成するものであり（図５等参照）、平面視したダイパッド１１の一端側に間隔をあけて配されている。リード本体部１２は、ダイパッド１１の搭載面１１ａに沿ってダイパッド１１の一端から離れる方向に延びて形成されている。なお、以下の説明では、リード本体部１２の長手方向の両端部のうち、ダイパッド１１に隣り合う端部を「一端部２３」と呼び、ダイパッド１１から離れて位置する端部を「他端部２４」と呼ぶ。

本実施形態では、リード本体部１２が、同一のダイパッド１１に対して二つ設けられている。二つのリード本体部１２は、ダイパッド１１の搭載面１１ａに沿ってリード本体部１２の長手方向に直交する幅方向に間隔をあけて配列されている。また、これら二つのリード本体部１２の長手方向は互いに平行している。
なお、図示例では、各リード本体部１２の一端部２３が他端部２４よりも幅広に設定されているが、これに限ることはない。例えばリード本体部１２の一端部２３及び他端部２４が同一の幅寸法に設定されてもよい。

また、本実施形態のリード本体部１２の一端部２３には、ダイパッド１１に搭載された半導体チップ３１と電気接続するためのワイヤー３２（図４等参照）を接合する接合部が形成されている。なお、図示例では、接合部がリード本体部１２の一端部２３の他の部分よりも幅広に形成されているが、これに限ることはない。

枠体部１３は、リード本体部１２の長手方向の中途部２５に接続され、二つのリード本体部１２を一体に連結する連結部分１３Ａを有する。連結部分１３Ａは、二つのリード本体部１２の間においてこれらの配列方向に延びる帯状に形成されている。これにより、各リード本体部１２の一端部２３は、連結部分１３Ａからダイパッド１１に近づく方向に延出している。また、各リード本体部１２の他端部２４は、連結部分１３Ａからダイパッド１１に対して離れる方向に延出している。

支持用リード１４は、ダイパッド１１を枠体部１３の連結部分１３Ａに連結して支持するものである。なお、図示例の支持用リード１４は、同一のダイパッド１１に対応づけて配された二つのリード本体部１２の間に配されると共に、ダイパッド１１の一端から連結部分１３Ａまで延びているが、これに限ることはない。また、図示例の支持用リード１４は、ダイパッド１１をなす厚板部２１の厚さ方向のうち搭載面１１ａ側の端部に接続されているが、これに限ることはない。

リード拡幅部１５は、互いに隣り合う二つのリード本体部１２の他端部２４の間に配され、これら二つのリード本体部１２の他端部２４に一体に形成されている。本実施形態では、リード本体部１２の幅方向に対応するリード拡幅部１５の幅寸法が、リード本体部１２の幅寸法よりも大きく設定されている。
なお、図示例のリード拡幅部１５は、枠体部１３の連結部分１３Ａにも一体に連結されているが、例えば連結されずに枠体部１３との間に間隔をあけて配されてもよい。

そして、各リード本体部１２の他端部２４とリード拡幅部１５との接続部分には、枠体部１３から延びるリード本体部１２の他端部２４の延出方向先端側から基端側に窪む凹所２６が形成されている。この凹所２６により、各リード本体部１２の他端部２４の延出方向先端部が、リード拡幅部１５に対して間隔をあけて配される。
さらに、各リード本体部１２の他端部２４とリード拡幅部１５との接続部分には、リードフレーム１の厚さ方向に貫通する切欠孔２７が形成されている。この切欠孔２７は、前述の凹所２６に対してリード本体部１２の他端部２４の延出方向基端側に間隔をあけて配されている。この切欠孔２７により、各リード本体部１２の他端部２４の延出方向基端部が、リード拡幅部１５に対して間隔をあけて配される。
すなわち、本実施形態のリードフレーム１では、リード拡幅部１５が、各リード本体部１２の他端部２４の延出方向中途部のみに接続されている。

上述したリードフレーム１の構成は、一つの半導体装置を製造するための構成であるが、本実施形態では、同一のリードフレーム１を用いて複数の半導体装置を製造できるように、一つの半導体装置を製造するためのユニット（ダイパッド１１、二つのリード本体部１２、支持用リード１４、リード拡幅部１５を含むユニット）を複数接続して構成されている。具体的には、複数のユニットを同じ向きに配すると共に、枠体部１３の連結部分１３Ａの延在方向に互いに間隔をあけて並べられた状態で、これら複数のユニットが枠体部１３の接続部分１３Ｂによって接続されている。

なお、枠体部１３の接続部分１３Ｂは、各連結部分１３Ａの両端に接続され、連結部分１３Ａの延在方向に延びている。すなわち、枠体部１３は、複数のリード本体部１２の配列方向に延びる帯状に形成されている。
また、本実施形態のリードフレーム１には、互いに隣り合うダイパッド１１の他端同士を連結する連結部１６が形成されている。これにより、各ダイパッド１１の両端が枠体部１３及び連結部１６によって支持され、リードフレーム１の剛性が高められている。

以上のように構成される本実施形態のリードフレーム１を用いれば、図５等に例示するように、リード３４の長手方向の一端部３５を半導体チップ３１に電気接続した上で、リード３４の一端部３５及び半導体チップ３１をモールド樹脂３３により封止し、リード３４の他端部３６をモールド樹脂３３から延出させてなる複数種類の半導体装置３０を製造することが可能である。以下、本実施形態のリードフレーム１を用いて製造される四種類の半導体装置３０及びその製造方法について、図３〜１２を参照して具体的に説明する。

（第一の半導体装置）
まず、図３〜６を参照して第一の半導体装置３０Ａを製造する方法について説明する。
第一の半導体装置３０Ａを製造する際には、はじめに、上記構成のリードフレーム１を用意する（フレーム準備工程）。また、フレーム準備工程では、支持用リード１４を折り曲げることで、ダイパッド１１の搭載面１１ａがリード本体部１２よりも下方に位置するようにダイパッド１１をその厚さ方向にずらすダウンセット加工を実施する（図３参照）。

次いで、図４に示すように、ダイパッド１１の搭載面１１ａに半導体チップ３１を搭載する（搭載工程）。半導体チップ３１は、ダイオードのように両面に電極を有するものである。したがって、この搭載工程では、半導体チップ３１の一方の電極をはんだ等によりダイパッド１１の搭載面１１ａに接合することで、半導体チップ３１がダイパッド１１に電気接続される。

その後、半導体チップ３１とリード本体部１２の一端部２３とをワイヤー（接続子）３２により電気接続する（接続工程）。この工程では、二つのリード本体部１２のうち一方のリード本体部１２（第一リード本体部１２Ａ）のみにワイヤー３２が接合され、他方のリード本体部１２（第二リード本体部１２Ｂ）にはワイヤー３２が接合されない。すなわち、半導体チップ３１と第一リード本体部１２Ａとが電気接続され、第二リード本体部１２Ｂは半導体チップ３１に電気接続されない。

さらに、半導体チップ３１、ダイパッド１１、二つのリード本体部１２の一端部２３、支持用リード１４及びワイヤー３２をモールド樹脂３３により封止する（モールド工程）。モールド工程では、ダイパッド１１の他方の主面（下面１１ｂ）が露出するように、また、薄板部２２の一部が外部に突出するようにモールド樹脂３３が形成される（図６参照）。また、各リード本体部１２の他端部２４、枠体部１３、リード拡幅部１５、連結部１６がモールド樹脂３３の外側に配される。なお、図示例のようにモールド樹脂３３が枠体部１３（特に連結部分１３Ａ）との間に隙間をあけるように形成されている場合には、リード本体部１２の一端部２３及び支持用リード１４のうち、枠体部１３側に位置する部分もモールド樹脂３３の外側に位置する。

その後、モールド樹脂３３の外側に位置するリードフレーム１の表面全体にめっきを施す（めっき工程）。この工程は、特に、製造後の第一の半導体装置３０Ａにおいてリード３４の他端部３６やダイパッド１１の下面１１ｂに対するはんだの濡れ性を向上させるために行われる（図６参照）。
そして、このめっき工程後に、リードフレーム１の各部を適宜切断する（切断工程）。

切断工程では、枠体部１３の接続部分１３Ｂ及び連結部１６を切り落とす。
また、切断工程では、各リード本体部１２とリード拡幅部１５とを凹所２６及び切欠孔２７において切り離すようにリードフレーム１を切断する。さらに、枠体部１３のうち二つのリード本体部１２を連結する連結部分１３Ａを二つのリード本体部１２及び支持用リード１４から切り離すようにリードフレーム１を切断する。これにより、ダイパッド１１と二つのリード本体部１２とが分離する。また、リード拡幅部１５が切り落とされ、二つのリード本体部１２が互いに電気的に独立する。

切断工程後の状態において、二つのリード本体部１２の内側に向く各リード本体部１２の他端部２４の側面には、図４，６に示すように、リード本体部１２の他端部２４の延出方向先端側から基端側に向けてめっきを施した領域（めっき領域４１ａ，４１ｃ）と、リード拡幅部１５から切り離した領域（非めっき領域４１ｂ，４１ｄ）とが順番に配列される。具体的には、二つのめっき領域４１ａ，４１ｃと非めっき領域４１ｂ，４１ｄとがリード本体部１２の他端部２４の延出方向先端側から基端側に向けて交互に配列されている。

リード本体部１２の他端部２４のうち最も延出方向先端側に位置する第一めっき領域４１ａは、リードフレーム１における凹所２６の内面に対応している。また、第一めっき領域４１ａよりもリード本体部１２の他端部２４の基端側に位置する第二めっき領域４１ｃは、リードフレーム１における切欠孔２７の内面に対応している。
さらに、これら二つのめっき領域４１ａ，４１ｃの間に位置する第一非めっき領域４１ｂは、リードフレーム１における各リード本体部１２とリード拡幅部１５との接続部分に対応している。また、第二めっき領域４１ｃよりもリード本体部１２の一端部２３側に位置する第二非めっき領域４１ｄは、リードフレーム１において各リード本体部１２の中途部２５と枠体部１３の連結部分１３Ａとが接続されていた部分に対応している。

最後に、各リード本体部１２のうちモールド樹脂３３から延出する部分に折り曲げ加工を施す（折り曲げ工程）ことで、図５，６に示す第一の半導体装置３０Ａが得られる。
折り曲げ工程では、図５，６に示すように、リード本体部１２の他端部２４の延出方向先端部（第一めっき領域４１ａを含む部分）と延出方向中途部（第一非めっき領域４１ｂを含む部分）との境界部分、及び、リード本体部１２の中途部２５（第二非めっき領域４１ｄを含む部分）の二か所において折り曲げる。
これにより、リード本体部１２の他端部２４の延出方向先端部（先端部３７）が、リード本体部１２の一端部２３よりも低く位置してダイパッド１１の下面１１ｂと共に同一平面をなすように配される。また、リード本体部１２の他端部２４の延出方向中途部及び延出方向基端部（立ち上がり部３８）が、延出方向先端部に対して上方に立ち上がる。

以上のように製造される第一の半導体装置３０Ａは、図５，６に示すように、半導体チップ３１、ダイパッド１１、二つのリード３４、ワイヤー（接続子）３２、モールド樹脂３３を備えている。
半導体チップ３１は、ダイオードのように両面に電極を有するものであり、半導体チップ３１の一方の電極がはんだ等により搭載面１１ａに接合されることで、ダイパッド１１に電気接続されている。

各リード３４は、リードフレーム１のリード本体部１２のみによって構成されている。具体的には、モールド樹脂３３により封止されたリード３４の長手方向の一端部３５が、リード本体部１２の一端部２３によって構成されている。一方、モールド樹脂３３から延出するリード３４の他端部３６は、リード本体部１２の他端部２４によって構成されている。なお、図示例では、リード本体部１２の一端部２３の一部がモールド樹脂３３の外側に位置するため、リード３４の他端部３６はリード本体部１２の一端部２３の一部も含んで構成されている。

また、各リード３４の他端部３６の延出方向の先端部３７が、リード本体部１２の他端部２４の延出方向先端部に対応している。さらに、各リード３４の他端部３６には、その先端部３７に対して上方に立ち上がる立ち上がり部３８が形成されているが、この立ち上がり部３８は、リード本体部１２の他端部２４の延出方向中途部及び延出方向基端部に対応している。

そして、各リード３４の他端部３６のうち二つのリード３４の配列方向に向く側面には、リード３４の他端部３６の延出方向先端側から基端側に向けてめっきを施しためっき領域４１ａ，４１ｃと、めっきが施されていない非めっき領域４１ｂ，４１ｄとが順番に配列されている。具体的には、二つのめっき領域４１ａ，４１ｃと非めっき領域４１ｂ，４１ｄとが、リード３４の他端部３６の延出方向先端側から基端側に向けて交互に配列されている。
リード３４の他端部３６のうち最も延出方向先端側に位置する第一めっき領域４１ａは、リード３４の先端部３７に形成されている。また、第一めっき領域４１ａに隣り合うように順番に配列される第一非めっき領域４１ｂ及び第二めっき領域４１ｃは、リード３４の立ち上がり部３８に形成されている。

ワイヤー３２は、その両端が半導体チップ３１の他方の電極及び第一リード３４Ａの一端部３５に接合され、半導体チップ３１と第一リード３４Ａとを電気接続している。
モールド樹脂３３は、半導体チップ３１、ダイパッド１１、各リード３４の一端部３５及びワイヤー３２を封止している。本実施形態のモールド樹脂３３は、ダイパッド１１の下面１１ｂが露出するように、また、ダイパッド１１の薄板部２２の一部が外部に突出するように形成されている。さらに、モールド樹脂３３は、各リード３４の他端部３６が外部に配されるように形成されている。

以上のように構成される第一の半導体装置３０Ａでは、ダイパッド１１が第一の半導体装置３０Ａにおける一方の電極（例えばカソード電極）をなし、第一リード３４Ａが第一の半導体装置３０Ａにおける他方の電極（例えばアノード電極）をなしている。なお、第二リード３４Ｂは、半導体チップ３１に電気接続されておらず、所謂ダミーリードとなっている。

以上のように構成される第一の半導体装置３０Ａによれば、実装基板（不図示）への実装に際して、各リード３４の先端部３７やダイパッド１１の下面１１ｂをはんだによって実装基板のランド（不図示）に接合する場合に、はんだがリード３４の先端部３７よりも基端側に無駄に濡れ広がることを抑制することができる。
具体的に説明すれば、リード３４の先端部３７の側面には第一めっき領域４１ａが形成され、リード３４の先端部３７に隣り合う立ち上がり部３８の側面には第一非めっき領域４１ｂが形成されるため、前述したはんだが立ち上がり部３８に濡れ広がることを抑制できる。したがって、必要最小限のはんだ量によってリード３４の先端部３７を実装基板のランドに対して強固に固定できる。

（第二の半導体装置）
まず、図７，８を参照して第二の半導体装置３０Ｂを製造する方法について説明する。
第二の半導体装置３０Ｂを製造する際には、はじめに、前述した第一の半導体装置３０Ａの場合と同様のフレーム準備工程、搭載工程、接続工程を順番に実施する。ただし、接続工程では、図７に示すように、第一の半導体装置３０Ａと比較して半導体チップ３１に大電流を流すことができるように、二つのリード本体部１２の両方にワイヤー３２が接合される。また、各リード本体部１２と半導体チップ３１との間にワイヤー３２が二本ずつ配される。
その後、第一の半導体装置３０Ａの場合と同様のモールド工程、めっき工程を順番に実施する。
さらに、めっき工程後に、リードフレーム１の各部を適宜切断する（切断工程）。

切断工程では、前述した第一の半導体装置３０Ａの場合と同様に、枠体部１３の接続部分１３Ｂ及び連結部１６を切り落とす。
さらに、切断工程では、枠体部１３の連結部分１３Ａを支持用リード１４から切り離すようにリードフレーム１を切断する。これにより、ダイパッド１１と二つのリード本体部１２とが分離される。切断工程後の状態では、二つのリード本体部１２がこれらの間の枠体部１３の連結部分１３Ａ及びリード拡幅部１５によって一体に形成されている。なお、枠体部１３の連結部分１３Ａは、例えば切断工程において切り落とされてもよい。

最後に、第一の半導体装置３０Ａの場合と同様の折り曲げ工程を実施することで、図８に示す第二の半導体装置３０Ｂが得られる。折り曲げ工程では、図８に示すように、モールド樹脂３３から延出する二つのリード本体部１２の他端部２４、リード拡幅部１５及び枠体部１３の連結部分１３Ａに折り曲げ加工を施す。具体的には、各リード本体部１２の他端部２４の延出方向先端部（凹所２６に隣り合う部分）と延出方向中途部（リード拡幅部１５との接続部分）との境界部分、及び、各リード本体部１２の中途部２５（連結部分１３Ａとの接続部分）の二か所において折り曲げる。また、各リード本体部１２の折り曲げ箇所に対応するリード拡幅部１５及び連結部分１３Ａの各部も折り曲げる。

これにより、リード本体部１２の他端部２４の延出方向先端部、及び、これに対応するリード拡幅部１５の部分（先端部３７）が、第一の半導体装置３０Ａの場合と同様に、リード本体部１２の一端部２３よりも低く位置してダイパッド１１の下面１１ｂと共に同一平面をなすように配される。また、リード本体部１２の他端部２４の延出方向中途部及び延出方向基端部、並びにこれに対応するリード拡幅部１５の部分（立ち上がり部３８）が、リード本体部１２の他端部２４の延出方向先端部に対して上方に立ち上がる（図６参照）。

以上のように製造される第二の半導体装置３０Ｂは、図８に示すように、第一の半導体装置３０Ａと同様の半導体チップ３１、ダイパッド１１、リード３４、ワイヤー３２、モールド樹脂３３を備えている。ただし、第二の半導体装置３０Ｂはリード３４を一つだけ備え、リード３４の形状が第一の半導体装置３０Ａと異なっている。
リード３４は、リードフレーム１のうち二つのリード本体部１２及びリード拡幅部１５によって構成されている。なお、図示例のリード３４は、枠体部１３の連結部分１３Ａも含んで構成されている。

具体的には、モールド樹脂３３により封止されたリード３４の長手方向の一端部３５が、二つのリード本体部１２の一端部２３によって構成されている。一方、モールド樹脂３３から延出するリード３４の他端部３６は、二つのリード本体部１２の他端部２４及びリード拡幅部１５によって構成されている。なお、図示例では、二つのリード本体部１２の一端部２３の一部がモールド樹脂３３の外側に位置するため、リード３４の他端部３６はこれら二つのリード本体部１２の一端部２３の一部も含んで構成されている。また、図示例のリード３４の他端部３６には、枠体部１３の連結部分１３Ａも含まれている。
さらに、リード３４の他端部３６には、その延出方向先端から基端側に窪む凹所２６が二つ形成されている。これら二つの凹所２６は、リード３４の幅方向に間隔をあけて配列されている。さらに、リード３４の他端部３６には、各凹所２６よりもリード３４の他端部３６の延出方向基端側に間隔をあけた位置に切欠孔２７が形成されている。

そして、リード３４の他端部３６の延出方向の先端部３７は、凹所２６を介して相互に隣り合う二つのリード本体部１２の他端部２４の延出方向先端部、及び、リード拡幅部１５の先端部に対応している。また、リード３４の他端部３６には、リード３４の先端部３７に対して上方に立ち上がる立ち上がり部３８が形成されているが、この立ち上がり部３８は、二つのリード本体部１２の他端部２４の延出方向中途部及び延出方向基端部、並びに、これらの間に配されるリード拡幅部１５の基端部に対応している。

以上のように構成される第二の半導体装置３０Ｂでは、ダイパッド１１が第二の半導体装置３０Ｂにおける一方の電極（例えばカソード電極）をなし、リード３４が第二の半導体装置３０Ｂにおける他方の電極（例えばアノード電極）をなしている。

以上のように構成される第二の半導体装置３０Ｂによれば、実装基板（不図示）への実装に際して、リード３４の先端部３７をはんだによって実装基板のランド（不図示）に接合する場合に、リード３４の先端部３７を実装基板のランドに対して強固に固定できる。具体的に説明すれば、リード３４の先端部３７には二つの凹所２６が形成されていることで、リード３４の先端部３７の表面に対するはんだの濡れ面積が拡大されるため、リード３４の先端部３７を実装基板のランドに対して強固に固定できる。

また、第二の半導体装置３０Ｂによれば、リード３４の他端部３６が第一の半導体装置３０Ａと比較して大きいため、半導体チップ３１等モールド樹脂３３内において生じた熱を効率よく外部（例えば実装基板）に放散できる。すなわち、放熱性の向上を図ることができる。
さらに、第二の半導体装置３０Ｂでは、リード３４の通電面積が第一の半導体装置３０Ａよりも大きいため、リード３４に大電流を流すことができる。また、通電によってワイヤー３２に生じる熱を、効率よくリード３４の他端部３６に逃がして、ワイヤー３２の温度上昇を抑えることができるため、ワイヤー３２にも大電流を流すことが可能となる。以上のことから、第二の半導体装置３０Ｂには、大電流を流すことができる。

（第三の半導体装置）
まず、図９，１０を参照して第三の半導体装置３０Ｃを製造する方法について説明する。第三の半導体装置３０Ｃを製造する際には、はじめに、前述した第二の半導体装置３０Ｂの場合と同様のフレーム準備工程、搭載工程、接続工程、モールド工程、めっき工程を順番に実施する。そして、このめっき工程後に、リードフレーム１の各部を適宜切断する（切断工程）。

切断工程では、第二の半導体装置３０Ｂの場合と同様に、枠体部１３の接続部分１３Ｂ及び連結部１６を切り落とし、さらに、枠体部１３の連結部分１３Ａを支持用リード１４から切り離す。
また、切断工程では、各リード本体部１２とリード拡幅部１５とを凹所２６及び切欠孔２７において切り離すように、また、各リード本体部１２の他端部２４を一端部２３から切り離すように、リードフレーム１を切断する。これにより、各リード本体部１２の他端部２４が切り落とされる。切断工程後の状態においては、二つのリード本体部１２の他端部２４が枠体部１３の連結部分１３Ａを介してリード拡幅部１５と一体に形成されている。また、リード拡幅部１５が枠体部１３の連結部分１３Ａからダイパッド１１に対して離れる方向に延出している。

さらに、切断工程後の状態において、各リード本体部１２の他端部２４に対向していたリード拡幅部１５の側面には、第一の半導体装置３０Ａの場合と同様に、枠体部１３から延びるリード拡幅部１５の延出方向先端側から基端側に向けて、めっき領域４１ａ，４１ｃと、非めっき領域４１ｂとが順番に配列される。具体的には、二つのめっき領域４１ａ，４１ｃと一つの非めっき領域４１ｂとが、リード拡幅部１５の延出方向先端側から基端側に向けて交互に配列されている。

最後に、第二の半導体装置３０Ｂの場合と同様の折り曲げ工程を実施することで、図１０に示す第三の半導体装置３０Ｃが得られる。ただし、この折り曲げ工程では、モールド樹脂３３から延出するリード拡幅部１５及び枠体部１３の連結部分１３Ａに折り曲げ加工を施す。具体的には、図１０に示すように、リード拡幅部１５の先端部（第一めっき領域４１ａを含む部分）と基端部（第一非めっき領域４１ｂを含む部分）との境界部分、及び、枠体部１３の連結部分１３Ａの二か所において折り曲げる。
これにより、リード拡幅部１５の先端部（先端部３７）が、第一の半導体装置３０Ａの場合と同様に、リード本体部１２の一端部２３よりも低く位置してダイパッド１１の下面１１ｂと共に同一平面をなすように配される。また、リード拡幅部１５の基端部（立ち上がり部３８）が、リード拡幅部１５の先端部に対して上方に立ち上がる（図６参照）。

以上のように製造される第三の半導体装置３０Ｃは、第二の半導体装置３０Ｂと同様に、半導体チップ３１、ダイパッド１１、一つのリード３４、ワイヤー３２、モールド樹脂３３を備えている。ただし、第三の半導体装置３０Ｃでは、リード３４が、リードフレーム１のうち二つのリード本体部１２の一端部２３及びリード拡幅部１５によって構成されている。なお、図示例のリード３４は、枠体部１３の連結部分１３Ａも含んで構成されている。

具体的には、リード３４の長手方向の一端部３５が、第二の半導体装置３０Ｂと同様に、二つのリード本体部１２の一端部２３によって構成されている。一方、モールド樹脂３３から延出するリード３４の他端部３６は、リード拡幅部１５によって構成されている。なお、図示例では、二つのリード本体部１２の一端部２３の一部がモールド樹脂３３の外側に位置するため、リード３４の他端部３６はこれら二つのリード本体部１２の一端部２３の一部も含んで構成されている。また、図示例のリード３４の他端部３６には、枠体部１３の連結部分１３Ａも含まれている。

さらに、リード３４の他端部３６の延出方向の先端部３７は、リード拡幅部１５の先端部に対応している。また、リード３４の他端部３６には、その先端部３７に対して上方に立ち上がる立ち上がり部３８が形成されているが、この立ち上がり部３８は、リード拡幅部１５の基端部に対応している。

そして、リード３４の他端部３６がリード本体部１２の他端部２４から切り離したリード拡幅部１５（図９参照）によって構成されるため、リード３４の他端部３６のうち二つのリード本体部１２の一端部２３の配列方向に向く側面には、第一の半導体装置３０Ａの場合と同様に、リード３４の他端部３６の延出方向先端側から基端側に向けてめっきを施しためっき領域４１ａ，４１ｃと、めっきが施されていない非めっき領域４１ｂとが順番に配列されている（図６参照）。第一めっき領域４１ａはリード３４の先端部３７に形成され、第一非めっき領域４１ｂはリード３４の立ち上がり部３８に形成されている。

以上のように構成される第三の半導体装置３０Ｃでは、ダイパッド１１が第三の半導体装置３０Ｃにおける一方の電極（例えばカソード電極）をなし、リード３４が第三の半導体装置３０Ｃにおける他方の電極（例えばアノード電極）をなしている。

以上のように構成される第三の半導体装置３０Ｃによれば、第一の半導体装置３０Ａと同様に、リード３４の先端部３７の側面に第一めっき領域４１ａが形成され、リード３４の立ち上がり部３８の側面に第一非めっき領域４１ｂが形成されるため、はんだがリード３４の先端部３７よりも基端側に無駄に濡れ広がることを抑制することができる。したがって、必要最小限のはんだ量によってリード３４の先端部３７を実装基板のランドに対して強固に固定できる。

また、第三の半導体装置３０Ｃによれば、第二の半導体装置３０Ｂの場合と同様に、リード３４の他端部３６が第一の半導体装置３０Ａと比較して大きいため、放熱性の向上を図ることができる。さらに、第三の半導体装置３０Ｃでは、リード３４の通電面積が第一の半導体装置３０Ａよりも大きいため、第二の半導体装置３０Ｂの場合と同様に、大電流を流すことができる。

（第四の半導体装置）
まず、図１１，１２を参照して第四の半導体装置３０Ｄを製造する方法について説明する。
第四の半導体装置３０Ｄを製造する際には、はじめに、第一〜第三の半導体装置３０Ａ〜３０Ｃの場合と同様のフレーム準備工程、搭載工程を順番に実施する。ただし、搭載工程において搭載される半導体チップ３１は、上面にゲート電極及びソース電極を有し、下面にドレイン電極を有するＭＯＳＦＥＴである。搭載工程では、半導体チップ３１の下面をはんだ等によりダイパッド１１の搭載面１１ａに接合することで、半導体チップ３１のドレイン電極がダイパッド１１に電気接続される。

次いで、半導体チップ３１と各リード本体部１２の一端部２３とをワイヤー３２により電気接続する（接続工程）。この工程では、第一リード本体部１２Ａと半導体チップ３１のゲート電極とを細いワイヤー３２により接続する。また、第二リード本体部１２Ｂと半導体チップ３１のソース電極とを太いワイヤー３２により接続する。なお、第二リード本体部１２Ｂと半導体チップ３１との間には、大電流を流すことができるように、太いワイヤー３２が二本配される。
その後、第一〜第三の半導体装置３０Ａ〜３０Ｃの場合と同様のモールド工程、めっき工程を順番に実施する。
そして、このめっき工程後に、リードフレーム１の各部を適宜切断する（切断工程）。

切断工程では、第二の半導体装置３０Ｂの場合と同様に、枠体部１３の接続部分１３Ｂ及び連結部１６を切り落とし、さらに、枠体部１３の連結部分１３Ａを支持用リード１４から切り離す。
また、切断工程では、第一リード本体部１２Ａとリード拡幅部１５とを凹所２６及び切欠孔２７において切り離すように、リードフレーム１を切断する。これにより、第一リード本体部１２Ａとリード拡幅部１５とが分離される。切断工程後の状態においては、第二リード本体部１２Ｂが枠体部１３の連結部分１３Ａ及びリード拡幅部１５と一体に形成されている。なお、枠体部１３の連結部分１３Ａは、例えば切断工程において切り落とされてもよい。

さらに、切断工程後の状態において、互いに対向する第一リード本体部１２Ａ及びリード拡幅部１５の各側面には、第一、第三の半導体装置３０Ａ，３０Ｃの場合と同様に、枠体部１３から延びる第一リード本体部１２Ａ及びリード拡幅部１５の延出方向先端側から基端側に向けて、めっき領域４１ａ，４１ｃと、非めっき領域４１ｂ，４１ｄとが順番に配列される。具体的には、二つのめっき領域４１ａ，４１ｃと非めっき領域４１ｂ，４１ｄとが、第一リード本体部１２Ａ及びリード拡幅部１５の延出方向先端側から基端側に向けて交互に配列されている。

最後に、第一、第二の半導体装置３０Ａ，３０Ｂの場合と同様の折り曲げ工程を実施することで、図１２に示す第四の半導体装置３０Ｄが得られる。すなわち、折り曲げ工程では、モールド樹脂３３から延出する二つのリード本体部１２の他端部２４、リード拡幅部１５及び枠体部１３の連結部分１３Ａに折り曲げ加工を施す。

具体的には、図１２に示すように、第一の半導体装置３０Ａの場合と同様に、第一リード本体部１２Ａの他端部２４の延出方向先端部（第一めっき領域４１ａを含む部分）と、延出方向中途部（第一非めっき領域４１ｂを含む部分）との境界部分、及び、第一リード本体部１２Ａの中途部２５（第二非めっき領域４１ｄを含む部分）の二か所において折り曲げる。
これにより、第一リード本体部１２Ａの他端部２４の延出方向先端部（先端部３７）が、第一リード本体部１２Ａの一端部２３よりも低く位置してダイパッド１１の下面１１ｂと共に同一平面をなすように配される。また、第一リード本体部１２Ａの他端部２４の延出方向中途部及び延出方向基端部（立ち上がり部３８）が、延出方向先端部に対して上方に立ち上がる（図６参照）。

また、第二の半導体装置３０Ｂの場合と同様に、第二リード本体部１２Ｂの他端部２４の延出方向先端部（凹所２６に隣り合う部分）と延出方向中途部（リード拡幅部１５との接続部分）との境界部分、及び、第二リード本体部１２Ｂの中途部２５（連結部分１３Ａとの接続部分）の二か所において折り曲げる。また、この折り曲げの際には、リード拡幅部１５の先端部（第一めっき領域４１ａを含む部分）と基端部（第一非めっき領域４１ｂを含む部分）との境界部分、及び、枠体部１３の連結部分１３Ａの二か所も同時に折り曲げられる。
これにより、第二リード本体部１２Ｂの他端部２４の延出方向先端部、及び、これに対応するリード拡幅部１５の先端部（先端部３７）が、第一リード本体部１２Ａと同様に、ダイパッド１１の下面１１ｂと共に同一平面をなすように配される。また、第二リード本体部１２Ｂの他端部２４の延出方向中途部及び延出方向基端部、並びにこれに対応するリード拡幅部１５の基端部（立ち上がり部３８）が、第二リード本体部１２Ｂの他端部２４の延出方向先端部に対して上方に立ち上がる（図６参照）。

以上のように製造される第四の半導体装置３０Ｄは、第一の半導体装置３０Ａと同様に、半導体チップ３１、ダイパッド１１、二つのリード３４、ワイヤー３２、モールド樹脂３３を備えている。
半導体チップ３１は、上面にゲート電極及びソース電極を有し、下面にドレイン電極を有するＭＯＳＦＥＴである。そして、半導体チップ３１の下面がはんだ等により搭載面１１ａに接合されることで、半導体チップ３１のドレイン電極がダイパッド１１に電気接続されている。

また、第一リード３４Ａは、第一の半導体装置３０Ａと同様に、第一リード本体部１２Ａのみによって構成されている。一方、第二リード３４Ｂは、第二リード本体部１２Ｂ及びリード拡幅部１５によって構成されている。具体的には、第二リード３４Ｂの他端部３６が、第二リード本体部１２Ｂ及びリード拡幅部１５によって構成されている。なお、図示例のリード３４の他端部３６には、枠体部１３の連結部分１３Ａも含まれている。

そして、第一リード３４Ａの他端部３６の延出方向の先端部３７は、第一の半導体装置３０Ａと同様に、第一リード本体部１２Ａの延出方向先端部に対応している。また、第一リード３４Ａの他端部３６に形成されて先端部３７に対して上方に立ち上がる立ち上がり部３８は、第一リード本体部１２Ａの他端部２４の延出方向中途部及び延出方向基端部に対応している。
一方、第二リード３４Ｂの他端部３６の先端部３７は、第二リード本体部１２Ｂの延出方向先端部及びこれに隣り合うリード拡幅部１５の先端部に対応している。また、第二リード３４Ｂの他端部３６に形成されて先端部３７に対して上方に立ち上がる立ち上がり部３８は、第二リード本体部１２Ｂの他端部２４の延出方向中途部及び延出方向基端部、及び、これに隣り合うリード拡幅部１５の基端部に対応している。

そして、これら二つのリード３４の他端部３６のうち互いに対向する各側面には、第一の半導体装置３０Ａの場合と同様に、リード３４の他端部３６の延出方向先端側から基端側に向けてめっきを施しためっき領域４１ａ，４１ｃと、めっきが施されていない非めっき領域４１ｂ，４１ｄとが順番に配列されている（図６参照）。第一めっき領域４１ａは各リード３４の先端部３７に形成され、第一非めっき領域４１ｂは各リード３４の立ち上がり部３８に形成されている。

以上のように構成される第四の半導体装置３０Ｄでは、ダイパッド１１が第四の半導体装置におけるドレイン電極をなし、第一リード３４Ａが第四の半導体装置３０Ｄにおけるゲート電極をなしている。また、第二リード３４Ａが第四の半導体装置３０Ｄにおけるソース電極をなしている。

以上のように構成される第四の半導体装置３０Ｄによれば、第一の半導体装置３０Ａの場合と同様に、リード３４の先端部３７の側面に第一めっき領域４１ａが形成され、リード３４の先端部３７に連ねて形成される立ち上がり部３８の側面には第一非めっき領域４１ｂが形成されるため、はんだがリード３４の先端部３７よりも基端側に無駄に濡れ広がることを抑制することができる。したがって、必要最小限のはんだ量によってリード３４の先端部３７を実装基板のランドに対して強固に固定できる。

また、第四の半導体装置３０Ｄによれば、第二の半導体装置３０Ｂの場合と同様に、第二リード３４Ｂの他端部３６が第一の半導体装置３０Ａと比較して大きいため、放熱性の向上を図ることができる。
さらに、第四の半導体装置３０Ｄでは、第二リード３４Ｂの通電面積が第一の半導体装置３０Ａよりも大きいため、第二の半導体装置３０Ｂの場合と同様に、大電流を流すことができる。

以上説明したように本実施形態のリードフレーム１によれば、二つのリード本体部１２、及び、二つのリード本体部１２の他端部２４に一体に形成されるリード拡幅部１５を備えるため、図５，６に示すようにリード３４がリード本体部１２のみによって構成される第一の半導体装置３０Ａ、図８に示すようにリード３４がリード本体部１２及びリード拡幅部１５によって構成される第二の半導体装置３０Ｂ、図１０に示すようにリード３４がリード本体部１２の一部及びリード拡幅部１５によって構成される第三の半導体装置３０Ｃ、図１２に示すように大きさの異なる二つのリード３４を備える第四の半導体装置３０Ｄを製造することができる。すなわち、様々な形状、大きさ、数のリード３４を備える様々な仕様の半導体装置３０を製造できるため、リードフレーム１の汎用性向上を図ることができる。

なお、上記第一実施形態のダイパッド１１は、板厚が異なる厚板部２１及び薄板部２２によって構成されているが、例えば板厚が均一の板状に形成されてもよい。

〔第二実施形態〕
次に、図１３〜２３を参照して本発明の第二実施形態について説明する。
この実施形態では、第一実施形態のリードフレーム１と比較して、同一のダイパッド１１に対するリード本体部１２や枠体部１３、リード拡幅部１５の数や配置のみが異なっており、その他の構成については、第一実施形態と同様である。本実施形態では、第一実施形態と同様の構成については同一符号を付す等して、その説明を省略する。

図１３に示すように、この実施形態に係るリードフレーム２は、第一実施形態のリードフレーム１と同様に、後述する半導体装置３０（図１４〜２３参照）の製造に使用するものであり、銅板等のように導電性を有する板材にプレス加工等を施すことで得られる。
このリードフレーム２は、ダイパッド１１、リード本体部１２、枠体部１３、支持用リード１４、リード拡幅部１５を備えている。
本実施形態のダイパッド１１は、厚さが均一の板状に形成されているが、第一実施形態と同様の搭載面１１ａを有している。なお、ダイパッド１１の厚さ寸法は、リード本体部１２、枠体部１３、支持用リード１４、リード拡幅部１５よりも大きく設定されてもよいが、例えば同等であってもよい。

リード本体部１２は、平面視したダイパッド１１の一端側及び他端側にそれぞれ間隔をあけて二つずつ配されている。すなわち、本実施形態では、同一のダイパッド１１に対して四つのリード本体部１２が配されている。各リード本体部１２は、ダイパッド１１の搭載面１１ａに沿ってダイパッド１１から離れる方向に延びている。また、ダイパッド１１の同一端に配された二つのリード本体部１２は、リード本体部１２の幅方向に間隔をあけて配列されている。また、これら二つのリード本体部１２の長手方向は互いに平行している。

枠体部１３は、ダイパッド１１の同一端に配列された二つのリード本体部１２の長手方向の中途部２５に接続され、これら二つのリード本体部１２を一体に連結する連結部分１３Ａを有している。連結部分１３Ａは、上記二つのリード本体部１２の配列方向に延びる帯状に形成されている。
さらに、枠体部１３は、ダイパッド１１の両端に配されたリード本体部１２同士を接続する接続部分１３Ｂを有している。この接続部分１３Ｂは、ダイパッド１１の側部を回り込むようにリード本体部１２の長手方向に延びて形成され、その長手方向の両端がリード本体部１２の長手方向の中途部２５に接続されている。また、接続部分１３Ｂはダイパッド１１の両側部に配される。
そして、本実施形態の枠体部１３は、ダイパッド１１及び四つのリード本体部１２の一端部２３を囲む平面視矩形環状に形成されている。

支持用リード１４は、ダイパッド１１を枠体部１３に連結して支持するものである。なお、図示例の支持用リード１４は、枠体部１３の接続部分１３Ｂに接続されているが、これに限ることはない。
リード拡幅部１５は、第一実施形態と同様であり、ダイパッド１１の同一端において互いに隣り合う二つのリード本体部１２の他端部２４の間に配され、これら二つのリード本体部１２の他端部２４に一体に形成されている。
また、ダイパッド１１の同一端に配された二つのリード本体部１２の他端部２４とリード拡幅部１５との各接続部分には、第一実施形態と同様の凹所２６及び切欠孔２７が形成されている。

また、本実施形態では、同一のリードフレーム２を用いて複数の半導体装置を製造できるように、一つの半導体装置を製造するためのユニット（前述したダイパッド１１、四つのリード本体部１２、枠体部１３、支持用リード１４、リード拡幅部１５を含むユニット）を複数接続して構成されている。具体的には、複数のユニットを同じ向きに配した状態で、互いに隣り合う枠体部１３の接続部分１３Ｂ同士を一体に形成している。

以上のように構成される本実施形態のリードフレーム２を用いれば、第一実施形態と同様に、図１５等に例示する複数種類の半導体装置３０を製造することが可能である。以下、本実施形態のリードフレーム２を用いて製造される五種類の半導体装置３０及びその製造方法について、図１４〜２３を参照して具体的に説明する。

（第五の半導体装置）
まず、図１４，１５を参照して第五の半導体装置３０Ｅを製造する方法について説明する。
第五の半導体装置３０Ｅを製造する際には、はじめに、上記構成のリードフレーム２を用意する（フレーム準備工程）。次いで、図１４に示すように、ダイパッド１１の搭載面１１ａに半導体チップ３１を搭載する（搭載工程）。半導体チップ３１は、ダイオードのように両面に電極を有するものである。この搭載工程では、半導体チップ３１の一方の電極をはんだ等によりダイパッド１１の搭載面１１ａに接合することで、半導体チップ３１がダイパッド１１に電気接続される。

その後、半導体チップ３１とリード本体部１２の一端部２３とをワイヤー３２により電気接続する（接続工程）。この工程では、四つのリード本体部１２のうちダイパッド１１の一端側に配された二つのリード本体部１２（第一リード本体部１２Ａ及び第二リード本体部１２Ｂ）のみにワイヤー３２が接合され、残りの二つのリード本体部１２（第三リード本体部１２Ｃ及び第四リード本体部１２Ｄ）には接合されない。すなわち、半導体チップ３１と第一、第二リード本体部１２Ａ，１２Ｂとが電気接続され、第三、第四リード本体部１２Ｃ，１２Ｄは半導体チップ３１に電気接続されない。
また、この工程では、半導体チップ３１に大電流を流すことができるように、第一リード本体部１２Ａ及び第二リード本体部１２Ｂと半導体チップ３１との各間にワイヤー３２が二本ずつ配される。

さらに、半導体チップ３１、ダイパッド１１、四つのリード本体部１２の一端部２３、支持用リード１４及びワイヤー３２をモールド樹脂３３により封止する（モールド工程）。モールド工程では、ダイパッド１１の下面１１ｂ（図３等参照）が露出するようにモールド樹脂３３が形成される。また、各リード本体部１２の他端部２４、枠体部１３、リード拡幅部１５がモールド樹脂３３の外側に配される。さらに、図示例では、第一実施形態と同様に、リード本体部１２の一端部２３及び支持用リード１４のうち、枠体部１３側に位置する端部もモールド樹脂３３の外側に位置する。

その後、モールド樹脂３３の外側に位置するリードフレーム２の表面全体にめっきを施す（めっき工程）。
そして、このめっき工程後に、リードフレーム２の各部を適宜切断する（切断工程）することで、第五の半導体装置３０Ｅの製造が完了する。切断工程では、枠体部１３の接続部分１３Ｂを切り落とす。また、切断工程では、ダイパッド１１の他端側に配された第三、第四リード本体部１２Ｃ，１２Ｄの他端部２４、枠体部１３の連結部分１３Ａ、リード拡幅部１５を切り落とす。切断工程後の状態は、前述した第二の半導体装置２０Ｂの場合（図７参照）と同様である。
なお、切断工程後には、前述した第二の半導体装置２０Ｂの場合と同様に、モールド樹脂３３から延出する二つのリード本体部１２の他端部２４、リード拡幅部１５及び枠体部１３の連結部分１３Ａに折り曲げ加工を施してもよい（図８参照）。

以上のように製造される第五の半導体装置３０Ｅは、図１５に示すように、半導体チップ３１、ダイパッド１１、一つのリード３４、ワイヤー３２、モールド樹脂３３を備え、第二の半導体装置３０Ｂと同様に構成されている。
すなわち、リード３４は、リードフレーム２のうちダイパッド１１の一端側に配された二つのリード本体部１２及びリード拡幅部１５によって構成されている。なお、図示例のリード３４は、枠体部１３の連結部分１３Ａも含んで構成されている。また、リード３４の他端部３６には、凹所２６及び切欠孔２７が二つずつ形成されている。

以上のように構成される第五の半導体装置３０Ｅでは、前述した第二の半導体装置２０Ｂと同様に、ダイパッド１１が第五の半導体装置３０Ｅにおける一方の電極（例えばカソード電極）をなし、リード３４が第五の半導体装置３０Ｅにおける他方の電極（例えばアノード電極）をなしている。
第五の半導体装置３０Ｅによれば、第二の半導体装置２０Ｂと同様の効果を奏する。

（第六の半導体装置）
まず、図１６，１７を参照して第六の半導体装置３０Ｆを製造する方法について説明する。
第六の半導体装置３０Ｆを製造する際には、はじめに、第五の半導体装置３０Ｅの場合と同様のフレーム準備工程、搭載工程、接続工程を順番に実施する。ただし、接続工程では、図１６に示すように、四つのリード本体部１２全てにワイヤー３２が接合される。また、この工程では、半導体チップ３１に大電流を流すことができるように、各リード本体部１２と半導体チップ３１との間にワイヤー３２が二本ずつ配される。
その後、第五の半導体装置３０Ｅの場合と同様のモールド工程、めっき工程を順番に実施する。

そして、このめっき工程後に、リードフレーム２の各部を適宜切断する（切断工程）することで、第六の半導体装置３０Ｆの製造が完了する。切断工程では、枠体部１３の接続部分１３Ｂを切り落とす。切断工程後の状態では、ダイパッド１１の一端側及び他端側に配される構成が、それぞれ第五の半導体装置２０Ｆにおいてダイパッド１１の一端側に配される構成（図１４参照）と同様である。
なお、切断工程後には、前述した第二の半導体装置３０Ｂの場合と同様に、ダイパッド１１の同一端側に配されてモールド樹脂３３から延出する二つのリード本体部１２の他端部２４、リード拡幅部１５及び枠体部１３の連結部分１３Ａに折り曲げ加工を施してもよい（図８参照）。

以上のように製造される第六の半導体装置３０Ｆは、図１７に示すように、第五の半導体装置３０Ｅと同様の半導体チップ３１、ダイパッド１１、リード３４、ワイヤー３２、モールド樹脂３３を備えている。ただし、第六の半導体装置３０Ｆは、二つリード３４（第一リード３４Ａ及び第二リード３４Ｂ）を備えている。
各リード３４の形状及び構成要素は、前述した第五の半導体装置３０Ｅと同様である。そして、二つのリード３４の他端部３６は、モールド樹脂３３から互いに逆向きに延びている。

第六の半導体装置３０Ｆでは、ダイパッド１１が第六の半導体装置３０Ｆにおける一方の電極（例えばカソード電極）をなし、二つのリード３４が第六の半導体装置３０Ｆにおける他方の電極（例えばアノード電極）をなしている。
この第六の半導体装置３０Ｆによれば、第五の半導体装置３０Ｅと同様の効果を奏する。さらに、第六の半導体装置３０Ｆによれば、半導体チップ３１に接続されるリード３４の数が、第五の半導体装置３０Ｅと比較して多いため、より大きな電流を流すことができる。

（第七の半導体装置）
まず、図１８，１９を参照して第七の半導体装置３０Ｇを製造する方法について説明する。
第七の半導体装置３０Ｇを製造する際には、はじめに、第五の半導体装置３０Ｅの場合と同様のフレーム準備工程、搭載工程を順番に実施する。ただし、搭載工程において搭載される半導体チップ３１は、上面にゲート電極及びソース電極を有し、下面にドレイン電極を有するＭＯＳＦＥＴである。搭載工程では、半導体チップ３１をはんだ等によりダイパッド１１の搭載面１１ａに接合することで、半導体チップ３１のドレイン電極がダイパッド１１に電気接続される。

次いで、半導体チップ３１と各リード本体部１２の一端部２３とをワイヤー３２により電気接続する（接続工程）。この工程では、第四の半導体装置３０Ｄの場合（図１１参照）と同様に、ダイパッド１１の一端側に配された第一リード本体部１２Ａと、半導体チップ３１のゲート電極とを細いワイヤー３２により接続する。また、第二リード本体部１２Ｂと半導体チップ３１のソース電極とを太いワイヤー３２により接続する。第二リード本体部１２Ｂと半導体チップ３１との間には、大電流を流すことができるように、太いワイヤー３２が二本配される。なお、ダイパッド１１の他端側に配された第三、第四リード本体部１２Ｃ，１２Ｄは半導体チップ３１に接続されない。
その後、第五の半導体装置３０Ｅの場合と同様のモールド工程、めっき工程を順番に実施する。

そして、このめっき工程後に、リードフレーム２の各部を適宜切断する（切断工程）することで、第七の半導体装置３０Ｇの製造が完了する。切断工程では、第五の半導体装置３０Ｅの場合と同様に、枠体部１３の接続部分１３Ｂを切り落とす。また、ダイパッド１１の他端側に配された第三、第四リード本体部１２Ｃ，１２Ｄの他端部２４、枠体部１３の連結部分１３Ａ、リード拡幅部１５を切り落とす。
さらに、この切断工程では、第四の半導体装置２０Ｄの場合と同様に、第一リード本体部１２Ａとリード拡幅部１５とを凹所２６及び切欠孔２７において切り離すように、リードフレーム２を切断する。これにより、第一リード本体部１２Ａとリード拡幅部１５とが分離される。

切断工程後の状態は、前述した第四の半導体装置２０Ｄの場合（図１１参照）と同様である。すなわち、互いに対向する第一リード本体部１２Ａ及びリード拡幅部１５の各側面には、枠体部１３から延びる第一リード本体部１２Ａ及びリード拡幅部１５の延出方向先端側から基端側に向けて、めっき領域４１ａ，４１ｃと、非めっき領域４１ｂ，４１ｄとが順番に配列される。
なお、切断工程後には、第四の半導体装置３０Ｄの場合と同様に、ダイパッド１１の同一端側に配されてモールド樹脂３３から延出する二つのリード本体部１２、リード拡幅部１５及び枠体部１３の連結部分１３Ａに折り曲げ加工を施してもよい（図１２参照）。

以上のように製造される第七の半導体装置３０Ｇは、図１９に示すように、半導体チップ３１、ダイパッド１１、二つのリード３４、ワイヤー３２、モールド樹脂３３を備え、第四の半導体装置３０Ｄと同様に構成されている。
すなわち、第一リード３４Ａが第一リード本体部１２Ａのみによって構成され、第二リード３４Ｂが第二リード本体部１２Ｂ及びリード拡幅部１５によって構成されている。
また、二つのリード３４の他端部３６のうち互いに対向する各側面には、リード３４の他端部３６の延出方向先端側から基端側に向けてめっきを施しためっき領域４１ａ，４１ｃと、めっきが施されていない非めっき領域４１ｂ，４１ｄとが順番に配列されている。

以上のように構成される第七の半導体装置３０Ｇでは、ダイパッド１１が第七の半導体装置３０Ｇにおけるドレイン電極をなし、第一リード３４Ａが第七の半導体装置３０Ｇにおけるゲート電極をなしている。また、第二リード３４Ｂが第七の半導体装置３０Ｇにおけるソース電極をなしている。
第七の半導体装置３０Ｇによれば、第四の半導体装置３０Ｄと同様の効果を奏する。

（第八の半導体装置）
まず、図２０，２１を参照して第八の半導体装置３０Ｈを製造する方法について説明する。
第八の半導体装置３０Ｈを製造する際には、はじめに、第七の半導体装置３０Ｇの場合と同様のフレーム準備工程、搭載工程、接続工程を順番に実施する。接続工程では、第七の半導体装置３０Ｇの場合と同様に、ダイパッド１１の一端側に配された第一リード本体部１２Ａと、半導体チップ３１のゲート電極とを細いワイヤー３２により接続する。また、第二リード本体部１２Ｂと半導体チップ３１のソース電極とを太いワイヤー３２により接続する。さらに、接続工程では、ダイパッド１１の他端側に配された第三、第四リード本体部１２Ｃ，１２Ｄと、半導体チップ３１のソース電極とを太いワイヤー３２により接続する。なお、第二〜第四リード本体部１２Ｂ〜１２Ｄと半導体チップ３１との各間には、大電流を流すことができるように、太いワイヤー３２が二本ずつ配される。
その後、第五の半導体装置３０Ｅの場合と同様のモールド工程、めっき工程を順番に実施する。

そして、このめっき工程後に、リードフレーム２の各部を適宜切断する（切断工程）ことで、第八の半導体装置３０Ｈの製造が完了する。切断工程では、第七の半導体装置３０Ｇの場合と同様に、枠体部１３の接続部分１３Ｂを切り落とす。また、第一リード本体部１２Ａとリード拡幅部１５とを凹所２６及び切欠孔２７において切り離すように、リードフレーム２を切断する。これにより、第一リード本体部１２Ａとリード拡幅部１５とが分離される。

切断後の状態においては、ダイパッド１１の一端側の構成が、第七の半導体装置３０Ｇの場合（図１８参照）と同様である。すなわち、互いに対向する第一リード本体部１２Ａ及びリード拡幅部１５の各側面には、枠体部１３から延びる第一リード本体部１２Ａ及びリード拡幅部１５の延出方向先端側から基端側に向けて、めっき領域４１ａ，４１ｃと、非めっき領域４１ｂ，４１ｄとが順番に配列される。
また、切断後の状態においては、ダイパッド１１の他端側の構成が、第六の半導体装置３０Ｆの場合（図１６参照）と同様である。すなわち、ダイパッド１１の他端側には、第三、第四リード本体部１２Ｃ，１２Ｄ、枠体部１３の連結部分１３Ａ、リード拡幅部１５が一体に形成された状態で残っている。
なお、上記切断工程後には、第二の半導体装置３０Ｂや第四の半導体装置３０Ｄの場合と同様の折り曲げ加工を施してもよい（図８，１２参照）。

以上のように製造される第八の半導体装置３０Ｈは、図２１に示すように、半導体チップ３１、ダイパッド１１、三つのリード３４、ワイヤー３２、モールド樹脂３３を備えている。この第八の半導体装置３０Ｈでは、ダイパッド１１の一端側に配される第一リード３４Ａ及び第二リード３４Ｂの形状及び構成要素が、第七の半導体装置３０Ｇと同様である。また、ダイパッド１１の他端側に配される第三リード３４Ｃの形状及び構成要素は、第六の半導体装置３０Ｆの第二リード３４Ｂと同様である。

第八の半導体装置３０Ｈでは、ダイパッド１１が第八の半導体装置３０Ｈにおけるドレイン電極をなし、第一リード３４Ａが第八の半導体装置３０Ｈにおけるゲート電極をなしている。また、第二リード３４Ｂ及び第二リード３４Ｃが第八の半導体装置３０Ｈにおけるソース電極をなしている。
この第八の半導体装置３０Ｈによれば、第七の半導体装置３０Ｇと同様の効果を奏する。また、第八の半導体装置３０Ｈによれば、第二リード１２Ｂに加えて通電面積が大きい第三リード１２Ｃもソース電極として機能するため、第七の半導体装置３０Ｇと比較して、大電流を流すことができる。

（第九の半導体装置）
まず、図２２，２３を参照して第九の半導体装置３０Ｉを製造する方法について説明する。
第九の半導体装置３０Ｉを製造する際には、はじめに、第七の半導体装置３０Ｇの場合と同様のフレーム準備工程、搭載工程、接続工程を順番に実施する。接続工程では、第七の半導体装置３０Ｇの場合と同様に、ダイパッド１１の一端側に配された第一リード本体部１２Ａと、半導体チップ３１のゲート電極とを細いワイヤー３２により接続する。また、接続工程では、ダイパッド１１の他端側に配された第四リード本体部１２Ｄと、半導体チップ３１のソース電極とを太いワイヤー３２により接続する。第四リード本体部１２Ｄと半導体チップ３１との間には、大電流を流すことができるように、太いワイヤー３２が二本配される。なお、ダイパッド１１の一端側に配された第二リード本体部１２Ｂ、及び、ダイパッド１１の他端側に配された第三リード本体部１２Ｃは、半導体チップ３１に接続されない。
その後、第五の半導体装置３０Ｅの場合と同様のモールド工程、めっき工程を順番に実施する。

そして、このめっき工程後に、リードフレーム２の各部を適宜切断する（切断工程）ことで、第九の半導体装置３０Ｉの製造が完了する。切断工程では、第七の半導体装置３０Ｇの場合と同様に、枠体部１３の接続部分１３Ｂを切り落とす。
また、第一リード本体部１２Ａとリード拡幅部１５とを凹所２６及び切欠孔２７において切り離すように、リードフレーム２を切断する。その上で、第二リード本体部１２Ｂの他端部２４、リード拡幅部１５及び枠体部１３の連結部分１３Ａを切り落とす。これにより、ダイパッド１１の一端側には、第一リード本体部１２Ａの全体と、第二リード本体部１２Ｂの一端部２３のみが残る。

さらに、切断工程では、第三リード本体部１２Ｃとリード拡幅部１５とを凹所２６及び切欠孔２７において切り離すように、リードフレーム２を切断する。その上で、第三リード本体部１２Ｃを切り落とす。これにより、ダイパッド１１の他端側には、第三リード本体部１２Ｃの一端部２３、第四リード本体部１２Ｄ及びリード拡幅部１５が残る。また、第四リード本体部１２Ｄはリード拡幅部１５と一体に形成されている。

切断工程後の状態においては、第七の半導体装置３０Ｇの場合と同様に、ダイパッド１１の一端側に位置する第一リード本体部１２、及び、ダイパッド１１の他端側に位置するリード拡幅部１５の各側面には、枠体部１３から延びる上記第一リード本体部１２Ａ及び上記リード拡幅部１５の延出方向先端側から基端側に向けて、めっき領域４１ａ，４１ｃと、非めっき領域４１ｂ，４１ｄとが順番に配列される。

以上のように製造される第九の半導体装置３０Ｉは、図２３に示すように、半導体チップ３１、ダイパッド１１、二つのリード３４、ワイヤー３２、モールド樹脂３３を備えている。この第九の半導体装置３０Ｉでは、第一リード３４Ａの形状及び構成要素が、第七の半導体装置３０Ｇと同様である。また、第二リード３４Ｂの形状及び構成要素は、第七の半導体装置３０Ｇと同様であるが、第四リード本体部１２Ｂ及びリード拡幅部１５によって構成されている。すなわち、第九の半導体装置３０Ｉは、第一リード３４Ａがダイパッド１１の一端側に配され、第二リード３４Ｂがダイパッド１１の他端側に配されていることを除き、第七の半導体装置３０Ｇと同様に構成されている。

すなわち、モールド樹脂３３から延出する第一リード３４Ａ及び第二リード３４Ｂの他端部３６の各側面には、各リード３４の他端部３６の延出方向先端側から基端側に向けてめっきを施しためっき領域４１ａ，４１ｃと、めっきが施されていない非めっき領域４１ｂ，４１ｄとが順番に配列されている。

また、第九の半導体装置３０Ｉでは、ダイパッド１１が第九の半導体装置３０Ｉにおけるドレイン電極をなし、第一リード３４Ａが第九の半導体装置３０Ｉにおけるゲート電極をなしている。また、第二リード３４Ｂが第九の半導体装置３０Ｉにおけるソース電極をなしている。
この第九の半導体装置３０Ｉによれば、第七の半導体装置３０Ｇと同様の効果を奏する。また、第九の半導体装置３０Ｉによれば、二つのリード３４がダイパッド１１を挟み込むように位置するため、すなわち、二つのリード３４が互いに離れて位置するため、二つのリード同士の絶縁距離を十分に確保できる。さらに、二つのリード３４をはんだによって実装基板のランドに接合する際に、二つのリード３４が接続されてしまうことを容易に防止できる。

以上説明したように本実施形態のリードフレーム２によれば、四つのリード本体部１２、及び、ダイパッド１１の同一端側において二つのリード本体部１２の他端部２４に一体に形成されるリード拡幅部１５を備えるため、図１５，１７に示すようにリード３４がリード本体部１２及びリード拡幅部１５によって構成される第五、第六の半導体装置３０Ｅ，３０Ｆ、図１９，２１，２３に示すように大きさの異なる複数のリード３４を備える第七〜第九の半導体装置３０Ｇ〜３０Ｉを製造することができる。すなわち、様々な形状、大きさ、数のリード３４を備える様々な仕様の半導体装置３０を製造できるため、リードフレーム２の汎用性向上を図ることが可能である。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の技術的範囲はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、リードフレーム１，２を構成するリード本体部１２の本数は、上記実施形態に記載したものに限らず、任意の本数であってよい。

また、上記実施形態のリードフレーム１，２では、枠体部１３の連結部分１３Ａから延びるリード本体部１２の他端部２４及びリード拡幅部１５の長さ寸法が、互いに等しいが、例えば異なっていてもよい。
さらに、上記実施形態のリードフレーム１，２では、リード本体部１２の他端部２４とリード拡幅部１５との接続部分に、凹所２６や切欠孔２７が形成されなくてもよい。

また、上記実施形態では、半導体チップ３１とリード３４（リード本体部１２）とがワイヤー３２によって電気接続されるが、少なくとも導電性を有する接続子によって電気接続されればよく、例えば導電性の板材によって接続されてもよい。
さらに、上記実施形態のリードフレーム１，２は、ダイパッド１１を備えているが、例えば備えなくてもよい。このようなリードフレームを用いて半導体装置を製造する場合には、例えばダイパッドをリードフレームと別個に用意すればよい。

また、上記実施形態のリードフレーム１，２は、リード３４を実装基板のランドに接合するタイプ（表面実装型）の半導体装置の製造に適用されることに限らず、例えば、リード３４を実装基板のスルーホールに差し込むタイプ（スルーホール実装型）の半導体装置の製造に適用することも可能である。この場合、モールド樹脂３３から突出するリード３４の他端部３６には、上記実施形態で示したものと異なる適切な折り曲げ加工を施してもよいし、あるいは、折り曲げ加工を施さなくてもよい。
例えば、図５に示す第一半導体装置３０Ａをスルーホール実装型とする場合には、リード３４に折り曲げ加工を施さず、さらに、リード拡幅部１５を支持リード１４に連結させた状態で残し、これら支持リード１４及びリード拡幅部１５をダイパッド１１に接続されたリードとして活用してもよい。

１，２ リードフレーム
１２ リード本体部
１３ 枠体部
１５ リード拡幅部
２３ リード本体部の一端部
２４ リード本体部の他端部
２５ リード本体部の中途部
２６ 凹所
３０ 半導体装置
３１ 半導体チップ
３２ ワイヤー（接続子）
３３ モールド樹脂
３４ リード
３５ リードの一端部
３６ リードの他端部
４１ａ，４１ｃ めっき領域
４１ｂ，４１ｄ 非めっき領域

Claims (7)

1. リードの長手方向の一端部を半導体チップに電気接続した上で、前記リードの一端部及び前記半導体チップをモールド樹脂により封止し、前記リードの他端部を前記モールド樹脂から延出させてなる半導体装置の製造に用いるリードフレームであって、
   前記長手方向に延びて形成されると共に、前記長手方向に直交する幅方向に間隔をあけて配列されて前記リードを構成する複数のリード本体部と、前記リード本体部の長手方向の中途部に接続されて複数の前記リード本体部を一体に連結する枠体部と、互いに隣り合う二つの前記リード本体部の長手方向の他端部に一体に形成されるリード拡幅部と、を備えることを特徴とするリードフレーム。
2. 前記リード拡幅部と前記リード本体部の他端部との接続部分に、前記枠体部から前記長手方向に延びる前記リード本体部の他端部の延出方向先端側から基端側に窪む凹所が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記リード拡幅部の前記幅方向の寸法が、前記枠体部から前記長手方向に延びる前記リード本体部の他端部の前記幅方向の寸法よりも大きいことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のリードフレーム。
4. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のリードフレームを用いて製造される半導体装置であって、
   半導体チップと、前記リード本体部の少なくとも一端部を含んで構成されるリードと、前記半導体チップ及び前記リード本体部の一端部を電気接続する接続子と、前記半導体チップ、前記リードの一端部及び前記接続子を封止するモールド樹脂と、を備え、
   前記リードの長手方向の他端部が前記モールド樹脂から延出していることを特徴とする半導体装置。
5. 前記モールド樹脂から延出する前記リードの他端部のうち前記リードの幅方向に向く側面に、前記リードの他端部の延出方向先端側から基端側に向けてめっきを施しためっき領域と、めっきが施されていない非めっき領域とが順番に配列されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記リードの他端部が、前記リード拡幅部を含んで構成されていることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置。
7. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のリードフレームを用いて半導体装置を製造する方法であって、
   前記リード拡幅部と前記リード本体部の他端部との接続部分に、前記枠体部から延びる前記リード本体部の他端部の延出方向先端側から前記長手方向に窪む凹所が形成された前記リードフレームを用意するフレーム準備工程と、
   前記半導体チップと前記リード本体部の一端部とを接続子により電気接続する接続工程と、
   前記半導体チップ及び前記リードの一端部をモールド樹脂により封止するモールド工程と、
   前記モールド樹脂の外側に位置する前記リードフレームの表面にめっきを施すめっき工程と、
   前記リード拡幅部と前記リード本体部の他端部とを前記凹所において切り離すように前記リードフレームを切断する切断工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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